JPH02222131A - フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents

フィルムコンデンサの製造方法

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JPH02222131A
JPH02222131A JP4223189A JP4223189A JPH02222131A JP H02222131 A JPH02222131 A JP H02222131A JP 4223189 A JP4223189 A JP 4223189A JP 4223189 A JP4223189 A JP 4223189A JP H02222131 A JPH02222131 A JP H02222131A
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JP
Japan
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thickness
film
electrodes
heat treatment
coupling agent
Prior art date
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Pending
Application number
JP4223189A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisayoshi Watanabe
久芳 渡辺
Takao Yanagimoto
柳本 隆夫
Kenji Kuwata
桑田 健治
Nobuyuki Kume
久米 信行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子機器および電気機器に用いられる、主と
してチップ型のフィルムコンデンサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術 従来、フィルムコンデンサは、特願昭62−23519
9号に示したようにポリフェニレンサルファイド(以下
PPSと略す)からなる誘電体フィルム上の両面にアル
ミニウムからなる蒸着電極を形成し、その上に厚さ1μ
mの2.6ジメチルボリフエニレンオキサイド(以下P
POと略す)からなるコーティング誘電体層を形成し、
所定の寸法で切断して両面蒸着両面コーティングフィル
ムを作り、その両面蒸着両面コーティングフィルムを数
百枚積層し、蒸着電極に電気的接続を得るため亜鉛から
なるメタリコン層を形成して母コンデンザとした後、9
0℃から120℃まで昇温してコーティング誘電体中の
残留溶剤を除去し、続いて温度が1、lO’cから19
0℃で時間が15時間から150時間の熱処理を行なっ
てPPOを架橋した後、200℃で1時間のニージンク
を行ない、次にフライス切断してコンデンサ素子とし、
コムリードを溶接した後エポキシ樹脂を用いてモールド
外装をほどこし、コムリードを加工して外部電極とする
という方法で製造してきた。
発明が解決しようとする課題 近年、電子機器、電気機器の小型化、高性能化さらには
製造1稈の自動化のため、これらに用いられる電子・電
気部品の小形化、高性能化、チップ化への要望は非常に
大きく、また定格電圧も50v以上の要望が高まってき
た。
従来のチップ型フイルムコンデンサは使用しているP 
P Oからなるコーティング誘電体層の耐熱性が低いた
め、これを温度が140°Cから190℃で時間が15
時間から150時間の熱処理を行なってPPOを架橋す
ることにより耐熱性を向上させ、はんだイ・1後の定格
電圧25Vを実現していた。ところが定格電圧を50v
で使用すると、高温信頼性試験時に絶縁抵抗が低下する
などの問題を有していた。
このための対策としては、熱処理をさらに強化する、あ
るいはコーティング厚みを増やすなどの手段が考えられ
るが、前者では不要な酸化反応のため(II基、CO0
1−r基、CHO基などが生じて、吸湿時の容量変化が
大となる不都合を生じ、後者ではコンデンサ形状か著し
く増大するなどの不都合を生じた。
本発明は上記のような問題を解決するもので、はんだ付
時におけるP P Oの熱変形による耐電圧の低下のな
いフィルムをコンデンサを得ることができるフィルムコ
ンデンサの製造方法を提供することを目自勺とする。
課題を解決するだめの手段 上記の課題を解決するために本発明のフィルムコンデン
サのH3fi方法は、ポリフェニレンザルファイトフィ
ルムの両面にアルミニウム蒸着電極を形成した後、少な
くとも片面に、電極引出し部を両側部に残して、ポリフ
ェニレンオキサイドに0.1〜20重景%重量ルコAジ
シランカップリンク剤を添加した:l−テインク誘電体
層を形成した後、巻回もしくは積層して両側端面にメタ
リコン電極を形成し、次に熱処理することを特徴とする
ものである。
作用 すなわち、あらかじめコーティング誘電体層とするPP
Oにアルコキシシランカップリンク剤を0.1〜20W
1%添加して熱処理を行なうことにより、主にPPOの
側鎖であるメチル基あるいは酸化したメチル基にアルコ
キシシランカップリング剤が付加し、そのアルコキシシ
ランカップリング剤同士が、あるいはアルコキシシラン
カップリンタ剤と他の)) P 0分子のメチル基およ
び酸化したメチル基と結合が生じ、従来に比べ架橋密度
が非常に増した網目m造となり、そのため熱変形温度も
非常に高くなり、しかも電気特性がほとんど変化せず、
その結果はんだ付時のPPOの変形が発生ぜず、フィル
ムコンデンサの耐電圧の低下がなく、定格電圧50Vが
実現できるのである。
なお、ここでアルコキシシランカップリング剤は一般式
R81Y3 (この式でRはオレフィン性不飽和あるい
は飽和な炭化水素基であり、Yは加水分解しうる有機基
)で表わされ、最も好適なものはメチルトリメ1〜キシ
シランあるいはビニルトリメ1〜Nジシランであり、そ
の他にメチルトリ上1−−Yジシラン、γメルカプ1−
プロピルトリメトキシシラン、γグリシドキシ10ピル
トリメトキシシランがある6 実施例 以下、本発明の一実施例について説明する。
厚さ2μmのPPSからなる誘電体フィルムの両面に厚
さ400へのアルミニウムからなる蒸着電極を形成し、
その上に、幅方向の両側部にそれぞれ幅0.411mの
電極引出し部を残して、厚さ1μmのPPOと5重量%
のメチル1〜リメ1〜キシシランからなるコーティング
誘電体層を形成して、幅5百の長い両面蒸着両面コーテ
ィングフィルムを作り、次にその両面蒸着両面コーティ
ングフィルムを500枚積崩し、その両側端面に厚さ0
.5順の亜鉛からなるメタリコン電極を形成して母コン
デンサとし、次にこの母コンデンサを90℃か、ら12
0℃まで昇温してコーティング誘電体の残留溶剤を除去
した後、160°Cで50時間の熱処理を行なってPP
 Oを架橋した後200°Cで1時間の熱処理を行ない
、次いでフライス切断してコンデンサ形状とし、次に前
記メタリコン電極にコムリードを溶接した後、エポキシ
樹脂を用いてモールド外装をほどこし、コムリードを加
工して外部電極とし、フィルムコンテンザを得な。
従来例 次に従来例として厚さ2μmのP P Sからなる誘′
亀体フィルムの両面に厚さ400人のアルミニウムから
なる蒸着電極を形成し、その十に、幅方向の両側部にそ
れぞれ幅0.4+nmの電極引出し部を残して、jソさ
1μmのP P Oのみからなるコーティング誘電体層
を形成して、幅5IT1mの長い両面蒸着両面コーチイ
ンクフィルムを作り、以下実施例と同様の条1′Fで処
理してフィルムコンデンサを得な。
以上のようにして本発明の実施例と従来例で得たフィル
ムコンデンサを、各100個ずつ260℃のはんだ槽に
時間を変えて浸漬して、各フィルムコンデンサの平均耐
電圧を31測した。その結果は第1表に示したとおりで
あり、本実施例で得たフィルムコンデンサは、従来例で
得たフィルムコンデンサノ゛に比べて耐電圧が大きく改
善されている。
また定格電圧を50Vとするための信頼性試験を行なっ
て、その結果を第2表に示しな。第2表に示すとおり、
本実施例で得たフィルムコンデンサは絶縁抵抗の低トが
認められなかった。
以」二のように本実施例において、形状か小型で、しか
も高耐電圧のフィルムコンデンサを得ることかできた。
第2表 なお、上記実施例におけるメチルトリメトキシシランの
添加量の5重量%を、0.1重量%から20重量%まで
変えても同様に良好な結果を得な。またビニルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシランで同様に良好な
結果を得たほか、γ−メルカフ” l−プロピル1〜リ
メトキシシラン、γ−グリシドキシ10ピル)へりメト
キシシランでも十分な結果を得た。
さらに、熱処理において、−11記実施例の温度が14
0’Cから190℃で時間が15時間から150時間と
いう条件以外の、他の条件でも同様に良好な結果が得ら
れ、そして時間を従来条件の半分に短縮しても同様に良
好な結果を得ることかできた。また熱処理の温度を23
0°C以上としたモールド外装を省略したチップ型のフ
ィルムコンデンサにおいても、同様に良好な結果を得な
しかし、メチルトリメl−’?ジシランの添加量が0.
1重量%未満では、耐電圧か急激に従来品のレベルにま
で低下し、また20重量%を超えた場合には、残留溶剤
を除去する過程でコーティング誘電体層同士か溶融接着
し耐電圧が極度に低下するなどの問題が生じた。
発明の効果 本発明のフィルムコンデンサの製造方法によると、アル
コキシシランカップリング剤により210間の熱処理に
よる架橋を著しく増加させることができ、小型形状でし
かも50Vの定格電圧を実現でき、またアルコキシドシ
ランカップリング剤による架橋により、熱処理の時間短
縮が可能となり、また歩留が向上するなど製造が容易と
なり、そして低コスI・化が可能となり、さらにPPO
の酸化量が半減できるため吸湿量も減少し、容量の経時
変化がさらに少なくできたことは非常に価値かある。
代理人   森  本  義  弘

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.ポリフェニレンサルファイドフィルムの両面にアル
    ミニウム蒸着電極を形成した後、少なくとも片面に、電
    極引出し部を両側部に残して、ポリフェニレンオキサイ
    ドに0.1〜20重量%のアルコキシシランカップリン
    グ剤を添加したコーティング誘電体層を形成し、これを
    巻回もしくは積層した後、両側端面にメタリコン電極を
    形成し、次に熱処理することを特徴とするフィルムコン
    デンサの製造方法。
JP4223189A 1989-02-22 1989-02-22 フィルムコンデンサの製造方法 Pending JPH02222131A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0520416A2 (en) * 1991-06-28 1992-12-30 Diafoil Hoechst Co., Ltd. Film capacitor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0520416A2 (en) * 1991-06-28 1992-12-30 Diafoil Hoechst Co., Ltd. Film capacitor
EP0520416A3 (ja) * 1991-06-28 1994-02-16 Diafoil Hoechst Co Ltd

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