JPH0757301B2

JPH0757301B2 - 半導体集積回路の洗浄方法及びその洗浄装置

Info

Publication number: JPH0757301B2
Application number: JP4211238A
Authority: JP
Inventors: 秀昭黒川; 章山田; 康雄小関; 晴美松崎; 勝也江原; 燦吉高橋; 裕明依田; 伸厚林
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-08-07
Filing date: 1992-08-07
Publication date: 1995-06-21
Anticipated expiration: 2010-06-21
Also published as: JPH05200230A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超純水の製造方法と製
造装置及び製造した超純水の使用方法に関する。本発明
は、炭酸成分や揮発性の有機物などの揮発性物質及び微
粒子や微生物などの非揮発性物質を含む原水から超純水
を製造し、それらを用いて半導体集積回路を洗浄する方
法に係る。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造工程や医薬品の製造には、
含まれる不純物の量ができる限り少ない高純度の水すな
わち超純水が必要とされている。特に半導体集積回路
(ＬＳＩ）の洗浄工程では大量の超純水を用いている。
この超純水の純度が製品の歩留りに大きな影響を与え、
昨今の高レベル（高集積度）のＬＳＩ（１メガビット，
４メガビット等）の洗浄にはさらに高純度の水が要求さ
れている。

【０００３】従来の超純水製造装置は、「環境技術」ｖ
ｏｌ１４，Ｎo.４１（１９８５）第３５３〜３５８頁
に記載されているように、各種濾過膜，イオン交換樹
脂，殺菌灯，脱気装置等を含み、これらを組み合わせて
装置全体が構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、各種
濾過膜，イオン交換樹脂，殺菌灯、などの多くの要素機
器から成るので、生成超純水の水質向上には、各種器の
レベルアップが必要である。また、要素機器の間を接続
する配管からの溶出の問題、要素機器自身からの溶出の
問題などがある。

【０００５】このようなことから、従来技術では微生物
及び微粒子を含まない超高純度の純水を製造することは
難しい。

【０００６】前記刊行物「環境技術」の第３５４頁の表
１には、超純水の水質の推移が示されているが、微生物
を含まない超純水は得られていない。

【０００７】本発明の目的は、前記従来技術にくらべて
高純度の水を得ることができる超純水を得て、歩留りの
少ないあるいは高集積度のＬＳＩの洗浄方法及びその装
置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、揮発性成分及
び非揮発性成分を含む原水を沸騰させて揮発性成分を気
化させて除去し、揮発性成分を除去した原水から水蒸気
を発生させ該水蒸気を疎水性多孔質膜を透過させたのち
凝縮して得られた超純水を用いることにある。疎水性多
孔質膜としては、気体は透過させるが、液体は透過させ
ないものを用いる。詳しくは、原水をまず、加熱もしく
は減圧等の操作により沸騰させ、原水中に含まれる揮発
性不純物例えば、炭素ガス成分(Ｈ₂ＣＯ₃,ＨＣＯ₃ ^-,Ｃ
Ｏ₃ ^2-）、有機物を気化して除去させ、揮発性不純物の
無くなった原水を再度加熱し蒸発させる。発生した蒸気
は、疎水性多孔質膜を通過する際、同伴するミストと分
離され、純度の高い水蒸気だけが凝縮され、生成水とし
て取り出される。

【０００９】なお水蒸気を凝縮する雰囲気を飽和水蒸気
もしくは不活性ガスの雰囲気に保持し、外気からの汚染
を防止することにより、より一層高い純度の超純水を得
ることができる。

【００１０】本発明によれば、微生物を全く含まない超
純水を製造することが可能である。このようなことか
ら、本発明は、今までに例のないきわめて高純度の超純
水製造方法と云える。従って、以下では本発明によって
得られる超純水を超々純水を呼びことにする。

【００１１】本発明の超々純水製造装置は、揮発性成分
および非揮発性成分を含む原水を加熱する手段と該加熱
によって気化した揮発性成分の排気手段を具備した揮発
性成分除去塔、揮発性成分除去後の水を蒸発させる加熱
手段と該加熱によって発生した水蒸気を透過させる疎水
性多孔質膜及び該膜を透過した水蒸気を凝縮させる冷却
手段を具備した膜蒸気塔を備える。更に好ましくは、疎
水性多孔質膜を透過した水蒸気を凝縮させる雰囲気を飽
和水蒸気又は不活性ガス雰囲気に保持するために該雰囲
気に水蒸気又は不活性ガスを供給する手段を有する。

【００１２】本発明によれば、常温よりも高い温度に熱
せられた超々純水が得られる。このため、ＬＳＩの洗浄
に有利である。

【００１３】水の性質として、高温になるほど、表面張
力が小さくなり基盤との親和性が向上する。静電気によ
る影響が少なくなる、などの利点がある。このことから
常温で得られた超純水を加熱して使用したりしている
が、本発明によれば特に加熱することなく前述の利点を
得ることができる。しかも本発明によって得られる水
は、不純物がきわめて少ないので、ＬＳＩの洗浄におけ
る諸問題たとえば所望のＬＳＩパターンが形成されな
い、ｐｎ接合のリーク電流が増加する。ゲート酸化膜の
耐圧が劣化する等の問題を緩和でき、ＬＳＩの歩留及び
特性を向上することができる。

【００１４】

【作用】通常、水道水や逆浸透処理をした水中には、各
種無機物，イオン，有機物，微生物が多量が含まれてい
る。これらの不純物を徐々に除去することで超純水を生
成している。本発明では、蒸留法では除去できない揮発
性の物質，炭酸ガス成分，揮発性の有機物成分，無機成
分，アンモニア，ＳＯ₃ガス等）だけを前段で、加熱，
減圧，オゾン酸化等の手法を用いて除去する。揮発性成
分を除去された原水はさらに加熱され、水蒸気が発生す
る。この水蒸気は、揮発性成分がすでに除去されている
ため、かなりの高純度の水蒸気となっている。水蒸気は
さらに疎水性多孔質膜を透過する際、同伴する水滴（ミ
スト）が除去され、水以外の不純物を含まない高純度の
水蒸気となる。その後、凝縮し、超々純水となる。

【００１５】したがって、通常の蒸留装置において問題
となる。同温度で揮発する成分（例えば、炭酸ガス成分
や低沸点有機物）については、前段の揮発性成分除去段
階で除去され、蒸留の際生じる蒸気に同伴される微小な
液滴（ミスト）の混入に対しては疎水性多孔質膜による
気（水蒸気）−液（ミスト）分離により対処されるた
め、イオン性，有機物，微粒子，生菌等の不純物を含ま
ない、高純度の超々純水の製造が可能となった。

【００１６】又、疎水性多孔質を通過した水蒸気を凝縮
させる雰囲気を水蒸気飽和状態もしくは不活性ガス雰囲
気とすることにより、空気からの汚染を防止し、より一
層高い純度の超々純水とすることが可能となった。

【００１７】本発明者らは、膜蒸留法によって得た生成
水が非揮発性成分を全く含まないか或いは殆ど含まない
という事実を確認した。この事実に基づいて、膜蒸留法
では除去できない揮発性成分を別の工程で除去すること
を検討し、本発明に到達した。

【００１８】本発明は、原水中の揮発性成分除去工程を
膜蒸留工程の前段に設けることにあるが、こうすること
により後段に設ける場合にくらべて生成水の純度を高め
ることができる。具体的に云うと、膜蒸留後の純水は物
を溶かし易い性質をもっており、この純水を加熱して揮
発性成分を除去するときに容器の成分が溶出し、純度が
下がるおそれがある。又、膜蒸留工程後に加熱して揮発
性成分を除去することは生成水の一部をも排出してしま
うことになり不経済でもある。

【００１９】膜蒸留工程の前段に揮発性成分除去工程を
設けることにより、上述の問題を解消することができ
る。

【００２０】膜蒸留工程時に原水を加熱し水蒸気を発生
させたときに、水蒸気にミストが同伴するが疎水性多孔
質膜を透過させることによりミストを分離することがで
きる。

【００２１】疎水性多孔質膜としては、たとえば特開昭
60−118284号に記載されているようにポリエチレン，ポ
リプロピレン等のポリオレフィン，ポリスルホン，ホリ
エーテルスルホン，シリコーン樹脂，フッ素樹脂等を用
いることができる。疎水性多孔質膜の疎水性についても
特開昭60−118284号に記載されている条件を満たすこと
が望ましい。

【００２２】膜蒸留によって純水を製造することは公知
であり、たとえば特開昭61−230703号に示されている。
しかし、膜蒸留だけでは揮発性成分の除去効果が不十分
であり、超々純水を製造することができない。具体的に
云うと原水を蒸発させたときに揮発性成分も気化する
が、水蒸気を凝縮した際に気化した揮発性成分の一部を
とり込んでしまい、生成された水は揮発性成分を含む純
度の低いものとなってしまう。

【００２３】本発明における揮発性成分除去手段として
は、原水を沸騰させ揮発性成分を気化させて除去するこ
とが最も有効である。原水を沸騰させる手段としては、
原水を大気中で沸点以上の温度に加熱すること或いは原
水を減圧して沸騰させることが可能である。

【００２４】原水を加熱して揮発性成分を気化させる
際、原水が沸騰する温度よりも低い温度に加熱したので
は揮発性成分の除去効果が乏しい。例えば８０℃前後の
温度に加熱したのでは、本発明で得られるような超々純
水は得られない。

【００２５】又、膜蒸留する際には原水の水蒸気のみを
疎水性多孔質膜と接触させることが望ましい。膜蒸留技
術における大きな欠点の一つは、膜の汚染である。原水
を疎水性多孔質に直接接触させると、原水中の非揮発性
成分による膜の汚染が生じ生成水の純度が低下する。
又、原水を膜に接触させた場合、原水のもつ顕熱により
水蒸気が発生し膜を透過することになるが、この方法に
より水蒸気を多量に発生させるには膜の面積を大にして
原水との接触面積を大きくすることが要求される。

【００２６】これに対し、揮発性成分を予め除去した原
水から発生させた水蒸気のみを疎水性多孔質膜と接触さ
せることにより、膜の汚染を防止し生成水の純度を高め
ることが可能となる。又、膜の大きさも原水を膜に接触
させる方法にくらべて小さくすることが可能である。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図７を用いて
説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定され
るものではない。

【００２８】実施例１図１に、本発明の基本的実施例を示す。本装置は、原水
加熱器１１０と蒸気排気口１１２を有する揮発性成分除
去塔２，原水加熱器１０８と疎水性多孔質膜１０１と凝
縮面１１３を有する膜蒸留塔１，揮発性成分除去塔と膜
蒸留塔との間を連結する原水配管１１４及び該配管の途
中に設けられた原水を送るポンプ106とから構成され
る。処理される原水１１１は、揮発性成分除去塔２に導
入され、原水加熱器１１０によって加温されて沸騰し、
原水中の炭酸ガスおよび揮発性有機物を気化させ、蒸気
出口１１２より、水蒸気とともに、系外に放出させる。
溶存する炭酸ガスおよび揮発性有機物が除去された原水
は、送水ポンプ１０６により、膜蒸留塔１に送られる。
膜蒸留塔１に入った原水は、原水加熱器１０８により再
度加熱され蒸発する。蒸発によって生じた水蒸気１０５
は、疎水性多孔質膜１０１によって濾過され、冷却水１
０３の流れる凝縮面１１３上すなわち冷却水配管表面で
凝縮し、生成水（超々純水）１０４として取り出され
る。本実施例では符号１０３の冷却水と１１３の凝縮面
により冷却手段が構成されている。なお、疎水性多孔質
膜１０１を通った水蒸気の大部分は超々純水となるが、
一部は系内の非凝縮性ガス除去のために、弁１０２から
ブローされる。また、原水加熱器１０８，１１０へのス
ケール付着防止のため、原水もそれぞれのドレンバルブ
１０７，１０９よりブローされることが望ましい。本装
置によれば、原水中に含まれる炭酸ガス成分や揮発性の
有機物成分が膜蒸留塔の前段で除去できることから、高
純度の超々純水を製造できる。さらに、生成水１０４
は、半導体製造における半導体集積回路洗浄部１１７に
設置される洗浄槽１１６に送られ、ウェハ１１５を洗浄
する本生成水による洗浄では高純度＋高温の効果により
ウェハ等の高い洗浄効果が得られる。

【００２９】次に、図２，図３を用いて本装置によって
得られた超々純水の性質について説明する。図２は、本
実施例と比較するために膜蒸留塔に直線原水（逆浸透圧
処理水使用）を送入した時の生成水の比抵抗とｐＨを示
す。図３は、本実施例によるものである。図２，図３と
も、図中に示すの部分が、膜蒸留塔に水を供給し始め
た点、が供給を停止した点を示す。揮発性成分除去塔
を通っていない図２では、水の供給を開始すると同時に
生成水の比抵抗が下がり、数ＭΩ・cmになってしまう。
この時、ｐＨの値も同時に６.７から５.８程度まで下が
ることから、生成水中に炭酸ガスが混入し、炭酸イオン
および重炭酸イオンとなって比抵抗の値を下げるものと
考えられる。しかし、揮発性成分除去塔を通った水を供
給している図３では、水を供給しても生成水の比抵抗、
ｐＨの値に変化は見られず、純度の高い生成水が連続的
に得られていることがわかる。

【００３０】本実施例によって得られた超々純水の水質
を分析した一例によれば、微生物は全く検出されなかっ
た。又、生成水中の粒微０.１μｍ以上の微粒子は１mm³
中に１０個以下、全有機炭素量（ＴＯＣ）は１０ppb と
いう結果が得られた。

【００３１】本実施例による生成水と図６に示す従来の
超純水製造装置による生成水を用いて、夫々シリコンウ
ェハ上にウォータ・マークを作成し、両者を比較した。
ウォータ・マークとは、シリコンウェハ上に一滴の水を
滴下し、それを乾燥させた際に生じるウェハ上の残留物
のことである。常温１９.５℃ で乾燥した際のウォータ
・マークを比べてみたところ、本発明に係る装置からの
生成水を滴下した方がかなり残留物量が少なく、高純度
であることが確認できた。また、１０３℃で乾燥させた
場合には、さらに顕著に本装置の特長が明らかとなっ
た。すなわち高温乾燥すると、常温で発生するウォータ
・マークが全て無くなり、シリコンウェハ上には何も観
察されなくなった。それに比較して、従来の装置かに生
成した水の場合は、多少少なくなっているものの、かな
りの不純物が観察された。これは、本装置から生成され
る水中には、たとえ不純物が混入しても、それは全て揮
発性のものであり、本実験にて行ったように、高温で乾
燥すれば、全て揮発し、ウェハ上には何の不純物ものこ
らないことを示している。このことから本発明による生
成水はＬＳＩ製作に用いるうえできわめて有効である。

【００３２】実施例２図４は本発明に用いる他の超々純水製造装置の実施例を
示す。本装置は、原水加熱器１１０を有する揮発性成分
除去塔２と、原水加熱用熱交換器２０２と、疎水性多孔
質膜１０１と凝縮面１１３を有する膜蒸留塔３及びその
間の原水の送水ポンプ１０６とから構成される。処理さ
れる原水１１１は、揮発性成分除去塔２に導入され、原
水加熱器１１０によって加温されて沸騰し、原水中の炭
酸ガスおよび揮発性の有機物を気化させ、蒸気出口２０
３より系外に放出される。溶存する炭酸ガス成分および
揮発性有機物が除去された原水は、送水ポンプ１０６に
より、膜蒸留塔３に送られる。膜蒸留塔３に入った原水
は、原水加熱用熱交換器２０２により再度加熱され蒸発
する。この際、原水加熱用熱交換器２０２中の加熱用媒
体は、揮発性成分除去塔２より発生した水蒸気であり、
潜熱を放出し液体となった水は、熱交換器出口２０１よ
り系外に放出される。原水加熱用熱交換器２０２によっ
て加熱され発生した水蒸気１０５は、疎水性多孔質膜１
０１を通過し、同伴するミストが除去された後、凝縮面
１１３上で凝縮し、生成水１０４すなわち超々純水とし
て系外に取り出される。本装置によれば、実施例１同様
に高純度の超々純水が得られるとともに、揮発性成分除
去塔２で用いた熱を回収しているため、エネルギー量を
低減することができる。なお、原水加熱用熱交換器２０
２のみでは膜蒸留塔の原水加熱源として不足するときに
は、図１に示す原水加熱器１０８を併設するとよい。

【００３３】実施例３原水中の揮発性成分除去手段としてフラッシュ蒸発を用
い超々純水製造装置の実施例を図５によって説明する。

【００３４】本装置は、スプレイ用ポンプ１，原水加熱
器３０２，スプレイノズル３０３を有する揮発性成分除
去塔４と膜蒸留塔３とから構成される。処理される原水
111はスプレイ用ポンプ３０１の吸込み側に入り、ポン
プで加圧された後、原水加熱器３０２により揮発性成分
除去塔における飽和温度よりも数℃例えば５〜１０℃高
く過温され、スプレイノズル３０３より系内に放出され
る。ここでポンプ301からスプレイノズル３０３の間
は、原水加熱器３０２によって昇温された温度の飽和圧
力以上に加圧しておくことが必要で、配管内では蒸発
（沸騰）が起こらない様にする。スプレイノズル３０３
よりスプレイされた原水は、揮発性成分除去塔４内の温
度まで急激に蒸発が起こり、水蒸気となる。この際、原
水中に含まれる炭酸成分や低沸点の有機物成分も同時に
ガス化され、気中に放出される。蒸発せずに揮発性成分
除去塔４内に溜まった液は、再びスプレイポンプ３０１
に導かれ、フラッシュ蒸発が行う。ここで発生した水蒸
気および炭酸成分や低沸点の有機物成分は、水蒸気出口
２０３より系外に取り出され、膜蒸留塔３の原水加熱用
熱交換器２０２中に送られ、膜蒸留のための熱源として
利用される。揮発性成分除去塔４で処理された原水は、
送水ポンプ１０６によって膜蒸留塔３に送られる。これ
から先は前記図４における実施例と同様、高純度の生成
水が得られる。本実施例においては、原水の供給がスプ
レイ用ポンプ３０１の吸込み側であり、揮発性成分除去
塔４内に送水される前に、原水加熱器３０２によって沸
点以上に過熱され、スプレイノズル３０３からフラッシ
ュ蒸発する。したがって、膜蒸留塔３への送水ポンプ１
０６に導入される前に、少なくとも一度はフラッシュ蒸
発過程を通ることになり、未処理の原水が膜蒸留塔３へ
送入されることはなくなった。

【００３５】実施例４図６には、生成水のコストを考え、多段化した際の超々
純水製造装置の一例を示す。フラッシュ蒸発により、揮
発性成分除去塔４で炭酸成分および揮発性TOC成分が除
去された原水は、膜蒸留第一塔５に送られる。この際、
膜蒸留第一塔５は揮発性成分除去塔４よりも圧力・温度
ともに低い飽和状態を形成していることから、原水はバ
ルブ４１４操作だけで膜蒸留第一塔５に送られる。ここ
で、揮発性成分除去塔４で発生した蒸気４１０の潜熱
は、膜蒸留第一塔５の原水の加熱に利用される。膜蒸留
第一塔で発生した水蒸気４１１は、疎水性多孔質膜１０
５を通る際にミストと分離され、配管４１１を通って膜
蒸留第二塔６の原水の加熱に用いられる。膜蒸留第二塔
の加熱に用いられ潜熱を放出して液体となった水は熱交
換器出口４１３より系外に放出される。この多段の操作
の最終段では、単なる凝縮器７が設置されており、発生
した高純度の蒸気を超純水に凝縮されている。又、生成
水の取り出しは、最終段を大気圧に近い状態で運転する
ことで、ポンプ等の摺動部からの発塵が混入しない様な
システムとした。但し、図７に示すように、高性能な無
発塵ポンプ４０１が開発されれば、小さな生成水タンク
４０２を設置し、系外に送り出すことも可能となる。こ
の際、最終段はかなりの減圧下でも問題は無く、抽気位
置としては生成水タンク４０２より行なうことが可能で
ある。

【００３６】

【発明の効果】本発明は、水道水などのように揮発性成
分及び非揮発性成分を含む原水を沸騰させて揮発性成分
を気化して除去し、その後、原水から水蒸気を発生させ
て該水蒸気を疎水性多孔質膜と接触させ透過させて凝縮
して得られた超々純水を用いて半導体集積回路を洗浄す
ることにある。

【００３７】本発明によれば、従来の各種濾過膜，イオ
ン交換樹脂，殺菌灯などを組合わせて超純水を製造する
方法にくらべて不純物の少ない超々純水を製造すること
ができるので歩留りの少ない、あるいは高レベルのＬＳ
Ｉを洗浄できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体集積回路の洗浄装置の一実施例
を示す図である。

【図２】比較例による超純水製造方法によって得られる
水質を示す特性図である。

【図３】本発明の実施例によって得られた超々純水の水
質を示す特性図である。

【図４】本発明の半導体集積回路の洗浄装置に用いる他
の超々純水製造装置である。

【図５】本発明の半導体集積回路の洗浄装置に用いる他
の超々純水製造装置である。

【図６】本発明の半導体集積回路の洗浄装置に用いる他
の超々純水製造装置である。

【図７】本発明の半導体集積回路の洗浄装置に用いる他
の超々純水製造装置である。

【符号の説明】

１…膜蒸留塔、２…揮発性成分除去塔、１０１…疎水性
多孔質膜、１１１…原水、１１３…凝縮面、１１７…半
導体集積回路洗浄部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松崎晴美茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者江原勝也茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者高橋燦吉茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者依田裕明茨城県土浦市神立町603番地株式会社日立製作所土浦工場内 (72)発明者林伸厚茨城県土浦市神立町603番地株式会社日立製作所土浦工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原水から水蒸気を発生させ、この水蒸気を
気体は透過させるが液体は透過させない疎水性多孔質膜
を透過させた後凝縮して得られる超純水を用いて半導体
集積回路を洗浄する方法において、前記原水を沸騰させ
該原水中の揮発性成分を気化して除去した後水蒸気を発
生させ、該水蒸気を前記疎水性多孔質膜と接触させるこ
とを特徴とする半導体集積回路の洗浄方法。
【請求項２】前記疎水性多孔質膜を透過させた後、飽和
蒸気又は不活性ガスの雰囲気中で凝縮させることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体集積回路の
洗浄方法。
【請求項３】前記沸騰は、加熱して行なわれることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体集積回路
の洗浄方法。
【請求項４】前記水蒸気を再加熱して発生させることを
特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の半導体集積回
路の洗浄方法。
【請求項５】前記沸騰は、減圧下で行なわれることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体集積回路
の洗浄方法。
【請求項６】前記気化した揮発性成分を含む蒸気を加熱
源として前記水蒸気を発生させることを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項に記載の半導体集積回路の
洗浄方法。
【請求項７】揮発性成分および非揮発性成分を含む原水
の蒸気を透過させる疎水性多孔質膜と該疎水性多孔質膜
を透過した水蒸気を凝縮させる冷却手段を具備する膜蒸
留塔と、前記凝縮水により半導体集積回路を洗浄する手
段とを有する半導体集積回路の洗浄装置において、前記
膜蒸留塔の前段に、前記原水を沸騰させる手段と前記原
水の沸騰により気化した前記揮発性成分を排出する手段
を具備する揮発性成分除去塔を備えたことを特徴とする
半導体集積回路の洗浄装置。
【請求項８】前記沸騰させる手段は加熱する手段である
ことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の半導体
集積回路の洗浄装置。
【請求項９】前記膜蒸留塔内の水蒸気を凝縮させる雰囲
気を飽和蒸気又は不活性ガスとするガス供給手段を備え
ていることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の
半導体集積回路の洗浄装置。
【請求項１０】前記蒸気は加熱手段によって発生するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の半導体集
積回路の洗浄装置。
【請求項１１】前記膜蒸留塔は前記揮発性成分除去塔で
排出された揮発性成分を含む蒸気を前記膜蒸留塔内の原
水と熱交換する手段を具備することを特徴とする特許請
求の範囲第７項に記載の半導体集積回路の洗浄装置。