JPH0760988B2 - フィルタ回路 - Google Patents

フィルタ回路

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JPH0760988B2
JPH0760988B2 JP5024620A JP2462093A JPH0760988B2 JP H0760988 B2 JPH0760988 B2 JP H0760988B2 JP 5024620 A JP5024620 A JP 5024620A JP 2462093 A JP2462093 A JP 2462093A JP H0760988 B2 JPH0760988 B2 JP H0760988B2
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H1/02Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of RC networks, e.g. integrated networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/24Frequency-independent attenuators
    • H03H11/245Frequency-independent attenuators using field-effect transistor

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  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフィルタ回路に関し、特
に半導体集積回路に内蔵したCR型のフィルタ回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】CRフィルタ回路は、信号波形の整形や
A/D変換時の量子化雑音すなわちエイリアスの除去等
さまざまな目的で半導体集積回路に集積化される。その
場合、容量(C)および抵抗(R)はそれぞれ材料固有
の体積抵抗率および誘電率を利用し、加工の形状および
寸法によってその絶対値を制御する。しかし、上記絶対
値は温度や製造プロセスによる材料の状態に起因する上
記体積抵抗率および誘電率のばらつきや加工精度によ
り、一般にCRそれぞれについて20〜30%程度変動
する。そのためCRフィルタ回路として構成した場合に
は、遮断周波数や通過帯域幅の分散が50%以上となる
こともまれではない。この種のCRフィルタ回路の多く
の用途では上記分散は許容されず、製造後の調整により
これを補正する必要があった。
【0003】従来、上記ばらつきの補正は、予め上記容
量が最も大きい方に変化した場合に所望の時定数が得ら
れるような上記抵抗すなわち最小抵抗を設定し、さらに
ヒューズ等で短絡した小さい値の調整用抵抗を複数個準
備しておき、製造後の特性測定結果により、これら調整
用抵抗を短絡してある上記ヒューズ等をレーザ等で溶断
することにより所望の特性を得るというというものであ
った。
【0004】従来のこの種のフィルタ回路の一例を示す
図9を参照すると、フィルタを構成する容量20と、容
量20が最も大きい方に変化した場合に所望の時定数と
なるような抵抗値の抵抗19と、補正用の抵抗16〜1
8と、製造時には各々抵抗16〜18を短絡しているヒ
ューズ21〜23とを備えていた。
【0005】製造後に電気特性の測定を実施し、この測
定結果例えば抵抗19に抵抗16と17とを加えれば所
望特性を満足するという場合には、対応するヒューズ2
1,23を電流あるいはレーザ等により切断し、所望の
特性を得るというものであった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
タ回路は、検査工程において特性の測定およびヒュー
ズ、配線材料等の切断による調整が行われるために、そ
のための設備を必要とするという欠点があり、また、抵
抗および容量の数値調整のために余分の検査工数が必要
となって製造コストが上昇するという欠点がある。更
に、抵抗値調整用として、ヒューズおよび配線材料等の
切断時におけるストレスにより、半導体集積回路自体の
信頼性が低下するという欠点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルタ回路
は、第一の抵抗と第一の容量とから成る第一の時定数回
路と、前記第一の抵抗に供給する入力信号を開閉する第
一のスイッチ回路と、前記第一の時定数回路と同一の材
料およびプロセスにより同一チップ上に形成した第二の
抵抗および第二の容量とを有しクロックの反転信号を積
分した第一の積分信号を生成する第二の時定数回路と、
前記クロックと前記第一の積分信号との論理積演算を行
いこの論理積演算結果により前記第一のスイッチ回路の
開閉を制御するスイッチ制御信号を出力する論理回路と
を備えて構成されている。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0009】図1は本発明のフィルタ回路の第1の実施
例を示す回路図である。
【0010】本実施例のフィルタ回路は、図1に示すよ
うに、クロック入力端子31と信号入力端子32および
信号出力端子33に対応してインバータ1と抵抗2およ
び6とAND回路3とから成る補償回路40と、容量4
および7と、アナログスイッチ5とを備えて構成され
る。また、図2は、本実施例の動作を示すタイミング図
である。
【0011】図1において、信号入力端子32に入力さ
れたアナログ信号は、アナログスイッチ5に入力され
る。他方クロック入力端子31より入力されたクロック
Aは、AND回路3の一方の入力端およびインバータ1
に入力され、インバータ1により反転されたクロックA
は、抵抗2および容量4による回路により積分されて、
その積分出力BはAND回路3の他の入力端に入力され
る。AND回路3の論理積出力Cは、開閉制御信号とし
てアナログスイッチ5に入力される。AND回路3に入
力する積分出力Bに対しては、図2に見られるように、
入力しきい値電圧Vt を越えている時間TA の間、論理
積出力Cとしてパルス幅TA で周期がクロックAの周期
C と等しいパレス列が出力される。
【0012】ここで、積分出力Bの信号波形Vbは、抵
抗2の抵抗値R2 、容量4の容量値C4 および入力ステ
ップ信号の立上がりの時間Tにより、近似的に次式のよ
うに示される。
【0013】
【0014】この論理積出力103のパルス列を受け
て、アナログスイッチ5は、論理積出力Cが“H”レベ
ルとなるTA の間においてのみ閉路状態となり、前記ア
ナログ信号はアナログスイッチ5を経由して、抵抗6お
よび容量7より成る積分回路に出力される。そして、ア
ナログスイッチ5を介して出力される信号は、抵抗6お
よび容量7より成る積分回路において積分され、信号出
力端子33を介して出力される。このように、容量7を
出入する電荷がアナログスイッチ5の制御により、これ
を常時導通させたときの電荷のTA /TC となるため、
このフィルタ回路の遮断周波数fc は次式(2)で示さ
れ、容量7の容量値C7 をTC /TA 倍した容量値と抵
抗6の抵抗値R6 とによるフィルタ回路と同一となる。
【0015】
【0016】この場合において、抵抗2および6と、容
量4および7を、全て同一の半導体集積回路中に集積化
して形成する場合には、これらの抵抗値および容量値の
ばらつきとしては、それぞれ同一方向に同程度にばらつ
く傾向となり、これにより、これらの抵抗2および6
と、容量4および7より成る上記積分回路における時定
数が大きい数値となる方向にばらついている場合には、
論理積出力CにおけるTA の値、および抵抗6および容
量7より成る積分回路の時定数は大きくなり、また逆
に、これらの抵抗2および6と、容量4および7より成
る上記積分回路における時定数が小さい数値となる方向
にばらついている場合には、論理積出力CにおけるTA
の値、および抵抗6および容量7より成る積分回路の時
定数は共に小さくなる。
【0017】本実施例においては、信号入力端子32に
入力されるアナログ信号に対しては、抵抗6および容量
7より成る積分回路は、遮断周波数が〔TA /2πC7
6C 〕の低域フィルタとして動作するために、時定
数C7 6 のばらつきによる遮断周波数のばらつきは、
上述のように、時定数C7 6 のばらつきに対して、こ
れと同一のばらつき傾向を有する時定数C4 2 による
論理積出力Cにおけるパルス幅TA の変動により、アナ
ログ信号のアナログスイッチ5を通過する時間間隔TA
が制御されり状態となり、これにより相互の数値のばら
つきが補償される結果となる。従って、この補償効果に
より、遮断周波数のばらつきの小さいフィルタが実現さ
れる。
【0018】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図3は本実施例を示す回路図である。本実施例の
前述の第1の実施例に対する相違点は、補償回路40の
代りに、抵抗2と容量4とより成る積分回路の出力側と
AND回路3の入力側の一端との間に、コンパレータ8
が付加された補償回路50を備えることである。
【0019】図3において、インバータ1より出力され
る反転されたクロックは、抵抗2および容量4より成る
積分回路に入力されて、その積分出力はコンパレータの
正相入力端に入力される。コンパレータ8においては、
逆相入力端に論理振幅の中央付近レベルの基準電位Vr
が入力されており、これにより、AND回路3に対する
積分出力のしきい値電圧が規定される。なお、それ以外
の時定数の補償作用については、前述の第1の実施例の
場合と全く同様である。このように、AND回路3に対
する積分出力のしきい値電圧を基準電位Vr により規制
することにより、前記第1の実施例におけるしきい値電
圧Vt の変動による影響が排除されて、より高精度のフ
ィルタが実現される。
【0020】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。図4は本実施例を示す回路図である。本実施例の
前述の第1の実施例に対する相違点は、補償回路40の
代りに、″H″レベルの電位Mを供給する電圧源9と、
インバータ1の出力で制御されクロックAが″L″レベ
ルのとき電圧源9の電位Mを抵抗2と容量4とより成る
積分回路の出力側に供給するよう開閉するアナログスイ
ッチ10が付加された補償回路60を備えることであ
る。
【0021】図5は本実施例の回路の動作を示すタイム
チャ―トである。論理積出力Cは、図2と同様にクロッ
ク信号Aと積分出力Bとが共に入力しきい値電圧Vt
越えている時間TA の間″H″レベルとなり、アナログ
スイッチ5を導通させる。ここで、クロックAが″L″
レベルのときはインバータ1の出力IAが″H″レベル
であるのでアナログスイッチ10が閉じられ、積分出力
Bが電圧源9の電位Mに固定される。したがって、上記
積分回路の積分動作開始点における電位は常に電位Mと
なる。これにより、図5中に破線で示した第1の実施例
の動作と比較すると、以下に説明するようにより広い範
囲で遮断周波数のばらつきを補償するように動作が改善
される。
【0022】第1の実施例では、式1が成立して正確な
しきい値超過時間すなわち論理積出力Cのパルス幅TA
が得られるのは、パルス幅TA がクロックAの周期TC
に比し十分小さい場合に限られる。この理由は、上述の
ように、クロックAの立下がりに応答して積分出力B
の″H″レベルへの立上がりが開始するが、パルス幅T
A が大きくなると、前のクロックAに対する積分出力B
が完全に放電される前に次のクロックAに対する積分が
開始されるので、この場合の積分出力Bのレベルは全体
として低下してしまうためである。したがって、論理出
力Cの立上がり時刻も遅れ、パルス幅TA が式1で示さ
れる値より小さくなる。
【0023】本実施例は、積分出力Bの積分開始点の電
位を安定化することにより、パルス幅TA がクロックA
の周期TC に比して大きい場合にも正確なパルス幅TA
が得られるため、より広範囲の遮断周波数の分散に対す
る補償効果が期待できる。
【0024】次に、本発明の第4の実施例について説明
する。図6は本実施例を特徴ずける補償回路70の回路
図である。本実施例の補償回路70の前述の第3の実施
例の補償回路60に対する相違点は、一端がクロック端
子31に接続され他端が容量4の接地の代り接続した抵
抗13と、″L″レベルの電位Pを供給する電圧源11
と、インバータ1の出力で制御されクロックAが″L″
レベルのとき電圧源11の電位Pを抵抗13と容量4と
より成る低電位積分回路の出力側に供給するよう開閉す
るアナログスイッチ11と、抵抗2と容量4とから成る
高電位積分回路の積分出力Bと上記低電位積分回路の積
分出力Eとを比較する第2の実施例と同様のコンパレー
タ8とが付加されたことである。アナログスイッチ1
0,12は、第3の実施例と同様に、クロックAの″
L″レベルで閉、″H″レベルで開となる。また、コン
パレータ8の非反転入力端子に積分出力Bが、反転入力
端子に積分出力Eがそれぞれ供給される。
【0025】図7は本実施例の回路の動作を示すタイム
チャ―トである。論理積出力Cは、クロック信号Aとコ
ンパレータ8の出力とがともに″H″レベルの時間TA
の間″H″レベルとなる。これにより、第2の実施例と
同様に電源電圧の変動による影響を受けることなく正確
な、また、第3の実施例と同様の広範囲の遮断周波数の
分散に対する補償効果が期待できる。
【0026】図8は、図6に示す本実施例の回路を、半
導体集積回路として実現する具体回路の一例を示す回路
図である。図8において、MOSトランジスタP1,N
1はインバータ1を、MOSトランジスタP2,N2は
それぞれアナログスイッチ10,12を、MOSトラン
ジスタN3〜N5,P4,P5およびインバータ81は
コンパレータ8をそれぞれ構成する。ここでMOSトラ
ンジスタN( )はNチャンネルMOSトランジスタ
を、MOSトランジスタP( )はPチャンネルMOS
トランジスタをそれぞれ示す。
【0027】本回路の動作は図6の回路と同様である
が、低電圧積分回路の抵抗13に対しクロックAの反転
信号をMOSトランジスタP3によりさらに反転して独
立に供給しているので、一般的なCMOSインバータに
比しクロックAの反転時における過渡的な電源接地間の
貫通電流を低減できる。また、コンパレータ8の反転入
力端子に相当するNチャンネルMOSトランジスタN4
のゲートをクロックAの″L″レベルの間Nチャンネル
MOSトランジスタN2すなわちアナログスイッチ12
を導通させて″L″レベルの電位Pに固定することによ
り、コンパレータ8を構成するMOSトランジスタN3
〜N5,P4,P5が全部遮断状態となりしたがって、
クロックAの半周期の間の消費電流が0となる。
【0028】表1は図8の回路について、抵抗2,6,
13の各抵抗値および容量4,7の各容量値のばらつき
を±30%として、それぞれの場合におけるTA /TC
の設計値に対しどれだけずれるかの解析結果の一例であ
る。表1において、VtN,VtPはそれぞれNチャンネル
およびPチャンネルMOSトランジスタのしきい値を、
VDは電源電圧を、Tjは温度条件をそれぞれ示す。解
析結果の上段はTA の値、下段はTA /TC の設計値に
対する偏差をそれぞれ示す。表1に示すように、全ての
条件に対し、上記偏差は±10%以内となっている。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルタ
回路は、フィルタ回路を構成する第一の時定数回路の第
一の抵抗に供給する入力信号を開閉するスイッチ回路
と、上記第一の時定数回路と同一の材料およびプロセス
により同一チップ上に形成しクロックの反転信号を積分
した積分信号を生成する第二の時定数回路と、上記クロ
ックと上記積分信号との論理積演算結果により上記スイ
ッチ回路の開閉を制御するスイッチ制御信号を出力する
論理回路とを備え、上記第一の時定数回路の遮断周波数
のばらつきが上記第二の時定数回路により補償されるこ
とにより、高精度のフィルタを無調整で製造できるとい
う効果がある。したがって、検査工程における特性の測
定およびヒューズ等の切断による調整設備が不要とな
り、また、抵抗値および容量値調整のための余分の検査
工数も不要となるので製造コストが低下するという効果
がある。更に、抵抗値調整のときのヒューズ等の切断時
におけるストレスがないので半導体集積回路自体の信頼
性低下の要因が削減されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。
【図2】第1の実施例における動作の一例を示すタイム
チャートである。
【図3】本発明の第2の実施例を示す回路図である。
【図4】本発明の第3の実施例を示す回路図である。
【図5】第3の実施例における動作の一例を示すタイム
チャートである。
【図6】本発明の第4の実施例を示す回路図である。
【図7】第4の実施例における動作の一例を示すタイム
チャートである。
【図8】図6の回路を半導体集積回路として具体化した
場合の一例を示す回路図である。
【図9】従来のフィルタの回路図である。
【符号の説明】
1,81 インバータ 2,6,13,16〜19 抵抗 3 AND回路 4,7,20 容量 5,10,12 アナログスイッチ 8 コンパレータ 9,11 電圧源 21〜23 ヒューズ 40,50,60,70 補償回路 N1〜N5,P1〜P5 MOSトランジスタ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第一の抵抗と第一の容量とから成る第一
    の時定数回路と、 前記第一の抵抗に供給する入力信号を開閉する第一のス
    イッチ回路と、 前記第一の時定数回路と同一の材料およびプロセスによ
    り同一チップ上に形成した第二の抵抗および第二の容量
    とを有しクロックの反転信号を積分した第一の積分信号
    を生成する第二の時定数回路と、 前記クロックと前記第一の積分信号との論理積演算を行
    いこの論理積演算結果により前記第一のスイッチ回路の
    開閉を制御するスイッチ制御信号を出力する論理回路と
    を備えることを特徴とするフィルタ回路。
  2. 【請求項2】 前記第一の積分信号のレベルが予め定め
    た基準電圧を越えたことを検出した検出出力をこの第一
    の積分信号として前記論理回路に供給する第一のコンパ
    レータ回路をさらに備えることを特徴とする請求項1記
    載のフィルタ回路。
  3. 【請求項3】 予め定めた第一の電位を供給する第一の
    電圧源と、 前記第二の時定数回路の出力端に接続され前記クロック
    により前記第一の電位の供給を開閉する第二のスイッチ
    回路をさらに備えることを特徴とする請求項1記載のフ
    ィルタ回路。
  4. 【請求項4】 予め定めた第二の電位を供給する第二の
    電圧源と、 前記第一の時定数回路と同一の材料およびプロセスによ
    り同一チップ上に形成され中間に第三の容量が挿入され
    るように直列接続された第三および第四の抵抗とを有し
    クロックの反転および非反転信号をそれぞれ積分した第
    二および第三の積分信号をそれぞれ生成する第三の時定
    数回路と、 前記クロックにより前記第二の電位の供給を開閉する第
    二のスイッチ回路と、 前記第二および第三の積分信号を比較し前記第三の積分
    信号が前記第二の積分信号越えたことを検出した検出出
    力を前記第一の積分信号として前記論理回路に供給する
    第二のコンパレータ回路をさらに備えることを特徴とす
    る請求項3記載のフィルタ回路。
  5. 【請求項5】 前記第三の積分信号を生成する前記クロ
    ックの非反転信号がゲートに前記反転信号をソースに前
    記第一の電位をそれぞれ供給を受けた第一の導電型のM
    OSトランジスタのドレインから供給されることを特徴
    とする請求項4記載のフィルタ回路。
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