JPH0748572A - 高分子強誘電性液晶組成物 - Google Patents
高分子強誘電性液晶組成物Info
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- JPH0748572A JPH0748572A JP19376393A JP19376393A JPH0748572A JP H0748572 A JPH0748572 A JP H0748572A JP 19376393 A JP19376393 A JP 19376393A JP 19376393 A JP19376393 A JP 19376393A JP H0748572 A JPH0748572 A JP H0748572A
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- polymer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式（Ａ）
【化１】
（式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍは１または２
を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ*は不斉炭素
を表す。）で表される繰り返し単位からなる高分子強誘
電性液晶と、下記一般式（Ｂ） 【化２】 （式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍおよびｐは独
立してそれぞれ１または２を表し、Ｒは炭素数４から１
４の分岐したアルキル基もしくはアルコキシル基を表
し、Ｘは−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を表す。）で表さ
れる化合物を含有し、キラルスメクチックＣ相を示す高
分子強誘電性液晶組成物。 【効果】 本発明の高分子液晶組成物は、自発分極の大
きな２−メチルアルカノイル基をもつ高分子強誘電性液
晶を相分離することなく含有し、キラルスメクチックＣ
相を安定に発現する。従って、大画面液晶表示素子、記
憶素子など種々のデバイスに好適に利用することができ
る。
を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ*は不斉炭素
を表す。）で表される繰り返し単位からなる高分子強誘
電性液晶と、下記一般式（Ｂ） 【化２】 （式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍおよびｐは独
立してそれぞれ１または２を表し、Ｒは炭素数４から１
４の分岐したアルキル基もしくはアルコキシル基を表
し、Ｘは−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を表す。）で表さ
れる化合物を含有し、キラルスメクチックＣ相を示す高
分子強誘電性液晶組成物。 【効果】 本発明の高分子液晶組成物は、自発分極の大
きな２−メチルアルカノイル基をもつ高分子強誘電性液
晶を相分離することなく含有し、キラルスメクチックＣ
相を安定に発現する。従って、大画面液晶表示素子、記
憶素子など種々のデバイスに好適に利用することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高分子液晶を含有する強
誘電性液晶組成物に関する。
誘電性液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ネマチック液晶を用いた液晶表示素子は
すでに広く使われているが、応答速度が遅く、大容量の
時分割駆動ができないなどの欠点を有しているため、高
画質を得るためには薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のス
イッチング素子を用いる必要がある。これに代わる液晶
材料として、強誘電性液晶が盛んに研究されてきたが、
配向性に問題があり、大面積表示への適応は困難であっ
た。配向性を改善する目的で高分子液晶を表示材料とし
て用いる研究も盛んに行われてきたが、応答速度、相系
列が不充分で、これらの改善が要望されていた。そこ
で、応答速度を大きくするために、２−メチルアルカノ
イル基を有する自発分極の大きな高分子強誘電性液晶が
提案されている（特開平４−１３４０５０号公報）。ま
た、応答速度、相系列を改善するために、高分子液晶性
化合物と低分子液晶性化合物を混合してなる液晶組成物
が提案されている（特開昭６３−２８４２９号公報）。
すでに広く使われているが、応答速度が遅く、大容量の
時分割駆動ができないなどの欠点を有しているため、高
画質を得るためには薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のス
イッチング素子を用いる必要がある。これに代わる液晶
材料として、強誘電性液晶が盛んに研究されてきたが、
配向性に問題があり、大面積表示への適応は困難であっ
た。配向性を改善する目的で高分子液晶を表示材料とし
て用いる研究も盛んに行われてきたが、応答速度、相系
列が不充分で、これらの改善が要望されていた。そこ
で、応答速度を大きくするために、２−メチルアルカノ
イル基を有する自発分極の大きな高分子強誘電性液晶が
提案されている（特開平４−１３４０５０号公報）。ま
た、応答速度、相系列を改善するために、高分子液晶性
化合物と低分子液晶性化合物を混合してなる液晶組成物
が提案されている（特開昭６３−２８４２９号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶組成物においては、高分子液晶と低分子液晶性化合
物との相溶性に問題があり、また、アルカノイル基のよ
うな極性の強い基を有する高分子強誘電性液晶を含有し
ていても、キラルスメクチックＣ相が消失してしまうと
いう問題があった。
液晶組成物においては、高分子液晶と低分子液晶性化合
物との相溶性に問題があり、また、アルカノイル基のよ
うな極性の強い基を有する高分子強誘電性液晶を含有し
ていても、キラルスメクチックＣ相が消失してしまうと
いう問題があった。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、２−メチルアルカノイル基を有する自発分極の大き
な高分子強誘電性液晶と低分子液晶性化合物との相溶性
が優れており、キラルスメクチックＣ相が消失すること
がない高分子強誘電性液晶組成物を提供することを目的
とする。
で、２−メチルアルカノイル基を有する自発分極の大き
な高分子強誘電性液晶と低分子液晶性化合物との相溶性
が優れており、キラルスメクチックＣ相が消失すること
がない高分子強誘電性液晶組成物を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために検討を重ねた結果、２−メチルアルカ
ノイル基を有する自発分極の大きな高分子強誘電性液晶
との相溶性に優れ、広い温度範囲でキラルスメクチック
Ｃ相を呈する高分子強誘電性液晶組成物を得ることが可
能な低分子液晶性化合物を見いだした。すなわち、本発
明は、下記一般式（Ａ）
を達成するために検討を重ねた結果、２−メチルアルカ
ノイル基を有する自発分極の大きな高分子強誘電性液晶
との相溶性に優れ、広い温度範囲でキラルスメクチック
Ｃ相を呈する高分子強誘電性液晶組成物を得ることが可
能な低分子液晶性化合物を見いだした。すなわち、本発
明は、下記一般式（Ａ）
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍ
は１または２を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ
*は不斉炭素を表す。）で表される繰り返し単位からな
る高分子強誘電性液晶と、下記一般式（Ｂ）
は１または２を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ
*は不斉炭素を表す。）で表される繰り返し単位からな
る高分子強誘電性液晶と、下記一般式（Ｂ）
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍ
およびｐは独立してそれぞれ１または２を表し、Ｒは炭
素数４から１４の分岐したアルキル基もしくはアルコキ
シル基を表し、Ｘは−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を表
す。）で表される化合物を含有し、キラルスメクチック
Ｃ相を示すことを特徴とする高分子強誘電性液晶組成物
を提供するものである。
およびｐは独立してそれぞれ１または２を表し、Ｒは炭
素数４から１４の分岐したアルキル基もしくはアルコキ
シル基を表し、Ｘは−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を表
す。）で表される化合物を含有し、キラルスメクチック
Ｃ相を示すことを特徴とする高分子強誘電性液晶組成物
を提供するものである。
【００１０】以下、本発明について更に詳細に説明す
る。上記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位からなる
高分子強誘電性液晶は、室温を含む広い温度範囲で液晶
性を示す高分子化合物であり、２−メチルアルカノイル
基を有するために大きな自発分極を呈するものである。
このような高分子強誘電性液晶を合成する方法として
は、例えば、反応性高分子であるポリヒドロメチルシロ
キサンに白金触媒の存在下、下記一般式（Ｃ）
る。上記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位からなる
高分子強誘電性液晶は、室温を含む広い温度範囲で液晶
性を示す高分子化合物であり、２−メチルアルカノイル
基を有するために大きな自発分極を呈するものである。
このような高分子強誘電性液晶を合成する方法として
は、例えば、反応性高分子であるポリヒドロメチルシロ
キサンに白金触媒の存在下、下記一般式（Ｃ）
【００１１】
【化５】
【００１２】（式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍ
は１または２を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ
*は不斉炭素を表す。）で表される液晶性ビニルモノマ
ーを反応させることにより、上記一般式（Ａ）で表され
る高分子強誘性液晶を得ることができる。また、得られ
る高分子強誘電性液晶の重合度は、原料として用いるポ
リヒドロメチルシロキサンの重合度で制御できる。
は１または２を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ
*は不斉炭素を表す。）で表される液晶性ビニルモノマ
ーを反応させることにより、上記一般式（Ａ）で表され
る高分子強誘性液晶を得ることができる。また、得られ
る高分子強誘電性液晶の重合度は、原料として用いるポ
リヒドロメチルシロキサンの重合度で制御できる。
【００１３】上記一般式（Ａ）において主鎖と側鎖を連
結する部分の炭素原子数ｋは、長すぎても短すぎてもそ
の液晶温度範囲を狭めることになり、通常６から１２程
度が適当である。また、芳香環の数ｍは、ｍが０では液
晶相が発現せず、３以上では液晶性発現温度が高くなり
すぎて室温で結晶化してしまうか、粘度が極めて大きく
なるため使用できないことから、ｍは１または２に限定
される。また、末端鎖の炭素原子数ｎは、高分子強誘電
性液晶の自発分極の大きさ、液晶発現温度、らせんピッ
チに関係するパラメータである。ｎが２の場合には、ら
せんピッチが長く、液晶性が高いという利点があるが、
自発分極はやや小さい。自発分極の値はｎが６程度で最
大値を示すが、その場合にはらせんピッチが短くなると
ともに、液晶相の現れる温度が低下してくる。ｎがさら
に大きくなると自発分極が低下してくるとともに、らせ
んピッチ、液晶発現温度も低下してくる。従って、実用
的液晶組成物を考えると、高分子強誘電性液晶として
は、液晶発現温度がある程度高く、相安定性に係わるら
せんピッチも長いこと、自発分極も大きいことが要望さ
れるため、ｎの上限は１０程度が適する。
結する部分の炭素原子数ｋは、長すぎても短すぎてもそ
の液晶温度範囲を狭めることになり、通常６から１２程
度が適当である。また、芳香環の数ｍは、ｍが０では液
晶相が発現せず、３以上では液晶性発現温度が高くなり
すぎて室温で結晶化してしまうか、粘度が極めて大きく
なるため使用できないことから、ｍは１または２に限定
される。また、末端鎖の炭素原子数ｎは、高分子強誘電
性液晶の自発分極の大きさ、液晶発現温度、らせんピッ
チに関係するパラメータである。ｎが２の場合には、ら
せんピッチが長く、液晶性が高いという利点があるが、
自発分極はやや小さい。自発分極の値はｎが６程度で最
大値を示すが、その場合にはらせんピッチが短くなると
ともに、液晶相の現れる温度が低下してくる。ｎがさら
に大きくなると自発分極が低下してくるとともに、らせ
んピッチ、液晶発現温度も低下してくる。従って、実用
的液晶組成物を考えると、高分子強誘電性液晶として
は、液晶発現温度がある程度高く、相安定性に係わるら
せんピッチも長いこと、自発分極も大きいことが要望さ
れるため、ｎの上限は１０程度が適する。
【００１４】上記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位
からなる高分子強誘電性液晶の代表的なものとしては、
例えば次の構造式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される高分子強誘
電性液晶などを挙げることができる。
からなる高分子強誘電性液晶の代表的なものとしては、
例えば次の構造式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される高分子強誘
電性液晶などを挙げることができる。
【００１５】
【化６】 （式中、Ｃ*は不斉炭素を表す。）
【００１６】上記構造式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される高分
子強誘電性液晶の液晶温度と自発分極の値を下記表１に
示す。
子強誘電性液晶の液晶温度と自発分極の値を下記表１に
示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】上記表１中、ＳｍＣ*はキラルスメクチッ
クＣ相を、ＳｍＡはスメクチックＡ相を表し、Ｉｓｏは
等方液体相を表す。
クＣ相を、ＳｍＡはスメクチックＡ相を表し、Ｉｓｏは
等方液体相を表す。
【００１９】次に、上記一般式（Ｂ）で表される化合物
について説明する。上記一般式（Ｂ）で表される化合物
を合成する方法としては、例えば、該当するアルコキシ
フェノールと光学活性安息香酸との脱水縮合により、目
的とする化合物を得ることができる。この化合物は、骨
格部に安息香酸フェニルエステル構造を有し、端末部に
はアルキル基またはアルコキシル基を有している。これ
らの化学構造が上記一般式（Ａ）で表される化学構造を
もつ高分子強誘電性液晶との親和性をもたらし、相溶性
とキラルスメクチックＣ相の安定性をもたらすと考えら
れる。
について説明する。上記一般式（Ｂ）で表される化合物
を合成する方法としては、例えば、該当するアルコキシ
フェノールと光学活性安息香酸との脱水縮合により、目
的とする化合物を得ることができる。この化合物は、骨
格部に安息香酸フェニルエステル構造を有し、端末部に
はアルキル基またはアルコキシル基を有している。これ
らの化学構造が上記一般式（Ａ）で表される化学構造を
もつ高分子強誘電性液晶との親和性をもたらし、相溶性
とキラルスメクチックＣ相の安定性をもたらすと考えら
れる。
【００２０】上記一般式（Ｂ）中のＲにおいて、アルキ
ル基もしくはアルコキシル基中の炭素数の上限は１４程
度が好ましい。その理由は、炭素数の増加によって、粘
度の増加、液晶性の低下および上記一般式（Ａ）で表さ
れる繰り返し単位からなる高分子強誘電性液晶との相溶
性の低下がひきおこされるからである。
ル基もしくはアルコキシル基中の炭素数の上限は１４程
度が好ましい。その理由は、炭素数の増加によって、粘
度の増加、液晶性の低下および上記一般式（Ａ）で表さ
れる繰り返し単位からなる高分子強誘電性液晶との相溶
性の低下がひきおこされるからである。
【００２１】上記一般式（Ｂ）で表される化合物として
は、例えば次の構造式（VI）〜（VIII）で表される低分
子液晶性化合物を挙げることができる。
は、例えば次の構造式（VI）〜（VIII）で表される低分
子液晶性化合物を挙げることができる。
【００２２】
【化７】
【００２３】上記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位
からなる高分子強誘電性液晶と上記一般式（Ｂ）で表さ
れる化合物を構成要素とする高分子強誘電性液晶組成物
の製造方法としては、例えば計量した上記一般式（Ａ）
で表される繰り返し単位からなる高分子強誘電性液晶と
上記一般式（Ｂ）で表される化合物をそれぞれジクロメ
タン、クロロホルム、トルエン等の溶媒に溶解して溶液
とし、これらの溶液を合わせて攪拌し均一溶液とした
後、加熱して溶媒を除去することにより目的とする高分
子強誘電性液晶組成物が得られる。
からなる高分子強誘電性液晶と上記一般式（Ｂ）で表さ
れる化合物を構成要素とする高分子強誘電性液晶組成物
の製造方法としては、例えば計量した上記一般式（Ａ）
で表される繰り返し単位からなる高分子強誘電性液晶と
上記一般式（Ｂ）で表される化合物をそれぞれジクロメ
タン、クロロホルム、トルエン等の溶媒に溶解して溶液
とし、これらの溶液を合わせて攪拌し均一溶液とした
後、加熱して溶媒を除去することにより目的とする高分
子強誘電性液晶組成物が得られる。
【００２４】このようにして得られた高分子強誘電性液
晶組成物にあっては、上記一般式（Ａ）で表される繰り
返し単位からなる高分子誘電性液晶と上記一般式（Ｂ）
で表される化合物との相溶性が優れ、自発分極の大きな
２−メチルアルカノイル基をもつ高分子強誘電性液晶を
相分離することなく含有し、かつキラルスメクチックＣ
相を安定に発現するものとなる。従って、この高分子強
誘電性液晶組成物は大画面液晶表示素子、記憶素子など
種々のデバイスに好適に利用することが可能となる。
晶組成物にあっては、上記一般式（Ａ）で表される繰り
返し単位からなる高分子誘電性液晶と上記一般式（Ｂ）
で表される化合物との相溶性が優れ、自発分極の大きな
２−メチルアルカノイル基をもつ高分子強誘電性液晶を
相分離することなく含有し、かつキラルスメクチックＣ
相を安定に発現するものとなる。従って、この高分子強
誘電性液晶組成物は大画面液晶表示素子、記憶素子など
種々のデバイスに好適に利用することが可能となる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （実施例１）上記構造式（Ｉ）で表される高分子強誘電
性液晶４０ｍｇと、上記構造式（VI）で表される低分子
液晶性化合物６０ｍｇとをジクロルメタン溶液とし攪拌
した後、溶媒を加熱除去して高分子強誘電性液晶組成物
を得た。この高分子強誘電性液晶組成物においては相分
離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と上記低分子液晶
性化合物との相溶性は良好であった。この高分子強誘電
性液晶組成物は６２℃以下でキラルスメクチックＣ相を
呈し、６８℃以下でスメクチックＡ相を示した。また、
高分子強誘電性液晶と低分子液晶性化合物との混合比率
を１：３、および３：１と変えても同様にスメクチック
Ａ相とキラルスメクチックＣ相を示し、相分離も発生し
なかった。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （実施例１）上記構造式（Ｉ）で表される高分子強誘電
性液晶４０ｍｇと、上記構造式（VI）で表される低分子
液晶性化合物６０ｍｇとをジクロルメタン溶液とし攪拌
した後、溶媒を加熱除去して高分子強誘電性液晶組成物
を得た。この高分子強誘電性液晶組成物においては相分
離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と上記低分子液晶
性化合物との相溶性は良好であった。この高分子強誘電
性液晶組成物は６２℃以下でキラルスメクチックＣ相を
呈し、６８℃以下でスメクチックＡ相を示した。また、
高分子強誘電性液晶と低分子液晶性化合物との混合比率
を１：３、および３：１と変えても同様にスメクチック
Ａ相とキラルスメクチックＣ相を示し、相分離も発生し
なかった。
【００２６】（実施例２）上記構造式（Ｉ）で表される
高分子強誘電性液晶５５ｍｇと、上記構造式（VII）で
表される低分子液晶性化合物５５ｍｇとをジクロルメタ
ン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去して高分子強誘
電性液晶組成物を得た。この高分子強誘電性液晶組成物
においては相分離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と
上記低分子液晶性化合物との相溶性は良好であった。こ
の高分子強誘電性液晶組成物は４８℃以下でキラルスメ
クチックＣ相を呈し、７０℃以下でスメクチックＡ相を
示した。
高分子強誘電性液晶５５ｍｇと、上記構造式（VII）で
表される低分子液晶性化合物５５ｍｇとをジクロルメタ
ン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去して高分子強誘
電性液晶組成物を得た。この高分子強誘電性液晶組成物
においては相分離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と
上記低分子液晶性化合物との相溶性は良好であった。こ
の高分子強誘電性液晶組成物は４８℃以下でキラルスメ
クチックＣ相を呈し、７０℃以下でスメクチックＡ相を
示した。
【００２７】（実施例３）上記構造式（III）で表され
る高分子強誘電性液晶４０ｍｇと、上記構造式（VIII）
で表される低分子液晶性化合物４０ｍｇとをジクロルメ
タン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去して高分子強
誘電性液晶組成物を得た。この高分子強誘電性液晶組成
物においては相分離が生じず、上記高分子強誘電性液晶
と上記低分子液晶性化合物との相溶性は良好であった。
この高分子強誘電性液晶組成物は１２０℃以下でキラル
スメクチックＣ相を呈し、１５０℃以下でスメクチック
Ａ相を示した。
る高分子強誘電性液晶４０ｍｇと、上記構造式（VIII）
で表される低分子液晶性化合物４０ｍｇとをジクロルメ
タン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去して高分子強
誘電性液晶組成物を得た。この高分子強誘電性液晶組成
物においては相分離が生じず、上記高分子強誘電性液晶
と上記低分子液晶性化合物との相溶性は良好であった。
この高分子強誘電性液晶組成物は１２０℃以下でキラル
スメクチックＣ相を呈し、１５０℃以下でスメクチック
Ａ相を示した。
【００２８】（実施例４）上記構造式（II）で表される
高分子強誘電性液晶６０ｍｇと、上記構造式（VIII）で
表される低分子液晶性化合物４０ｍｇとをジクロルメタ
ン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去して高分子強誘
電性液晶組成物を得た。この高分子強誘電性液晶組成物
においては相分離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と
上記低分子液晶性化合物との相溶性は良好であった。こ
の高分子強誘電性液晶組成物は９０℃以下でキラルスメ
クチックＣ相を呈し、１００℃以下でスメクチックＡ相
を示した。
高分子強誘電性液晶６０ｍｇと、上記構造式（VIII）で
表される低分子液晶性化合物４０ｍｇとをジクロルメタ
ン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去して高分子強誘
電性液晶組成物を得た。この高分子強誘電性液晶組成物
においては相分離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と
上記低分子液晶性化合物との相溶性は良好であった。こ
の高分子強誘電性液晶組成物は９０℃以下でキラルスメ
クチックＣ相を呈し、１００℃以下でスメクチックＡ相
を示した。
【００２９】（比較例１）上記構造式（Ｉ）で表される
高分子強誘電性液晶４０ｍｇと、下記構造式（IX）
高分子強誘電性液晶４０ｍｇと、下記構造式（IX）
【００３０】
【化８】
【００３１】で表される低分子液晶性化合物４０ｍｇと
をジクロルメタン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去
して液晶組成物を得た。この液晶組成物においては相分
離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と上記低分子液晶
性化合物との相溶性は良好であった。しかしながら、こ
の液晶組成物は６８℃以下でスメクチックＡ相を示した
が、キラルスメクチックＣ相は示さなかった。また、高
分子強誘電性液晶と低分子液晶性化合物との混合比率を
１：３、および３：１と変えても同様にスメクチックＡ
相のみ示し、キラルスメクチックＣ相は現れなかった。
をジクロルメタン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去
して液晶組成物を得た。この液晶組成物においては相分
離が生じず、上記高分子強誘電性液晶と上記低分子液晶
性化合物との相溶性は良好であった。しかしながら、こ
の液晶組成物は６８℃以下でスメクチックＡ相を示した
が、キラルスメクチックＣ相は示さなかった。また、高
分子強誘電性液晶と低分子液晶性化合物との混合比率を
１：３、および３：１と変えても同様にスメクチックＡ
相のみ示し、キラルスメクチックＣ相は現れなかった。
【００３２】（比較例２）上記構造式（II）で表される
高分子強誘電性液晶４０ｍｇと、下記構造式（Ｘ）
高分子強誘電性液晶４０ｍｇと、下記構造式（Ｘ）
【００３３】
【化９】
【００３４】で表される低分子液晶性化合物６０ｍｇと
をジクロルメタン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去
して液晶組成物を得た。この液晶組成物は６０℃以下で
スメクチックＡ相を示したが、キラルスメクチックＣ相
は示さなかった。また、高分子強誘電性液晶と低分子液
晶性化合物との混合比率を１：３、および３：１と変え
ても同様にスメクチックＡ相のみ示し、キラルスメクチ
ックＣ相は現れなかった。
をジクロルメタン溶液とし攪拌した後、溶媒を加熱除去
して液晶組成物を得た。この液晶組成物は６０℃以下で
スメクチックＡ相を示したが、キラルスメクチックＣ相
は示さなかった。また、高分子強誘電性液晶と低分子液
晶性化合物との混合比率を１：３、および３：１と変え
ても同様にスメクチックＡ相のみ示し、キラルスメクチ
ックＣ相は現れなかった。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の高分子強誘
電性液晶組成物にあっては、上記一般式（Ａ）で表され
る繰り返し単位からなる高分子誘電性液晶と上記一般式
（Ｂ）で表される化合物との相溶性が優れ、自発分極の
大きな２−メチルアルカノイル基をもつ高分子強誘電性
液晶を相分離することなく含有し、キラルスメクチック
Ｃ相を安定に発現するという利点がある。従って、本発
明の高分子強誘電性液晶組成物は大画面液晶表示素子、
記憶素子など種々のデバイスに好適に利用することがで
きる。
電性液晶組成物にあっては、上記一般式（Ａ）で表され
る繰り返し単位からなる高分子誘電性液晶と上記一般式
（Ｂ）で表される化合物との相溶性が優れ、自発分極の
大きな２−メチルアルカノイル基をもつ高分子強誘電性
液晶を相分離することなく含有し、キラルスメクチック
Ｃ相を安定に発現するという利点がある。従って、本発
明の高分子強誘電性液晶組成物は大画面液晶表示素子、
記憶素子など種々のデバイスに好適に利用することがで
きる。
Claims (1)
- 【請求項１】下記一般式（Ａ） 【化１】 （式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍは１または２
を表し、ｎは２から１０の整数を表し、Ｃ*は不斉炭素
を表す。）で表される繰り返し単位からなる高分子強誘
電性液晶と、下記一般式（Ｂ） 【化２】 （式中、ｋは６から１２の整数を表し、ｍおよびｐは独
立してそれぞれ１または２を表し、Ｒは炭素数４から１
４の分岐したアルキル基もしくはアルコキシル基を表
し、Ｘは−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を表す。）で表さ
れる化合物を含有し、キラルスメクチックＣ相を示すこ
とを特徴とする高分子強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19376393A JPH0748572A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 高分子強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19376393A JPH0748572A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 高分子強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0748572A true JPH0748572A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16313408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19376393A Pending JPH0748572A (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 高分子強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010090277A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Dic Corp | 高分子安定化強誘電性液晶組成物、及び液晶素子及び当該表示素子の製造方法 |
| CN102141704A (zh) * | 2010-01-28 | 2011-08-03 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示元件及其制造方法 |
-
1993
- 1993-08-04 JP JP19376393A patent/JPH0748572A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010090277A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Dic Corp | 高分子安定化強誘電性液晶組成物、及び液晶素子及び当該表示素子の製造方法 |
| CN102141704A (zh) * | 2010-01-28 | 2011-08-03 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示元件及其制造方法 |
| KR101274650B1 (ko) * | 2010-01-28 | 2013-06-12 | 국립대학법인 동경공업대학 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US8648994B2 (en) | 2010-01-28 | 2014-02-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display element and method for manufacturing the same |
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