JPH0762106B2 - 誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサ - Google Patents
誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサInfo
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- JPH0762106B2 JPH0762106B2 JP1148972A JP14897289A JPH0762106B2 JP H0762106 B2 JPH0762106 B2 JP H0762106B2 JP 1148972 A JP1148972 A JP 1148972A JP 14897289 A JP14897289 A JP 14897289A JP H0762106 B2 JPH0762106 B2 JP H0762106B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子部品および電気部品に用いられる高耐熱性
の誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサに関する。
の誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサに関する。
従来の技術 ポリフェニレンオキサイドは、その熱変形温度が190℃
と高く、またその誘電体損失が周波数1kHzで0.001と小
さいため、これまでにも電子部品や電気機器用部品のた
めの誘電体材料として幅広く使用されてきた。出願人は
その用途の一つとして、フィルムコンデンサを提案した
（特願昭62−235199号）。
と高く、またその誘電体損失が周波数1kHzで0.001と小
さいため、これまでにも電子部品や電気機器用部品のた
めの誘電体材料として幅広く使用されてきた。出願人は
その用途の一つとして、フィルムコンデンサを提案した
（特願昭62−235199号）。
このフィルムコンデンサの概要について述べる。
まず、ポリフェニレンサルファイドからなるプラスチッ
クフィルム両面にアルミニウムが蒸着されて、電極が形
成される。この蒸着電極上に、ポリフェニレンオキサイ
ドからなる誘電体層がコーティング法で形成され、両面
蒸着両面コーティングフィルムが得られる。次に、その
両面蒸着両面コーティングフィルムが数百枚積層され、
積層体端面にメタリコン層が形成され、蒸着電極と電気
的接続がなされて、母コンデンサが得られる。
クフィルム両面にアルミニウムが蒸着されて、電極が形
成される。この蒸着電極上に、ポリフェニレンオキサイ
ドからなる誘電体層がコーティング法で形成され、両面
蒸着両面コーティングフィルムが得られる。次に、その
両面蒸着両面コーティングフィルムが数百枚積層され、
積層体端面にメタリコン層が形成され、蒸着電極と電気
的接続がなされて、母コンデンサが得られる。
この母コンデンサはまず90〜120℃の範囲内の温度で熱
せられ、それに残留している溶剤が除去される。さら
に、そのままでは十分でないポリフェニレンオキサイド
の耐熱性を向上させるために、その熱変形が生じない15
0〜190℃の範囲内の温度で15〜150時間加熱されて、そ
して200℃の温度で１時間の加熱による架橋処理を施さ
れてから、フライス切断されてコンデンサ素子とされ
る。このコンデンサ素子のメタリコン層にコムリードが
溶接され、エポキシ樹脂によりモールド外装が施された
後、コムリードが加工されて外部電極となり、フィルム
コンデンサが得られる。
せられ、それに残留している溶剤が除去される。さら
に、そのままでは十分でないポリフェニレンオキサイド
の耐熱性を向上させるために、その熱変形が生じない15
0〜190℃の範囲内の温度で15〜150時間加熱されて、そ
して200℃の温度で１時間の加熱による架橋処理を施さ
れてから、フライス切断されてコンデンサ素子とされ
る。このコンデンサ素子のメタリコン層にコムリードが
溶接され、エポキシ樹脂によりモールド外装が施された
後、コムリードが加工されて外部電極となり、フィルム
コンデンサが得られる。
このようにして得られたフィルムコンデンサは、その誘
電体損失が周波数1kHzで0.0015であり、乾燥後と吸湿後
との間における静電容量増加率が５％という特性を示し
ていた。
電体損失が周波数1kHzで0.0015であり、乾燥後と吸湿後
との間における静電容量増加率が５％という特性を示し
ていた。
発明が解決しようとする課題 近年、電子機器や電気機器の小型化，高性能化、さらに
はそれらの製造工程の自動化のために、これらに用いら
れる部品の小型化，高性能化，チップ化への要望が非常
に大きい。これはフィルムコンデンサにおいても、例外
でない。そのために、それらに用いられる誘電体に対し
て、低吸級湿性，比誘電率の高安定性，低誘電体損失等
が要求されるようになってきた。
はそれらの製造工程の自動化のために、これらに用いら
れる部品の小型化，高性能化，チップ化への要望が非常
に大きい。これはフィルムコンデンサにおいても、例外
でない。そのために、それらに用いられる誘電体に対し
て、低吸級湿性，比誘電率の高安定性，低誘電体損失等
が要求されるようになってきた。
ポリフェニレンオキサイドは、溶剤に溶けやすく、加工
も容易であるという利点をもっているものの、耐熱性が
十分でない。そこで、その短所を補うために、ポリフェ
ニレンオキサイドを、それが熱変形を生じない程度の高
い温度で比較的長時間熱処理することによって、架橋処
理を施してきた。その結果、ポリフェニレンオキサイド
の吸湿性が増加し、ポリフェニレンオキサイドの乾燥後
と吸湿後との間の比誘電率が見掛上９％増加し、変化す
るということが明らかとなった。この乾燥後と吸湿後と
の間の見掛けの比誘電率の増加は、ポリフェニレンオキ
サイドの比誘電率が2.6であるのに対して、比誘電率が8
0と非常に大きい水分が数分の一パーセントの量でポリ
フェニレンオキサイド中に侵入することによって生ずる
ものと推測される。
も容易であるという利点をもっているものの、耐熱性が
十分でない。そこで、その短所を補うために、ポリフェ
ニレンオキサイドを、それが熱変形を生じない程度の高
い温度で比較的長時間熱処理することによって、架橋処
理を施してきた。その結果、ポリフェニレンオキサイド
の吸湿性が増加し、ポリフェニレンオキサイドの乾燥後
と吸湿後との間の比誘電率が見掛上９％増加し、変化す
るということが明らかとなった。この乾燥後と吸湿後と
の間の見掛けの比誘電率の増加は、ポリフェニレンオキ
サイドの比誘電率が2.6であるのに対して、比誘電率が8
0と非常に大きい水分が数分の一パーセントの量でポリ
フェニレンオキサイド中に侵入することによって生ずる
ものと推測される。
このような見掛けの比誘電率増加あるいは耐熱性不足と
いう課題を解決するためには、ポリフェニレンオキサイ
ドより耐熱性のよい高分子化合物を用いたり、あるいは
ポリフェニレンオキサイドに熱硬化性の樹脂を添加し耐
熱性を高めたりするという方法が容易に考えられる。し
かしながら、前者の方法では、溶剤に溶ける高耐熱性の
高分子材料は非常に少ない。たとえば、ポリエーテルイ
ミドやポリエーテルスルホンは、ポリフェニレンオキサ
イドと熱変形温度がほぼ同程度で、耐熱性を高めること
はできない。また、ポリアミド酸は吸湿性が大なるため
に、コンデンサ材料としては適していない。そして、後
者の方法の場合、添加した熱硬化性樹脂を反応させると
きに誘電体が軟化したり、ポリフェニレンオキサイドの
分子により反応が妨害されて未反応基が残ったりするた
めに、耐熱性不足となったり、吸湿性が増加したりす
る。このようなことから、いずれの方法もフィルムコン
デンサに適用することはきわめて困難なことであった。
いう課題を解決するためには、ポリフェニレンオキサイ
ドより耐熱性のよい高分子化合物を用いたり、あるいは
ポリフェニレンオキサイドに熱硬化性の樹脂を添加し耐
熱性を高めたりするという方法が容易に考えられる。し
かしながら、前者の方法では、溶剤に溶ける高耐熱性の
高分子材料は非常に少ない。たとえば、ポリエーテルイ
ミドやポリエーテルスルホンは、ポリフェニレンオキサ
イドと熱変形温度がほぼ同程度で、耐熱性を高めること
はできない。また、ポリアミド酸は吸湿性が大なるため
に、コンデンサ材料としては適していない。そして、後
者の方法の場合、添加した熱硬化性樹脂を反応させると
きに誘電体が軟化したり、ポリフェニレンオキサイドの
分子により反応が妨害されて未反応基が残ったりするた
めに、耐熱性不足となったり、吸湿性が増加したりす
る。このようなことから、いずれの方法もフィルムコン
デンサに適用することはきわめて困難なことであった。
本発明はポリフェニレンオキサイドからなる誘電体用樹
脂の熱処理による吸湿性増加を低減し、吸湿による見掛
けの比誘電率の変化を少なくすることを目的とする。
脂の熱処理による吸湿性増加を低減し、吸湿による見掛
けの比誘電率の変化を少なくすることを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は電子・電気部品の誘電体用樹脂組成物としてポ
リフェニレンオキサイドに少なくともＨ基がけい素に結
合した構造のポリシロキサンを単独で、あるいは有機金
属化合物を併用して添加して用い、これに熱処理を行な
うことにより化学反応が生じ、ポリフェニレンオキサイ
ドの熱処理による吸湿性増加が著しく低減し、耐熱性も
向上することを見出したものである。
リフェニレンオキサイドに少なくともＨ基がけい素に結
合した構造のポリシロキサンを単独で、あるいは有機金
属化合物を併用して添加して用い、これに熱処理を行な
うことにより化学反応が生じ、ポリフェニレンオキサイ
ドの熱処理による吸湿性増加が著しく低減し、耐熱性も
向上することを見出したものである。
作用 ポリフェニレンオキサイドは、第１図に示す構造式で表
される（ただし、R1,R2,R3,R4はアルキル基、フェニル
基あるいは水素基、ｎは整数）。本発明ではR1,R2がと
もにメチル基の場合について述べるが、これに限定され
るものではない。
される（ただし、R1,R2,R3,R4はアルキル基、フェニル
基あるいは水素基、ｎは整数）。本発明ではR1,R2がと
もにメチル基の場合について述べるが、これに限定され
るものではない。
ポリフェニレンオキサイドが空気と接触した状態で熱処
理された場合、この側鎖であるメチル基が酸化され、第
２図（ａ），（ｂ），（ｃ）の順で化学的に変化してい
く。
理された場合、この側鎖であるメチル基が酸化され、第
２図（ａ），（ｂ），（ｃ）の順で化学的に変化してい
く。
その結果、OH基が多量に生ずるため、吸湿性が異常に増
加し、吸湿による見掛けの比誘電率が９％増加したので
ある。
加し、吸湿による見掛けの比誘電率が９％増加したので
ある。
本発明においては、このポリフェニレンオキサイドにポ
リシロキサンを単独で、あるいは有機金属化合物と併用
して添加し熱処理を行なうことにより、ポリフェニレン
オキサイドの表面近傍に透湿性がきわめて小さい三次元
架橋有機金属化合物層が形成され、また、有機金属化合
物とポリフェニレンオキサイドの側鎖であるメチル基の
加熱により生じたOH基が反応し、吸湿性が低下すると同
時に架橋構造となりやすいため、耐熱性も向上してい
る。したがって、フィルムコンデンサにおいて、このポ
リフェニレンオキサイドと有機金属化合物を添加した誘
電体用樹脂組成物を誘電体として用いることで、吸湿に
よる静電容量増加率の低減と、耐熱性向上とが実現でき
る。
リシロキサンを単独で、あるいは有機金属化合物と併用
して添加し熱処理を行なうことにより、ポリフェニレン
オキサイドの表面近傍に透湿性がきわめて小さい三次元
架橋有機金属化合物層が形成され、また、有機金属化合
物とポリフェニレンオキサイドの側鎖であるメチル基の
加熱により生じたOH基が反応し、吸湿性が低下すると同
時に架橋構造となりやすいため、耐熱性も向上してい
る。したがって、フィルムコンデンサにおいて、このポ
リフェニレンオキサイドと有機金属化合物を添加した誘
電体用樹脂組成物を誘電体として用いることで、吸湿に
よる静電容量増加率の低減と、耐熱性向上とが実現でき
る。
前記有機金属化合物はその構造から二グループに分けら
れる。
れる。
第一のグループは、分子中に少なくとも二つのＨ基がけ
い素に結合した構造のポリシロキサンであり、第３図に
示す一般構造式で表される（ただし、R5,R6,R7,R8はア
ルキル基，フェニル基または水素基、ｎは２以上の整
数）。
い素に結合した構造のポリシロキサンであり、第３図に
示す一般構造式で表される（ただし、R5,R6,R7,R8はア
ルキル基，フェニル基または水素基、ｎは２以上の整
数）。
このグループの有機金属化合物にはメチルハイドロジェ
ンポリシロキサン等がある。
ンポリシロキサン等がある。
第二のグループは、分子中に少なくとも二つのOR基（Ｒ
は炭素および水素からなる基、炭素，水素および酸素か
らなる基、もしくは、炭素，水素，窒素および酸素から
なる基）が金属素子に結合した構造の有機アルミニウム
化合物、有機シリコン化合物、有機錫化合物、そして有
機チタン化合物であり、第４図に示す構造式で表される
（ただし、Ｍはアルミニウム，シリコン，錫，チタン、
ｍは２以上４以下でｍ≦ｎの整数、ｎはアルミニウムが
3,錫がまたは4,シリコンとチタンとが４、R9,R10は炭素
および水素，炭素，水素および酸素、または炭素，水素
および窒素からなる基である。このグループに属する有
機金属化合物において、有機アルミニウム化合物はアル
ミニウムトリエトキシド，アルミニウムトリ−ｉ−プロ
ポキシド等であり、有機シリコン化合物はジメチルジメ
トキシシラン，メチルトリメトキシシラン，テトラメト
キシシラン，テトラエトキシシラン，メチルハイドロジ
ェンジメトキシシラン，ジメチルビニルエトキシシラ
ン，ジフェニルジメトキシシラン等であり、有機錫化合
物は錫トリ−ｎ−ブトキシド等であり、有機チタン化合
物はテトラ−ｉ−プロポキシチタン，テトラ−ｎ−ブト
キシチタン，テトラキス（２−エチルヘキソキシ）チタ
ン，ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）
チタン，ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミ
ナト）チタンである。そして、第５図に示す構造式で表
される有機金属化合物である（ただし、R11はアルキル
基、ｎは２以上の整数）。
は炭素および水素からなる基、炭素，水素および酸素か
らなる基、もしくは、炭素，水素，窒素および酸素から
なる基）が金属素子に結合した構造の有機アルミニウム
化合物、有機シリコン化合物、有機錫化合物、そして有
機チタン化合物であり、第４図に示す構造式で表される
（ただし、Ｍはアルミニウム，シリコン，錫，チタン、
ｍは２以上４以下でｍ≦ｎの整数、ｎはアルミニウムが
3,錫がまたは4,シリコンとチタンとが４、R9,R10は炭素
および水素，炭素，水素および酸素、または炭素，水素
および窒素からなる基である。このグループに属する有
機金属化合物において、有機アルミニウム化合物はアル
ミニウムトリエトキシド，アルミニウムトリ−ｉ−プロ
ポキシド等であり、有機シリコン化合物はジメチルジメ
トキシシラン，メチルトリメトキシシラン，テトラメト
キシシラン，テトラエトキシシラン，メチルハイドロジ
ェンジメトキシシラン，ジメチルビニルエトキシシラ
ン，ジフェニルジメトキシシラン等であり、有機錫化合
物は錫トリ−ｎ−ブトキシド等であり、有機チタン化合
物はテトラ−ｉ−プロポキシチタン，テトラ−ｎ−ブト
キシチタン，テトラキス（２−エチルヘキソキシ）チタ
ン，ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）
チタン，ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミ
ナト）チタンである。そして、第５図に示す構造式で表
される有機金属化合物である（ただし、R11はアルキル
基、ｎは２以上の整数）。
これら第一および第二のグループから選択された添加剤
を２種以上ポリフェニレンオキサイドに添加しても同様
の優れた効果が得られる。さらに、第一のグループから
選択された添加剤を単独で使用する場合には、190℃以
上の温度による熱処理で効果が得られ、第二のグループ
に属する添加剤を単独で使用した場合と第一のグループ
に属する添加剤とを併用した場合には、90℃以上の温度
で熱処理した場合でも効果がある。
を２種以上ポリフェニレンオキサイドに添加しても同様
の優れた効果が得られる。さらに、第一のグループから
選択された添加剤を単独で使用する場合には、190℃以
上の温度による熱処理で効果が得られ、第二のグループ
に属する添加剤を単独で使用した場合と第一のグループ
に属する添加剤とを併用した場合には、90℃以上の温度
で熱処理した場合でも効果がある。
以上のことから、熱処理条件に応じて添加剤の種類ある
いは添加剤の添加含有量を決定することができる。
いは添加剤の添加含有量を決定することができる。
実施例 以下、本発明の実施例について、説明する。
〔実施例１〕 厚さ２μｍのポリフェニレンサルファイドからなるプラ
スチックフィルムの両面に、アルミニウムを厚さ400Å
に蒸着して電極を形成した。そして、ポリフェニレンオ
キサイドに10部のメチルハイドロジェンポリシロキサン
を添加した誘電体用樹脂組成物を、さらに両蒸着電極上
にそれぞれ厚さ１μｍに塗布して誘電体層を形成し、両
面蒸着両面コーティングフィルムを得た。次に、その両
面蒸着両面コーティングフィルムを数百枚積層し、積層
体端面に亜鉛を溶射してメタリコン層を形成して、母コ
ンデンサを得た。
スチックフィルムの両面に、アルミニウムを厚さ400Å
に蒸着して電極を形成した。そして、ポリフェニレンオ
キサイドに10部のメチルハイドロジェンポリシロキサン
を添加した誘電体用樹脂組成物を、さらに両蒸着電極上
にそれぞれ厚さ１μｍに塗布して誘電体層を形成し、両
面蒸着両面コーティングフィルムを得た。次に、その両
面蒸着両面コーティングフィルムを数百枚積層し、積層
体端面に亜鉛を溶射してメタリコン層を形成して、母コ
ンデンサを得た。
この母コンデンサを90〜120℃の範囲内の温度まで昇温
した後、160℃の温度で120時間、さらに200℃の温度で
１時間加熱することにより、熱処理を施した。熱処理
後、母コンデンサをスライス切断してコンデンサ素子と
し、このコンデンサ素子のメタリコン層にコムリードを
溶接した。そして、エポキシ樹脂によりモールド外装を
施してから、コムリードを加工して外部電極とし、フィ
ルムコンデンサを得た。
した後、160℃の温度で120時間、さらに200℃の温度で
１時間加熱することにより、熱処理を施した。熱処理
後、母コンデンサをスライス切断してコンデンサ素子と
し、このコンデンサ素子のメタリコン層にコムリードを
溶接した。そして、エポキシ樹脂によりモールド外装を
施してから、コムリードを加工して外部電極とし、フィ
ルムコンデンサを得た。
〔実施例２〕 ホリフェニレンオキサイドに、10部のメチルハイドロジ
ェンポリシロキサンと、10部のジ−ｉ−プロポキシ・ビ
ス（アセチルアセトナト）チタンとを添加した誘電体用
樹脂組成物を用いて、実施例１と同様にしてフィルムコ
ンデンサを得た。
ェンポリシロキサンと、10部のジ−ｉ−プロポキシ・ビ
ス（アセチルアセトナト）チタンとを添加した誘電体用
樹脂組成物を用いて、実施例１と同様にしてフィルムコ
ンデンサを得た。
〔実施例３〕 ポリフェニレンオキサイドに、0.5部のメチルハイドロ
ジェンポリシロキサンを添加した誘電体用樹脂組成物を
用い、実施例１と同様にしてフィルムコンデンサを得
た。
ジェンポリシロキサンを添加した誘電体用樹脂組成物を
用い、実施例１と同様にしてフィルムコンデンサを得
た。
〔実施例４〕 ポリフェニレンオキサイドに、20部のメチルハドロジェ
ンポリシロキサンを添加した誘電体用樹脂組成物を用
い、実施例１と同様にしてフィルムコンデンサを得た。
ンポリシロキサンを添加した誘電体用樹脂組成物を用
い、実施例１と同様にしてフィルムコンデンサを得た。
〔実施例５〕 ポリフェニレンオキサイドに、0.5部のメチルハイドロ
ジェンポリシロキサンと、１部のジ−ｉ−プロポキシ・
ビス（アセチルアセトナト）チタンとを添加した誘電体
用樹脂組成物を用い、実施例１と同様にしてフィルムコ
ンデンサを得た。
ジェンポリシロキサンと、１部のジ−ｉ−プロポキシ・
ビス（アセチルアセトナト）チタンとを添加した誘電体
用樹脂組成物を用い、実施例１と同様にしてフィルムコ
ンデンサを得た。
ポリフェニレンオキサイドのみの誘電体用樹脂組成物を
用い、実施例１と同様の手法でフィルムコンデンサを得
た。
用い、実施例１と同様の手法でフィルムコンデンサを得
た。
以上のようにして得た本発明の実施例のフィルムコンデ
ンサと従来例のフィルムコンデンサとをそれぞれ50個用
い、乾燥後と、温度40℃，相対湿度95％の雰囲気におけ
る吸湿後との間での平均静電容量増加率と、フィルムコ
ンデンサから取出したコーティング誘電体の熱変形温度
とを表に示す。
ンサと従来例のフィルムコンデンサとをそれぞれ50個用
い、乾燥後と、温度40℃，相対湿度95％の雰囲気におけ
る吸湿後との間での平均静電容量増加率と、フィルムコ
ンデンサから取出したコーティング誘電体の熱変形温度
とを表に示す。
この結果から明らかなように、本発明によれば、吸湿に
よる静電容量増加率をいちじるしく低減でき、特性の向
上が可能となり、さらに熱変形温度も向上するため、耐
熱性を向上させることができる。
よる静電容量増加率をいちじるしく低減でき、特性の向
上が可能となり、さらに熱変形温度も向上するため、耐
熱性を向上させることができる。
また、本発明において、有機金属化合物として上記実施
例で示した化合物に限られるものではなく、分子中に少
なくとも二つのＨ基がけい素に結合した構造のポリシロ
キサンを単独で、あるいは分子中に少なくとも二つのOR
基（Ｒは炭素および水素、炭素，水素および酸素、また
は、炭素，水素，窒素および酸素からなる基）が金属原
子に結合した構造の有機アルミニウム化合物，有機シリ
コン化合物，有機錫化合物，ならびに有機チタン化合物
と併用しても、上記実施例と同様の良好な結果が得られ
た。
例で示した化合物に限られるものではなく、分子中に少
なくとも二つのＨ基がけい素に結合した構造のポリシロ
キサンを単独で、あるいは分子中に少なくとも二つのOR
基（Ｒは炭素および水素、炭素，水素および酸素、また
は、炭素，水素，窒素および酸素からなる基）が金属原
子に結合した構造の有機アルミニウム化合物，有機シリ
コン化合物，有機錫化合物，ならびに有機チタン化合物
と併用しても、上記実施例と同様の良好な結果が得られ
た。
そして、熱処理の最終温度を230℃以上としたモール外
装を省略したチップ型のフィルムコンデンサにおいて
も、吸湿による静電容量増加率が2.5％以下で、ポリフ
ェニレンオキサイドの熱変形温度が220℃以上であると
いう良好な結果が得られた。
装を省略したチップ型のフィルムコンデンサにおいて
も、吸湿による静電容量増加率が2.5％以下で、ポリフ
ェニレンオキサイドの熱変形温度が220℃以上であると
いう良好な結果が得られた。
さらに、ポリフェニレンオキサイドに有機金属化合物を
添加した薄板について、同様な熱処理を行った場合で
も、その見掛の比誘電率の増加率が2.5％以下となり、
良好な結果が得られた。
添加した薄板について、同様な熱処理を行った場合で
も、その見掛の比誘電率の増加率が2.5％以下となり、
良好な結果が得られた。
また、誘電体損失や絶縁抵抗の特性に関して、有機金属
化合物を添加して熱処理を実施しても、その増加あるい
は低下といった問題もなく、良好な結果が得られた。
化合物を添加して熱処理を実施しても、その増加あるい
は低下といった問題もなく、良好な結果が得られた。
発明の効果 本発明によれば、熱処理を必要とする用途において、吸
湿による見掛けの比誘電率増加がいちじるしく低減さ
れ、良好な電気特性を有する誘電体が提供できるように
なった。また、この誘電体用樹脂組成物を用いたフィル
ムコンデンサは吸湿による静電容量増加率が小さくな
り、温度による比誘電率も安定であるため、環境変化に
よる静電容量がきわめて安定となった。そして、同時に
コーティング誘電体の熱変形温度が上昇することから、
歩留が向上する等製造が容易となり、低コスト化が可能
となったこと、そしてフィルムコンデンサ素子のはんだ
耐熱性の向上が実現され、本来耐熱性が低いとされてい
たフィルムコンデンサの使用対象範囲を大幅に拡大する
ことができる。
湿による見掛けの比誘電率増加がいちじるしく低減さ
れ、良好な電気特性を有する誘電体が提供できるように
なった。また、この誘電体用樹脂組成物を用いたフィル
ムコンデンサは吸湿による静電容量増加率が小さくな
り、温度による比誘電率も安定であるため、環境変化に
よる静電容量がきわめて安定となった。そして、同時に
コーティング誘電体の熱変形温度が上昇することから、
歩留が向上する等製造が容易となり、低コスト化が可能
となったこと、そしてフィルムコンデンサ素子のはんだ
耐熱性の向上が実現され、本来耐熱性が低いとされてい
たフィルムコンデンサの使用対象範囲を大幅に拡大する
ことができる。
第１図はポリフェニレンオキサイドの構造を示す図、第
２図（ａ）〜（ｃ）はポリフェニレンオキサイドが空気
と接触した状態で熱処理されたときに化学的に変化する
様子を示す図である。第３図〜第５図はそれぞれ本発明
において使用される有機金属化合物の構造を示す図、第
６図はそれぞれ本発明の実施例において使用される有機
金属化合物の構造を示す図である。
２図（ａ）〜（ｃ）はポリフェニレンオキサイドが空気
と接触した状態で熱処理されたときに化学的に変化する
様子を示す図である。第３図〜第５図はそれぞれ本発明
において使用される有機金属化合物の構造を示す図、第
６図はそれぞれ本発明の実施例において使用される有機
金属化合物の構造を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 5/57 Ｈ０１Ｂ 3/42 Ｇ 9059−5Ｇ Ｈ０１Ｇ 4/18 (72)発明者 久米 信行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−199063（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130514（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130515（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130516（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−110727（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】ポリフェニレンオキサイドに、分子中に少
なくとも２つのＨ基がけい素に結合した構造のポリシロ
キサンを単独で、あるいは分子中に少なくとも２つのOR
基 （Ｒは炭素および水素、 炭素、 水素および酸素、 または炭素，水素，窒素および酸素からなる基） が金属原子に結合した構造の有機アルミニウム化合物、
有機シリコン化合物、有機錫化合物、または有機チタン
化合物と併用して添加した誘電体用樹脂組成物。 - 【請求項２】プラスチックフィルムと、前記プラスチッ
クフィルムの両面上に形成されている蒸着電極と、前記
蒸着電極の少なくとも一方の表面上に形成されている誘
電体層とを有し、前記誘電体層が分子中に少なくとも２
つのＨ基がけい素に結合した構造のポリシロキサンを単
独で、あるいは分子中に少なくとも２つのOR基 （Ｒは炭素および水素、 炭素、 水素および酸素、 または炭素，水素，窒素および酸素からなる基） が金属原子に結合した構造の有機アルミニウム化合物、
有機シリコン化合物、有機錫化合物、または有機チタン
化合物から選択され併用した有機金属化合物をポリフェ
ニレンオキサイドに添加した誘電体で構成されたフィル
ムコンデンサ。
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|---|---|---|---|
| JP1148972A JPH0762106B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP1148972A JPH0762106B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサ |
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|---|---|
| JPH0314866A JPH0314866A (ja) | 1991-01-23 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1148972A Expired - Fee Related JPH0762106B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 誘電体用樹脂組成物とフィルムコンデンサ |
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-
1989
- 1989-06-12 JP JP1148972A patent/JPH0762106B2/ja not_active Expired - Fee Related
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