JPH074980B2 - ディスクへの記録再生方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光情報記録ディスクへの記録再生方法に係
り、特にコンパクトディスク系に使用されるヒートモー
ドによる追記型光情報記録ディスクを用いた記録再生方
法に関する。

従来の技術 文字、図形等の画像あるいは音声等のデータを記録し、
再生する手段としてCD、CD−ROM、CD−Ｉ、CD−Ｖ等の
コンパクトディスク系光情報記録ディスクが使用されて
いる。

しかし、これらのコンパクトディスクは、ユーザ側で記
録することができない再生専用の光情報記録ディスクで
ある。

これを改善するために、CDフォーマット信号、CD−ROM
フォーマット信号等の記録を行うことができる追記型又
は書換え可能な光情報記録ディスクの研究が行われてお
り、一部実用化されている。これらには、 カー効果を利用した光磁気ディスク Teなどを含む無機系の材料を記録層として記録する
光で結晶−非結晶質転移を生じる相変化型、記録する光
でバブルを形成するバブル形成型、記録する光で穴を形
成する穴形成型 シアニンなどの有機色素を記録層として記録する光
を照射することにより穴を形成する穴形成型 などがある。

この中で、光磁気ディスクは、カー効果を利用し、反射
光のカー回転角からピットの有無を判別するものであ
る。これは書き換えができるという特長はあるものの、
現行のCD系とは記録・再生方式が異なるため、専用の記
録・再生システムを使用しなければならないという問題
点がある。

また、の無機系の記録材料の場合、線速度を上げて記
録ピット長さを大きくしないと十分な特性を得ることが
できず、現行のCD規格である1.2〜1.4m/sec内の線速度
でCDフォーマット、CD−ROMフォーマットの信号を記録
・再生することは困難である。

また、の有機色素を記録材料にするものでは、のよ
うな走査線速度の問題はなく、特にシアニン色素はスピ
ンコート法という生産性の高い方法が適用できること、
耐酸化性に優れること、熱伝導性が低いので局所的加熱
ができること等の優れた点があり、特に半導体レーザの
波長域に高い吸収性、反射性を示すことから注目されて
いる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来のシアニン色素系記録層をプラスチ
ック基板上に有する光記録情報ディスクにおいては、75
0〜810nmの半導体レーザに対し、基板入射反射率（プラ
スチック基板側から再生レーザ光を照射して得られる光
情報記録ディスクの絶対反射率）を30％以上にした材料
を使用した例は知られていない。

例えば、反射率が高いことで一般に良く知られている一
般式〔II〕 （ただしR₂、R₂′はアルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルヒドロキシ基又はアルキルカルボキシシル基、X₂ ^-は
ハロゲン原子、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、トルエン
スルホン酸又はアルキルスルホン酸等の陰イオンを表
す。） で示され、その代表例であるR₂、R₂′:C₂H₅、X₂ ^-:I^-で
あるシアニン色素を用いて記録層をプラスチック基板
（屈折率1.5）上に設けた光情報記録ディスクの最大基
板入射反射率（色素層の膜厚を最適化して得られる反射
率の最大値）の波長依存性をみると、第４図に示すよう
になる。この第４図からわかるように、従来高反射率で
あると言われてきたシアニン色素を用いた光情報記録デ
ィスクも半導体レーザ波長域750〜810nmでは極大ピーク
（波長880nm）の約半分の反射率になってしまう。

一方、シアニン色素の最大吸収波長はメチン鎖の長さに
依存して変化することが知られており、最大基板入射反
射率の波長依存性も最大吸収波長の変化に伴って変化す
ると考えられる。そこで、メチン鎖がペンタメチン（
CH＝CH₂CH＝）からなるインドジカーボシアニン色素
の代表例である を用いた記録層をプラスチック基板上に設けた光情報記
録ディスクを作成し、その最大基板入射反射率の波長依
存性を調べたところ第５図に示すとおりであった。この
第５図からわかるように、メチン鎖を短くすると最大基
板入射反射率の極大ピークは短波長側に移るが、750〜8
10nmの半導体レーザ波長域の反射率は向上しない。

いずれの場合でも、このように反射率が低いと、フォー
カスサーボ、トラッキングサーボが正常に作動せず、光
学系、電気系に変更を加えられることなく記録した光情
報記録ディスクを一般のCDプレーヤー、CD−ROMプレー
ヤー等では再生することができない。

このように、上記〜のもののみらず、のものでも
専用の再生装置でなければ再生することができず、一般
のCDプレーヤーで再生できるCDとの再生互換性をもつこ
とができないために一般用には使用できず、用途が限ら
れるという問題点があった。

本発明の目的は、シアニン色素を用いて750〜810nmの半
導体レーザ波長域で最大基板入射反射率を例えば38％以
上にすることができ、一般のCDプレーヤーで再生するこ
とができる光情報記録ディスクを用い、750〜810nmのレ
ーザにより記録・再生を行うことができる光情報記録デ
ィスクへの記録再生方法を提供するものである。

課題を解決するための手段 本発明は、上記課題を解決するために、750〜810nmの波
長で38％以上の最大基板入射反射率が得られ、640〜720
nmの波長において最大吸収波長が得られる下記一般式
〔Ｉ〕で表されるインドレニン系シアニンを含有する記
録層を基板上に有する光情報記録ディスクを用い、基板
側から750〜810nmの波長のレーザ光を照射して記録を行
い、750〜810nmの波長のレーザ光を照射して再生を行う
ことを特徴とする光情報記録ディスクへの記録再生方法
を提供するものである。

（ただし、Ａ、Ａ′は置換ベンゼン環又はナフタレン環
を示し、 R₁、R₁′はアルキル基又はアルカリ金属イオン若しくは
アルキル基と結合したアルキルスルホン酸基を示し、 X₁ ^-はハロゲン原子、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸の陰イオンを表
し、R₁、R₁′がアルカリ金属イオンと結合した基を有す
るときはX₁ ^-は存在しなくとも良く、 Ｂはペンタメチン（CH＝CH₂CH＝）又は置換ペンタ
メチンであり、また、複数の炭素間にわたる環状側鎖を
有していても良い。） 次に本発明を詳細に説明する。

本発明者らは、インドレニン系シアニンの２×10^-5mol/
ジメチルホルムアミド溶液に対する分光光度計による
最大吸収波長と、このシアニン色素を用いて記録層をプ
ラスチック基板に形成した光情報記録ディスクの最大基
板入射反射率を最大にする波長との間には第２図に示す
ように良い相関があることを見出した。これから、750
〜810nmのレーザ波長域において最大基板入射反射率を
得るためには、上記溶液の最大吸収波長が640〜720nmの
範囲にあれば良いことがわかる。

一方、本発明者らはペンタメチンや置換ペンタメチンか
らなるインドレニン系ジカーボシアニンにおいて、置換
基Ａ、Ａ′を変化させることによって最大吸収波長が第
３図のように変化することを見出した。

従って、これらの第２図、第３図からすると、適切な置
換基Ａ、Ａ′を選定して、この置換基Ａ、Ａ′を有する
インドレニン系ジカーボシアニンの２×10^-5mol/ジメ
チルホルムアミド溶液に対する最大吸収波長を640〜720
nmの範囲に入るようにすれば、750〜810nmの半導体レー
ザ波長域で最大基板入射反射率を有する光情報記録ディ
スクを作成することがわかり、これを用いて750〜810nm
の半導体レーザによる記録・再生を行うことができるこ
とがわかる。

このようにして得られた光情報記録ディスクの最大基板
入射反射率の波長依存性は例えば第１図のように示され
る。これから、750〜810nmの半導体レーザ波長域で30％
以上の最大基板入射反射率が得られることがわかる。

このような置換基Ａ、Ａ′としては、置換ベンゼン環又
はナフタレン環が挙げられ、置換基としてはアルキル
基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハ
ロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、アル
キルアルコキシ基、アラルキル基、アルキルカルボニル
基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル基、ニ
トロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール基、フ
ェニルエチレン基さらには また、これらの各置換基を有するインドレニン系シアニ
ンを複数組み合わせたものも使用でき、例えばそれらの
物質の置換基Ａ、Ａ′としては次のものが例示できる。

また、上記一般式〔Ｉ〕のＢの環状側鎖としてはペンタ
メチン鎖の複数炭素間、例えば第２、第４炭素間に結合
し、例えば４員環、５員環、６員環を形成する炭素その
他の原子からなる結合鎖が挙げられ、Ｂは置換基を有し
ていても良い。この置換基にはハロゲン原子、ジフェニ
ルアミノ基、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ
等の低級アルコキシ基）、アルキル基（例えばメチル、
エチル等の低級アルキル基）などが挙げられる。

具体的には後述の実施例に挙げられるもののほか例えば
次のものが例示できる。

なお、これらの合成法としては、The Chemistry of Syn
thetic Dyes Vol 4に記載されているものを利用でき
る。

本発明に係わる光情報記録ディスクを製造するには、上
記一般式［Ｉ］で示されるインドレニン系シアニンを溶
解した色素溶液を調製し、これを基板に塗布するが、こ
の色素溶液にはクロロホルム、ジクロロエタン、メチル
エチルケトン、ジメチルホルムアミド、メタノール、ト
ルエン、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、メチル
セロソルブ等のセロソルブ類、ジオキサン等を用いるこ
とができる。この場合のシアニン色素の混合割合は１％
〜10％が好ましい。

また、本発明において用いられる基板にはガラス、エポ
キシ樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が使用できる。

また、上記シアニン色素溶液を基板に塗布するにはスピ
ンコート法を用いることが好ましい。この場合乾燥後の
塗布層の厚さは従来用いられるものが適用できる。

また、本発明において塗布される記録層には一重項酸素
クエンチャー、光吸収剤等の他の化合物を含んでいても
良い。

実施例 次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する。

実施例１ 内径46mmφ〜外径117mmφの範囲に幅0.6μｍ、深さ0.07
μｍ、1.6μｍのピッチのスパイラル状のプリグルーブ
が形成されている1.2mm厚さ、外径120mmφ、内径15mmφ
のポリメチルメタクリレート基板上に、1,1′ジブチル
3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′ジベンゾインジカ
ーボシアニンパークロレート（日本感光色素研究所製商
品番号NK3219×10^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液の
分光光度計による最大吸収波長686nm、最大基板入射反
射率の波長780nm） 0.45gを2-ニトロプロパン10ccに溶解し、スピンコート
法により塗布した。得られた色素層の厚さは700Åであ
った。

このようにして作製した光情報記録ディスクに780nmの
半導体レーザを用いて1.2m/sの線速度、3.0mWの記録パ
ワーにてEFM信号を記録した。

この光情報記録ディスクを市販のCDプレーヤー（Aurex
XR-V73）で再生して得られた再生波形は第６図に示すと
おりであった。

Ｉ_11/Itopは、0.7、I₃/Itopは0.45であった。なお、市
販のCDを上記CDプレーヤーで再生したときの再生信号の
パターンを第７図に示す。CD規格ではＩ_11/Itop≧0.6、
I₃/Itop≧0.3〜0.6と定められており本実施例のものは
この規格に合格していることを示す。

なお、基板側から入射した780nm半導体レーザの反射率
（反射率高いと再生が容易）は44％であった。

なお、1,1′ジメチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,
5′ジベンゾインドジカーボトルシアニンアイオダイド
（日本感光色素研究所製商品番号NK2929で２×10^-5mol/
ジメチルホルムアミド溶液の分光光度計による最大吸
収波長686nm、最大基板入射反射率の波長780nm） 0.6gをジメチルホルムアミド10ccに溶解し、エポキシ樹
脂基板上に上記と同様に塗布して光情報記録ディスクを
作製し、記録パワーを4.4mWにして上記と同様に記録を
行ない、上記と同様に再生したところ、実施例１と同様
に規格に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は45％で
あった。

また、1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル10-クロ
ロ9,11エチレン4,5,4′,5′ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレート（２×10^-5mol/ジメチルホルム
アミド溶液の分光光度計による最大吸収波長686nm、最
大基板入射反射率の波長780nm） 0.4gを1.2-ジクロロエタン10ccに溶解し、エポキシ樹脂
基板上に上記と同様に塗布して光情報記録ディスクを作
製し、記録パワーを4.5mWで上記と同様に記録を行な
い、上記と同様に再生したところ、実施例１と同様に規
格に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は42％で
あった。

実施例２ 1,1′ジプロピル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ビス（1
-フェニル２エチレン）ジカーボシアニントルエンスル
ホネート（２×10^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液の
分光光度計による最大吸収波長678nm、最大基板入射反
射率の波長772nm） 0.5gをベンジルアルコール10ccに溶解し、実施例１と同
様に塗布して500Åの記録層を有する光情報記録ディス
クを作製した。

この得られた光情報記録ディスクに記録パワーを4.5mW
とした以外は実施例１と同様に記録し、実施例１と同様
の市販のCDプレーヤーで再生したところ、実施例１と同
様に規格に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は44％で
あった。

実施例３ 1,1′ジブチル3,3,5,3′,3′,5′ヘキサメチルインドジ
カーボシアニンフルオロボレート（２×10^-5mol/ジメ
チルホルムアミド溶液の分光光度計による最大吸収波長
646nm、最大基板入射反射率の波長755nm） 0.5gをエタノール10ccに溶解し、実施例１と同様に塗布
して光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レー
ザを使用し、記録パワーを5.2mWにした以外は実施例１
と同様にして記録を行ない、実施例１と同様に再生した
ところ、実施例１と同様に規格に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は42％で
あった。

なお、1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジt
-ブチルインドジカーボシアニンパークロレート（２×1
0^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液の分光光度計によ
る最大吸収波長648nm、最大基板入射反射率の波長750n
m） 0.5gをブタノールに溶解し、実施例１と同様に塗布して
光情報記録ディスクを作製し、記録パワーを4.9mWで上
記と同様に記録したところ、実施例１と同様に合格して
いた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は45％で
あった。

実施例４ 1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジニトロ
インドジカーボシアニンパークロレート（２×10^-5mol/
ジメチルホルムアミド溶液の分光光度計による最大吸
収波長668nm、最大基板入射反射率の波長762nm） 0.5gをエタノール10ccに溶解し、実施例１と同様に塗布
して光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レー
ザを用い、記録パワーを5.2mWにした以外は実施例１と
同様に記録し、実施例１と同様に再生したところ、実施
例１と同様に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は38％で
あった。

なお、1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル5,6,5′,
6′テトラニトロインドジカーボシアニンフルオロボレ
ート（２×10^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液の分光
光度計による最大吸収波長685nm、最大基板入射反射率
の波長780nm） 0.5gをエタノールに溶解し、実施例１と同様に塗布して
光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レーザを
用い、記録パワーを4.8mWにした以外は実施例１と同様
に記録し、実施例１と同様に再生したところ、実施例１
と同様に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は40％で
あった。

実施例５ 1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジメトキ
シインドジカーボシアニンパークロレート（２×10^-5mo
l/ジメチルホルムアミド溶液の分光光度計による最大
吸収波長676nm、最大基板入射反射率の波長675nm） 0.5gをエタノール10ccに溶解し、実施例１と同様に塗布
して光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レー
ザを用い、記録パワーを4.9mWにした以外は実施例１と
同様に記録し、実施例１と同様に再生したところ、実施
例１と同様に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は45％で
あった。

なお、1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル5,6,5′
６′テトラメトキシインドジカーボシアニンパークロレ
ート（２×10^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液の分光
光度計による最大吸収波長700nm、最大基板入射反射率
の波長795nm） 0.5gをエタノールに溶解し、実施例１と同様に塗布して
光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レーザを
用い、記録パワーを4.5mWにした以外は実施例１と同様
に記録し、実施例１と同様に再生したところ、実施例１
と同様に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は44％で
あった。

実施例６ 1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジアミノ
インドジカーボシアニンパークロレート（２×10^-5mol/
ジメチルホルムアミド溶液の分光光度計による最大吸
収波長690nm、最大基板入射反射率の波長785nm） 0.5gをエタノール10ccに溶解し、実施例１と同様に塗布
して光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レー
ザを用い、記録パワーを3.5mWにした以外は実施例と同
様に記録し、実施例１と同様に再生したところ、実施例
１と同様に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は38％で
あった。

なお、1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ビ
ス（ジメタノ−ルアミン）インドジカーボシアニンパー
クロレート（２×10^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液
の分光光度計による最大吸収波長702nm、最大基板入射
反射率の波長795nm） 0.5gをエタノールに溶解し、実施例１と同様に塗布して
光情報記録ディスクを作製し、790nmの半導体レーザを
用い、記録パワーを4.3mWにした以外は実施例１と同様
に記録し、実施例１と同様に再生したところ、実施例１
と同様に合格していた。

なお、基板側から入射した上記レーザの反射率は41％で
あった。

比較例１ 1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチルトリカーボシア
ニンパークロレート（日本感光色素研究所製商品番号NK
2885で２×10^-5mol/ジメチルホルムアミド溶液の分光
光度計による最大吸収波長750nm、最大基板入射反射率
の波長880nm） 0.5gを2-ニトロプロパン10ccに溶解し、実施例１と同様
に塗布して光情報記録ディスクを作製した。得られた色
素層の厚さは750Åであった。

このようにして作製した光情報記録ディスク780nmの半
導体レーザを用いて1.2m/sの線速度、2.2mWの記録パワ
ーにてEFM信号を記録した。

この光情報記録ディスクを実施例１と同様に市販のCDプ
レーヤー（Aurex XR-V73）で再生したところ、再生不可
能であった。

なお、比較のため、実施例１で使用のCDプレーヤーのレ
ーザパワーを通常の1.3倍に調整し、再生したときの再
生波形を実施例１のものについては第８図、比較例のも
のについては第９図に示した。実施例のものは比較例の
ものに比べ、Itopが1.7倍あり、高反射率であることが
わかる。

比較例２ 1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチルインドトリカー
ボシアニンアイオダイドを２−ニトロプロパンに溶解し
て用い、膜厚を450Åとしたこと以外は実施例１と同様
にして光情報記録ディスクを作製した。この光記録媒体
の基板側から入射した上記レーザーの反射率は28％であ
った。

次に実用性試験を行った。

上記実施例及び比較例で得た光情報記録ディスクの上記
反射率がCDプレーヤーにて十分かどうか各反射率の場合
の市販の各社CDプレーヤー22機種に於いての再生可能な
機種はいくつあるか（再生可能率（プレーヤビリティ
ー））を調べた。

試験に用いたCDプレーヤーは以下のとおりである。

ソニー社製 CDP-101、CDP-502ES、CDP-570、CDP-338ESD、CFP-D70 松下電器産業社製 SL-PA10（Panasonic）、SL-120（Technics）、SL-333
（Technics）、SL-500（Technics）、SL-770（Technic
s）、SL-1200（Technics）、SL-X845（Technics） パイオニア社製 PD-535、PD-4700 ヤマハ社製 CD-1000 日本コロムビア社製 DCD-1650G ケンウッド社製 DP-8010 日本電気社製 CD-410、CD-430 日本ビクター社製 XL-V501 日本マランツ社製 CD-34 シャープ社製 QT-35CD 評価方法としては、フォーカスサーボ及びトラッキング
サーボが作動し、TOC情報の読み出しが可能で、なおか
つ記録された情報が実際に再生できた光情報記録ディス
クを「再生可能」とした。

そして、「再生可能」と評価したCDプレーヤーの機種の
その総数に対する割合を「再生可能率（プレーヤービリ
ティ）（％）」とした。

上記結果から、本発明による光情報記録ディスクは従来
のものに比較して「再生可能率」の点で顕著な相違とな
ることがわかる。この相違は、従来の光情報記録ディス
クではCDプレーヤーではほとんど再生不可能であるのに
対し、本発明では再生可能な機種が例えば少なくとも２
割近くあるという実用上の格段の効果の相違となる。

発明の効果 本発明によれば、上記一般式〔Ｉ〕のシアニン色素を用
いた記録層を有するコンパクトディスク系光情報記録デ
ィスクを用いて、750〜810nmの半導体レーザにより記録
・再生を行うことができるので、その再生の際の反射率
を38％以上に高くすることができ、これにより再生信号
の大きい十分な出力が得られる。このため従来の光学
系、電気系に厳しい精度や変更を求めることなく十分な
性能を得ることができる。

このようにして有機色素を用いる従来と同様な簡便な方
法で光情報記録ディスクを作製することができ、しかも
高反射率の再生専用ディスクと同じように簡易な市販の
一般のCDプレーヤーで再生できる機種を例えば少なくと
も２割近くにすることができ、汎用性を持たせて実用性
を高めた光情報記録ディスクに対する記録・再生方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる光情報記録ディスクの反射率と
波長の関係を示すグラフ、第２図はシアニン色素溶液の
最大吸収波長とこの色素を使用した光情報記録ディスク
の最大基板入射反射率との関係を示すグラフ、第３図は
上記一般式〔Ｉ〕の置換ベンゼン環Ａ、Ａ′の置換基を
変化させたときのシアニン色素溶液の最大吸収波長の変
化を示すグラフ、第４図は従来知られているシアニン色
素を使用した光情報記録ディスクの最大基板入射反射率
の波長依存性を示すグラフ、第５図は従来知られている
他のシアニン色素を使用した光情報記録ディスクの最大
基板入射反射率の波長依存性を示すグラフ、第６図は本
発明の一実施例の光情報記録ディスクの市販のCDプレー
ヤーによる再生波形を示すオシログラフ、第７図は市販
のCDプレーヤーによる再生信号のパターンを示すグラ
フ、第８図はレーザパワーを上げて第６図の場合と同様
に測定した再生波形のオシログラフ、第９図は比較例の
光情報記録ディスクの第８図の場合と同様に測定したオ
シログラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜田 恵美子 東京都台東区上野１丁目２番12号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−85791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−214994（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−230891（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−47295（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】750〜810nmの波長で38％以上の最大基板入
   射反射率が得られ、640〜720nmの波長において最大吸収
   波長が得られる下記一般式〔Ｉ〕で表されるインドレニ
   ン系シアニンを含有する記録層を基板上に有する光情報
   記録ディスクを用い、基板側から750〜810nmの波長のレ
   ーザ光を照射して記録を行い、750〜810nmの波長のレー
   ザ光を照射して再生を行うことを特徴とする光情報記録
   ディスクへの記録再生方法。 （ただし、Ａ、Ａ′は置換ベンゼン環又はナフタレン環
   を示し、 R₁、R₁′はアルキル基又はアルカリ金属イオン若しくは
   アルキル基と結合したアルキルスルホン酸基を示し、 X₁ ^-はハロゲン原子、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ベ
   ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸の陰イオンを表
   し、R₁、R₁′がアルカリ金属イオンと結合した基を有す
   るときはX₁ ^-は存在しなくとも良く、 Ｂはペンタメチン（（CH＝CH）₂CH＝）又は置換ペンタ
   メチンであり、また、複数の炭素間にわたる環状側鎖を
   有していても良い。）