JPH0758271A - 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH0758271A JPH0758271A JP5206068A JP20606893A JPH0758271A JP H0758271 A JPH0758271 A JP H0758271A JP 5206068 A JP5206068 A JP 5206068A JP 20606893 A JP20606893 A JP 20606893A JP H0758271 A JPH0758271 A JP H0758271A
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- lead
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームの簡素化を図ることにより、
半導体装置の小型化を図り、またそのリードフレームを
用いた製造工程の向上を図った半導体装置の製造方法を
提供することにある。 【構成】 リードフレーム１は、平行に配置された１対
のフレーム２ａ，２ｂと、この１対のフレーム２ａ，２
ｂを連結する複数の連結フレーム２ｂとを備え、さらに
この連結フレームには、上記１対のフレーム２に対して
平行に延びるように形成された複数本のリード電極４を
有している。
半導体装置の小型化を図り、またそのリードフレームを
用いた製造工程の向上を図った半導体装置の製造方法を
提供することにある。 【構成】 リードフレーム１は、平行に配置された１対
のフレーム２ａ，２ｂと、この１対のフレーム２ａ，２
ｂを連結する複数の連結フレーム２ｂとを備え、さらに
この連結フレームには、上記１対のフレーム２に対して
平行に延びるように形成された複数本のリード電極４を
有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置用リードフ
レームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法に関
し、リードフレームの構造の改良およびそれに伴う製造
方法の改良に関するものである。
レームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法に関
し、リードフレームの構造の改良およびそれに伴う製造
方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、図１５は、従来のリードフレーム
を用いて、半導体装置を製造した場合の状態を示す図で
ある。
を用いて、半導体装置を製造した場合の状態を示す図で
ある。
【０００３】リードフレーム１は、枠体２と、ダイエリ
ア３と、外部リード４とが一体に構成されている。ま
た、リードフレーム１には、樹脂パッケージ５に注入さ
れたモールド樹脂が、樹脂注入時にリードフレーム１の
外側の領域に露出するのを防ぐためのタイバ４１が設け
られている。このタイバ４１は、樹脂成形が終了した後
に切断除去される。
ア３と、外部リード４とが一体に構成されている。ま
た、リードフレーム１には、樹脂パッケージ５に注入さ
れたモールド樹脂が、樹脂注入時にリードフレーム１の
外側の領域に露出するのを防ぐためのタイバ４１が設け
られている。このタイバ４１は、樹脂成形が終了した後
に切断除去される。
【０００４】半導体素子６は、ダイエリア３に固着され
ている。半導体素子６に設けられた電極６ａは、金線７
を用いて対応する外部リード４に電気的に接続されてい
る。
ている。半導体素子６に設けられた電極６ａは、金線７
を用いて対応する外部リード４に電気的に接続されてい
る。
【０００５】このリードフレーム１は、通常半導体素子
６を複数個搭載可能なように構成されており、複数個の
半導体素子を一度の樹脂封止工程によって製造できるよ
うに、複数個のダイエリア３および外部引出リード４が
設けられている。
６を複数個搭載可能なように構成されており、複数個の
半導体素子を一度の樹脂封止工程によって製造できるよ
うに、複数個のダイエリア３および外部引出リード４が
設けられている。
【０００６】次に、図１６を参照して、図１５に示す半
導体装置の製造工程について説明する。図１６は、図１
５中に示すＸ−Ｘ線矢視断面に対応する断面図である。
導体装置の製造工程について説明する。図１６は、図１
５中に示すＸ−Ｘ線矢視断面に対応する断面図である。
【０００７】ダイエリア３に固着された半導体素子６を
含むリードフレーム１は、まず通常約１８０℃程度に加
熱された封止用下金型９の上に位置決めされ載置され
る。
含むリードフレーム１は、まず通常約１８０℃程度に加
熱された封止用下金型９の上に位置決めされ載置され
る。
【０００８】その後、封止用下金型９の上に封止用上金
型８を下降させて、キャビティ部８９を構成させる。
型８を下降させて、キャビティ部８９を構成させる。
【０００９】同時に、封止用上金型８および封止用下金
型９により、キャビティ部８９へ樹脂を注入するための
ランナ部１１２とゲート部９４１も同時に構成される。
型９により、キャビティ部８９へ樹脂を注入するための
ランナ部１１２とゲート部９４１も同時に構成される。
【００１０】なお、このとき、リードフレーム１の厚さ
分の隙間がランナ部１１２やゲート部９４１に生じる
が、これを防止するために、封止用上金型８と封止用下
金型９とのいずれかに、リードフレーム１の厚さ分より
少し深めの逃げ溝が設けられており、封止用上金型８と
封止用下金型９とを直接接触するよう考慮されている。
分の隙間がランナ部１１２やゲート部９４１に生じる
が、これを防止するために、封止用上金型８と封止用下
金型９とのいずれかに、リードフレーム１の厚さ分より
少し深めの逃げ溝が設けられており、封止用上金型８と
封止用下金型９とを直接接触するよう考慮されている。
【００１１】次に、ランナ部１１２から樹脂を注入する
ことにより、樹脂はゲート部９４１を通ってキャビティ
部８９へ注入される。
ことにより、樹脂はゲート部９４１を通ってキャビティ
部８９へ注入される。
【００１２】これにより、半導体素子６およびリードフ
レーム１が樹脂により封止される。その後、タイバ４１
を切断し、不要となった枠体２を切断除去した後、外部
リード４を所定の形状に加工することにより、半導体装
置が完成する。
レーム１が樹脂により封止される。その後、タイバ４１
を切断し、不要となった枠体２を切断除去した後、外部
リード４を所定の形状に加工することにより、半導体装
置が完成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体装置用リードフレームおよびその製造方法において
は、以下に述べる問題点を有している。
導体装置用リードフレームおよびその製造方法において
は、以下に述べる問題点を有している。
【００１４】まず、半導体装置用リードフレームにあっ
ては、ダイエリアに半導体素子を固着し、金線を用いて
半導体素子とリードの電気的接続を図っている。また、
樹脂による封止時に、樹脂の露出を防止するためにタイ
バを設ける必要がある。そのために、リードフレームの
形状が複雑となり、また、金線を配線する工程が必要と
なっている。
ては、ダイエリアに半導体素子を固着し、金線を用いて
半導体素子とリードの電気的接続を図っている。また、
樹脂による封止時に、樹脂の露出を防止するためにタイ
バを設ける必要がある。そのために、リードフレームの
形状が複雑となり、また、金線を配線する工程が必要と
なっている。
【００１５】さらに、リードフレームにおけるリード
は、ダイエリアから外側へ向かって広がるように形成さ
れているため、半導体装置が大型化してしまうという問
題点があった。
は、ダイエリアから外側へ向かって広がるように形成さ
れているため、半導体装置が大型化してしまうという問
題点があった。
【００１６】次に、リードフレームを用いた半導体装置
の製造方法においては、樹脂を金型の横方向から注入し
ているため、樹脂封止完了した後に、ゲート部周辺にバ
リが発生してしまう。
の製造方法においては、樹脂を金型の横方向から注入し
ているため、樹脂封止完了した後に、ゲート部周辺にバ
リが発生してしまう。
【００１７】このバリは、半導体装置をプリント基板な
どに実装するときの半田付けを阻害し、またリード部に
めっき処理を施す場合にも支障となっている。
どに実装するときの半田付けを阻害し、またリード部に
めっき処理を施す場合にも支障となっている。
【００１８】したがって、このように発生したバリを、
ウォータージェットや微細な砂状流体を吹付けて除去す
る工程が必要となっていた。
ウォータージェットや微細な砂状流体を吹付けて除去す
る工程が必要となっていた。
【００１９】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、リードフレームの簡素化を図ることによ
り、半導体装置の小型化を図り、またそのリードフレー
ムを用いた製造効率の良い半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
されたもので、リードフレームの簡素化を図ることによ
り、半導体装置の小型化を図り、またそのリードフレー
ムを用いた製造効率の良い半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた請求
項１に記載の半導体装置用リードフレームにおいては、
所定の間隙を隔てて平行に配置された、所定の幅を有す
る１対のフレームと、上記１対のフレームを連結するよ
うに所定のピッチをもって配置された、それぞれ所定の
幅を有する複数本の連結フレームとを備えている。さら
に、上記連結フレームは、上記１対のフレームと平行に
延びるように形成された複数本のリード電極を有してい
る。
項１に記載の半導体装置用リードフレームにおいては、
所定の間隙を隔てて平行に配置された、所定の幅を有す
る１対のフレームと、上記１対のフレームを連結するよ
うに所定のピッチをもって配置された、それぞれ所定の
幅を有する複数本の連結フレームとを備えている。さら
に、上記連結フレームは、上記１対のフレームと平行に
延びるように形成された複数本のリード電極を有してい
る。
【００２１】次に、この発明に基づいた請求項２に記載
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、上記リー
ド電極の先端部分および上記連結フレームとの結合部分
に、所定の大きさの孔を有している。
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、上記リー
ド電極の先端部分および上記連結フレームとの結合部分
に、所定の大きさの孔を有している。
【００２２】次に、この発明に基づいた請求項３に記載
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、上記連結
フレームの一方の側辺に形成された複数本の上記リード
電極において、少なくとも２本の電極が電気的に接続さ
れている。
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、上記連結
フレームの一方の側辺に形成された複数本の上記リード
電極において、少なくとも２本の電極が電気的に接続さ
れている。
【００２３】次に、この発明に基づいた請求項４に記載
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、隣接する
２本の上記連結フレームにおいて、それぞれ対向する１
辺に形成された上記リード電極の少なくとも１組が電気
的に接続されている。
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、隣接する
２本の上記連結フレームにおいて、それぞれ対向する１
辺に形成された上記リード電極の少なくとも１組が電気
的に接続されている。
【００２４】次に、この発明に基づいた請求項５に記載
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、上記リー
ド電極の断面形状において、上辺よりも下辺の方が短く
形成されている。
の半導体装置用リードフレームにおいては、請求項１に
記載の半導体装置用リードフレームであって、上記リー
ド電極の断面形状において、上辺よりも下辺の方が短く
形成されている。
【００２５】次に、この発明に基づいた半導体装置の製
造方法においては、以下の工程を備えている。
造方法においては、以下の工程を備えている。
【００２６】まず、半導体素子に設けられた複数の素子
電極に対応するリード電極を有するリードフレームの上
に、上記素子電極と上記リード電極とが当接するように
半導体素子が載置される。
電極に対応するリード電極を有するリードフレームの上
に、上記素子電極と上記リード電極とが当接するように
半導体素子が載置される。
【００２７】次に、上記半導体素子と上記リードフレー
ムとを封止用上型および封止用下型を用いて上下より密
着し挾持して、上記半導体素子の上方より樹脂を注入
し、上記半導体素子および上記リードフレームが樹脂封
止される。
ムとを封止用上型および封止用下型を用いて上下より密
着し挾持して、上記半導体素子の上方より樹脂を注入
し、上記半導体素子および上記リードフレームが樹脂封
止される。
【００２８】
【作用】この発明に基づいた請求項１に記載の半導体装
置用リードフレームによれば、連結フレームに平行なリ
ード電極が設けられている。
置用リードフレームによれば、連結フレームに平行なリ
ード電極が設けられている。
【００２９】これにより、連結フレームがタイバの役割
を果たしつつ、リードフレームの形状の簡素化を図るこ
とが可能となる。
を果たしつつ、リードフレームの形状の簡素化を図るこ
とが可能となる。
【００３０】さらに、半導体素子に設けられている電極
に直接リード電極を当接することが可能となる。
に直接リード電極を当接することが可能となる。
【００３１】その結果、半導体装置の大きさがほぼ半導
体素子の大きさに等しくなるため、半導体装置の小型化
を図ることが可能となる。
体素子の大きさに等しくなるため、半導体装置の小型化
を図ることが可能となる。
【００３２】次に、この発明に基づいた請求項２に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
先端部分および連結フレームとの結合部分に所定の大き
さの孔を有している。
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
先端部分および連結フレームとの結合部分に所定の大き
さの孔を有している。
【００３３】この孔を有することにより、半導体素子の
電極への接合時およびプリント基板への接合時の半田な
どの漏れを防止することができる。
電極への接合時およびプリント基板への接合時の半田な
どの漏れを防止することができる。
【００３４】したがって、半田付けによる電気的接合の
信頼性の向上を図ることが可能となる。
信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００３５】次に、この発明に基づいた請求項３に記載
の半導体用リードフレームによれば、連結フレームの一
方の側辺に形成されたリード電極のうち少なくとも２本
が電気的に接続されている。
の半導体用リードフレームによれば、連結フレームの一
方の側辺に形成されたリード電極のうち少なくとも２本
が電気的に接続されている。
【００３６】これにより、半導体装置側において、同一
電源や同一グラウンドを予めまとめておくことが可能と
なる。
電源や同一グラウンドを予めまとめておくことが可能と
なる。
【００３７】したがって、半導体基板に形成されるパタ
ーン形状の簡略化を図ることが可能となる。
ーン形状の簡略化を図ることが可能となる。
【００３８】次に、この発明に基づいた請求項４に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、隣接する２本
の連結フレームにおいて、それぞれ対向する１辺に形成
されたリード電極のうち少なくとも１組が電気的に接続
されている。
の半導体装置用リードフレームによれば、隣接する２本
の連結フレームにおいて、それぞれ対向する１辺に形成
されたリード電極のうち少なくとも１組が電気的に接続
されている。
【００３９】これにより、半導体装置側において同一電
源や同一グラウンドを予めまとめておくことが可能とな
る。
源や同一グラウンドを予めまとめておくことが可能とな
る。
【００４０】したがって、半導体基板に形成されるパタ
ーン形状の簡略化を図ることが可能となる。
ーン形状の簡略化を図ることが可能となる。
【００４１】次に、この発明に基づいた請求項５に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
断面形状において、上辺よりも下辺の方が短く形成され
ている。
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
断面形状において、上辺よりも下辺の方が短く形成され
ている。
【００４２】これにより、半導体装置およびリード電極
が樹脂により封止され、リード電極の下辺が露出してい
る場合であっても、リード電極の脱落を防止することが
可能となる。
が樹脂により封止され、リード電極の下辺が露出してい
る場合であっても、リード電極の脱落を防止することが
可能となる。
【００４３】次に、この発明に基づいた請求項６に記載
の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の上方よ
り樹脂を注入するようにしている。
の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の上方よ
り樹脂を注入するようにしている。
【００４４】これにより、従来のようにゲート部におけ
るバリの発生を未然に防止することが可能となる。
るバリの発生を未然に防止することが可能となる。
【００４５】したがって、バリを取るための処理工程が
不要となり、半導体装置の製造工程の短縮化を図ること
が可能となる。
不要となり、半導体装置の製造工程の短縮化を図ること
が可能となる。
【００４６】
【実施例】以下、この発明に基づいた実施例について説
明する。
明する。
【００４７】図１は、この実施例により製造された半導
体装置の構造を示す断面図である。半導体素子６に設け
られた突起電極６１に、リードフレーム１に設けられた
リード電極４が直接接合されている。
体装置の構造を示す断面図である。半導体素子６に設け
られた突起電極６１に、リードフレーム１に設けられた
リード電極４が直接接合されている。
【００４８】突起電極６１は、通常金が多く用いられて
おり、また、リード電極４の突起電極６１との接合領域
には、錫めっき等が施されている。
おり、また、リード電極４の突起電極６１との接合領域
には、錫めっき等が施されている。
【００４９】半導体素子６とリード電極４とは、図に示
すように樹脂５により封止されている。
すように樹脂５により封止されている。
【００５０】次に、図２は、半導体素子６に設けられて
いる突起電極６１の配置を示す平面図である。本実施例
によれば、突起電極６１は、半導体素子６の長手方向の
２列５個ずつ設けられている。この突起電極６１は、通
常金、錫、半田などからなり、高さ５０μｍ〜１００μ
ｍ，１辺１００μｍの四角形からなっている。
いる突起電極６１の配置を示す平面図である。本実施例
によれば、突起電極６１は、半導体素子６の長手方向の
２列５個ずつ設けられている。この突起電極６１は、通
常金、錫、半田などからなり、高さ５０μｍ〜１００μ
ｍ，１辺１００μｍの四角形からなっている。
【００５１】なお、突起電極６１の高さが７μｍ〜５０
μｍと低く形成された場合は、リード電極側に５０〜１
００μｍ程度の突起を転写方式などにより予め付与す
る。
μｍと低く形成された場合は、リード電極側に５０〜１
００μｍ程度の突起を転写方式などにより予め付与す
る。
【００５２】次に、図３を参照して、この実施例による
リードフレームの構造について説明する。
リードフレームの構造について説明する。
【００５３】リードフレーム１は、所定の間隔を隔てて
平行に配置された、それぞれ所定の幅を有する１対のフ
レーム２ａと、この１対のフレーム２ａを連結するよう
に所定のピッチをもって配置されたそれぞれ所定の幅を
有する複数本の連結フレーム２ｂとを備えている。
平行に配置された、それぞれ所定の幅を有する１対のフ
レーム２ａと、この１対のフレーム２ａを連結するよう
に所定のピッチをもって配置されたそれぞれ所定の幅を
有する複数本の連結フレーム２ｂとを備えている。
【００５４】また、この連結フレーム２ｂには、フレー
ム２ａと平行に延びるように形成された複数本のリード
電極４を有している。
ム２ａと平行に延びるように形成された複数本のリード
電極４を有している。
【００５５】このリードフレーム１の表面は、錫，銅，
半田などをめっきを施した鉄とニッケルの合金（コバー
ル）板からなる薄板材から形成されている。
半田などをめっきを施した鉄とニッケルの合金（コバー
ル）板からなる薄板材から形成されている。
【００５６】ただし、場合によっては錫等のめっきは、
リード電極４の先端部分近傍のみに予め施しておき、樹
脂封止が完了した後に、必要に応じて必要箇所に耐熱性
を必要としないめっき処理を施す場合がある。
リード電極４の先端部分近傍のみに予め施しておき、樹
脂封止が完了した後に、必要に応じて必要箇所に耐熱性
を必要としないめっき処理を施す場合がある。
【００５７】次に、上記リードフレーム１と半導体素子
６とを用いた場合の半導体装置の製造方法について説明
する。
６とを用いた場合の半導体装置の製造方法について説明
する。
【００５８】まず、図４を参照して、リードフレーム２
と半導体素子６との位置関係について説明する。リード
フレーム１のリード電極４と半導体素子の突起電極６１
とが当接するように配置されている。
と半導体素子６との位置関係について説明する。リード
フレーム１のリード電極４と半導体素子の突起電極６１
とが当接するように配置されている。
【００５９】次に、図５（ａ），（ｂ）を参照して、リ
ードフレーム１と半導体素子６との樹脂封止について説
明する。図５（ａ）は、リードフレーム１側から見上げ
た場合の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）中Ｘ
−Ｘ線矢視断面図である。
ードフレーム１と半導体素子６との樹脂封止について説
明する。図５（ａ）は、リードフレーム１側から見上げ
た場合の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）中Ｘ
−Ｘ線矢視断面図である。
【００６０】まず、平板状の封止用下金型８の上の所定
位置に、半導体素子６が固着されたリードフレーム１を
載置する。このとき、リードフレーム１に予め設けられ
た位置決め用孔を用いて、リードフレーム１の位置決め
を確実に行なう。
位置に、半導体素子６が固着されたリードフレーム１を
載置する。このとき、リードフレーム１に予め設けられ
た位置決め用孔を用いて、リードフレーム１の位置決め
を確実に行なう。
【００６１】次に、封止用上金型９をリードフレーム１
の上に降下させ、リードフレーム１を密着挾持する。
の上に降下させ、リードフレーム１を密着挾持する。
【００６２】このとき、図５（ｂ）に示すように、封止
用下金型８と封止用上金型９とによりキャビティ部９３
が構成される。
用下金型８と封止用上金型９とによりキャビティ部９３
が構成される。
【００６３】封止用上金型８の半導体素子６の上方に
は、樹脂をキャビティ部９３内へ導入するためのコーン
部９４およびシリンダ部９５が設けられている。
は、樹脂をキャビティ部９３内へ導入するためのコーン
部９４およびシリンダ部９５が設けられている。
【００６４】次に、図６を参照して、樹脂５１のキャビ
ティ部９３への注入は、所定の樹脂の量が予め計量され
たタブレット状の樹脂５１からなるタブレットをシリン
ダ部９５内へ投入し、その後ピストン１０によって加圧
する。
ティ部９３への注入は、所定の樹脂の量が予め計量され
たタブレット状の樹脂５１からなるタブレットをシリン
ダ部９５内へ投入し、その後ピストン１０によって加圧
する。
【００６５】樹脂５１は、コーン部９４を経由して、キ
ャビティ部９３内に圧入され、モールドパッケージ５を
形成する。
ャビティ部９３内に圧入され、モールドパッケージ５を
形成する。
【００６６】コーン部９４の形状は、硬化後のコーン部
９４の樹脂とモールドパッケージ５の樹脂部との分割が
容易にするためと、抜取りを容易にするために、コーン
部９４の先端部を小さくした円錐形状としている。
９４の樹脂とモールドパッケージ５の樹脂部との分割が
容易にするためと、抜取りを容易にするために、コーン
部９４の先端部を小さくした円錐形状としている。
【００６７】この樹脂の注入においては、封止用上金型
８および封止用下金型９の温度とピストン１０の加圧力
は、樹脂５１によって、最適条件が選択され、通常は封
止用上金型８と封止用下金型９の温度が１５０〜２００
℃、ピストン１０の加圧力が５０〜１２０ｋｇ／ｃｍ2
に設定されている。
８および封止用下金型９の温度とピストン１０の加圧力
は、樹脂５１によって、最適条件が選択され、通常は封
止用上金型８と封止用下金型９の温度が１５０〜２００
℃、ピストン１０の加圧力が５０〜１２０ｋｇ／ｃｍ2
に設定されている。
【００６８】また、封止用上金型９には、リード電極４
の上方を避けた位置に、樹脂５１の注入時のキャビティ
部９３内部のエアを抜くためのガス抜き用スリット９６
が設けられている。
の上方を避けた位置に、樹脂５１の注入時のキャビティ
部９３内部のエアを抜くためのガス抜き用スリット９６
が設けられている。
【００６９】また、樹脂加圧用のピストン１０の先端に
は、樹脂５１の硬化後のコーン部９４内の樹脂５１とモ
ールドパッケージ５との分割を容易にするために凸形状
または凹形状の突起を設け、ピストン１０を回転させる
ことにより、シリンダ９５内の残留硬化樹脂を介して、
トルクを与え、コーン部９４の分離除去を容易にするこ
とができる。
は、樹脂５１の硬化後のコーン部９４内の樹脂５１とモ
ールドパッケージ５との分割を容易にするために凸形状
または凹形状の突起を設け、ピストン１０を回転させる
ことにより、シリンダ９５内の残留硬化樹脂を介して、
トルクを与え、コーン部９４の分離除去を容易にするこ
とができる。
【００７０】さらに、シリンダ９５とコーン部９４の先
端の面積差によって、ピストン１０を上昇させることに
よって、コーン部９４とモールドパッケージ５との分割
は自動的に達成することができ、引続き封止用上金型９
を上昇させることにより、モールドパッケージ５を容易
に取出すことが可能となる。なお、このとき、モールド
パッケージ５が封止用上金型９とともに持上げられる場
合においては、エジェクタピン（図示せず）を用い、強
制的に押出すことによって取出すことが可能となる。
端の面積差によって、ピストン１０を上昇させることに
よって、コーン部９４とモールドパッケージ５との分割
は自動的に達成することができ、引続き封止用上金型９
を上昇させることにより、モールドパッケージ５を容易
に取出すことが可能となる。なお、このとき、モールド
パッケージ５が封止用上金型９とともに持上げられる場
合においては、エジェクタピン（図示せず）を用い、強
制的に押出すことによって取出すことが可能となる。
【００７１】以上のように、封止用上金型９と封止用下
金型８により密着挾持し、樹脂５１を半導体素子６の上
方部より注入することにより、樹脂５１のバリ等の発生
が皆無となり、樹脂封止後、余分となったリードフレー
ムの余分な部分を切断（図５（ａ）Ａ線およびＢ線）に
より切断除去した後、直ちに半導体装置をプリント基板
等に実装することが可能となる。
金型８により密着挾持し、樹脂５１を半導体素子６の上
方部より注入することにより、樹脂５１のバリ等の発生
が皆無となり、樹脂封止後、余分となったリードフレー
ムの余分な部分を切断（図５（ａ）Ａ線およびＢ線）に
より切断除去した後、直ちに半導体装置をプリント基板
等に実装することが可能となる。
【００７２】次に、上述した製造方法によれば、１つの
シリンダ９５に対して１つのキャビティ部９３を成形す
る方法について説明したが、１つのシリンダ９５に対し
て複数のキャビティ部９３を設ける場合について説明す
る。
シリンダ９５に対して１つのキャビティ部９３を成形す
る方法について説明したが、１つのシリンダ９５に対し
て複数のキャビティ部９３を設ける場合について説明す
る。
【００７３】図７を参照して、１つのシリンダ９５から
ランナ部１１２を介して複数のコーン部９４に樹脂５１
を分岐して注入する方法である。図においては、ランナ
部１１２を有する上部金型によって、多数の半導体装置
を１工程で製造するものである。
ランナ部１１２を介して複数のコーン部９４に樹脂５１
を分岐して注入する方法である。図においては、ランナ
部１１２を有する上部金型によって、多数の半導体装置
を１工程で製造するものである。
【００７４】樹脂５１はシリンダ９５内に挿入され、ピ
ストン１０によって加圧される。樹脂ダマリを形成する
カル部１１１から、封止用上金型９に設けられたランナ
部１１２を経て、各キャビティ部９３の注入口であるコ
ーン部９５からそれぞれのキャビティ部９３に圧入さ
れ、モードパッケージ５が形成される。
ストン１０によって加圧される。樹脂ダマリを形成する
カル部１１１から、封止用上金型９に設けられたランナ
部１１２を経て、各キャビティ部９３の注入口であるコ
ーン部９５からそれぞれのキャビティ部９３に圧入さ
れ、モードパッケージ５が形成される。
【００７５】なお、上部金型１１は、ランナ部１１２を
形成するために設けられたもので、この上部金型１１側
にランナ溝１１２を設けるように構成しても構わない。
形成するために設けられたもので、この上部金型１１側
にランナ溝１１２を設けるように構成しても構わない。
【００７６】また、封止用上金型９のランナ部１１２に
残存した連なった樹脂は、カル部１１１およびランナ部
１１２の下方に設けられた（図示せず）エジェクタピン
などを用いることによって、強制的にモールドパッケー
ジ部と分離することが可能である。
残存した連なった樹脂は、カル部１１１およびランナ部
１１２の下方に設けられた（図示せず）エジェクタピン
などを用いることによって、強制的にモールドパッケー
ジ部と分離することが可能である。
【００７７】次に、図３で説明したリードフレーム１の
他の形状について説明する。図８を参照して、リードフ
レーム１に、ガス抜き用のガス抜き溝１２を設けたもの
である。このガス抜き溝１２は、深さが５〜５０μｍの
深さを有し、キャビティ部９４内のガスの量により、ガ
ス抜き溝１２の個数を設定する。このガス抜き溝１２を
設けることにより、樹脂５１の注入時におけるキャビテ
ィ部９３内のガスを効率よく抜くことが可能となる。
他の形状について説明する。図８を参照して、リードフ
レーム１に、ガス抜き用のガス抜き溝１２を設けたもの
である。このガス抜き溝１２は、深さが５〜５０μｍの
深さを有し、キャビティ部９４内のガスの量により、ガ
ス抜き溝１２の個数を設定する。このガス抜き溝１２を
設けることにより、樹脂５１の注入時におけるキャビテ
ィ部９３内のガスを効率よく抜くことが可能となる。
【００７８】次に、図９に示すリードフレーム１は、リ
ード電極４の先端部分１３に、半導体素子６の電極部６
１との接触部分近傍のみに接合の必要な所定厚さの錫め
っき、半田めっき等を施した場合の図面である。
ード電極４の先端部分１３に、半導体素子６の電極部６
１との接触部分近傍のみに接合の必要な所定厚さの錫め
っき、半田めっき等を施した場合の図面である。
【００７９】このように、リード電極４の先端部に各種
めっきを施しておくことにより、半導体素子６の突起電
極６１との電気的接合を確実にすることが可能となる。
めっきを施しておくことにより、半導体素子６の突起電
極６１との電気的接合を確実にすることが可能となる。
【００８０】次に、図１０（ａ），（ｂ）を参照して、
リードフレーム１のリード電極４の先端部および連結フ
レーム２ｂとの結合部に所定形状の孔を設けた場合であ
る。このように孔１４，１５を設けることにより、それ
ぞれの接合部における半田などの漏れを十分確保し、さ
らに、孔部の内面は樹脂による汚染がないために、信頼
性の高い電気的接合を達成することが可能となる。
リードフレーム１のリード電極４の先端部および連結フ
レーム２ｂとの結合部に所定形状の孔を設けた場合であ
る。このように孔１４，１５を設けることにより、それ
ぞれの接合部における半田などの漏れを十分確保し、さ
らに、孔部の内面は樹脂による汚染がないために、信頼
性の高い電気的接合を達成することが可能となる。
【００８１】次に、図１１（ａ），（ｂ），（ｃ）を参
照して、同一半導体装置内において、電源あるいはグラ
ンドピンを共通にまとめる必要がある場合に、予め、リ
ードフレーム１に設けられたリード電極４を接合するこ
とにより、半導体装置が実装されるプリント基板の配線
の構造の簡略化を図るようにしたものである。まず、図
１１（ａ）に示すリードフレームは、隣接する２本の連
結フレーム２ｂにおいて、対向する１辺に形成されたリ
ード電極４を電気的にブリッジ電極１６により接合する
ようにしたものである。
照して、同一半導体装置内において、電源あるいはグラ
ンドピンを共通にまとめる必要がある場合に、予め、リ
ードフレーム１に設けられたリード電極４を接合するこ
とにより、半導体装置が実装されるプリント基板の配線
の構造の簡略化を図るようにしたものである。まず、図
１１（ａ）に示すリードフレームは、隣接する２本の連
結フレーム２ｂにおいて、対向する１辺に形成されたリ
ード電極４を電気的にブリッジ電極１６により接合する
ようにしたものである。
【００８２】次に、図１１（ｂ）は、連結フレーム２ｂ
の一方の側辺に形成された複数のリード電極４におい
て、接合が必要な電極をブリッジ電極１７により接合し
たものである。
の一方の側辺に形成された複数のリード電極４におい
て、接合が必要な電極をブリッジ電極１７により接合し
たものである。
【００８３】図１１（ｃ）を参照して、このリードフレ
ーム１も、図１１（ｂ）と同様に、予め共通となるリー
ド電極４をブリッジ電極１７および１８により結合した
ものである。
ーム１も、図１１（ｂ）と同様に、予め共通となるリー
ド電極４をブリッジ電極１７および１８により結合した
ものである。
【００８４】次に、図１２（ａ），（ｂ）を参照して、
リード電極４の断面形状について説明する。
リード電極４の断面形状について説明する。
【００８５】リード電極４の断面形状は、上辺よりも下
辺の方が短くなるように形成されている。このように、
上辺よりも下辺の方が短くなるように形成することによ
り、半導体素子６とリード電極４とが接続され、樹脂封
止された後、半導体装置の取扱い中やプリント基板への
実装中に、リード電極４の脱落を防止することができ
る。
辺の方が短くなるように形成されている。このように、
上辺よりも下辺の方が短くなるように形成することによ
り、半導体素子６とリード電極４とが接続され、樹脂封
止された後、半導体装置の取扱い中やプリント基板への
実装中に、リード電極４の脱落を防止することができ
る。
【００８６】次に、図１３（ａ），（ｂ）を参照して、
封止用上金型９に形成されるコーン部９４の先端の断面
形状について説明する。
封止用上金型９に形成されるコーン部９４の先端の断面
形状について説明する。
【００８７】モールドパッケージ５を形成した後、コー
ン部９４とモールドパッケージ５との分断を容易かつ一
定の部位に揃えるために、コーン部９４の先端部に、ゲ
ート部９４１または凸部９４２を設けたものである。
ン部９４とモールドパッケージ５との分断を容易かつ一
定の部位に揃えるために、コーン部９４の先端部に、ゲ
ート部９４１または凸部９４２を設けたものである。
【００８８】次に、図１４を参照して、半導体装置のプ
リント基板などへの実装を容易かつ高信頼化するため
に、リード電極４に曲げ加工を施したものである。
リント基板などへの実装を容易かつ高信頼化するため
に、リード電極４に曲げ加工を施したものである。
【００８９】リード電極４とプリント基板との間に均一
な半田層を形成させるために、＋１５°〜−１５°の曲
げ角度を与えている。
な半田層を形成させるために、＋１５°〜−１５°の曲
げ角度を与えている。
【００９０】また、リード電極４にほぼ直角の曲げ加工
を施し、リード電極４とプリント基板間の半田接合位置
に、半田のフィネットを安定に形成することも可能であ
る。
を施し、リード電極４とプリント基板間の半田接合位置
に、半田のフィネットを安定に形成することも可能であ
る。
【００９１】また、リード電極４をモールドパッケージ
５のすぐ近傍で切断し、そのリード電極４の断面部分に
半田が付着するようにしても構わない。
５のすぐ近傍で切断し、そのリード電極４の断面部分に
半田が付着するようにしても構わない。
【００９２】
【発明の効果】この発明に基づいた請求項１に記載の半
導体装置用リードフレームによれば、連結フレームに平
行なリード電極が設けられている。
導体装置用リードフレームによれば、連結フレームに平
行なリード電極が設けられている。
【００９３】これにより、連結フレームがタイバの役割
を果たしつつ、リードフレームの形状の簡素化を図るこ
とが可能となる。
を果たしつつ、リードフレームの形状の簡素化を図るこ
とが可能となる。
【００９４】さらに、半導体素子に設けられている電極
に直接リード電極を当接することが可能となる。
に直接リード電極を当接することが可能となる。
【００９５】その結果、半導体装置の大きさがほぼ半導
体素子の大きさに等しくなるため、半導体装置の小型化
を図ることが可能となる。
体素子の大きさに等しくなるため、半導体装置の小型化
を図ることが可能となる。
【００９６】次に、この発明に基づいた請求項２に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
先端部分および連結フレームとの結合部分に所定の大き
さの孔を有している。
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
先端部分および連結フレームとの結合部分に所定の大き
さの孔を有している。
【００９７】この孔を有することにより、半導体素子の
電極への接合時およびプリント基板への接合時の半田等
の漏れを防止することが可能となる。
電極への接合時およびプリント基板への接合時の半田等
の漏れを防止することが可能となる。
【００９８】したがって、半田付けによる電気的接合の
信頼性の向上を図ることが可能となる。
信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００９９】次に、この発明に基づいた請求項３に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、連結フレーム
の一方の側辺に形成されたリード電極のうち少なくとも
２本が電気的に接続されている。
の半導体装置用リードフレームによれば、連結フレーム
の一方の側辺に形成されたリード電極のうち少なくとも
２本が電気的に接続されている。
【０１００】これにより、半導体装置側において、同一
電源や同一グランドを予めまとめておくことが可能とな
る。したがって、半導体基板に形成されるパターン形状
の簡略化を図ることが可能となる。
電源や同一グランドを予めまとめておくことが可能とな
る。したがって、半導体基板に形成されるパターン形状
の簡略化を図ることが可能となる。
【０１０１】次に、この発明に基づいた請求項４に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、隣接する２本
の連結フレームにおいて、それぞれ対向する１辺に形成
されたリード電極の少なくとも１組が電気的に接続され
ている。
の半導体装置用リードフレームによれば、隣接する２本
の連結フレームにおいて、それぞれ対向する１辺に形成
されたリード電極の少なくとも１組が電気的に接続され
ている。
【０１０２】これにより、半導体装置側において、同一
電源や同一グランドを予めまとめておくことが可能とな
る。
電源や同一グランドを予めまとめておくことが可能とな
る。
【０１０３】したがって、半導体基板に形成されるパタ
ーン形状の簡略化を図ることが可能となる。
ーン形状の簡略化を図ることが可能となる。
【０１０４】次に、この発明に基づいた請求項５に記載
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
断面形状において、上辺よりも下辺の方が短く形成され
ている。
の半導体装置用リードフレームによれば、リード電極の
断面形状において、上辺よりも下辺の方が短く形成され
ている。
【０１０５】これにより、半導体装置およびリード電極
が樹脂により封止された後に、リード電極の下辺が露出
している場合であってもリード電極の脱落を防止するこ
とが可能となる。
が樹脂により封止された後に、リード電極の下辺が露出
している場合であってもリード電極の脱落を防止するこ
とが可能となる。
【０１０６】次に、こ発明に基づいた請求項６に記載の
半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の上方より
樹脂を注入するようにしている。
半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の上方より
樹脂を注入するようにしている。
【０１０７】これにより、従来のようにゲート部におけ
るバリの発生を未然に防止することが可能となる。
るバリの発生を未然に防止することが可能となる。
【０１０８】その結果、バリを取るための処理工程が不
要となり、半導体装置の製造工程の短縮化を図ることが
可能となる。
要となり、半導体装置の製造工程の短縮化を図ることが
可能となる。
【図１】この発明に基づいた半導体装置の製造方法によ
り形成された半導体装置の断面構造図である。
り形成された半導体装置の断面構造図である。
【図２】半導体素子に設けられた突起電極の配置を示す
図である。
図である。
【図３】この発明に基づいたリードフレームの形状を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】この発明に基づいたリードフレームと半導体素
子の配置関係を示す図である。
子の配置関係を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、この発明に基づいた半導体
装置の製造方法におけるリードフレームと半導体素子が
封止用上金型および封止用下金型により密着挾持された
状態を示す図である。
装置の製造方法におけるリードフレームと半導体素子が
封止用上金型および封止用下金型により密着挾持された
状態を示す図である。
【図６】この発明に基づいた半導体装置の製造方法にお
ける樹脂注入状態を示す図である。
ける樹脂注入状態を示す図である。
【図７】この発明に基づいた半導体装置の製造方法の他
の実施例を示す図である。
の実施例を示す図である。
【図８】この発明に基づいた他の実施例におけるリード
フレームの平面図である。
フレームの平面図である。
【図９】この発明に基づいた他の実施例におけるリード
フレームの平面図である。
フレームの平面図である。
【図１０】（ａ）は、この発明に基づいた他の実施例に
おけるリードフレームの平面図である。（ｂ）は、
（ａ）のＡに示す領域の拡大図である。
おけるリードフレームの平面図である。（ｂ）は、
（ａ）のＡに示す領域の拡大図である。
【図１１】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、この発明に基づ
いた他の実施例におけるリードフレームの構造を示す平
面図である。
いた他の実施例におけるリードフレームの構造を示す平
面図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、この発明に基づいたリー
ドフレームのリード電極の断面形状を示すである。
ドフレームのリード電極の断面形状を示すである。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、この発明に基づいた半導
体装置の製造方法における封止用上金型の他の構造を示
す断面図である。
体装置の製造方法における封止用上金型の他の構造を示
す断面図である。
【図１４】この発明に基づいたリードフレームの他の実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図１５】従来技術におけるリードフレームの構造を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１６】従来技術における半導体装置の製造工程を示
す図である。
す図である。
１ リードフレーム ２ａ フレーム ２ｂ 連結フレーム ４ リード電極 ５ モールドパッケージ ６ 半導体素子 １０ ピストン ５１ 樹脂 ６１ 突起電極 ９４ コーン部 ９５ シリンダ部 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の間隙を隔てて平行に配置された、
所定の幅を有する１対のフレームと、 前記１対のフレームを連結するように所定のピッチをも
って配置された、所定の幅を有する複数本の連結フレー
ムと、 を備え、 前記連結フレームは、前記１対のフレームと平行に延び
るように形成された複数本のリード電極を有する、 半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 前記リード電極の先端部分および前記連
結フレームとの結合部分に所定の大きさの孔を有する請
求項１に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 前記連結フレームの一方の側辺に形成さ
れた複数の前記リード電極において、少なくとも２本の
電極が電気的に接続された請求項１に記載の半導体装置
用リードフレーム。 - 【請求項４】 隣接する２本の前記連結フレームにおい
て、それぞれ対向する１辺に形成された前記リード電極
の少なくとも１組が電気的に接続されている請求項１に
記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項５】 前記リード電極の断面形状において、上
辺よりも下辺の方が短く形成されている請求項１に記載
の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項６】 半導体素子に設けられた複数の素子電極
に対応するリード電極を有するリードフレームの上に、
前記素子電極と前記リード電極とが当接するように半導
体素子を載置する工程と、 前記半導体素子と前記リードフレームとを封止用上金型
および封止用下金型を用いて上下より密着し挾持して、
前記半導体素子の上方より樹脂を注入し、前記半導体素
子およびリードフレームを樹脂封止する工程と、 を備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206068A JPH0758271A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5206068A JPH0758271A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758271A true JPH0758271A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16517312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5206068A Pending JPH0758271A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758271A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287263A (ja) * | 2006-07-24 | 2006-10-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013120914A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-17 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP5206068A patent/JPH0758271A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287263A (ja) * | 2006-07-24 | 2006-10-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013120914A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-17 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |