JPH0745443B2 - 安定な第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液 - Google Patents
安定な第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液Info
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- JPH0745443B2 JPH0745443B2 JP61206728A JP20672886A JPH0745443B2 JP H0745443 B2 JPH0745443 B2 JP H0745443B2 JP 61206728 A JP61206728 A JP 61206728A JP 20672886 A JP20672886 A JP 20672886A JP H0745443 B2 JPH0745443 B2 JP H0745443B2
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- hydroxide aqueous
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、安定な第四級アルキルヒドロキシアルキル
アンモニウムハイドロキサイド水溶液に関する。
アンモニウムハイドロキサイド水溶液に関する。
［従来の技術］ 第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液、例えばコリン水溶液は、医薬品、
コバルトやフェロシアン化物の比色定量試薬あるいはカ
リウムの定量試薬、さらには合成中間体等として有用で
あるだけでなく、半導体の製造工程におけるシリコンウ
エハの洗浄、像露光したレジスト、例えば感光性キノン
ジアジド組成物層の現像、リンス及びレジスト剥離等の
薬品として大量に使用されている。
ロオキサイド水溶液、例えばコリン水溶液は、医薬品、
コバルトやフェロシアン化物の比色定量試薬あるいはカ
リウムの定量試薬、さらには合成中間体等として有用で
あるだけでなく、半導体の製造工程におけるシリコンウ
エハの洗浄、像露光したレジスト、例えば感光性キノン
ジアジド組成物層の現像、リンス及びレジスト剥離等の
薬品として大量に使用されている。
特に、最近の半導体工業における微細加工技術の進歩は
めざましく、集積回路、特に超LSIの１チップ当りの素
子数は飛躍的に増加しており、かかる微細な加工技術が
要求される超LSI製造プロセスにおいて使用される第四
級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液については、たとえ僅かな不純物であっ
てもそれが洗浄工程、現像工程あるいは剥離工程で悪影
響を及し、デバイスの劣化や不良化につながる場合が多
いので、かかる不純物を可及的完全に除去した超高純度
のものが要求されている。
めざましく、集積回路、特に超LSIの１チップ当りの素
子数は飛躍的に増加しており、かかる微細な加工技術が
要求される超LSI製造プロセスにおいて使用される第四
級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液については、たとえ僅かな不純物であっ
てもそれが洗浄工程、現像工程あるいは剥離工程で悪影
響を及し、デバイスの劣化や不良化につながる場合が多
いので、かかる不純物を可及的完全に除去した超高純度
のものが要求されている。
ところで、このような第四級アルキルヒドロキシアルキ
ルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液は、高純度の
アルキレンオキサイド及びトリアルキルアミン並びに超
純水を原料にして、厳密な工程管理の下に製造されてお
り、その製造直後には高純度のものとして得ることがで
きる。
ルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液は、高純度の
アルキレンオキサイド及びトリアルキルアミン並びに超
純水を原料にして、厳密な工程管理の下に製造されてお
り、その製造直後には高純度のものとして得ることがで
きる。
しかしながら、この第四級アルキルヒドロキシアルキル
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液にはその濃度や
温度が高くなるにつれて貯蔵中や輸送中経時的に着色す
るという傾向があり、着色すると単にその商品価値が低
下するだけでなく、着色の原因物質が不純物として取込
まれ、これを半導体の製造工程で使用した場合に洗浄
剤、現像剤あるいは剥離剤としての挙動に変化をきた
し、製造される半導体に重大な悪影響を及す。そして、
この第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液の着色原因については、そのヒ
ドロキシアルキル基が酸化され分解されてアルデヒドが
生成し、このアルデヒドが重合してポリアルデヒドとな
り、このポリアルデヒドが原因物質となって徐々に着色
し黒化するものと考えられている。
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液にはその濃度や
温度が高くなるにつれて貯蔵中や輸送中経時的に着色す
るという傾向があり、着色すると単にその商品価値が低
下するだけでなく、着色の原因物質が不純物として取込
まれ、これを半導体の製造工程で使用した場合に洗浄
剤、現像剤あるいは剥離剤としての挙動に変化をきた
し、製造される半導体に重大な悪影響を及す。そして、
この第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液の着色原因については、そのヒ
ドロキシアルキル基が酸化され分解されてアルデヒドが
生成し、このアルデヒドが重合してポリアルデヒドとな
り、このポリアルデヒドが原因物質となって徐々に着色
し黒化するものと考えられている。
そこで、従来においてはこのような問題を解決するた
め、第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液中に安定化濃度の亜硫酸塩、例
えば亜硫酸アンモニウムを添加し、第四級アルキルヒド
ロキシアルキルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液
中に生成したアルデヒドと付加物を形成させ、これによ
って着色原因物質であるポリアルテルヒドの生成を防止
するようにしたもの（米国特許第4,294,911号明細書）
や、第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液中に安定化濃度のセミカルバジ
ドを添加し、第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイド水溶液中に生成したアルデヒ
ドと縮合反応させてセミカルバゾンを形成させ、これに
よって着色原因物質であるポリアルテルヒドの生成を防
止するようにしたもの（特開昭60-42,754号公報）や、
第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液の原料系及び反応系からアルデヒド
が生成する原因となる酸素をほぼ完全にカットし、アル
デヒドの生成を防止する方法（特開昭60-104,047号公
報）等が提案されている。
め、第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液中に安定化濃度の亜硫酸塩、例
えば亜硫酸アンモニウムを添加し、第四級アルキルヒド
ロキシアルキルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液
中に生成したアルデヒドと付加物を形成させ、これによ
って着色原因物質であるポリアルテルヒドの生成を防止
するようにしたもの（米国特許第4,294,911号明細書）
や、第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液中に安定化濃度のセミカルバジ
ドを添加し、第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイド水溶液中に生成したアルデヒ
ドと縮合反応させてセミカルバゾンを形成させ、これに
よって着色原因物質であるポリアルテルヒドの生成を防
止するようにしたもの（特開昭60-42,754号公報）や、
第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液の原料系及び反応系からアルデヒド
が生成する原因となる酸素をほぼ完全にカットし、アル
デヒドの生成を防止する方法（特開昭60-104,047号公
報）等が提案されている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、安定剤として安定化濃度の亜硫酸塩、例
えば亜硫酸アンモニウムを使用する方法においては、特
開昭60-42,754号公報にも記載されているように、第四
級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液を高濃度の濃縮液の形に調製し、搬送し
また貯蔵して使用時に最適なpH及び濃度に希釈する際
に、このpH及び濃度を正確に決定することができないと
いう問題があり、また、安定剤として安定化濃度のセミ
カルバジドを使用する方法においては、亜硫酸塩を使用
する時のような問題はないが、セミカルバジドそのもの
が水溶性に乏しいために実際には塩酸塩、硫酸塩、燐酸
塩等の塩の形で使用され、このため第四級アルキルヒド
ロキシアルキルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液
中にこれらの酸イオンが存在し、超LSIの製造の際にこ
の酸イオンが悪影響を及すという別の問題が生じ、さら
に、原料系及び反応系からアルデヒドが生成する原因と
なる酸素をほぼ完全にカットする方法においては、製造
工程に厳密な管理が要求されてその製造コストが極めて
高くなるという問題があった。
えば亜硫酸アンモニウムを使用する方法においては、特
開昭60-42,754号公報にも記載されているように、第四
級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液を高濃度の濃縮液の形に調製し、搬送し
また貯蔵して使用時に最適なpH及び濃度に希釈する際
に、このpH及び濃度を正確に決定することができないと
いう問題があり、また、安定剤として安定化濃度のセミ
カルバジドを使用する方法においては、亜硫酸塩を使用
する時のような問題はないが、セミカルバジドそのもの
が水溶性に乏しいために実際には塩酸塩、硫酸塩、燐酸
塩等の塩の形で使用され、このため第四級アルキルヒド
ロキシアルキルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液
中にこれらの酸イオンが存在し、超LSIの製造の際にこ
の酸イオンが悪影響を及すという別の問題が生じ、さら
に、原料系及び反応系からアルデヒドが生成する原因と
なる酸素をほぼ完全にカットする方法においては、製造
工程に厳密な管理が要求されてその製造コストが極めて
高くなるという問題があった。
従って、本発明の目的は、簡便な方法で確実に着色を防
止することができ、しかも、使用時に容易かつ性格にpH
及び濃度の調整とその確定をすることができる安定な第
四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロ
オキサイド水溶液を提供することにある。
止することができ、しかも、使用時に容易かつ性格にpH
及び濃度の調整とその確定をすることができる安定な第
四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロ
オキサイド水溶液を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ すなわち、本発明は、安定剤として有効濃度のヒドラジ
ンを含有する安定な第四級アルキルヒドロキシアルキル
アンモニウムハイドロキサイド水溶液である。
ンを含有する安定な第四級アルキルヒドロキシアルキル
アンモニウムハイドロキサイド水溶液である。
本発明において対象となる第四級アルキルヒドロキシア
ルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液としては、
例えば、下記一般式（Ｉ）及び（II） 〔但し、式中R1、R2及びR3は低級アルキル基を示し、ｎ
は１〜６の整数である。〕で表される化合物の水溶液を
挙げることができ、好ましくはアルキル基R1、R2及びR3
が炭素数１〜４のアルキル基であって、ｎが２〜４の整
数である化合物の水溶液である。このような第四級アル
キルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド
水溶液の具体例としては、例えば、第四級トリメチルヒ
ドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド（コリ
ン）、第四級ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウム
ハイドキサイド、第四級トリエチルヒドロキシエチルア
ンモニウムハイドロキサイド、第四級ジエチルジヒドロ
キシエチルアンモニウムハイドロキサイド、第四級トリ
プロピルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、第四級トリメチルヒドロキシプロピルアンモニウム
ハイドロキサイド等の水溶液を挙げることができる。
ルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液としては、
例えば、下記一般式（Ｉ）及び（II） 〔但し、式中R1、R2及びR3は低級アルキル基を示し、ｎ
は１〜６の整数である。〕で表される化合物の水溶液を
挙げることができ、好ましくはアルキル基R1、R2及びR3
が炭素数１〜４のアルキル基であって、ｎが２〜４の整
数である化合物の水溶液である。このような第四級アル
キルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド
水溶液の具体例としては、例えば、第四級トリメチルヒ
ドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド（コリ
ン）、第四級ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウム
ハイドキサイド、第四級トリエチルヒドロキシエチルア
ンモニウムハイドロキサイド、第四級ジエチルジヒドロ
キシエチルアンモニウムハイドロキサイド、第四級トリ
プロピルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、第四級トリメチルヒドロキシプロピルアンモニウム
ハイドロキサイド等の水溶液を挙げることができる。
そして、この第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモ
ニウムハイドロキサイド水溶液の濃度にいては、特に制
限があるものではなく、どのような濃度の水溶液につい
ても適用できるものであるが、本発明の効果が顕著に発
揮されるのは、通常５重量％以上、好ましくは７重量％
以上の水溶液であり、５重量％より低いとその水溶液自
体の着色の問題が少なくなる。
ニウムハイドロキサイド水溶液の濃度にいては、特に制
限があるものではなく、どのような濃度の水溶液につい
ても適用できるものであるが、本発明の効果が顕著に発
揮されるのは、通常５重量％以上、好ましくは７重量％
以上の水溶液であり、５重量％より低いとその水溶液自
体の着色の問題が少なくなる。
また、上記第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニ
ウムハイドロキサイド水溶液中にその安定剤として添加
されるヒドラジンとしては、無水ヒドラジンであっても
よいが、取扱上の観点から好ましくは１水和物である水
加ヒドラジンあるいはその水溶液である。
ウムハイドロキサイド水溶液中にその安定剤として添加
されるヒドラジンとしては、無水ヒドラジンであっても
よいが、取扱上の観点から好ましくは１水和物である水
加ヒドラジンあるいはその水溶液である。
そして、このヒドラジンの添加量については、第四級ア
ルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイ
ド水溶液中に無水ヒドラジンに換算して通常0.005〜2.0
重量％、好ましくは0.05〜1.0重量％の範囲内で添加す
る。この添加量が0.005重量％より少ないと長期間に亘
って着色を防止するのが難しくなり、また、2.0重量％
より多くしても着色防止の効果にあまり変化がない。
ルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイ
ド水溶液中に無水ヒドラジンに換算して通常0.005〜2.0
重量％、好ましくは0.05〜1.0重量％の範囲内で添加す
る。この添加量が0.005重量％より少ないと長期間に亘
って着色を防止するのが難しくなり、また、2.0重量％
より多くしても着色防止の効果にあまり変化がない。
なお、本発明において、第四級アルキルヒドロキシアル
キルアンモニウムハイドロキサイド水溶液中の酸素を可
及的に減少せしめることにより、安定剤としてのヒドラ
ジンの添加量を減少させることができるので、特開昭60
-104,047号公報に記載されているように、原料系及び反
応系からアルデヒドが生成する原因となる酸素を可能な
範囲でカットし、アルデヒドの生成をできるだけ防止し
て第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイ
ドロキサイド水溶液を製造し、これに少量のヒドラジン
を添加するようにするのがよい。
キルアンモニウムハイドロキサイド水溶液中の酸素を可
及的に減少せしめることにより、安定剤としてのヒドラ
ジンの添加量を減少させることができるので、特開昭60
-104,047号公報に記載されているように、原料系及び反
応系からアルデヒドが生成する原因となる酸素を可能な
範囲でカットし、アルデヒドの生成をできるだけ防止し
て第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイ
ドロキサイド水溶液を製造し、これに少量のヒドラジン
を添加するようにするのがよい。
［作用］ 本発明で安定剤として使用されるヒドラジンは、第四級
アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサ
イド水溶液中に溶存する酸素と反応して水と窒素ガスと
に分解するので、アルデヒドの生成を抑制することがで
き、また、生成したアルデヒドと反応してヒドラゾンに
なることにより着色の原因となるポリアルデヒドの生成
を防止することができるものと考えられる。
アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサ
イド水溶液中に溶存する酸素と反応して水と窒素ガスと
に分解するので、アルデヒドの生成を抑制することがで
き、また、生成したアルデヒドと反応してヒドラゾンに
なることにより着色の原因となるポリアルデヒドの生成
を防止することができるものと考えられる。
［実施例］ 以下、実施例、比較例及び試験例に基いて、本発明を具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例１〜６及び比較例１〜２ 第１表に示す濃度のコリン水溶液を調製し、これに安定
剤として水加ヒドラジン（純度64重量％）を添加し、第
１表に示すヒドラジン濃度（無水ヒドラジンとして）の
コリン水溶液を調製した。
剤として水加ヒドラジン（純度64重量％）を添加し、第
１表に示すヒドラジン濃度（無水ヒドラジンとして）の
コリン水溶液を調製した。
これら各実施例及び比較例のコリン水溶液を通常のポリ
エチレン容器に入れて密封し、第１表に示す温度条件で
保存し、分光光度計の440nmラインを使用して吸光度を
測定することによりその着色の程度を経時的に調べた。
結果を第１図に示す。
エチレン容器に入れて密封し、第１表に示す温度条件で
保存し、分光光度計の440nmラインを使用して吸光度を
測定することによりその着色の程度を経時的に調べた。
結果を第１図に示す。
試験例 ５重量％コリン水溶液に水加ヒドラジンを添加し、ヒド
ラジン濃度が０重量％、0.0064重量％、0.032重量％、
0.064重量％及び0.192重量％のサンプル現像液を調製
し、各サンプル現像液について以下の方法によりその現
像性能を調べた。
ラジン濃度が０重量％、0.0064重量％、0.032重量％、
0.064重量％及び0.192重量％のサンプル現像液を調製
し、各サンプル現像液について以下の方法によりその現
像性能を調べた。
すなわち、シリコンウエハをヘキサメチレンジシラザン
の雰囲気中に５分間晒した後、このシリコンウエハの上
にフェノールノボラック型の樹脂成分とナフトキノンジ
アジド系の感光成分との混合物を基材とするポジ型フォ
トレジストを用いてスピンコートし、ホットプレート上
に95℃で４分間おいてベーキングすることにより残存す
る溶剤を除去し、厚さ1.5μｍのレジストフィルムを調
製した。このようにして得られたレジストフィルムを縮
小投影型露光装置にセットして露光を行い、30℃の上記
サンプル現像液で30秒間スプレー現像した後、これを超
純水ですすぎ乾燥した。各サンプル現像液に関して常法
により、残膜率、最少露光量、コントラストの指標とし
て用いられるγ値並びに30秒、60秒及び90秒における未
露光部膜減り量を現像性能の判定のために測定した。結
果を第２表に示す。
の雰囲気中に５分間晒した後、このシリコンウエハの上
にフェノールノボラック型の樹脂成分とナフトキノンジ
アジド系の感光成分との混合物を基材とするポジ型フォ
トレジストを用いてスピンコートし、ホットプレート上
に95℃で４分間おいてベーキングすることにより残存す
る溶剤を除去し、厚さ1.5μｍのレジストフィルムを調
製した。このようにして得られたレジストフィルムを縮
小投影型露光装置にセットして露光を行い、30℃の上記
サンプル現像液で30秒間スプレー現像した後、これを超
純水ですすぎ乾燥した。各サンプル現像液に関して常法
により、残膜率、最少露光量、コントラストの指標とし
て用いられるγ値並びに30秒、60秒及び90秒における未
露光部膜減り量を現像性能の判定のために測定した。結
果を第２表に示す。
第２表の結果から明らかなように、ヒドラジン無添加の
サンプル現像液とヒドラジンを各濃度で添加して調製し
たサンプル現像液との間に各現像性能の上で格別な相違
は認められず、ヒドラジン添加による現像性能への悪影
響はほとんど認められなかった。
サンプル現像液とヒドラジンを各濃度で添加して調製し
たサンプル現像液との間に各現像性能の上で格別な相違
は認められず、ヒドラジン添加による現像性能への悪影
響はほとんど認められなかった。
［発明の効果］ 本発明の第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウ
ムハイドロキサイド水溶液には、その安定剤として有効
濃度のヒドラジンが添加されているので、長期間に亘っ
てその着色が防止され、また、使用時に容易かつ正確に
pH及び濃度の調整とその確定をすることができる。
ムハイドロキサイド水溶液には、その安定剤として有効
濃度のヒドラジンが添加されているので、長期間に亘っ
てその着色が防止され、また、使用時に容易かつ正確に
pH及び濃度の調整とその確定をすることができる。
第１図は本発明の各実施例及び比較例に係るコリン水溶
液の着色試験の結果を示すグラフ図である。
液の着色試験の結果を示すグラフ図である。
Claims (3)
- 【請求項１】安定剤として有効濃度のヒドラジンを含有
することを特徴とする安定な第四級アルキルヒドロキシ
アルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液。 - 【請求項２】ヒドラジンの含有量が無水ヒドラジンとし
て0.005〜2.0重量％である特許請求の範囲第１項記載の
安定な第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウム
ハイドロキサイド水溶液。 - 【請求項３】第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモ
ニウムハイドロキサイド水溶液の濃度が５重量％以上で
ある特許請求の範囲第１項又は第２項記載の安定な第四
級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキ
サイド水溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206728A JPH0745443B2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 安定な第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206728A JPH0745443B2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 安定な第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363643A JPS6363643A (ja) | 1988-03-22 |
| JPH0745443B2 true JPH0745443B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16528121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206728A Expired - Lifetime JPH0745443B2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 安定な第四級アルキルヒドロキシアルキルアンモニウムハイドロキサイド水溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745443B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPS58104205A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-21 | 日本メクトロン株式会社 | かつら作製用雄型のマ−キング方法 |
| JPH0764132B2 (ja) * | 1988-06-09 | 1995-07-12 | 株式会社日研化学研究所 | 老化回復処理液 |
| US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
| JP3244813B2 (ja) * | 1992-11-20 | 2002-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハ処理液及び処理方法 |
| AU2013246183B2 (en) * | 2012-04-13 | 2017-03-16 | Huntsman Petrochemical Llc | Using novel amines to stabilize quaternary trialkylalkanolamines |
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| JPS60254043A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Yotsukaichi Gosei Kk | ポジ型感光材料用現像剤 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0135223Y2 (ja) * | 1984-12-02 | 1989-10-26 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP61206728A patent/JPH0745443B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPS60254043A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-14 | Yotsukaichi Gosei Kk | ポジ型感光材料用現像剤 |
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| JPS6363643A (ja) | 1988-03-22 |
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