JPH0750267A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法Info
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- JPH0750267A JPH0750267A JP21231793A JP21231793A JPH0750267A JP H0750267 A JPH0750267 A JP H0750267A JP 21231793 A JP21231793 A JP 21231793A JP 21231793 A JP21231793 A JP 21231793A JP H0750267 A JPH0750267 A JP H0750267A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分に高濃度の窒素を不純物として含む低抵
抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を高い生産性で成
長させる。 【構成】 ＩＩ族元素と窒素との結合を含むアミノ化合
物とＶＩ族元素と窒素との結合を含むアミノ化合物とを
原料として用いた化学気相成長法により、ｐ型ＺｎＳｅ
光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８およびｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９を順次エピタキシャル成長させる。
抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を高い生産性で成
長させる。 【構成】 ＩＩ族元素と窒素との結合を含むアミノ化合
物とＶＩ族元素と窒素との結合を含むアミノ化合物とを
原料として用いた化学気相成長法により、ｐ型ＺｎＳｅ
光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８およびｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９を順次エピタキシャル成長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体の成長方法に関し、例えば、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体を用いた青色ないし緑色で発光可能な半導体レー
ザーの製造に適用して好適なものである。
半導体の成長方法に関し、例えば、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体を用いた青色ないし緑色で発光可能な半導体レー
ザーの製造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクの記録密度の向上やレ
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長で
の発光が可能な半導体レーザーに対する要求が高まって
きており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長で
の発光が可能な半導体レーザーに対する要求が高まって
きており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
【０００３】このような短波長での発光が可能な半導体
レーザーの作製に用いる材料としては、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体が有望である。特に、四元系のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体であるＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体は、
波長４００〜５５０ｎｍ帯の青色ないし緑色発光の半導
体レーザーをＧａＡｓ基板上に作製するときのクラッド
層や光導波層の材料に適していることが知られている
（例えば、Electron. Lett. 28(1992)1798）。
レーザーの作製に用いる材料としては、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体が有望である。特に、四元系のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体であるＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体は、
波長４００〜５５０ｎｍ帯の青色ないし緑色発光の半導
体レーザーをＧａＡｓ基板上に作製するときのクラッド
層や光導波層の材料に適していることが知られている
（例えば、Electron. Lett. 28(1992)1798）。
【０００４】従来、上述のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の
成長はもっぱら分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
行われているが、このＭＢＥ法は生産性が悪いという欠
点がある。そこで、生産性に優れ、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の成長方法として多用されている有機金属化学気
相成長（ＭＯＣＶＤ）法をＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の
成長に適用することが考えられている。
成長はもっぱら分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
行われているが、このＭＢＥ法は生産性が悪いという欠
点がある。そこで、生産性に優れ、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の成長方法として多用されている有機金属化学気
相成長（ＭＯＣＶＤ）法をＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の
成長に適用することが考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＯＣ
ＶＤ法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長において
は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のアクセプタ不純物とし
て現在最も良く使用されている窒素（Ｎ）のドーピング
が難しいため、アクセプタ濃度が１０17ｃｍ-3程度以上
の低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を得ること
が困難であるという問題がある。
ＶＤ法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長において
は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のアクセプタ不純物とし
て現在最も良く使用されている窒素（Ｎ）のドーピング
が難しいため、アクセプタ濃度が１０17ｃｍ-3程度以上
の低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を得ること
が困難であるという問題がある。
【０００６】すなわち、例えば、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 とＨ
2 ＳｅとＮＨ4 とを原料として用いてＭＯＣＶＤ法によ
りＺｎＳｅの成長を行う場合には、 Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 ＋Ｈ2 Ｓｅ＋ＮＨ4 →ＺｎＳｅ：Ｎ＋２ＣＨ4 ＋Ｈ2 ↑ （１） なる反応によりＮを含むＺｎＳｅ（ＺｎＳｅ：Ｎ）の成
長が行われるが、この方法ではアクセプタ不純物として
のＮの濃度が十分に高い低抵抗のｐ型ＺｎＳｅを得るこ
とは困難である。これは、上述の反応により生成される
ＺｎＳｅ中にはＮのほかに水素（Ｈ）も取り込まれ、こ
のＨがＮを不活性化するためであると考えられている。
2 ＳｅとＮＨ4 とを原料として用いてＭＯＣＶＤ法によ
りＺｎＳｅの成長を行う場合には、 Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 ＋Ｈ2 Ｓｅ＋ＮＨ4 →ＺｎＳｅ：Ｎ＋２ＣＨ4 ＋Ｈ2 ↑ （１） なる反応によりＮを含むＺｎＳｅ（ＺｎＳｅ：Ｎ）の成
長が行われるが、この方法ではアクセプタ不純物として
のＮの濃度が十分に高い低抵抗のｐ型ＺｎＳｅを得るこ
とは困難である。これは、上述の反応により生成される
ＺｎＳｅ中にはＮのほかに水素（Ｈ）も取り込まれ、こ
のＨがＮを不活性化するためであると考えられている。
【０００７】従って、この発明の目的は、十分に高濃度
の窒素を不純物として含む低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体の成長を高い生産性で行うことができるＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法を提供することにあ
る。
の窒素を不純物として含む低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体の成長を高い生産性で行うことができるＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方
法は、成長を行うべきＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を構成
するＩＩ族元素およびＶＩ族元素のうちの少なくとも一
方と窒素との結合を含む第１の化合物および／またはＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体を構成するＩＩ族元素およびＶ
Ｉ族元素のうちの少なくとも他方を含む第２の化合物を
原料として用いて気相成長を行うようにしている。
に、この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方
法は、成長を行うべきＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を構成
するＩＩ族元素およびＶＩ族元素のうちの少なくとも一
方と窒素との結合を含む第１の化合物および／またはＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体を構成するＩＩ族元素およびＶ
Ｉ族元素のうちの少なくとも他方を含む第２の化合物を
原料として用いて気相成長を行うようにしている。
【０００９】この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の成長方法の好適な一実施形態においては、第１の化合
物はＩＩ族元素と窒素との結合を含むアミノ化合物であ
り、第２の化合物はＶＩ族元素と窒素との結合を含むア
ミノ化合物である。
の成長方法の好適な一実施形態においては、第１の化合
物はＩＩ族元素と窒素との結合を含むアミノ化合物であ
り、第２の化合物はＶＩ族元素と窒素との結合を含むア
ミノ化合物である。
【００１０】ここで、ＩＩ族元素と窒素との結合を含む
アミノ化合物の例を挙げると、Ｚｎ（ＮＨ2 ）2 、Ｍｇ
（ＮＨ2 ）2 などである。また、ＶＩ族元素と窒素との
結合を含むアミノ化合物の例を挙げると、Ｓｅ（Ｎ
Ｈ2 ）2 、Ｓ（ＮＨ2 ）2 などである。
アミノ化合物の例を挙げると、Ｚｎ（ＮＨ2 ）2 、Ｍｇ
（ＮＨ2 ）2 などである。また、ＶＩ族元素と窒素との
結合を含むアミノ化合物の例を挙げると、Ｓｅ（Ｎ
Ｈ2 ）2 、Ｓ（ＮＨ2 ）2 などである。
【００１１】第１の化合物としては、上述のアミノ化合
物以外の化合物を用いることもできる。その一例を挙げ
ると、（ＣＨ3 ）−Ｚｎ−（ＮＣＨ2 ）2 （ＣＨ3 ）2
（Ｚｎ、Ｎ、ＣＨ2 、ＣＨ2 、Ｎによる五員環構造を有
する）である。
物以外の化合物を用いることもできる。その一例を挙げ
ると、（ＣＨ3 ）−Ｚｎ−（ＮＣＨ2 ）2 （ＣＨ3 ）2
（Ｚｎ、Ｎ、ＣＨ2 、ＣＨ2 、Ｎによる五員環構造を有
する）である。
【００１２】この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の成長方法は、具体的には、例えばＺｎＳｅ、ＺｎＴ
ｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅなどの
ようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、特に窒素を不純物と
して含むｐ型のものの成長に適用することができる。
の成長方法は、具体的には、例えばＺｎＳｅ、ＺｎＴ
ｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅなどの
ようなＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、特に窒素を不純物と
して含むｐ型のものの成長に適用することができる。
【００１３】この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の成長方法において、原料中のＩＩ族元素に対するＶＩ
族元素の比、すなわちＶＩ／ＩＩ比は、好適には十分に
低く選ばれる。
の成長方法において、原料中のＩＩ族元素に対するＶＩ
族元素の比、すなわちＶＩ／ＩＩ比は、好適には十分に
低く選ばれる。
【００１４】
【作用】この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成
長方法によれば、第１の化合物および／または第２の化
合物から成る原料自身にＩＩ族元素またはＶＩ族元素と
窒素との結合が含まれているので、上述の（１）式のよ
うに二つの別々の化合物であるＨ2 ＳｅおよびＮＨ4 の
アニオン（Ｓｅ、Ｎ）同士が競合する形で何個かのＳｅ
につき１個の割合でＮのドーピングが行われるのではな
く、第１の化合物または第２の化合物内の二つの元素、
すなわちＩＩ族元素およびＮまたはＶＩ族元素およびＮ
同士が競合する形でＮのドーピングが行われる。この場
合、上述の（１）式で示される反応の場合に比べて、Ｎ
がＨにより不活性化されることは少ない。すなわち、上
述の（１）式においてはＺｎ−Ｎの結合は反応後に形成
されるのに対して、この場合には、ＩＩ族元素−Ｎの結
合またはＶＩ族元素−Ｎの結合が反応前から存在してい
ることから、その分だけＮがＨにより不活性化されるこ
とが少ない。以上により、十分に高濃度のＮを不純物と
して含む低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成
長を行うことができる。
長方法によれば、第１の化合物および／または第２の化
合物から成る原料自身にＩＩ族元素またはＶＩ族元素と
窒素との結合が含まれているので、上述の（１）式のよ
うに二つの別々の化合物であるＨ2 ＳｅおよびＮＨ4 の
アニオン（Ｓｅ、Ｎ）同士が競合する形で何個かのＳｅ
につき１個の割合でＮのドーピングが行われるのではな
く、第１の化合物または第２の化合物内の二つの元素、
すなわちＩＩ族元素およびＮまたはＶＩ族元素およびＮ
同士が競合する形でＮのドーピングが行われる。この場
合、上述の（１）式で示される反応の場合に比べて、Ｎ
がＨにより不活性化されることは少ない。すなわち、上
述の（１）式においてはＺｎ−Ｎの結合は反応後に形成
されるのに対して、この場合には、ＩＩ族元素−Ｎの結
合またはＶＩ族元素−Ｎの結合が反応前から存在してい
ることから、その分だけＮがＨにより不活性化されるこ
とが少ない。以上により、十分に高濃度のＮを不純物と
して含む低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成
長を行うことができる。
【００１５】しかも、この発明によるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体の成長方法によれば、従来のように生産性の悪
いＭＢＥ法ではなく、生産性の高いＣＶＤ法を用いてい
るので、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を高い生産性
で行うことができる。
物半導体の成長方法によれば、従来のように生産性の悪
いＭＢＥ法ではなく、生産性の高いＣＶＤ法を用いてい
るので、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を高い生産性
で行うことができる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明をＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
を用いた半導体レーザーの製造に適用した一実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。この実施例による半
導体レーザーはＳＣＨ（Separated Confinement Hetero
structure)構造を有するものである。
を用いた半導体レーザーの製造に適用した一実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。この実施例による半
導体レーザーはＳＣＨ（Separated Confinement Hetero
structure)構造を有するものである。
【００１７】この実施例による半導体レーザーの製造方
法においては、図１に示すように、まず、例えばｎ型不
純物としてＳｉがドープされた（１００）面方位のｎ型
ＧａＡｓ基板１上に、通常のＭＯＣＶＤ法により、例え
ばｎ型不純物としてＧａがドープされたｎ型ＺｎＳｅバ
ッファ層２、例えばｎ型不純物としてＧａがドープされ
たｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３、例え
ばｎ型不純物としてＧａがドープされたｎ型ＺｎＳｅ光
導波層４および例えばｉ型（真性）Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ
量子井戸層から成る活性層５を順次エピタキシャル成長
させる。
法においては、図１に示すように、まず、例えばｎ型不
純物としてＳｉがドープされた（１００）面方位のｎ型
ＧａＡｓ基板１上に、通常のＭＯＣＶＤ法により、例え
ばｎ型不純物としてＧａがドープされたｎ型ＺｎＳｅバ
ッファ層２、例えばｎ型不純物としてＧａがドープされ
たｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３、例え
ばｎ型不純物としてＧａがドープされたｎ型ＺｎＳｅ光
導波層４および例えばｉ型（真性）Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ
量子井戸層から成る活性層５を順次エピタキシャル成長
させる。
【００１８】この場合、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２およ
びｎ型ＺｎＳｅ光導波層４のエピタキシャル成長におい
ては、原料として、例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 とＨ2 Ｓｅ
とＧａ（ＣＨ3 ）3 とを用いる。また、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍ
ｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３のエピタキシャル成長に
おいては、原料として、例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 とＭｇ
（ＣＨ3 ）2 とＨ2 ＳとＨ2 ＳｅとＧａ（ＣＨ3 ）3 と
を用いる。さらに、ｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層
から成る活性層５のエピタキシャル成長においては、原
料として、例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 とＣｄ（ＣＨ3 ）2
とＨ2 Ｓｅとを用いる。なお、Ｍｇの原料としては、Ｍ
ｇ（ＣＨ3 ）2 のほかに、例えば、Ｍｇ（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ
4 ）2 （ビス（メチルシクロペンタジエニル）マグネシ
ウム）、Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 （ビス（シクロペンタジエ
ニル）マグネシウム）、Ｍｇ（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）
2 （ビス（イソプロピルシクロペンタジエニル）マグネ
シウム）などを用いることもできる。
びｎ型ＺｎＳｅ光導波層４のエピタキシャル成長におい
ては、原料として、例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 とＨ2 Ｓｅ
とＧａ（ＣＨ3 ）3 とを用いる。また、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍ
ｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３のエピタキシャル成長に
おいては、原料として、例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 とＭｇ
（ＣＨ3 ）2 とＨ2 ＳとＨ2 ＳｅとＧａ（ＣＨ3 ）3 と
を用いる。さらに、ｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層
から成る活性層５のエピタキシャル成長においては、原
料として、例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 とＣｄ（ＣＨ3 ）2
とＨ2 Ｓｅとを用いる。なお、Ｍｇの原料としては、Ｍ
ｇ（ＣＨ3 ）2 のほかに、例えば、Ｍｇ（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ
4 ）2 （ビス（メチルシクロペンタジエニル）マグネシ
ウム）、Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 （ビス（シクロペンタジエ
ニル）マグネシウム）、Ｍｇ（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）
2 （ビス（イソプロピルシクロペンタジエニル）マグネ
シウム）などを用いることもできる。
【００１９】次に、後述のような金属アミノ化合物を原
料として用いたＣＶＤ法（以下「ＭＡＣＶＤ法」とい
う）により、活性層５上に、例えばｐ型不純物としてＮ
がドープされたｐ型ＺｎＳｅ光導波層６、例えばｐ型不
純物としてＮがドープされたｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓ
ｅ1-q クラッド層７、例えばｐ型不純物としてＮがドー
プされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８および例えばｐ型不
純物としてＮがドープされたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９を順次エピタキシャル成長させる。このＭＡＣＶＤ法
によるエピタキシャル成長は、通常のＭＯＣＶＤ装置と
同様な構成の装置により常圧で行うことができる。
料として用いたＣＶＤ法（以下「ＭＡＣＶＤ法」とい
う）により、活性層５上に、例えばｐ型不純物としてＮ
がドープされたｐ型ＺｎＳｅ光導波層６、例えばｐ型不
純物としてＮがドープされたｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓ
ｅ1-q クラッド層７、例えばｐ型不純物としてＮがドー
プされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８および例えばｐ型不
純物としてＮがドープされたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９を順次エピタキシャル成長させる。このＭＡＣＶＤ法
によるエピタキシャル成長は、通常のＭＯＣＶＤ装置と
同様な構成の装置により常圧で行うことができる。
【００２０】この場合、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層６および
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９のエピタキシャル成長にお
いては、原料として、例えば、金属アミノ化合物である
Ｚｎ（ＮＨ2 ）2 とＳｅ（ＮＨ2 ）2 とを用いる。ま
た、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７のエ
ピタキシャル成長においては、原料として、例えばＺｎ
（ＮＨ2 ）2 とＭｇ（ＮＨ2 ）2 とＳ（ＮＨ2 ）2 とＳ
ｅ（ＮＨ2 ）2 とを用いる。さらに、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ
1-v 層８のエピタキシャル成長においては、原料とし
て、例えばＺｎ（ＮＨ2 ）2 とＳ（ＮＨ2 ）2 とＳｅ
（ＮＨ2 ）2 とを用いる。また、これらのｐ型ＺｎＳｅ
光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-qクラッド
層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８およびｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９のエピタキシャル成長においては、原料の
ＶＩ／ＩＩ比は十分に低く選ぶのが好ましく、特に、基
板表面直上でＶＩ／ＩＩ比が１以下または１程度になる
ようにするのが好ましい。
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９のエピタキシャル成長にお
いては、原料として、例えば、金属アミノ化合物である
Ｚｎ（ＮＨ2 ）2 とＳｅ（ＮＨ2 ）2 とを用いる。ま
た、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７のエ
ピタキシャル成長においては、原料として、例えばＺｎ
（ＮＨ2 ）2 とＭｇ（ＮＨ2 ）2 とＳ（ＮＨ2 ）2 とＳ
ｅ（ＮＨ2 ）2 とを用いる。さらに、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ
1-v 層８のエピタキシャル成長においては、原料とし
て、例えばＺｎ（ＮＨ2 ）2 とＳ（ＮＨ2 ）2 とＳｅ
（ＮＨ2 ）2 とを用いる。また、これらのｐ型ＺｎＳｅ
光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-qクラッド
層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８およびｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９のエピタキシャル成長においては、原料の
ＶＩ／ＩＩ比は十分に低く選ぶのが好ましく、特に、基
板表面直上でＶＩ／ＩＩ比が１以下または１程度になる
ようにするのが好ましい。
【００２１】上述のＭＡＣＶＤ法によるエピタキシャル
成長の詳細についてｐ型ＺｎＳｅ光導波層６を例にとっ
て説明すると、以下の通りである。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp
ＳqＳｅ1-q クラッド層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８
およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９についても同様であ
る。
成長の詳細についてｐ型ＺｎＳｅ光導波層６を例にとっ
て説明すると、以下の通りである。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp
ＳqＳｅ1-q クラッド層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８
およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９についても同様であ
る。
【００２２】すなわち、上述のようにＺｎ（ＮＨ2 ）2
とＳｅ（ＮＨ2 ）2 とを原料として用いてｐ型ＺｎＳｅ
光導波層６をＭＡＣＶＤ法により成長させる際には、 Ｚｎ（ＮＨ2 ）2 ＋Ｓｅ（ＮＨ2 ）2 →ＺｎＳｅ：Ｎ＋２ＮＨ4 （２） なる反応によりＮを含むＺｎＳｅ、すなわちＺｎＳｅ：
Ｎの成長が行われる。この（２）式の反応においては、
原料として用いられるＺｎ（ＮＨ2 ）2 およびＳｅ（Ｎ
Ｈ2 ）2 にそれぞれ含まれるＮのうちＮＨ4 の生成に消
費されるもの以外の余分なＮがＺｎＳｅに取り込まれ
る。この場合、原料の一つとして用いられるＺｎ（ＮＨ
2 ）2 はＺｎ−Ｎ結合を含み、もう一つの原料として用
いられるＳｅ（ＮＨ2 ）2 はＳｅ−Ｎ結合を含むので、
すなわち原料はもともとＺｎ−Ｎ結合およびＳｅ−Ｎ結
合を含むので、ＺｎＳｅの成長時にはＮがＺｎまたはＳ
ｅと結合した形で容易に取り込まれる。そして、この場
合、ＨによるＺｎの不活性化はほとんど生じないか、起
きるとしても非常に少ない。また、この（２）式の反応
においては、原料として用いられるＺｎ（ＮＨ2 ）2 お
よびＳｅ（ＮＨ2 ）2 中にそれぞれ含まれるＮは、反応
途中においては、例えばＭＢＥ法によりＮドープＺｎＳ
ｅのエピタキシャル成長を行う場合にＮのドープに用い
られるプラズマドーピングにおけるＮ2 ラジカルに近い
状態にあり、従ってこの意味でも成長するＺｎＳｅ中に
取り込まれやすいものである。以上により、十分に高濃
度のＮを不純物として含む低抵抗のｐ型ＺｎＳｅ光導波
層６の成長を行うことができる。
とＳｅ（ＮＨ2 ）2 とを原料として用いてｐ型ＺｎＳｅ
光導波層６をＭＡＣＶＤ法により成長させる際には、 Ｚｎ（ＮＨ2 ）2 ＋Ｓｅ（ＮＨ2 ）2 →ＺｎＳｅ：Ｎ＋２ＮＨ4 （２） なる反応によりＮを含むＺｎＳｅ、すなわちＺｎＳｅ：
Ｎの成長が行われる。この（２）式の反応においては、
原料として用いられるＺｎ（ＮＨ2 ）2 およびＳｅ（Ｎ
Ｈ2 ）2 にそれぞれ含まれるＮのうちＮＨ4 の生成に消
費されるもの以外の余分なＮがＺｎＳｅに取り込まれ
る。この場合、原料の一つとして用いられるＺｎ（ＮＨ
2 ）2 はＺｎ−Ｎ結合を含み、もう一つの原料として用
いられるＳｅ（ＮＨ2 ）2 はＳｅ−Ｎ結合を含むので、
すなわち原料はもともとＺｎ−Ｎ結合およびＳｅ−Ｎ結
合を含むので、ＺｎＳｅの成長時にはＮがＺｎまたはＳ
ｅと結合した形で容易に取り込まれる。そして、この場
合、ＨによるＺｎの不活性化はほとんど生じないか、起
きるとしても非常に少ない。また、この（２）式の反応
においては、原料として用いられるＺｎ（ＮＨ2 ）2 お
よびＳｅ（ＮＨ2 ）2 中にそれぞれ含まれるＮは、反応
途中においては、例えばＭＢＥ法によりＮドープＺｎＳ
ｅのエピタキシャル成長を行う場合にＮのドープに用い
られるプラズマドーピングにおけるＮ2 ラジカルに近い
状態にあり、従ってこの意味でも成長するＺｎＳｅ中に
取り込まれやすいものである。以上により、十分に高濃
度のＮを不純物として含む低抵抗のｐ型ＺｎＳｅ光導波
層６の成長を行うことができる。
【００２３】上述のようにしてｐ型ＺｎＳｅコンタクト
層９の成長まで行った後、このｐ型ＺｎＳｅコンタクト
層９上に所定幅のストライプ形状のレジストパターン
（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスク
としてｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の厚さ方向の途中まで
ウエットエッチング法によりエッチングする。これによ
って、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９およびｐ型ＺｎＳv
Ｓｅ1-v 層８の上層部がストライプ形状にパターニング
される。このストライプ部の幅は例えば５μｍである。
層９の成長まで行った後、このｐ型ＺｎＳｅコンタクト
層９上に所定幅のストライプ形状のレジストパターン
（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスク
としてｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８の厚さ方向の途中まで
ウエットエッチング法によりエッチングする。これによ
って、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９およびｐ型ＺｎＳv
Ｓｅ1-v 層８の上層部がストライプ形状にパターニング
される。このストライプ部の幅は例えば５μｍである。
【００２４】次に、上述のエッチングに用いたレジスト
パターンを残したまま全面に例えば厚さが３００ｎｍの
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を真空蒸着した後、このレジ
ストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜ととも
に除去する（リフトオフ）。これによって、ストライプ
部以外の部分のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８上にのみＡｌ
2 Ｏ3 膜から成る絶縁層１０が形成される。
パターンを残したまま全面に例えば厚さが３００ｎｍの
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜を真空蒸着した後、このレジ
ストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜ととも
に除去する（リフトオフ）。これによって、ストライプ
部以外の部分のｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８上にのみＡｌ
2 Ｏ3 膜から成る絶縁層１０が形成される。
【００２５】次に、ストライプ形状のｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層９および絶縁層１０の全面に例えば厚さが１０
ｎｍのＰｄ膜、例えば厚さが１００ｎｍのＰｔ膜および
例えば厚さが３００ｎｍのＡｕ膜を順次真空蒸着してＡ
ｕ／Ｐｔ／Ｐｄ電極から成るｐ側電極１１を形成し、そ
の後必要に応じて熱処理を行って、このｐ側電極１１を
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９にオーミックコンタクトさ
せる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にはＩｎ電極の
ようなｎ側電極１２を形成する。
タクト層９および絶縁層１０の全面に例えば厚さが１０
ｎｍのＰｄ膜、例えば厚さが１００ｎｍのＰｔ膜および
例えば厚さが３００ｎｍのＡｕ膜を順次真空蒸着してＡ
ｕ／Ｐｔ／Ｐｄ電極から成るｐ側電極１１を形成し、そ
の後必要に応じて熱処理を行って、このｐ側電極１１を
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９にオーミックコンタクトさ
せる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にはＩｎ電極の
ようなｎ側電極１２を形成する。
【００２６】次に、以上のようにしてレーザー構造が形
成されたｎ型ＧａＡｓ基板１を例えば幅が６４０μｍ
（共振器長に等しい）のバー状に劈開して両共振器端面
を形成した後、図２に示すように、真空蒸着法により、
レーザー光が取り出されるフロント側の共振器端面に厚
さが７４ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜１３と厚さが３１ｎｍのＳ
ｉ膜１４とから成る多層膜を形成するとともに、レーザ
ー光が取り出されないリア側の共振器端面に厚さが７４
ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜１３と厚さが３１ｎｍのＳｉ膜１４
とを２周期繰り返した多層膜を形成する。ここで、Ａｌ
2 Ｏ3 膜１３とＳｉ膜１４とから成る多層膜の厚さは、
それに屈折率をかけた光学的距離が、レーザー光の発振
波長の１／４に等しくなるように選ばれている。この場
合、フロント側の共振器端面の反射率は７０％であり、
リア側の共振器端面の反射率は９５％である。このよう
に端面コーティングを施した後、このバーを例えば幅４
００μｍに劈開してチップ化し、パッケージングを行
う。
成されたｎ型ＧａＡｓ基板１を例えば幅が６４０μｍ
（共振器長に等しい）のバー状に劈開して両共振器端面
を形成した後、図２に示すように、真空蒸着法により、
レーザー光が取り出されるフロント側の共振器端面に厚
さが７４ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜１３と厚さが３１ｎｍのＳ
ｉ膜１４とから成る多層膜を形成するとともに、レーザ
ー光が取り出されないリア側の共振器端面に厚さが７４
ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜１３と厚さが３１ｎｍのＳｉ膜１４
とを２周期繰り返した多層膜を形成する。ここで、Ａｌ
2 Ｏ3 膜１３とＳｉ膜１４とから成る多層膜の厚さは、
それに屈折率をかけた光学的距離が、レーザー光の発振
波長の１／４に等しくなるように選ばれている。この場
合、フロント側の共振器端面の反射率は７０％であり、
リア側の共振器端面の反射率は９５％である。このよう
に端面コーティングを施した後、このバーを例えば幅４
００μｍに劈開してチップ化し、パッケージングを行
う。
【００２７】この実施例において、活性層５は、好適に
は厚さが２〜２０ｎｍ、例えば厚さが９ｎｍのｉ型Ｚｎ
1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る単一量子井戸構造を
有するものである。この場合、ｎ型ＺｎＳｅ光導波層４
およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層６が障壁層を構成する。
は厚さが２〜２０ｎｍ、例えば厚さが９ｎｍのｉ型Ｚｎ
1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層から成る単一量子井戸構造を
有するものである。この場合、ｎ型ＺｎＳｅ光導波層４
およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層６が障壁層を構成する。
【００２８】ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp ＳqＳｅ1-q クラッド層
７のＭｇ組成比ｐは例えば０．０９、またＳ組成比ｑは
例えば０．１８であり、そのときのバンドギャップＥg
は７７Ｋで約２．９４ｅＶである。これらのＭｇ組成比
ｐ＝０．０９およびＳ組成比ｑ＝０．１８を有するｎ型
Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｐ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７はＧａＡｓと格
子整合する。また、活性層５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃ
ｄz Ｓｅ量子井戸層のＣｄ組成比ｚは例えば０．１９で
あり、そのときのバンドギャップＥg は７７Ｋで約２．
５４ｅＶである。この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓ
ｅ1-q クラッド層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層７と活性層５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃ
ｄz Ｓｅ量子井戸層との間のバンドギャップＥg の差Δ
Ｅg は０．４０ｅＶである。なお、室温でのバンドギャ
ップＥg の値は、７７ＫでのバンドギャップＥg の値か
ら０．１ｅＶを引くことにより求めることができる。
層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp ＳqＳｅ1-q クラッド層
７のＭｇ組成比ｐは例えば０．０９、またＳ組成比ｑは
例えば０．１８であり、そのときのバンドギャップＥg
は７７Ｋで約２．９４ｅＶである。これらのＭｇ組成比
ｐ＝０．０９およびＳ組成比ｑ＝０．１８を有するｎ型
Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３およびｐ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層７はＧａＡｓと格
子整合する。また、活性層５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃ
ｄz Ｓｅ量子井戸層のＣｄ組成比ｚは例えば０．１９で
あり、そのときのバンドギャップＥg は７７Ｋで約２．
５４ｅＶである。この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓ
ｅ1-q クラッド層３およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層７と活性層５を構成するｉ型Ｚｎ1-z Ｃ
ｄz Ｓｅ量子井戸層との間のバンドギャップＥg の差Δ
Ｅg は０．４０ｅＶである。なお、室温でのバンドギャ
ップＥg の値は、７７ＫでのバンドギャップＥg の値か
ら０．１ｅＶを引くことにより求めることができる。
【００２９】この場合、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q クラッド層３の厚さは例えば１．５μｍであり、不
純物濃度はＮD −ＮA （ＮD ：ドナー濃度、ＮA ：アク
セプタ濃度）で例えば５×１０17ｃｍ-3である。ｎ型Ｚ
ｎＳｅ光導波層４の厚さは例えば８０ｎｍであり、不純
物濃度はＮD −ＮA で例えば５×１０17ｃｍ-3である。
また、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層６の厚さは例えば８０ｎｍ
であり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば５×１０17ｃ
ｍ-3である。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層７の厚さは例えば０．８μｍであり、不純物濃度はＮ
A −ＮD で例えば２×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳ
v Ｓｅ1-v 層８の厚さは例えば０．８μｍであり、不純
物濃度はＮA −ＮD で例えば８×１０17ｃｍ-3である。
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９の厚さは例えば４５ｎｍで
あり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば８×１０17ｃｍ
-3である。
1-q クラッド層３の厚さは例えば１．５μｍであり、不
純物濃度はＮD −ＮA （ＮD ：ドナー濃度、ＮA ：アク
セプタ濃度）で例えば５×１０17ｃｍ-3である。ｎ型Ｚ
ｎＳｅ光導波層４の厚さは例えば８０ｎｍであり、不純
物濃度はＮD −ＮA で例えば５×１０17ｃｍ-3である。
また、ｐ型ＺｎＳｅ光導波層６の厚さは例えば８０ｎｍ
であり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば５×１０17ｃ
ｍ-3である。ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド
層７の厚さは例えば０．８μｍであり、不純物濃度はＮ
A −ＮD で例えば２×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＺｎＳ
v Ｓｅ1-v 層８の厚さは例えば０．８μｍであり、不純
物濃度はＮA −ＮD で例えば８×１０17ｃｍ-3である。
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９の厚さは例えば４５ｎｍで
あり、不純物濃度はＮA −ＮD で例えば８×１０17ｃｍ
-3である。
【００３０】また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２の厚さ
は、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの間にはわずかではあるが格
子不整合が存在することから、この格子不整合に起因し
てこのｎ型ＺｎＳｅバッファ層２およびその上の各層の
エピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止するた
めに、ＺｎＳｅの臨界膜厚（〜１００ｎｍ）よりも十分
に小さく選ばれるが、この実施例においては例えば３３
ｎｍである。
は、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの間にはわずかではあるが格
子不整合が存在することから、この格子不整合に起因し
てこのｎ型ＺｎＳｅバッファ層２およびその上の各層の
エピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止するた
めに、ＺｎＳｅの臨界膜厚（〜１００ｎｍ）よりも十分
に小さく選ばれるが、この実施例においては例えば３３
ｎｍである。
【００３１】以上のように、この実施例によれば、ｐ型
ＺｎＳｅ光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-pＭｇp Ｓq Ｓｅ1-q
クラッド層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８およびｐ型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層９のエピタキシャル成長を金属アミ
ノ化合物を用いたＭＡＣＶＤ法により行っているので、
これらの層のＮ濃度を十分に高くすることができ、従っ
てこれらの層を低抵抗とすることができる。しかも、こ
れらの層の成長はＭＡＣＶＤ法により高い生産性で行う
ことができる。また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型
Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３、ｎ型ＺｎＳ
ｅ光導波層４およびｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層
から成る活性層５のエピタキシャル成長も、通常のＭＯ
ＣＶＤ法により高い生産性で行うことができる。
ＺｎＳｅ光導波層６、ｐ型Ｚｎ1-pＭｇp Ｓq Ｓｅ1-q
クラッド層７、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層８およびｐ型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層９のエピタキシャル成長を金属アミ
ノ化合物を用いたＭＡＣＶＤ法により行っているので、
これらの層のＮ濃度を十分に高くすることができ、従っ
てこれらの層を低抵抗とすることができる。しかも、こ
れらの層の成長はＭＡＣＶＤ法により高い生産性で行う
ことができる。また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型
Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層３、ｎ型ＺｎＳ
ｅ光導波層４およびｉ型Ｚｎ1-z Ｃｄz Ｓｅ量子井戸層
から成る活性層５のエピタキシャル成長も、通常のＭＯ
ＣＶＤ法により高い生産性で行うことができる。
【００３２】以上により、例えば室温において波長５２
３．５ｎｍで連続発振可能な緑色発光でしかも低しきい
値電流密度のＳＣＨ構造を有する半導体レーザーを高い
生産性で製造することができる。
３．５ｎｍで連続発振可能な緑色発光でしかも低しきい
値電流密度のＳＣＨ構造を有する半導体レーザーを高い
生産性で製造することができる。
【００３３】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【００３４】例えば、上述の実施例において用いられて
いるｎ型ＺｎＳｅ光導波層４およびｐ型ＺｎＳｅ光導波
層６の代わりにｉ型ＺｎＳｅ光導波層を用いてもよい。
さらに、格子整合をとる見地からは、これらのｎ型Ｚｎ
Ｓｅ光導波層４およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層６の代わり
に、特にｕ＝０．０６のｎ型ＺｎＳu Ｓｅ1-u 層および
ｐ型ＺｎＳu Ｓｅ1-u 層あるいはｉ型ＺｎＳu Ｓｅ1-u
層を用いるのが望ましい。
いるｎ型ＺｎＳｅ光導波層４およびｐ型ＺｎＳｅ光導波
層６の代わりにｉ型ＺｎＳｅ光導波層を用いてもよい。
さらに、格子整合をとる見地からは、これらのｎ型Ｚｎ
Ｓｅ光導波層４およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層６の代わり
に、特にｕ＝０．０６のｎ型ＺｎＳu Ｓｅ1-u 層および
ｐ型ＺｎＳu Ｓｅ1-u 層あるいはｉ型ＺｎＳu Ｓｅ1-u
層を用いるのが望ましい。
【００３５】また、上述の実施例においては、化合物半
導体基板としてＧａＡｓ基板を用いているが、この化合
物半導体基板としては、例えばＧａＰ基板などを用いて
もよい。
導体基板としてＧａＡｓ基板を用いているが、この化合
物半導体基板としては、例えばＧａＰ基板などを用いて
もよい。
【００３６】さらにまた、上述の実施例においては、Ｓ
ＣＨ構造を有する半導体レーザーの製造にこの発明を適
用した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ構造
（Double Heterostructure）を有する半導体レーザーの
製造に適用することも可能である。
ＣＨ構造を有する半導体レーザーの製造にこの発明を適
用した場合について説明したが、この発明は、ＤＨ構造
（Double Heterostructure）を有する半導体レーザーの
製造に適用することも可能である。
【００３７】また、上述の実施例においては、ＺｎＭｇ
ＳＳｅ系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた
半導体レーザーの製造にこの発明を適用した場合につい
て説明したが、ＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体以外のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体をクラッド層の材料として用い
た半導体レーザーの製造にもこの発明を適用することが
可能である。さらには、この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体を用いた発光ダイオードの製造に適用すること
も可能であり、これらの発光素子以外のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体を用いた各種の素子の製造に適用することも
可能である。
ＳＳｅ系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた
半導体レーザーの製造にこの発明を適用した場合につい
て説明したが、ＺｎＭｇＳＳｅ系化合物半導体以外のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体をクラッド層の材料として用い
た半導体レーザーの製造にもこの発明を適用することが
可能である。さらには、この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体を用いた発光ダイオードの製造に適用すること
も可能であり、これらの発光素子以外のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体を用いた各種の素子の製造に適用することも
可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、十分に高濃度の窒素を不純物として含む低抵抗のｐ
型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を高い生産性で行
うことができる。
ば、十分に高濃度の窒素を不純物として含む低抵抗のｐ
型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長を高い生産性で行
うことができる。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザーの製
造方法により製造される半導体レーザーの共振器長方向
に垂直な断面図である。
造方法により製造される半導体レーザーの共振器長方向
に垂直な断面図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体レーザーの製
造方法により製造される半導体レーザーの共振器長方向
に平行な断面図である。
造方法により製造される半導体レーザーの共振器長方向
に平行な断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ３ ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層 ４ ｎ型ＺｎＳｅ光導波層 ５ 活性層 ６ ｐ型ＺｎＳｅ光導波層 ７ ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層 ８ ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層 ９ ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層 １０ 絶縁層 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極
Claims (5)
- 【請求項１】 成長を行うべきＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体を構成するＩＩ族元素およびＶＩ族元素のうちの少な
くとも一方と窒素との結合を含む第１の化合物および／
または上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を構成するＩＩ族
元素およびＶＩ族元素のうちの少なくとも他方を含む第
２の化合物を原料として用いて気相成長を行うようにし
たＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項２】 上記第１の化合物は上記ＩＩ族元素と上
記窒素との結合を含むアミノ化合物であることを特徴と
する請求項１記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方
法。 - 【請求項３】 上記第２の化合物は上記ＶＩ族元素と上
記窒素との結合を含むアミノ化合物であることを特徴と
する請求項１または２記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の成長方法。 - 【請求項４】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は上記窒
素を不純物として含むｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
であることを特徴とする請求項１、２または３記載のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。 - 【請求項５】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体はＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅまたはＺｎＭ
ｇＳＳｅであることを特徴とする請求項１、２、３また
は４記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231793A JPH0750267A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231793A JPH0750267A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750267A true JPH0750267A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16620551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21231793A Pending JPH0750267A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750267A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7587695B2 (en) | 2001-12-10 | 2009-09-08 | Mentor Graphics Corporation | Protection boundaries in a parallel printed circuit board design environment |
-
1993
- 1993-08-04 JP JP21231793A patent/JPH0750267A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7587695B2 (en) | 2001-12-10 | 2009-09-08 | Mentor Graphics Corporation | Protection boundaries in a parallel printed circuit board design environment |
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