JPH0760769B2

JPH0760769B2 - 複合インダクタンス素子

Info

Publication number: JPH0760769B2
Application number: JP32241687A
Authority: JP
Inventors: 千廣川口; 宏光多木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1987-12-18
Filing date: 1987-12-18
Publication date: 1995-06-28
Anticipated expiration: 2010-06-28
Also published as: JPH01162312A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は複合インダクタンス素子に関するものである。

従来の技術デジタル回路の信号線にパルス性信号が伝送される際、
急激な立ち上がり、立ち下がり波形に高い周波数の高調
波を含んでいるのでこの高調波が輻射してテレビ受像器
等の受信障害などを引き起こすことがある。また急激な
電圧印加の際のオーバーシュートやアンダーシュートな
どによってノイズが生じ、それがデジタル回路を誤動作
させたりする。ノイズを除去する目的で信号線等に挿入
して用いられるノイズフィルタとしては、インダクタだ
けのものや、インダクタとコンデンサとを組み合わせロ
ーパスフィルタを構成したものなどがある。

第８図は従来のノイズフィルタを示すものであり、イン
ダクタだけで構成されたものである。21はフェライトコ
アで、貫通孔22と23が設けられている。貫通孔22及び貫
通孔23の一端側の開口部にはそれぞれ導出端子24及び導
出端子25が導電膜によって形成され、また、他端側には
両開口部間にまたがるように接続端子26が導電膜によっ
て形成されている。そして、貫通孔22,23の内壁面には
全面にわたって導電膜が被着形成されている。すなわち
フェライトコアの中に筒状の導電線路27及び導電線路28
が構成されている。そして、導電線路27の両端は導出端
子24と接続端子26に導通し、導電線路28の両端は導出端
子25と接続端子26に導通している。Φ_３は導電線路27の
電流によって生じる磁束を、Φ_４は導電線路28の電流に
よって生じる磁束を示す。

以上のように従来はフェライトコアの貫通孔の内壁に導
電膜を被着形成することによって導電線路を設けるとい
うものであり、貫通孔と同心円状の閉磁路に生じる磁束
Φ₃,Φ_４の作用を利用してノイズフィルタを構成してい
た。第９図はその等価回路図を示すものである。第９図
において、29は導電線路27によるインダクタ、30は導電
線路28によるインダクタである。第10図は第８図に示し
たインダクタンス素子にチップコンデンサを付加したも
のであり、インダクタとコンデンサとからなるローパス
フィルタが構成されている。フェライトコア21の外面に
チップコンデンサ31を装着し、ホット側電極端子32と接
続端子26とを接続し、第11図に示されるようなＴ型ロー
パスフィルタを構成している。33はアース側電極端子で
ある。そしてコンデンサのバイパス作用を利用し、イン
ダクタだけのフィルタよりもフィルタ効果を向上させて
いる。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、このような従来のインダクタンス素子で
は、内部に形成された複数のインダクタンス素子の磁気
特性を個別に設定するのが困難であり、例えばフィルタ
に応用した場合には、周波数特性等を希望通りの特性に
一致させるのに無理があった。

つまり、インダクタ29と30は、同一フェライトコアに設
けられた貫通孔内に、同じ工程によって同時に形成され
た導電膜を利用しており、ほぼ同じ特性を示す事とな
る。従って双方のインダクタンス素子を組み合わせて所
望の周波数特性を実現しようとしても、双方が常に同じ
特性しか示さないものであれば、設計上大きな制限が生
じることとなる。

問題点を解決するための手段本発明は以上の問題点を解決するため、絶縁体棒の表面
に導電膜が形成された導電棒を磁性体ブロックに形成さ
れた複数の貫通孔のそれぞれに挿入して構成した。

作用以上のように構成することにより、１つの磁性体ブロッ
クの中に多種類の導電棒を装着することが可能となり、
１つの磁性体ブロックによってそれぞれ特性の異なる複
数のインダクタンス素子を構成することが可能となる。

実施例以下、本発明における複合インダクタンス素子の実施例
を図面に基づいて説明する。第１図において、１はフェ
ライトによってブロック状に構成されたフェライトコア
であり、２ケ所に貫通孔を備えている。２はフェライト
コア１の貫通孔に挿入された棒状の導体部である。導体
部２はフェライトの表面に銅及びニッケルなどの導体膜
を一様に被着形成して構成されたものである。導体部２
は外径が約1mmで長さが約5mmほどの大きさのフェライト
棒に導体膜としてニッケル下地メッキを施し、更に銅メ
ッキを３〜６ミクロン施してある。そして、その表面に
削り加工によって溝３が形成されている。そして、溝３
の幅は約0.08mmほどで、導電部４の幅が約0.2〜0.3mmと
なっている。例えばこの幅の帯状導電部を８回ほど巻き
付けた状態となるように溝彫り加工を施すと、導体部２
の両端の間の直流抵抗値が１〜２Ω程度になる。また、
以上のような寸法に形成した場合において導体の種類お
よびその他の諸条件を選定することで直流抵抗値が0.1
〜100Ω程度の範囲のものを作ることができる。以上の
ように構成された導体膜を磁性体中に置くことによって
PL時定数素子にもなる。

５は導体棒２とほぼ同様に構成された導体棒であり、フ
ェライトコア１の貫通孔に挿入されている。そして導体
棒５の表面には導体膜が設けられ、また削り加工によっ
て溝６が形成されている。

7,8,9,10はそれぞれフェライトコア１上に導電膜を被着
することによって形成された導出端子であり、それぞれ
貫通孔端部の開口部周囲に設けられている。11,12,13は
導体棒２と導出端子7,8,9,10との間を導電可能にする導
電ペーストであり、うち導電ペースト13は導出端子７と
導出端子９との間の導通を可能にしている。フェライト
コア１に形成された貫通孔は双方とも両端部において広
がっており、導体棒２の端部2a,2b、また導体棒５の端
部5a,5bの周囲において、導体棒表面と磁性体との距離
が広くなっている。このように構成すると、一体の磁性
体内に形成された２つのインダクタンス素子の互いの磁
気的結合を小さくすることができ、より小型にすること
ができる。また、このように構成することにより、十分
な量の導電ペーストが貫通孔内へ進入し、導体棒2,5に
確実に接触し、機械的な固定も十分なものとなる。ま
た、導体棒2,5の中央部すなわち螺旋溝3,6が形成された
部分には絶縁塗料14,15が塗布されており、これによっ
て導体膜が保護されている。

第２図は以上のように構成された複合インダクタンス素
子を用いて作ったフィルタ装置を示すものである。第２
図において16はチップコンデンサであり、17,18は両端
に設けられた導出端子である。チップコンデンサ16はフ
ェライトコア１に固定されており、前記導出端子17とイ
ンダクタンス素子側の導出端子7,9とが接続されてい
る。

第３図は上記フィルタ装置の等価回路を示すものであ
る。破線19によって囲まれた部分が複合インダクタンス
素子であり、2r及び2xはそれぞれ導体棒２によって構成
されたインダクタンス素子の純抵抗分及びリアクタンス
分、また5r及び5xはそれぞれ導体棒５によって構成され
たインダクタンス素子の純抵抗分及びリアクタンス分で
ある。

第４図は他の実施例を示すものであり、第５図に示され
るように２つのインダクタンス素子を抵抗器で接続した
フィルタ装置である。第４図において41は２ケ所に貫通
孔が形成されたフェライトコア、42及び43は第１の実施
例のものと基本的に同様に構成された導体棒である。う
ち導体棒43には非常に密に螺旋状溝が形成されている。
44は螺旋状に形成された導電膜である。45は導体棒43に
塗布された絶縁塗料であり、導体棒42にも同様な絶縁塗
料が形成されている。46,47,48,49はフェライトコア41
に被着形成された導出端子である。50はフェライトコア
41に被着形成された抵抗膜であり、両端において導出端
子48及び導出端子49に接続されている。また、Φ_２は導
体棒43に流れる電流によって生じる磁束を示す。

ここで、周波数特性を第６図に基づいて説明する。第６
図においてａは本実施例における導出端子46,47間のイ
ンダクタンスの周波数特性である。本例では磁束Φ_１に
よるインダクタンスに加えて磁束Φ_２によるインダクタ
ンスが大きく作用し、100MHz近傍の周波数では、1MHzに
対するインダクタンスの減少率が数分の一程度である。
ｂは従来例の特性であり、従来例（二０分の一程度）と
比較して大きく差が生じており、それだけ周波数特性が
改善されている。

次に第７図に基づいて説明する。まず第７図においてｂ
は従来のインダクタンス素子の特性であり、1MHzでの純
抵抗成分は１Ω以下である。従来例では純抵抗成分が低
い周波数で不足している。そこで本実施例では第５図に
示されるように抵抗51を一方のインダクタと他方のイン
ダクタとの間に設け、純抵抗成分が出来るだけ大きくな
るようにした。第７図におけるａは本実施例において抵
抗51の抵抗値を５Ωとした場合の純抵抗成分の周波数特
性である。このように、抵抗51によって低い周波数から
高い周波数にかけて純抵抗成分を補うことができ、また
高い周波数においては、磁気損失や螺旋状導電膜の渦電
流損失なども作用して純抵抗成分がさらに大きくなり、
例えば100MHz以上で従来より20〜30Ω程度大きくなって
いる。従って、低い周波数から高い周波数まで良好なノ
イズ吸収作用が生じる。

以上説明したように、本実施例は低域から高域にかけ、
従来より広い周波数範囲でインピーダンスを大きくする
ことができるのである。

発明の効果以上のように本発明は、絶縁体の芯に導電膜を形成した
導電棒を磁性体ブロックに形成された複数の貫通孔にそ
れぞれ挿入した構成としたことにより、１つの磁性体ブ
ロックの中に多種類の導電棒を装着することが可能とな
り、１つの磁性体ブロックの中にそれぞれ特性の異なる
複数のインダクタンス素子を集積して構成することが可
能となる。従って非常に小さなチップでありながら、高
精度インダクタンス素子を内蔵することができ、例えば
フィルタ装置として応用するならば、小型ながら希望に
そった周波数特性を実現したチップ型フィルタ装置を作
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における複合インダクタ
ンス素子の断面図、第２図は同複合インダクタンス素子
を応用したフィルタ装置の斜視図、第３図は同フィルタ
装置の等価回路図、第４図は第２の実施例として複合イ
ンダクタンス素子を応用したフィルタ装置の斜視図、第
５図は同フィルタ装置の等価回路図、第６図は同フィル
タ装置のインダクタンスの周波数特性を示す図、第７図
は同フィルタ装置の純抵抗成分の周波数特性を示す図、
第８図は従来の複合インダクタンス素子の斜視図、第９
図は同複合インダクタンス素子の等価回路図、第10図は
同複合インダクタンス素子を用いたフィルタ装置の斜視
図、第11図は同フィルタ装置の等価回路図である。１……フェライトコア、2,5……導体棒 3,6……溝、7,8,9,10……導出端子 11,12,13……導電ペースト 14,15……絶縁塗料

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁体の芯の表面に導電膜を形成した複数
の導電棒と、複数の貫通孔が形成され、上記貫通孔の入
口周囲に端子を備えた磁性体ブロックとを有し、上記貫
通孔内にそれぞれ上記導電棒を挿入し、上記導電棒の両
端を上記端子に接続したことを特徴とする複合インダク
タンス素子。