JPH0762442A - １００配向鉄薄帯の製造方法 - Google Patents
１００配向鉄薄帯の製造方法Info
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- JPH0762442A JPH0762442A JP5211760A JP21176093A JPH0762442A JP H0762442 A JPH0762442 A JP H0762442A JP 5211760 A JP5211760 A JP 5211760A JP 21176093 A JP21176093 A JP 21176093A JP H0762442 A JPH0762442 A JP H0762442A
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- Japan
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- atmosphere
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高磁束密度かつ低鉄損の磁性材料
である（１００）配向鉄薄帯の製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 鉄薄帯の結晶粒の（１００）面を薄帯面に平
行に揃えることにより、高磁束密度かつ低鉄損の材料を
得ることができる。本発明は、冷間圧延を施した薄帯を
窒素と水素の混合雰囲気で再結晶させることを特徴とす
る。本発明により得られた（１００）配向鉄薄帯は、磁
束密度Ｂ20が１．７Ｔ以上、鉄損Ｗ15/50 が２．０Ｗ／
kg以下と優れた磁気特性を持つ。
である（１００）配向鉄薄帯の製造方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 鉄薄帯の結晶粒の（１００）面を薄帯面に平
行に揃えることにより、高磁束密度かつ低鉄損の材料を
得ることができる。本発明は、冷間圧延を施した薄帯を
窒素と水素の混合雰囲気で再結晶させることを特徴とす
る。本発明により得られた（１００）配向鉄薄帯は、磁
束密度Ｂ20が１．７Ｔ以上、鉄損Ｗ15/50 が２．０Ｗ／
kg以下と優れた磁気特性を持つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器を小型化また
は高機能化する上で必要である高磁束密度材料の製造方
法に関するものである。
は高機能化する上で必要である高磁束密度材料の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】純鉄は２．１６Ｔという高い飽和磁束密
度を有する磁性材料であるが、鉄損が大きいため磁心材
料としてはほとんど用いられていない。今日の実用電磁
材料としては、ＦｅにＳｉを添加したＦｅ−Ｓｉ合金
（珪素鋼）が多く用いられている。Ｓｉを添加すると、
鉄損は小さくなるが、同時に磁束密度が低下する。磁束
密度Ｂ20（磁場２０ Ｏe での磁束密度Ｂ）は、現在商
品化されている無方向性の珪素鋼板で１．５〜１．６Ｔ
というのが現状である。
度を有する磁性材料であるが、鉄損が大きいため磁心材
料としてはほとんど用いられていない。今日の実用電磁
材料としては、ＦｅにＳｉを添加したＦｅ−Ｓｉ合金
（珪素鋼）が多く用いられている。Ｓｉを添加すると、
鉄損は小さくなるが、同時に磁束密度が低下する。磁束
密度Ｂ20（磁場２０ Ｏe での磁束密度Ｂ）は、現在商
品化されている無方向性の珪素鋼板で１．５〜１．６Ｔ
というのが現状である。
【０００３】高い磁束密度を得るのに理想的な無方向性
珪素鋼板の板面方位は（１００）である。板面が（１０
０）であれば、鉄損も低くなることが知られている（例
えば、K. Matsumoto and B. Fukuda, IEEE Trans. Mag.
MAG-20, 1533(1984))。またＦｅ−３wt％Ｓｉの合金で
は、酸素を含む雰囲気で高温で再結晶させることによ
り、（１００）配向が得られることが報告されている
(J. Walter, J. Appl. Phys. 36, 1213(1965))。しか
し、この方法は、雰囲気の制御が困難であるため、実用
的ではない。同じく珪素鋼板で、過剰にＣを含有せしめ
た鋼板を特定条件で脱炭させることにより（１００）配
向が得られることが知られている（特開平４−２０２６
４４号公報）。脱炭には非常に大きなエネルギーを必要
とすることを考慮すると、これも工業的には不利であ
る。また、超急冷法を用いて薄板を作製し、その後、Ｈ
2 ガスとＡｒガスの混合ガスを用いて焼鈍することによ
り、（１００）配向を得る方法が報告されている（特開
昭６１−９１３３０号公報）。しかし、この方法は材料
を得るのに超急冷法を用いるので、量産的ではない。
珪素鋼板の板面方位は（１００）である。板面が（１０
０）であれば、鉄損も低くなることが知られている（例
えば、K. Matsumoto and B. Fukuda, IEEE Trans. Mag.
MAG-20, 1533(1984))。またＦｅ−３wt％Ｓｉの合金で
は、酸素を含む雰囲気で高温で再結晶させることによ
り、（１００）配向が得られることが報告されている
(J. Walter, J. Appl. Phys. 36, 1213(1965))。しか
し、この方法は、雰囲気の制御が困難であるため、実用
的ではない。同じく珪素鋼板で、過剰にＣを含有せしめ
た鋼板を特定条件で脱炭させることにより（１００）配
向が得られることが知られている（特開平４−２０２６
４４号公報）。脱炭には非常に大きなエネルギーを必要
とすることを考慮すると、これも工業的には不利であ
る。また、超急冷法を用いて薄板を作製し、その後、Ｈ
2 ガスとＡｒガスの混合ガスを用いて焼鈍することによ
り、（１００）配向を得る方法が報告されている（特開
昭６１−９１３３０号公報）。しかし、この方法は材料
を得るのに超急冷法を用いるので、量産的ではない。
【０００４】以上のように、Ｆｅ−Ｓｉ合金において
は、（１００）配向を得るのに、種々の方法が試されて
きたが、いまだ実用的な方法が確立されたとは言えな
い。一方、Ｓｉを含まない純鉄においてはＦｅ−Ｓｉ合
金と異なる結晶配向制御が必要と考えられるが、それに
ついての提案はない。
は、（１００）配向を得るのに、種々の方法が試されて
きたが、いまだ実用的な方法が確立されたとは言えな
い。一方、Ｓｉを含まない純鉄においてはＦｅ−Ｓｉ合
金と異なる結晶配向制御が必要と考えられるが、それに
ついての提案はない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁束密度が
高く、交流磁場下での鉄損が低い材料である（１００）
配向鉄薄帯を、制御の容易な製造方法で提供することを
目的とする。
高く、交流磁場下での鉄損が低い材料である（１００）
配向鉄薄帯を、制御の容易な製造方法で提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、薄
帯を構成する結晶粒がその（１００）面を薄帯の板面に
平行に持つような鉄薄帯（（１００）配向鉄薄帯）を製
造する方法であり、不可避的不純物を除いて、Ｆｅのみ
からなる鋼帯に冷間圧延を施して、厚さ５μｍ以上、５
００μｍ以下の薄帯となし、γ／α変態点以下の温度
で、０．１容量％以上、５０容量％以下のＨ2 を含むＮ
2 とＨ2 の混合雰囲気にて、該薄帯を再結晶させること
を特徴とする。また、Ｎ2 とＨ2 の混合雰囲気のＨ2 濃
度が０．１容量％以上、２０容量％以下であれば、より
（１００）配向の強い鉄薄帯を得ることができる。
帯を構成する結晶粒がその（１００）面を薄帯の板面に
平行に持つような鉄薄帯（（１００）配向鉄薄帯）を製
造する方法であり、不可避的不純物を除いて、Ｆｅのみ
からなる鋼帯に冷間圧延を施して、厚さ５μｍ以上、５
００μｍ以下の薄帯となし、γ／α変態点以下の温度
で、０．１容量％以上、５０容量％以下のＨ2 を含むＮ
2 とＨ2 の混合雰囲気にて、該薄帯を再結晶させること
を特徴とする。また、Ｎ2 とＨ2 の混合雰囲気のＨ2 濃
度が０．１容量％以上、２０容量％以下であれば、より
（１００）配向の強い鉄薄帯を得ることができる。
【０００７】
【作用】本発明は、表面エネルギー制御による二次再結
晶を用いた結晶配向制御を基本思想としている。圧延に
より変形された薄帯を焼鈍すると、再結晶が起こる。そ
の過程のうち、新しい結晶核が生まれ、それが全体を覆
うまでが一次再結晶である。再結晶粒のうち、特定の方
位の粒が、他の方位の粒を蚕食して、優先的に成長して
いく過程が二次再結晶である。二次再結晶過程におい
て、結晶粒の表面エネルギーの差が駆動力となる場合、
最も低い表面エネルギーを持つ結晶粒が優先成長する。
これにより、強い結晶配向が起こる。
晶を用いた結晶配向制御を基本思想としている。圧延に
より変形された薄帯を焼鈍すると、再結晶が起こる。そ
の過程のうち、新しい結晶核が生まれ、それが全体を覆
うまでが一次再結晶である。再結晶粒のうち、特定の方
位の粒が、他の方位の粒を蚕食して、優先的に成長して
いく過程が二次再結晶である。二次再結晶過程におい
て、結晶粒の表面エネルギーの差が駆動力となる場合、
最も低い表面エネルギーを持つ結晶粒が優先成長する。
これにより、強い結晶配向が起こる。
【０００８】酸素は珪素鋼板の（１００）面に吸着して
その表面エネルギーを低下させ、（１００）粒の優先成
長を促すと報告されている(J. L. Walter, J. Appl. Ph
ys,36, 1213(1965)）。しかし、酸素は薄帯表面に酸化
物を生成しやすく、その酸化物が粒界をピン止めするた
め、（１００）配向薄帯を得るには、濃度制御を厳密に
行う必要があり、実用化は困難であった。
その表面エネルギーを低下させ、（１００）粒の優先成
長を促すと報告されている(J. L. Walter, J. Appl. Ph
ys,36, 1213(1965)）。しかし、酸素は薄帯表面に酸化
物を生成しやすく、その酸化物が粒界をピン止めするた
め、（１００）配向薄帯を得るには、濃度制御を厳密に
行う必要があり、実用化は困難であった。
【０００９】そこで、本発明者は（１００）面に吸着し
表面エネルギーを低下させる元素ということと化合物を
生成しにくいことから、窒素に注目し、鋭意検討を行っ
た。その結果、窒素に（１００）配向を促進する効果が
あることを見いだした。すなわち、窒素の効果により、
二次再結晶過程で（１００）粒（薄帯の板面に平行に
（１００）面を持つ結晶粒）が優先的に成長する。さら
に、窒素ガス中に数ppmの残留酸素が混入するとこの窒
素の効果は損なわれることを見いだした。鉄鋼製造プロ
セスにおいて、数ppm のＯ2 （またはＨ2 Ｏ）がＮ2 雰
囲気に混入することは避けがたく、これを解決する必要
がある。そこで、ガス中の残留酸素を無害化する水素を
少量添加するのが有効であることを着想し、Ｎ2 とＨ2
の混合雰囲気を検討した。その結果、Ｈ2 濃度の特定範
囲でのみ、充分な（１００）配向が得られることを見い
だした。このような方法で得られた（１００）配向鉄薄
帯の磁気特性が優れていることを確認し、発明を完成す
るに至ったのである。
表面エネルギーを低下させる元素ということと化合物を
生成しにくいことから、窒素に注目し、鋭意検討を行っ
た。その結果、窒素に（１００）配向を促進する効果が
あることを見いだした。すなわち、窒素の効果により、
二次再結晶過程で（１００）粒（薄帯の板面に平行に
（１００）面を持つ結晶粒）が優先的に成長する。さら
に、窒素ガス中に数ppmの残留酸素が混入するとこの窒
素の効果は損なわれることを見いだした。鉄鋼製造プロ
セスにおいて、数ppm のＯ2 （またはＨ2 Ｏ）がＮ2 雰
囲気に混入することは避けがたく、これを解決する必要
がある。そこで、ガス中の残留酸素を無害化する水素を
少量添加するのが有効であることを着想し、Ｎ2 とＨ2
の混合雰囲気を検討した。その結果、Ｈ2 濃度の特定範
囲でのみ、充分な（１００）配向が得られることを見い
だした。このような方法で得られた（１００）配向鉄薄
帯の磁気特性が優れていることを確認し、発明を完成す
るに至ったのである。
【００１０】以下に本発明を詳細に説明する。原料の純
鉄としては、純度９９．９％以上のものが望ましい。こ
れは、電解鉄もしくは転炉などで精錬された工業用純鉄
として入手可能である。製法によって純鉄の不純物量は
多少異なるが、Ｃ，Ｐ，Ｓ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｏの含
有量は、それぞれ重量ppm で５０ppm 以下である。この
ような純鉄のインゴットを作製し、熱間圧延により厚さ
１〜１０mmの熱延鋼帯とする。ついで、冷間圧延を行
い、所望の厚さの冷延薄帯となす。ここで、再結晶によ
り充分な量の（１００）結晶粒を得るためには、５０％
以上の冷間圧延を施すのが望ましい。本発明では、薄帯
の厚さを５μｍ以上、５００μｍ以下に限定する。なぜ
なら、５μｍ未満の薄帯は圧延によっては得難く、５０
０μｍ超の薄帯では、本発明によっても充分な量の（１
００）結晶粒を得ることができないからである。
鉄としては、純度９９．９％以上のものが望ましい。こ
れは、電解鉄もしくは転炉などで精錬された工業用純鉄
として入手可能である。製法によって純鉄の不純物量は
多少異なるが、Ｃ，Ｐ，Ｓ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｏの含
有量は、それぞれ重量ppm で５０ppm 以下である。この
ような純鉄のインゴットを作製し、熱間圧延により厚さ
１〜１０mmの熱延鋼帯とする。ついで、冷間圧延を行
い、所望の厚さの冷延薄帯となす。ここで、再結晶によ
り充分な量の（１００）結晶粒を得るためには、５０％
以上の冷間圧延を施すのが望ましい。本発明では、薄帯
の厚さを５μｍ以上、５００μｍ以下に限定する。なぜ
なら、５μｍ未満の薄帯は圧延によっては得難く、５０
０μｍ超の薄帯では、本発明によっても充分な量の（１
００）結晶粒を得ることができないからである。
【００１１】冷延薄帯の再結晶はＮ2 とＨ2 の混合雰囲
気中で行う。Ｈ2 の役割としては、二次再結晶を阻止す
る酸化物を生成しないように残留酸素を無害化すること
にあるから、Ｈ2 濃度としては、０．１容量％以上であ
れば有効である。また、Ｈ2濃度が増加すると、Ｎ2 の
効果を減少させる。Ｈ2 濃度が５０容量％超であると、
（１００）結晶粒の割合が７０％以下となり、Ｂ20が無
方向性珪素鋼板と同レベルの１．６Ｔ程度にしかならな
い。さらにＨ2 濃度を、０．１容量％以上、２０容量％
以下にすることにより、（１００）結晶粒の割合が９０
％以上となり、Ｂ20で１．７Ｔ以上の高磁束密度を得る
ことができる。
気中で行う。Ｈ2 の役割としては、二次再結晶を阻止す
る酸化物を生成しないように残留酸素を無害化すること
にあるから、Ｈ2 濃度としては、０．１容量％以上であ
れば有効である。また、Ｈ2濃度が増加すると、Ｎ2 の
効果を減少させる。Ｈ2 濃度が５０容量％超であると、
（１００）結晶粒の割合が７０％以下となり、Ｂ20が無
方向性珪素鋼板と同レベルの１．６Ｔ程度にしかならな
い。さらにＨ2 濃度を、０．１容量％以上、２０容量％
以下にすることにより、（１００）結晶粒の割合が９０
％以上となり、Ｂ20で１．７Ｔ以上の高磁束密度を得る
ことができる。
【００１２】再結晶させる温度であるが、γ／α変態点
（９１０℃）以下の温度とする。変態点以上の温度では
原子配列が異なるので、薄帯の配向は全く異なる様子と
なるためである。再結晶の速度を速めるために、８００
〜９００℃の温度範囲が最も好適である。充分に（１０
０）結晶粒を成長させるための焼鈍時間は、１〜１００
時間が必要である。なお、焼鈍時の昇温速度と降温速度
は特に限定しないが、ともに１〜１００℃／分が好適で
ある。
（９１０℃）以下の温度とする。変態点以上の温度では
原子配列が異なるので、薄帯の配向は全く異なる様子と
なるためである。再結晶の速度を速めるために、８００
〜９００℃の温度範囲が最も好適である。充分に（１０
０）結晶粒を成長させるための焼鈍時間は、１〜１００
時間が必要である。なお、焼鈍時の昇温速度と降温速度
は特に限定しないが、ともに１〜１００℃／分が好適で
ある。
【００１３】
〔実施例１〕真空溶解により純鉄のインゴットを作製し
た。表１にその不純物分析結果(ppm）を示す。そのイン
ゴットを１２００℃に加熱後、熱間圧延を施し、厚さ３
mmの熱延板とした。熱延板の酸化層を除去後に冷間圧延
を施し、厚さ５０μｍの薄帯を得た。
た。表１にその不純物分析結果(ppm）を示す。そのイン
ゴットを１２００℃に加熱後、熱間圧延を施し、厚さ３
mmの熱延板とした。熱延板の酸化層を除去後に冷間圧延
を施し、厚さ５０μｍの薄帯を得た。
【００１４】
【表１】
【００１５】薄帯にＮ2 とＨ2 の混合雰囲気で焼鈍を施
した。雰囲気組成は７５％Ｎ2 ＋２５％Ｈ2 であり、焼
鈍温度は８５０℃、焼鈍時間は２時間とした。この時の
昇温速度は２０℃／分、降温速度は１００℃／分とし
た。比較例として、雰囲気を純Ｈ2 、ＡｒとＨ2 の混合
雰囲気（７５％Ａｒ＋２５％Ｈ2 ）とした焼鈍も行っ
た。Ｘ線回折（θ−２θ法）による薄帯の板面方位を求
めた。図１に薄帯の板面に平行な結晶面から生じた回折
線の強度プロファイルを示す。Ｎ2 とＨ2 の混合雰囲気
中での焼鈍（ｃ）では、２００反射強度が強く、強い
（１００）配向を示している。それに対し、比較例であ
る純Ｈ2 中での焼鈍後（ａ）では、（１００）と（２１
１）の混合方位であり、配向していないことを示してい
る。ＡｒとＨ2の混合雰囲気中（ｂ）では（１００）配
向が主となっているが、弱い配向である。このことよ
り、強い（１００）配向Ｆｅ薄帯を得るのに、Ｎ2 とＨ
2 の混合雰囲気が必要であることが分かる。
した。雰囲気組成は７５％Ｎ2 ＋２５％Ｈ2 であり、焼
鈍温度は８５０℃、焼鈍時間は２時間とした。この時の
昇温速度は２０℃／分、降温速度は１００℃／分とし
た。比較例として、雰囲気を純Ｈ2 、ＡｒとＨ2 の混合
雰囲気（７５％Ａｒ＋２５％Ｈ2 ）とした焼鈍も行っ
た。Ｘ線回折（θ−２θ法）による薄帯の板面方位を求
めた。図１に薄帯の板面に平行な結晶面から生じた回折
線の強度プロファイルを示す。Ｎ2 とＨ2 の混合雰囲気
中での焼鈍（ｃ）では、２００反射強度が強く、強い
（１００）配向を示している。それに対し、比較例であ
る純Ｈ2 中での焼鈍後（ａ）では、（１００）と（２１
１）の混合方位であり、配向していないことを示してい
る。ＡｒとＨ2の混合雰囲気中（ｂ）では（１００）配
向が主となっているが、弱い配向である。このことよ
り、強い（１００）配向Ｆｅ薄帯を得るのに、Ｎ2 とＨ
2 の混合雰囲気が必要であることが分かる。
【００１６】〔実施例２〕雰囲気を９５％Ｎ2 ＋５％Ｈ
2 として実施例１と同じ熱処理をした薄帯（本発明材）
と、酸素を５ppm 含むＮ2 雰囲気中で熱処理した薄帯
（比較材）を得た。本発明材は、二次再結晶により、強
い（１００）配向を示した。しかし、比較材は、微量の
酸素のために表面が酸化され、二次再結晶が起こらず
に、配向が（１１０），（２００），（２１１）の混合
となっていた。表２に磁束密度Ｂ20（磁場２０ Ｏe で
の磁束密度Ｂ）とＷ15/50 （Ｂ＝１．５Ｔ，ｆ＝５０Hz
の時の鉄損Ｗ）を示すが、本発明材が優れた値を持つこ
とが明らかである。なお、示した値は、全方向に測定し
た値の平均値である。
2 として実施例１と同じ熱処理をした薄帯（本発明材）
と、酸素を５ppm 含むＮ2 雰囲気中で熱処理した薄帯
（比較材）を得た。本発明材は、二次再結晶により、強
い（１００）配向を示した。しかし、比較材は、微量の
酸素のために表面が酸化され、二次再結晶が起こらず
に、配向が（１１０），（２００），（２１１）の混合
となっていた。表２に磁束密度Ｂ20（磁場２０ Ｏe で
の磁束密度Ｂ）とＷ15/50 （Ｂ＝１．５Ｔ，ｆ＝５０Hz
の時の鉄損Ｗ）を示すが、本発明材が優れた値を持つこ
とが明らかである。なお、示した値は、全方向に測定し
た値の平均値である。
【００１７】
【表２】
【００１８】〔実施例３〕種々のＮ2 濃度のＮ2 とＨ2
の混合雰囲気で厚さ５０μｍの純鉄薄帯に焼鈍を施し
た。焼鈍温度、焼鈍時間、昇温速度、降温速度は、実施
例１と同じである。図２にＸ線回折の結果より算出した
（１００）結晶粒の割合を示す。Ｎ2 量が多いほど（１
００）結晶粒が多くなっていることが分かる。
の混合雰囲気で厚さ５０μｍの純鉄薄帯に焼鈍を施し
た。焼鈍温度、焼鈍時間、昇温速度、降温速度は、実施
例１と同じである。図２にＸ線回折の結果より算出した
（１００）結晶粒の割合を示す。Ｎ2 量が多いほど（１
００）結晶粒が多くなっていることが分かる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、制御の容易なＮ2 とＨ2 の混
合雰囲気を用いるので、鉄鋼製造プロセスが適用可能で
ある。したがって、本発明は、高磁束密度で低鉄損の
（１００）配向鉄薄帯の実用的な製造方法であり、工業
上のメリットが高い。
合雰囲気を用いるので、鉄鋼製造プロセスが適用可能で
ある。したがって、本発明は、高磁束密度で低鉄損の
（１００）配向鉄薄帯の実用的な製造方法であり、工業
上のメリットが高い。
【図１】焼鈍雰囲気による配向の違いを示すＸ線回折の
結果を示すもので（ａ）図は純Ｈ2 雰囲気で処理した比
較材、（ｂ）図は７５％Ａｒ＋２５％Ｈ2 雰囲気で処理
した比較材、（ｃ）図は７５％Ｎ2 ＋２５％Ｈ2 雰囲気
で処理した本発明材である。
結果を示すもので（ａ）図は純Ｈ2 雰囲気で処理した比
較材、（ｂ）図は７５％Ａｒ＋２５％Ｈ2 雰囲気で処理
した比較材、（ｃ）図は７５％Ｎ2 ＋２５％Ｈ2 雰囲気
で処理した本発明材である。
【図２】Ｎ2 濃度に対する（１００）結晶粒の割合を示
す図である。
す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 不可避的不純物を除いて、Ｆｅのみから
なる鋼帯に、冷間圧延を施して、５μｍ以上、５００μ
ｍ以下の薄帯となし、γ／α変態点以下の温度で、０．
１容量％以上、５０容量％以下のＨ2 を含むＮ2 とＨ2
の混合雰囲気にて、該薄帯を再結晶させることを特徴と
する（１００）配向鉄薄帯の製造方法。 - 【請求項２】 Ｎ2 とＨ2 の混合雰囲気のＨ2 濃度を
０．１容量％以上、２０容量％以下とする請求項１記載
の（１００）配向鉄薄帯の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5211760A JPH0762442A (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | １００配向鉄薄帯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5211760A JPH0762442A (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | １００配向鉄薄帯の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0762442A true JPH0762442A (ja) | 1995-03-07 |
Family
ID=16611129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5211760A Withdrawn JPH0762442A (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | １００配向鉄薄帯の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1362991A2 (en) | 2002-05-15 | 2003-11-19 | Isuzu Motors Limited | Valve driving device of an internal combustion engine |
| JP2016153521A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 鉄板およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-26 JP JP5211760A patent/JPH0762442A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1362991A2 (en) | 2002-05-15 | 2003-11-19 | Isuzu Motors Limited | Valve driving device of an internal combustion engine |
| JP2016153521A (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 鉄板およびその製造方法 |
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