JPH0754770B2 - Manufacturing method of ceramic wiring board - Google Patents
Manufacturing method of ceramic wiring boardInfo
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- JPH0754770B2 JPH0754770B2 JP61035767A JP3576786A JPH0754770B2 JP H0754770 B2 JPH0754770 B2 JP H0754770B2 JP 61035767 A JP61035767 A JP 61035767A JP 3576786 A JP3576786 A JP 3576786A JP H0754770 B2 JPH0754770 B2 JP H0754770B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、電子基材として使用されるセラミック配線
基板の製法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a ceramic wiring board used as an electronic base material.
抵抗層を含むセラミック配線基板を作る方法として、従
来、焼結されたセラミック基板上にAg/Pd等を主成分と
する貴金属ペーストをスクリーン印刷等によって印刷
し、それとともに、酸化ルテニウムを主成分としたフリ
ット入りの抵抗体ペーストをもスクリーン印刷等によっ
て印刷して、600〜1000℃程度の温度で焼成し、回路と
抵抗層とを形成する方法が一般的である。また、セラミ
ック配線基板が多層配線基板である場合には、焼結した
セラミック基板上に、Ag/Pd,Ag/Pt,Au等の貴金属微粉末
をガラスフリット、有機ビヒクルと混合して形成した導
体ペーストと、ガラスが主成分である誘電体ペーストと
を交互に印刷，焼成して、導体層と絶縁層とを交互に積
層し、それとともに、所望の導体層上に、前記抵抗体ペ
ーストをスクリーン印刷等で印刷し、焼成して抵抗層を
形成する方法が一般的である。しかし、これらの方法
は、スクリーン印刷等の方法によって回路を形成するも
のであるため、微細配線の形成が困難であり、また、貴
金属を用いているためコストが高くなってしまう。また
両方法ともペーストにガラス質を含むため、はんだ付着
性が劣り、不良品が出やすく、使用時に故障をおこしや
すい等の欠点がある。As a method of making a ceramic wiring board including a resistance layer, conventionally, a precious metal paste containing Ag / Pd or the like as a main component is printed by screen printing on a sintered ceramic substrate, and ruthenium oxide as a main component is also printed. Generally, the frit-containing resistor paste is also printed by screen printing or the like and fired at a temperature of about 600 to 1000 ° C. to form a circuit and a resistance layer. When the ceramic wiring board is a multilayer wiring board, a conductor formed by mixing fine metal powder of precious metal such as Ag / Pd, Ag / Pt, Au with glass frit and organic vehicle on the sintered ceramic board. A paste and a dielectric paste containing glass as a main component are alternately printed and fired to alternately stack conductor layers and insulating layers, and at the same time, the resistor paste is screened on a desired conductor layer. A method of printing by printing or the like and firing to form a resistance layer is generally used. However, in these methods, the circuit is formed by a method such as screen printing, so that it is difficult to form fine wiring, and the cost is high because the precious metal is used. In addition, since both methods include vitreous paste, solder adhesion is inferior, defective products are likely to be produced, and defects are likely to occur during use.
この発明は、微細配線が可能で、配線抵抗が小さく、か
つ、セラミック配線基板と金属層との密着性が高い、抵
抗層を含んだセラミック配線基板を低コストで得ること
ができる製法を提供することを目的としている。The present invention provides a method for producing a ceramic wiring board including a resistance layer, which enables fine wiring, has a small wiring resistance, and has high adhesion between a ceramic wiring board and a metal layer, at low cost. Is intended.
以上の目的を達成するため、この発明は、セラミック基
板の表面にリン酸を用いて粗化処理する工程と、リン酸
によって粗化処理されたセラミック基板の表面に化学メ
ッキによって卑金属層を形成する工程と、金属層が形成
されたセラミック基板を350〜700℃で加熱処理する工程
と、この金属層を含むセラミック基板上の回路の所望の
位置に抵抗体ペーストを印刷，焼成して抵抗層を形成す
る工程と、形成された抵抗層をトリミングする工程とを
含んでいるセラミック配線基板の製法を要旨としてい
る。In order to achieve the above object, the present invention provides a step of roughening the surface of a ceramic substrate with phosphoric acid, and forming a base metal layer on the surface of the ceramic substrate roughened with phosphoric acid by chemical plating. Step, heat treatment of the ceramic substrate on which the metal layer is formed at 350 to 700 ° C, and printing and firing the resistor paste at a desired position of the circuit on the ceramic substrate including the metal layer to form the resistor layer. The gist is a method of manufacturing a ceramic wiring board including a step of forming and a step of trimming the formed resistance layer.
以下に、この発明を、のプロセスの一実施例をあらわす
第１図に従って、くわしく説明する。The present invention will be described in detail below with reference to FIG. 1 showing an embodiment of the process.
焼結したセラミック基板を準備する。焼結基板の材質
としては、アルミナ，フォルステライト，ステアタイ
ト，ジルコン，ムライト，コージライト，ジルコニア，
チタニア等の酸化物系セラミックを主として用いるが、
炭化物系、および、窒化物系セラミックも使用できる。A sintered ceramic substrate is prepared. The material of the sintered substrate is alumina, forsterite, steatite, zircon, mullite, cordierite, zirconia,
Oxide ceramics such as titania are mainly used,
Carbide-based and nitride-based ceramics can also be used.
このようなセラミック基板の表面を、リン酸を用いて粗
化処理する。この処理は、この発明に必ずしも必要なも
のではないが、このようにセラミック基板表面を粗化し
た上に金属層を形成すれば、いわゆるアンカー効果によ
って、セラミック基板と金属層との間の密着性を向上で
きるのである。The surface of such a ceramic substrate is roughened using phosphoric acid. This treatment is not always necessary for the present invention, but if the surface of the ceramic substrate is roughened to form the metal layer in this way, the adhesion between the ceramic substrate and the metal layer is caused by the so-called anchor effect. Can be improved.
金属層を基板上に形成させる。金属層は、化学めっ
き，蒸着，スパッタリングおよびイオンプレーティング
法の中から選ばれたいずれか１つの方法によって行うこ
とにより、形成される。化学めっきは公知のセンシタイ
ジング−アクチベーション法を用いて、セラミック基板
表面に金属パラジウムを析出させ、表面を活性化する。
つぎに、化学銅または化学ニッケルめっ浴に前記セラミ
ック基板を浸漬し、銅またはニッケルの金属層を形成さ
せる。蒸着，スパッタリングあるいはイオンプレーティ
ングなどの気相法も通常の方法で金属層を形成させる。
また、前記気相法では、セラミック基板との密着力を増
すため、第１工程でCrまたはTiの金属層を形成し、その
上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を形成さ
せる方法と、400℃程度に加熱された粗化済のセラミッ
ク基板上に第１工程でCrまたはTiの金属層を形成し、そ
の上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を形成
させる方法とがある。A metal layer is formed on the substrate. The metal layer is formed by performing any one method selected from chemical plating, vapor deposition, sputtering and ion plating. Chemical plating uses a known sensitizing-activation method to deposit metallic palladium on the surface of the ceramic substrate to activate the surface.
Next, the ceramic substrate is immersed in a chemical copper or nickel plating bath to form a metal layer of copper or nickel. A vapor phase method such as vapor deposition, sputtering, or ion plating is also used to form the metal layer by an ordinary method.
In addition, in the vapor phase method, in order to increase the adhesion with the ceramic substrate, a metal layer of Cr or Ti is formed in the first step, and a metal layer of copper or nickel is formed thereon in the second step. There is a method in which a metal layer of Cr or Ti is formed in a first step on a roughened ceramic substrate heated to about 400 ° C., and a metal layer of copper or nickel is formed thereon in a second step. .
必要に応じ、電解めっきを行う。前記化学めっきある
いは気相法では、１〜数μｍの薄い金属層しか形成でき
ないので、必要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化
学めっきまたは気相法により金属層を形成させたのち、
この電解めっきによって銅あるいはニッケル層を形成す
ればよい。If necessary, electrolytic plating is performed. In the chemical plating or the vapor phase method, since only a thin metal layer having a thickness of 1 to several μm can be formed, when the required metal layer is thick, after forming the metal layer by the chemical plating or the vapor phase method,
A copper or nickel layer may be formed by this electrolytic plating.
必要に応じ、エッチングによる回路形成を行う。化学
めっき，気相法またはその上への電解めっきによって直
ちに必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっき
等の場合は、エッチングによる回路形成を行うのであ
る。回路形成法は、一般に用いられている方法による。If necessary, a circuit is formed by etching. In some cases, a necessary circuit may be immediately formed by chemical plating, a vapor phase method, or electrolytic plating thereon, but in the case of whole surface plating or the like, a circuit is formed by etching. The circuit forming method is based on a generally used method.
この方法によると、従来世の中になかった配線抵抗の小
さい卑金属導体により、線幅、線間隔30μｍという微細
パターンを形成することが可能となる。According to this method, it is possible to form a fine pattern having a line width and a line spacing of 30 μm using a base metal conductor having a low wiring resistance, which has never been seen in the past.
必要に応じ、金属層が形成されたセラミック基板を加
熱処理する。処理温度は200〜1000℃の範囲内であるこ
とが好ましく、350〜700℃の範囲内であることがより好
ましい。処理時間は特に限定されないが、１〜10分程度
行えばよい。加熱処理は、全面めっき終了後に行っても
よいし、エッチングによる回路の形成後に行ってもかま
わない。If necessary, the ceramic substrate on which the metal layer is formed is heat-treated. The treatment temperature is preferably in the range of 200 to 1000 ° C, more preferably 350 to 700 ° C. The treatment time is not particularly limited, but may be about 1 to 10 minutes. The heat treatment may be performed after the entire surface plating is completed or after the circuit is formed by etching.
作成されるセラミック配線基板が単層である場合に
は、以上の工程で金属層が形成されたセラミック基板上
に、抵抗体ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成し
て、抵抗層を形成する。抵抗体ペーストとしては、Snも
しくはLaB6系等の抵抗体成分を、Si,Ca,Al等の酸化物を
含むガラスや有機系ビヒクル等と混合してペースト化し
たもの等、通常この用途に用いられているものを使用す
ることができる。乾燥，焼成の条件は特に限定されない
が、たとえば、よぎのような条件が一般的である。すな
わち、スクリーン印刷等でセラミック基板上に印刷され
た前記抵抗体ペーストを、50〜200℃で乾燥したあと、
成分中のガラスフリットがセラミック基板に溶融接合す
る温度（好ましくは500〜1100℃、より好ましくは600〜
950℃範囲）で焼成を行えばよいのである。なお焼成時
には、メタライジング法によって形成された前記金属層
が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰囲気で焼成を
行うことが好ましい。When the ceramic wiring board to be created is a single layer, the resistor paste is printed on the ceramic board on which the metal layer is formed in the above process, and then dried and fired to form the resistance layer. To do. As the resistor paste, a resistor component such as Sn or LaB 6 system is mixed with glass containing an oxide such as Si, Ca, Al or an organic vehicle to form a paste, which is usually used for this purpose. The ones that are available can be used. The conditions of drying and firing are not particularly limited, but, for example, conditions such as a yogi are common. That is, the resistor paste printed on the ceramic substrate by screen printing or the like, after drying at 50 ~ 200 ℃,
The temperature at which the glass frit in the components melt-bonds to the ceramic substrate (preferably 500 to 1100 ° C, more preferably 600 to
It suffices to carry out the firing in the range of 950 ° C. In addition, at the time of firing, it is preferable to perform firing in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the metal layer formed by the metallizing method from being oxidized.
抵抗層のトリミングを行う。トリミングの方法として
は、種々の方法があるが、たとえば、アブレッシブトリ
ミング，レーザートリミング等の方法がある。そして、
その中でも、高速処理が行え、高性能なレーザートリミ
ングがこの発明に好ましいものとしてあげられる。Trim the resistance layer. There are various methods for trimming, and for example, there are methods such as abrasive trimming and laser trimming. And
Among these, high-performance laser trimming that can perform high-speed processing is preferred as the present invention.
作成されるセラミック配線基板が多層配線基板である場
合には、前記までの工程で金属層が形成されたセラミ
ック基板上に、以下の，の工程により、絶縁層およ
び導体層を積層して前記金属層と導体層によって回路を
形成し、それとともに、この回路の所定の位置、すなわ
ちち、前記金属層および導体層のいずれかに、前記抵抗
体ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成して、抵抗
層を形成する。この抵抗層には、必要に応じて、先の場
合と同様、トリミングを行うこともできる。When the ceramic wiring board to be created is a multilayer wiring board, the insulating layer and the conductor layer are laminated by the following steps on the ceramic substrate on which the metal layer is formed in the above steps, A circuit is formed by a layer and a conductor layer, and at the same time, the resistor paste is printed on a predetermined position of the circuit, that is, on one of the metal layer and the conductor layer, followed by drying and firing. Forming a resistance layer. If necessary, this resistance layer can be trimmed as in the previous case.
金属層が形成された前記セラミック基板上に、誘電体
ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成して、絶縁層
を形成する。誘電体ペーストとしては、ガラス等の微粉
末を有機系ビヒクルと混合してペースト化したもの等、
通常この用途に用いられているものを使用することがで
きる。乾燥，焼成の条件は特に限定されないが、たとえ
ば、つぎのような条件が一般的である。すなわち、スク
リーン印刷等でセラミック基板上に印刷された前記誘電
体ペーストを、50〜200℃で乾燥したあと、ガラスフリ
ットがセラミック基板に溶融接合する温度（好ましくは
500〜1100℃、より好ましくは600〜950℃の範囲）で焼
成を行えばよいのである。なお焼成時には、メタライジ
ング法によって形成された前記金属層が酸化されること
を防ぐため、非酸化性雰囲気で焼成を行うことが好まし
い。A dielectric paste is printed on the ceramic substrate on which the metal layer is formed, and then the paste is dried and fired to form an insulating layer. As the dielectric paste, fine powder such as glass is mixed with an organic vehicle to form a paste,
What is usually used for this use can be used. The conditions for drying and firing are not particularly limited, but for example, the following conditions are common. That is, the dielectric paste printed on a ceramic substrate by screen printing or the like is dried at 50 to 200 ° C., and then the temperature at which the glass frit melt-bonds to the ceramic substrate (preferably
The firing may be performed at 500 to 1100 ° C., more preferably 600 to 950 ° C.). In addition, at the time of firing, it is preferable to perform firing in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the metal layer formed by the metallizing method from being oxidized.
絶縁層上に導体ペーストによって所定の回路を印刷し
た後、これを乾燥，焼成して、導体層を形成する。導体
ペーストとしては、金属等の微粉末を有機系ビヒクルと
混合してペースト化したもの等、通常この用途に用いら
れているものを使用することができる。乾燥，焼成の条
件は特に限定されないが、たとえば、つぎのような条件
が一般的である。すなわち、スクリーン印刷等で絶縁層
上に印刷された前記導体ペーストを、50〜200℃で乾燥
したあと、ペースト中のガラスフリットが前記絶縁層に
溶融接合する温度（好ましくは500〜1100℃、より好ま
しくは600〜950℃の範囲）で焼成を行えばよいのであ
る。なお焼成時には、メタライジング法によって形成さ
れた前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性
雰囲気で焼成を行うことが好ましい。After printing a predetermined circuit on the insulating layer with a conductor paste, this is dried and fired to form a conductor layer. As the conductor paste, it is possible to use a paste that is usually used for this purpose, such as a paste prepared by mixing fine powder of metal or the like with an organic vehicle. The conditions for drying and firing are not particularly limited, but for example, the following conditions are common. That is, the conductor paste printed on the insulating layer by screen printing, etc., after drying at 50 ~ 200 ° C., the glass frit in the paste melt bonding to the insulating layer (preferably 500 ~ 1100 ° C., more It is preferable to carry out the firing at 600 to 950 ° C.). In addition, at the time of firing, it is preferable to perform firing in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the metal layer formed by the metallizing method from being oxidized.
以上の工程を繰り返して行い、セラミック基板上に必要
とする数だけの絶縁層，導体層および抵抗層を交互に形
成すれば、セラミック多層配線基板が得られる。By repeating the above steps and alternately forming the required number of insulating layers, conductor layers and resistance layers on the ceramic substrate, a ceramic multilayer wiring substrate can be obtained.
以上のように、この発明のセラミック配線基板の製法に
よれば、従来世の中になかった配線抵抗の小さい卑金属
導体を使用することにより、微細パターンを形成するこ
とが可能となり、しかも、セラミック配線基板と金属層
との密着性が高い、抵抗層を含んだセラミック配線基板
を低コストで得ることができる。As described above, according to the method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention, it is possible to form a fine pattern by using a base metal conductor having a low wiring resistance, which has not been available in the past. It is possible to obtain at low cost a ceramic wiring board including a resistance layer, which has high adhesion to a metal layer.
つぎに、この発明にかかるセラミック配線基板の製法に
ついての実施例を説明する。Next, an example of a method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention will be described.
（実施例１） 焼結セラミック基板として、96％アルミナ基板を使用
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって厚み５μｍの銅層を形成した。
このものを、窒素雰囲気中で700の加熱処理を施したあ
と、エッチングを行い、線幅，線間隔50μｍの回路を形
成した。この回路の抵抗値を測定したところ、表面抵抗
で1m Ω／口であった。このセラミック基板上に誘電体
ペーストと、導ペーストであるCuペーストとを交互にス
クリーン印刷し、乾燥，焼成して、セラミック多層配線
基板を得た。なお、両ペーストの焼成は、それぞれ、窒
素雰囲気中,850℃の条件で行った。(Example 1) A 96% alumina substrate was used as a sintered ceramic substrate, the surface of which was roughened with phosphoric acid, thoroughly washed, and dried. After drying, a copper layer having a thickness of 5 μm was formed on the surface of the alumina substrate by chemical plating.
This was heat-treated at 700 in a nitrogen atmosphere and then etched to form a circuit having a line width and a line interval of 50 μm. When the resistance value of this circuit was measured, the surface resistance was 1 mΩ / port. Dielectric paste and Cu paste, which is a conductive paste, were alternately screen-printed on this ceramic substrate, dried, and fired to obtain a ceramic multilayer wiring substrate. The firing of both pastes was performed in a nitrogen atmosphere at 850 ° C.
得られたセラミック多層配線基板最上部の導体層上に、
抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中850℃の条件で焼成を行い、抵抗層を形成した。こ
のあと、この抵抗層に対し、レーザートリマーによって
トリミングを行い、所定の抵抗値とした。On the uppermost conductor layer of the obtained ceramic multilayer wiring board,
The resistor paste was screen-printed, dried, and then fired in a nitrogen atmosphere at 850 ° C. to form a resistor layer. After that, the resistance layer was trimmed by a laser trimmer to have a predetermined resistance value.
得られたセラミック多層配線基板の最上部の導体層とセ
ラミック基板との密着力、および、最上部の導体層とそ
の上に形成された抵抗層との密着力を測定したところ、
それぞれ、2.0〜3.0kg/mm2と非常に高い値を示した。ま
た、前記最上部の導体層の抵抗値を測定したところ、表
面抵抗で2m Ω／口であった。When the adhesion between the uppermost conductor layer and the ceramic substrate of the obtained ceramic multilayer wiring board and the adhesion between the uppermost conductor layer and the resistance layer formed thereon were measured,
Each showed a very high value of 2.0 to 3.0 kg / mm 2 . When the resistance value of the uppermost conductor layer was measured, the surface resistance was 2 mΩ / port.
（実施例２） 焼結セラミック基板として、96％アルミナ基板を使用
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって銅層を形成したあと、さらに、
電解めっきによって金属銅の厚付けを行い、厚み10μｍ
の金属層を形成した。このものを、窒素雰囲気中で350
℃の加熱処理を施したあと、エッチングを行い、線幅，
線間隔50μｍの回路を形成した。この回路の抵抗値を測
定したところ、表面抵抗で1m Ω／口であった。このセ
ラミック基板上に、抵抗体ペーストをスクリーン印刷
し、乾燥後、窒素雰囲気中850℃の条件で焼成を行い、
抵抗層を形成した。このあと、この抵抗層に対し、レー
ザートリマーによってトリミングを行い、所定の抵抗値
とした。(Example 2) A 96% alumina substrate was used as a sintered ceramic substrate, the surface of which was roughened with phosphoric acid, and then thoroughly washed and dried. After drying, after forming a copper layer on the surface of the alumina substrate by chemical plating,
Metal copper is thickened by electrolytic plating to a thickness of 10 μm
Of the metal layer was formed. 350g of this in a nitrogen atmosphere
After heat treatment at ℃, etching is performed to
A circuit having a line spacing of 50 μm was formed. When the resistance value of this circuit was measured, the surface resistance was 1 mΩ / port. A resistor paste is screen-printed on this ceramic substrate, dried, and then fired in a nitrogen atmosphere at 850 ° C.,
A resistance layer was formed. After that, the resistance layer was trimmed by a laser trimmer to have a predetermined resistance value.
得られたセラミック配線基板上の金属層の抵抗値を測定
したところ、表面抵抗で1m Ω／口であった。また、得
られたセラミック配線基板上の金属層と抵抗層との密着
力を測定したところ、2.0〜3.0kg/mm2と非常に高い値を
示した。When the resistance value of the metal layer on the obtained ceramic wiring board was measured, the surface resistance was 1 mΩ / hole. Moreover, when the adhesion between the metal layer and the resistance layer on the obtained ceramic wiring board was measured, it was a very high value of 2.0 to 3.0 kg / mm 2 .
（実施例３） セラミック基板として、92％アルミナ基板を使用し、金
属層形成後の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施
例１と同様にしてセラミック多層配線基板を得た。得ら
れたセラミック多層配線基板の最上部の導体層とセラミ
ック基板との密着力、最上部の導体層とその上に形成さ
れた抵抗層との密着力、ならびに、金属層および基板最
上部の導体層の抵抗値を測定したところ、実施例１とほ
ぼ同様の結果が得られた。Example 3 A ceramic multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 92% alumina substrate was used as the ceramic substrate and the heat treatment temperature after forming the metal layer was 500 ° C. Adhesion between the uppermost conductor layer of the obtained ceramic multilayer wiring board and the ceramic substrate, adhesion between the uppermost conductor layer and the resistance layer formed thereon, and the metal layer and the uppermost conductor of the board When the resistance value of the layer was measured, almost the same result as in Example 1 was obtained.
（実施例４） セラミック基板として、92％アルミナ基板を使用し、抵
抗体ペーストの焼成温度を900℃とした以外は、実施例
２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られたセ
ラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力および金
属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同様の
結果が得られた。(Example 4) A ceramic wiring board was obtained in the same manner as in Example 2 except that a 92% alumina substrate was used as the ceramic substrate and the firing temperature of the resistor paste was set to 900 ° C. When the adhesion between the metal layer and the resistance layer and the resistance value of the metal layer on the obtained ceramic wiring board were measured, almost the same results as in Example 2 were obtained.
（実施例５） セラミック基板として、99％アルミナ基板を使用し、金
属層形成後の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施
例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られた
セラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力および
金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同様
の結果が得られた。Example 5 A ceramic wiring board was obtained in the same manner as in Example 2 except that a 99% alumina substrate was used as the ceramic substrate and the heat treatment temperature after forming the metal layer was 500 ° C. When the adhesion between the metal layer and the resistance layer and the resistance value of the metal layer on the obtained ceramic wiring board were measured, almost the same results as in Example 2 were obtained.
この発明のセラミック配線基板の製法は、以上のように
構成されており、化学メッキによって、従来世の中にな
かった配線抵抗の小さい卑金属導体を微細パターンを形
成することが可能で、セラミック配線基板と金属層との
密着性が高い、抵抗層を含んだセラミック配線基板を低
コストで得ることが可能となる。The method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention is configured as described above, and it is possible to form a fine pattern of a base metal conductor having a low wiring resistance, which has not been available in the past, by chemical plating. It is possible to obtain at low cost a ceramic wiring board including a resistance layer, which has high adhesion to the layer.
第１図はこの発明にかかるセラミック配線基板の製法の
プロセスの一例をあらわすブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a process of manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention.
Claims (2)
化処理する工程と、リン酸によって粗化処理されたセラ
ミック基板の表面に化学メッキによって卑金属層を形成
する工程と、金属層が形成されたセラミック基板を350
〜700℃で加熱処理する工程と、この金属層を含むセラ
ミック基板上の回路の所望の位置に抵抗体ペーストを印
刷，焼成して抵抗層を形成する工程と、形成された抵抗
層をトリミングする工程とを含んでいるセラミック配線
基板の製法。1. A step of roughening the surface of a ceramic substrate with phosphoric acid, a step of forming a base metal layer by chemical plating on the surface of the ceramic substrate roughened with phosphoric acid, and forming a metal layer. 350 ceramic substrate
Step of heat treatment at ~ 700 ° C., step of printing and firing resistor paste at desired position of circuit on ceramic substrate including this metal layer to form resistor layer, and trimming formed resistor layer A method of manufacturing a ceramic wiring board including the steps.
ペーストと導体ペーストとを交互に印刷，焼成してなる
絶縁層と導体層とが積層されたセラミック多層配線基板
であるとともに、前記導体層が回路の一部となるもので
ある特許請求の範囲第１項記載のセラミック配線基板の
製法。2. The ceramic wiring board is a ceramic multilayer wiring board in which an insulating layer and a conductor layer, which are obtained by alternately printing and firing a dielectric paste and a conductor paste on a metal layer, are laminated, and the conductor. The method for manufacturing a ceramic wiring board according to claim 1, wherein the layer is a part of a circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035767A JPH0754770B2 (en) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | Manufacturing method of ceramic wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035767A JPH0754770B2 (en) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | Manufacturing method of ceramic wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193102A JPS62193102A (en) | 1987-08-25 |
| JPH0754770B2 true JPH0754770B2 (en) | 1995-06-07 |
Family
ID=12451013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61035767A Expired - Fee Related JPH0754770B2 (en) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | Manufacturing method of ceramic wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754770B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY139405A (en) | 1998-09-28 | 2009-09-30 | Ibiden Co Ltd | Printed circuit board and method for its production |
| JP2008294459A (en) * | 2008-07-11 | 2008-12-04 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board |
| JP2020010004A (en) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | Resistor and circuit substrate |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202503A (en) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | 株式会社東芝 | Method of producing thick film resistor |
| JPS6059764A (en) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of hybrid integrated circuit substrate |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61035767A patent/JPH0754770B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62193102A (en) | 1987-08-25 |
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