JPH02222131A - フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
フィルムコンデンサの製造方法Info
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- JPH02222131A JPH02222131A JP4223189A JP4223189A JPH02222131A JP H02222131 A JPH02222131 A JP H02222131A JP 4223189 A JP4223189 A JP 4223189A JP 4223189 A JP4223189 A JP 4223189A JP H02222131 A JPH02222131 A JP H02222131A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器および電気機器に用いられる、主と
してチップ型のフィルムコンデンサの製造方法に関する
ものである。
してチップ型のフィルムコンデンサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術
従来、フィルムコンデンサは、特願昭62−23519
9号に示したようにポリフェニレンサルファイド(以下
PPSと略す)からなる誘電体フィルム上の両面にアル
ミニウムからなる蒸着電極を形成し、その上に厚さ1μ
mの2.6ジメチルボリフエニレンオキサイド(以下P
POと略す)からなるコーティング誘電体層を形成し、
所定の寸法で切断して両面蒸着両面コーティングフィル
ムを作り、その両面蒸着両面コーティングフィルムを数
百枚積層し、蒸着電極に電気的接続を得るため亜鉛から
なるメタリコン層を形成して母コンデンザとした後、9
0℃から120℃まで昇温してコーティング誘電体中の
残留溶剤を除去し、続いて温度が1、lO’cから19
0℃で時間が15時間から150時間の熱処理を行なっ
てPPOを架橋した後、200℃で1時間のニージンク
を行ない、次にフライス切断してコンデンサ素子とし、
コムリードを溶接した後エポキシ樹脂を用いてモールド
外装をほどこし、コムリードを加工して外部電極とする
という方法で製造してきた。
9号に示したようにポリフェニレンサルファイド(以下
PPSと略す)からなる誘電体フィルム上の両面にアル
ミニウムからなる蒸着電極を形成し、その上に厚さ1μ
mの2.6ジメチルボリフエニレンオキサイド(以下P
POと略す)からなるコーティング誘電体層を形成し、
所定の寸法で切断して両面蒸着両面コーティングフィル
ムを作り、その両面蒸着両面コーティングフィルムを数
百枚積層し、蒸着電極に電気的接続を得るため亜鉛から
なるメタリコン層を形成して母コンデンザとした後、9
0℃から120℃まで昇温してコーティング誘電体中の
残留溶剤を除去し、続いて温度が1、lO’cから19
0℃で時間が15時間から150時間の熱処理を行なっ
てPPOを架橋した後、200℃で1時間のニージンク
を行ない、次にフライス切断してコンデンサ素子とし、
コムリードを溶接した後エポキシ樹脂を用いてモールド
外装をほどこし、コムリードを加工して外部電極とする
という方法で製造してきた。
発明が解決しようとする課題
近年、電子機器、電気機器の小型化、高性能化さらには
製造1稈の自動化のため、これらに用いられる電子・電
気部品の小形化、高性能化、チップ化への要望は非常に
大きく、また定格電圧も50v以上の要望が高まってき
た。
製造1稈の自動化のため、これらに用いられる電子・電
気部品の小形化、高性能化、チップ化への要望は非常に
大きく、また定格電圧も50v以上の要望が高まってき
た。
従来のチップ型フイルムコンデンサは使用しているP
P Oからなるコーティング誘電体層の耐熱性が低いた
め、これを温度が140°Cから190℃で時間が15
時間から150時間の熱処理を行なってPPOを架橋す
ることにより耐熱性を向上させ、はんだイ・1後の定格
電圧25Vを実現していた。ところが定格電圧を50v
で使用すると、高温信頼性試験時に絶縁抵抗が低下する
などの問題を有していた。
P Oからなるコーティング誘電体層の耐熱性が低いた
め、これを温度が140°Cから190℃で時間が15
時間から150時間の熱処理を行なってPPOを架橋す
ることにより耐熱性を向上させ、はんだイ・1後の定格
電圧25Vを実現していた。ところが定格電圧を50v
で使用すると、高温信頼性試験時に絶縁抵抗が低下する
などの問題を有していた。
このための対策としては、熱処理をさらに強化する、あ
るいはコーティング厚みを増やすなどの手段が考えられ
るが、前者では不要な酸化反応のため(II基、CO0
1−r基、CHO基などが生じて、吸湿時の容量変化が
大となる不都合を生じ、後者ではコンデンサ形状か著し
く増大するなどの不都合を生じた。
るいはコーティング厚みを増やすなどの手段が考えられ
るが、前者では不要な酸化反応のため(II基、CO0
1−r基、CHO基などが生じて、吸湿時の容量変化が
大となる不都合を生じ、後者ではコンデンサ形状か著し
く増大するなどの不都合を生じた。
本発明は上記のような問題を解決するもので、はんだ付
時におけるP P Oの熱変形による耐電圧の低下のな
いフィルムをコンデンサを得ることができるフィルムコ
ンデンサの製造方法を提供することを目自勺とする。
時におけるP P Oの熱変形による耐電圧の低下のな
いフィルムをコンデンサを得ることができるフィルムコ
ンデンサの製造方法を提供することを目自勺とする。
課題を解決するだめの手段
上記の課題を解決するために本発明のフィルムコンデン
サのH3fi方法は、ポリフェニレンザルファイトフィ
ルムの両面にアルミニウム蒸着電極を形成した後、少な
くとも片面に、電極引出し部を両側部に残して、ポリフ
ェニレンオキサイドに0.1〜20重景%重量ルコAジ
シランカップリンク剤を添加した:l−テインク誘電体
層を形成した後、巻回もしくは積層して両側端面にメタ
リコン電極を形成し、次に熱処理することを特徴とする
ものである。
サのH3fi方法は、ポリフェニレンザルファイトフィ
ルムの両面にアルミニウム蒸着電極を形成した後、少な
くとも片面に、電極引出し部を両側部に残して、ポリフ
ェニレンオキサイドに0.1〜20重景%重量ルコAジ
シランカップリンク剤を添加した:l−テインク誘電体
層を形成した後、巻回もしくは積層して両側端面にメタ
リコン電極を形成し、次に熱処理することを特徴とする
ものである。
作用
すなわち、あらかじめコーティング誘電体層とするPP
Oにアルコキシシランカップリンク剤を0.1〜20W
1%添加して熱処理を行なうことにより、主にPPOの
側鎖であるメチル基あるいは酸化したメチル基にアルコ
キシシランカップリング剤が付加し、そのアルコキシシ
ランカップリング剤同士が、あるいはアルコキシシラン
カップリンタ剤と他の)) P 0分子のメチル基およ
び酸化したメチル基と結合が生じ、従来に比べ架橋密度
が非常に増した網目m造となり、そのため熱変形温度も
非常に高くなり、しかも電気特性がほとんど変化せず、
その結果はんだ付時のPPOの変形が発生ぜず、フィル
ムコンデンサの耐電圧の低下がなく、定格電圧50Vが
実現できるのである。
Oにアルコキシシランカップリンク剤を0.1〜20W
1%添加して熱処理を行なうことにより、主にPPOの
側鎖であるメチル基あるいは酸化したメチル基にアルコ
キシシランカップリング剤が付加し、そのアルコキシシ
ランカップリング剤同士が、あるいはアルコキシシラン
カップリンタ剤と他の)) P 0分子のメチル基およ
び酸化したメチル基と結合が生じ、従来に比べ架橋密度
が非常に増した網目m造となり、そのため熱変形温度も
非常に高くなり、しかも電気特性がほとんど変化せず、
その結果はんだ付時のPPOの変形が発生ぜず、フィル
ムコンデンサの耐電圧の低下がなく、定格電圧50Vが
実現できるのである。
なお、ここでアルコキシシランカップリング剤は一般式
R81Y3 (この式でRはオレフィン性不飽和あるい
は飽和な炭化水素基であり、Yは加水分解しうる有機基
)で表わされ、最も好適なものはメチルトリメ1〜キシ
シランあるいはビニルトリメ1〜Nジシランであり、そ
の他にメチルトリ上1−−Yジシラン、γメルカプ1−
プロピルトリメトキシシラン、γグリシドキシ10ピル
トリメトキシシランがある6 実施例 以下、本発明の一実施例について説明する。
R81Y3 (この式でRはオレフィン性不飽和あるい
は飽和な炭化水素基であり、Yは加水分解しうる有機基
)で表わされ、最も好適なものはメチルトリメ1〜キシ
シランあるいはビニルトリメ1〜Nジシランであり、そ
の他にメチルトリ上1−−Yジシラン、γメルカプ1−
プロピルトリメトキシシラン、γグリシドキシ10ピル
トリメトキシシランがある6 実施例 以下、本発明の一実施例について説明する。
厚さ2μmのPPSからなる誘電体フィルムの両面に厚
さ400へのアルミニウムからなる蒸着電極を形成し、
その上に、幅方向の両側部にそれぞれ幅0.411mの
電極引出し部を残して、厚さ1μmのPPOと5重量%
のメチル1〜リメ1〜キシシランからなるコーティング
誘電体層を形成して、幅5百の長い両面蒸着両面コーテ
ィングフィルムを作り、次にその両面蒸着両面コーティ
ングフィルムを500枚積崩し、その両側端面に厚さ0
.5順の亜鉛からなるメタリコン電極を形成して母コン
デンサとし、次にこの母コンデンサを90℃か、ら12
0℃まで昇温してコーティング誘電体の残留溶剤を除去
した後、160°Cで50時間の熱処理を行なってPP
Oを架橋した後200°Cで1時間の熱処理を行ない
、次いでフライス切断してコンデンサ形状とし、次に前
記メタリコン電極にコムリードを溶接した後、エポキシ
樹脂を用いてモールド外装をほどこし、コムリードを加
工して外部電極とし、フィルムコンテンザを得な。
さ400へのアルミニウムからなる蒸着電極を形成し、
その上に、幅方向の両側部にそれぞれ幅0.411mの
電極引出し部を残して、厚さ1μmのPPOと5重量%
のメチル1〜リメ1〜キシシランからなるコーティング
誘電体層を形成して、幅5百の長い両面蒸着両面コーテ
ィングフィルムを作り、次にその両面蒸着両面コーティ
ングフィルムを500枚積崩し、その両側端面に厚さ0
.5順の亜鉛からなるメタリコン電極を形成して母コン
デンサとし、次にこの母コンデンサを90℃か、ら12
0℃まで昇温してコーティング誘電体の残留溶剤を除去
した後、160°Cで50時間の熱処理を行なってPP
Oを架橋した後200°Cで1時間の熱処理を行ない
、次いでフライス切断してコンデンサ形状とし、次に前
記メタリコン電極にコムリードを溶接した後、エポキシ
樹脂を用いてモールド外装をほどこし、コムリードを加
工して外部電極とし、フィルムコンテンザを得な。
従来例
次に従来例として厚さ2μmのP P Sからなる誘′
亀体フィルムの両面に厚さ400人のアルミニウムから
なる蒸着電極を形成し、その十に、幅方向の両側部にそ
れぞれ幅0.4+nmの電極引出し部を残して、jソさ
1μmのP P Oのみからなるコーティング誘電体層
を形成して、幅5IT1mの長い両面蒸着両面コーチイ
ンクフィルムを作り、以下実施例と同様の条1′Fで処
理してフィルムコンデンサを得な。
亀体フィルムの両面に厚さ400人のアルミニウムから
なる蒸着電極を形成し、その十に、幅方向の両側部にそ
れぞれ幅0.4+nmの電極引出し部を残して、jソさ
1μmのP P Oのみからなるコーティング誘電体層
を形成して、幅5IT1mの長い両面蒸着両面コーチイ
ンクフィルムを作り、以下実施例と同様の条1′Fで処
理してフィルムコンデンサを得な。
以上のようにして本発明の実施例と従来例で得たフィル
ムコンデンサを、各100個ずつ260℃のはんだ槽に
時間を変えて浸漬して、各フィルムコンデンサの平均耐
電圧を31測した。その結果は第1表に示したとおりで
あり、本実施例で得たフィルムコンデンサは、従来例で
得たフィルムコンデンサノ゛に比べて耐電圧が大きく改
善されている。
ムコンデンサを、各100個ずつ260℃のはんだ槽に
時間を変えて浸漬して、各フィルムコンデンサの平均耐
電圧を31測した。その結果は第1表に示したとおりで
あり、本実施例で得たフィルムコンデンサは、従来例で
得たフィルムコンデンサノ゛に比べて耐電圧が大きく改
善されている。
また定格電圧を50Vとするための信頼性試験を行なっ
て、その結果を第2表に示しな。第2表に示すとおり、
本実施例で得たフィルムコンデンサは絶縁抵抗の低トが
認められなかった。
て、その結果を第2表に示しな。第2表に示すとおり、
本実施例で得たフィルムコンデンサは絶縁抵抗の低トが
認められなかった。
以」二のように本実施例において、形状か小型で、しか
も高耐電圧のフィルムコンデンサを得ることかできた。
も高耐電圧のフィルムコンデンサを得ることかできた。
第2表
なお、上記実施例におけるメチルトリメトキシシランの
添加量の5重量%を、0.1重量%から20重量%まで
変えても同様に良好な結果を得な。またビニルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシランで同様に良好な
結果を得たほか、γ−メルカフ” l−プロピル1〜リ
メトキシシラン、γ−グリシドキシ10ピル)へりメト
キシシランでも十分な結果を得た。
添加量の5重量%を、0.1重量%から20重量%まで
変えても同様に良好な結果を得な。またビニルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシランで同様に良好な
結果を得たほか、γ−メルカフ” l−プロピル1〜リ
メトキシシラン、γ−グリシドキシ10ピル)へりメト
キシシランでも十分な結果を得た。
さらに、熱処理において、−11記実施例の温度が14
0’Cから190℃で時間が15時間から150時間と
いう条件以外の、他の条件でも同様に良好な結果が得ら
れ、そして時間を従来条件の半分に短縮しても同様に良
好な結果を得ることかできた。また熱処理の温度を23
0°C以上としたモールド外装を省略したチップ型のフ
ィルムコンデンサにおいても、同様に良好な結果を得な
。
0’Cから190℃で時間が15時間から150時間と
いう条件以外の、他の条件でも同様に良好な結果が得ら
れ、そして時間を従来条件の半分に短縮しても同様に良
好な結果を得ることかできた。また熱処理の温度を23
0°C以上としたモールド外装を省略したチップ型のフ
ィルムコンデンサにおいても、同様に良好な結果を得な
。
しかし、メチルトリメl−’?ジシランの添加量が0.
1重量%未満では、耐電圧か急激に従来品のレベルにま
で低下し、また20重量%を超えた場合には、残留溶剤
を除去する過程でコーティング誘電体層同士か溶融接着
し耐電圧が極度に低下するなどの問題が生じた。
1重量%未満では、耐電圧か急激に従来品のレベルにま
で低下し、また20重量%を超えた場合には、残留溶剤
を除去する過程でコーティング誘電体層同士か溶融接着
し耐電圧が極度に低下するなどの問題が生じた。
発明の効果
本発明のフィルムコンデンサの製造方法によると、アル
コキシシランカップリング剤により210間の熱処理に
よる架橋を著しく増加させることができ、小型形状でし
かも50Vの定格電圧を実現でき、またアルコキシドシ
ランカップリング剤による架橋により、熱処理の時間短
縮が可能となり、また歩留が向上するなど製造が容易と
なり、そして低コスI・化が可能となり、さらにPPO
の酸化量が半減できるため吸湿量も減少し、容量の経時
変化がさらに少なくできたことは非常に価値かある。
コキシシランカップリング剤により210間の熱処理に
よる架橋を著しく増加させることができ、小型形状でし
かも50Vの定格電圧を実現でき、またアルコキシドシ
ランカップリング剤による架橋により、熱処理の時間短
縮が可能となり、また歩留が向上するなど製造が容易と
なり、そして低コスI・化が可能となり、さらにPPO
の酸化量が半減できるため吸湿量も減少し、容量の経時
変化がさらに少なくできたことは非常に価値かある。
代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- 1.ポリフェニレンサルファイドフィルムの両面にアル
ミニウム蒸着電極を形成した後、少なくとも片面に、電
極引出し部を両側部に残して、ポリフェニレンオキサイ
ドに0.1〜20重量%のアルコキシシランカップリン
グ剤を添加したコーティング誘電体層を形成し、これを
巻回もしくは積層した後、両側端面にメタリコン電極を
形成し、次に熱処理することを特徴とするフィルムコン
デンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4223189A JPH02222131A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | フィルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4223189A JPH02222131A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02222131A true JPH02222131A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12630258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4223189A Pending JPH02222131A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02222131A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0520416A2 (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-30 | Diafoil Hoechst Co., Ltd. | Film capacitor |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP4223189A patent/JPH02222131A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0520416A2 (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-30 | Diafoil Hoechst Co., Ltd. | Film capacitor |
EP0520416A3 (ja) * | 1991-06-28 | 1994-02-16 | Diafoil Hoechst Co Ltd |
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