JPH0757571A - Bi系酸化物超電導線の製造方法 - Google Patents

Bi系酸化物超電導線の製造方法

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JPH0757571A
JPH0757571A JP5218974A JP21897493A JPH0757571A JP H0757571 A JPH0757571 A JP H0757571A JP 5218974 A JP5218974 A JP 5218974A JP 21897493 A JP21897493 A JP 21897493A JP H0757571 A JPH0757571 A JP H0757571A
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JP
Japan
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superconducting wire
oxide superconducting
treatment
rolling
current density
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Pending
Application number
JP5218974A
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English (en)
Inventor
Shigenori Suketani
重徳 祐谷
Makoto Hiraoka
誠 平岡
Katsunobu Hosoya
勝宣 細谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
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Publication date
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 超電導特性就中、臨界電流密度に優れるBi
2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電導線を得ること。 【構成】 金属シース(1)内にBi2-xPbxSr2Ca2
u3y系酸化物超電導体の粉末層を有する偏平体を加熱
して当該粉末層を焼結処理したもの(2)に対して、5
00℃を超える温度での圧延処理とその圧延体の加熱焼
結処理とを所定回数施すBi系酸化物超電導線の製造方
法。 【効果】 中間圧延によりBi2-xPbxSr2Ca2Cu3y
系酸化物超電導体の超電導特性を向上させることがで
き、臨界電流密度に特に優れる長尺テープ状等の酸化物
超電導線が安定に得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導特性、就中、臨
界電流密度に優れるBi系酸化物超電導線の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、Bi2Sr2Ca3Cu3y系の金属被
覆酸化物超電導線の焼結処理体に冷間圧延を施した後、
再度焼結処理してBi系酸化物超電導線を製造する方法
が知られていた(特開平2−192620号公報)。
【0003】しかしながら、前記の方法をBi2-xPbx
r2Ca2Cu3y系酸化物超電導体に適用した場合、得ら
れるBi系酸化物超電導線が超電導特性、就中、臨界電
流密度に乏しい問題点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、超電導特
性、就中、臨界電流密度に優れるBi2-xPbxSr2Ca2
u3y系酸化物超電導線を得ることを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属シース内
にBi2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電導体の粉末
層を有する偏平体を加熱して当該粉末層を焼結処理した
ものに対して、500℃を超える温度での圧延処理とそ
の圧延体の加熱焼結処理とを所定回数施すことを特徴と
するBi系酸化物超電導線の製造方法を提供するもので
ある。
【0006】
【作用】前記の圧延処理は、結晶の配向性を向上させる
などして超電導特性の高度化を目的とするものである
が、Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電導体の場
合、従来方法ではむしろその圧延処理が超電導特性の低
下をもたらす。本発明者らは上記の課題を克服するため
に鋭意研究を重ねる中で、展延性に極めて乏しいためか
従来方法では圧延処理時にクラックが多数発生し、後続
の焼結処理でもその発生クラックが充分に修復されず超
電導特性が向上しないことを究明した。圧延処理を50
0℃を超える温度の熱間圧延で行うことにより、クラッ
クの発生を防止ないし抑制でき、後続の焼結処理でも発
生クラックが軽度なためか充分に修復できて超電導特
性、就中、臨界電流密度が向上する。
【0007】
【実施例】本発明において500℃を超える温度での圧
延処理と、その圧延体の加熱焼結処理とを所定回数施す
対象物は、金属シース内にBi2-xPbxSr2Ca2Cu3y
系酸化物超電導体の粉末層を有する偏平体を加熱して当
該粉末層を焼結処理したものである。かかる偏平体を図
1に例示した。1が金属シース、2がBi2-xPbxSr2
a2Cu3y系酸化物超電導体の焼結層である。
【0008】前記偏平体の形成は、例えばBi2-xPbx
r2Ca2Cu3y系の粉末を金属パイプに充填し、それを
ダイスやピンチロール、プレス装置等を介して伸線処理
や縮径処理、鍛造処理や圧延処理等の適宜な処理を施し
てテープ状や平角状などの偏平形態に加工したのち加熱
処理して、金属パイプが変形してなる金属シース内の粉
末層を焼結処理することにより行うことができる。前記
の偏平形態は、最終的に目的とする線材形態を基準に、
後続の圧延処理等による加工の程度に応じて適宜に決定
される。一般には最終目的の線材形態を基準に、1.1
〜5倍程度の厚さを有する偏平形態とされる。
【0009】金属シースの形成材としては、銀、金、白
金、ステンレス、銀・マグネシウム合金の如きかかる金
属を含有する合金、就中、銀・白金合金、銀・パラジウ
ム合金の如き高融点合金などが一般に用いられる。
【0010】Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電
導体としては、Bi等を他の希土類元素で置換したもの
や、Sr等を他のアルカリ土類金属で置換したものなど
も用いることができ、式中のxは0.01〜1.99の
範囲で可変である。用いる粉末の粒径は、加工性や焼結
性等の点より100μm以下、就中0.1〜10μmが一
般的である。
【0011】Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電
導体の粉末は、例えば形成元素を含有する酸化物等の原
料粉末を所定の組成で混合し、その混合物を加熱処理し
て形成された焼結体を粉砕することにより得ることがで
きる。用いる粉末は、焼結・粉砕処理を複数回繰り返し
たものであってもよい。
【0012】本発明において焼結処理した偏平体に対す
る圧延処理は、500℃を超える温度で行われる。クラ
ックの発生防止の点より圧延処理時の好ましい偏平体温
度は、600〜800℃である。かかる温度の達成は、
焼結処理後の冷却過程を利用してもよいし、別途に加熱
してもよく、それらを併用してもよい。圧延手段につい
ては、例えばピンチロールやプレス装置等を介した鍛造
処理や圧延処理など、上記した偏平体の形成の場合に準
じることができる。
【0013】圧延処理された偏平体、すなわち圧延体
は、次に加熱して金属シース内部の酸化物超電導体が焼
結処理される。本発明においては、前記した偏平体ない
しその圧延体の圧延処理と圧延体の加熱焼結処理とを1
回又は2回以上繰り返して品質の安定化ないし向上をは
かった後、その最終の加熱焼結処理を介して目的とする
Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電導線が得られ
る。前記の繰り返し数は、20回以下が一般的である
が、それを超えてもよい。
【0014】焼結温度は、Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y
系酸化物超電導体の種類に応じた、圧延体における金属
シース内の酸化物超電導体がバルク化して一体化する温
度とされ、一般には700〜1000℃、就中800〜
900℃とされる。なお本発明におては、コイル等の二
次形態としたものに対して加熱焼結処理、就中、最終の
加熱焼結処理を施してもよい。
【0015】また本発明においてはBi2-xPbxSr2Ca2
Cu3y系酸化物超電導体の部分溶融を伴う焼結処理方
式を採用することもできる。かかる部分溶融を伴う焼結
処理方式は、通例の焼結温度よりも若干高温に加熱して
酸化物超電導体を部分的に溶融させ、その後、結晶の生
長等に応じて適宜に冷却させるもので、超電導特性の向
上に通常の場合、有利である。
【0016】ちなみに、Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y
酸化物超電導体(x=0.4)からなる粒径0.1〜1
0μmの粉末を、肉厚1.0mm、直径7.0mmの銀パイプ
に充填し、それをピンチロールで偏平化して幅2.5m
m、厚さ0.5mmの偏平体に加工したのち、それを850
〜890℃で焼結処理した。
【0017】次に、前記の焼結処理した偏平体を600
℃に加熱しつつピンチロールで圧延した後850〜89
0℃で焼結処理する操作を3回繰り返して、幅3mm、厚
さ0.2mm(超電導部の厚さ100μm)のテープ状Bi
系酸化物超電導線を得た。得られたBi系酸化物超電導
線の臨界温度は、85Kであった。また臨界電流密度
は、6000A/cm2(77.3K、以下同じ)であっ
た。
【0018】実施例2 圧延処理時の温度を700℃又は800℃としたほかは
実施例1に準じてテープ状Bi系酸化物超電導線を得
た。得られたBi系酸化物超電導線の臨界温度は、いず
れの場合も85Kであった。また臨界電流密度は、70
0℃の場合、8000A/cm2、800℃の場合、12
000A/cm2であった。
【0019】比較例 圧延処理時の温度を室温(加工時の昇温50℃以下)又
は500℃としたほかは実施例1に準じてテープ状Bi
系酸化物超電導線を得た。得られたBi系酸化物超電導
線の臨界温度は、室温の場合、80K、500℃の場
合、82Kであった。また臨界電流密度は、室温の場
合、1200A/cm2、500℃の場合、2000A/c
m2であった。
【0020】前記において、臨界温度は0.1A/cm2
電流密度下、液体窒素で冷却しながら4端子法で電気抵
抗の温度変化を測定し、電圧端子間の発生電圧が0とな
ったときの温度である。また臨界電流密度は、パワーリ
ードと共に液体窒素で冷却しながら徐々に電流値を上げ
て、4端子法により電圧端子間の電圧の印加電流による
変化を測定し、X−Yレコーダにおいて1μv/cmの電
圧が出現したときの電流値を超電導体の断面積で除した
値である。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、中間圧延によりBi2-x
PbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電導体の超電導特性を
向上させることができ、臨界電流密度に特に優れる長尺
テープ状等の酸化物超電導線を安定して得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】偏平体を例示した部分断面斜視図。
【符号の説明】
1:金属シース 2:Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3y系酸化物超電導体の焼
結層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属シース内にBi2-xPbxSr2Ca2Cu3
    y系酸化物超電導体の粉末層を有する偏平体を加熱し
    て当該粉末層を焼結処理したものに対して、500℃を
    超える温度での圧延処理とその圧延体の加熱焼結処理と
    を所定回数施すことを特徴とするBi系酸化物超電導線
    の製造方法。
JP5218974A 1993-08-11 1993-08-11 Bi系酸化物超電導線の製造方法 Pending JPH0757571A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100768806B1 (ko) * 2005-12-01 2007-10-19 주식회사 대우일렉트로닉스 텔레비전 시스템의 리모컨 선택 설정 제어 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100768806B1 (ko) * 2005-12-01 2007-10-19 주식회사 대우일렉트로닉스 텔레비전 시스템의 리모컨 선택 설정 제어 방법

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