JPH0743969B2 - 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 - Google Patents
架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造方法Info
- Publication number
- JPH0743969B2 JPH0743969B2 JP2332285A JP2332285A JPH0743969B2 JP H0743969 B2 JPH0743969 B2 JP H0743969B2 JP 2332285 A JP2332285 A JP 2332285A JP 2332285 A JP2332285 A JP 2332285A JP H0743969 B2 JPH0743969 B2 JP H0743969B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power cable
- layer
- silane
- crosslinked polyolefin
- semiconductive
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- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの製造
方法に係り、特に、高電圧用シラン架橋ポリオレフィン
ケーブルにおける内部半導電層と絶縁体層との間の空隙
をなくして密着性を改良することにより絶縁破壊強度を
向上せしめたシラン架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブ
ルの製造方法に関するものである。
方法に係り、特に、高電圧用シラン架橋ポリオレフィン
ケーブルにおける内部半導電層と絶縁体層との間の空隙
をなくして密着性を改良することにより絶縁破壊強度を
向上せしめたシラン架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブ
ルの製造方法に関するものである。
従来、架橋ポリエチレン、架橋エチレンプロピレンゴム
（EPR）を中心とする架橋ポリオレフィン絶縁高電圧電
力ケーブルは、導体上に、導電性カーボンブラックを配
合して体積抵抗率が100〜106Ω−cmになるように調整さ
れた半導電性樹脂組成物にて、内部半導電層、絶縁体
層、必要に応じて外部半導電層を順次押出被覆すること
により、製造されている。この場合、架橋方式として種
々あるが、シラン架橋法は、架橋のための設備が簡単で
済む利点がある。しかして、シラン架橋ポリオレフィン
系樹脂成形体を得る方法としては、例えば、特公昭48−
1711号公報による方法にみることができるが、このシラ
ン架橋法は、押出被覆後、従来の有機過酸化物架橋で必
要であった加圧下で加熱架橋するための連続架橋管を必
要としない。そのため、シラン架橋ポリオレフィン絶縁
電力ケーブルが次第に多く製造され、使用されるように
なってきた。
（EPR）を中心とする架橋ポリオレフィン絶縁高電圧電
力ケーブルは、導体上に、導電性カーボンブラックを配
合して体積抵抗率が100〜106Ω−cmになるように調整さ
れた半導電性樹脂組成物にて、内部半導電層、絶縁体
層、必要に応じて外部半導電層を順次押出被覆すること
により、製造されている。この場合、架橋方式として種
々あるが、シラン架橋法は、架橋のための設備が簡単で
済む利点がある。しかして、シラン架橋ポリオレフィン
系樹脂成形体を得る方法としては、例えば、特公昭48−
1711号公報による方法にみることができるが、このシラ
ン架橋法は、押出被覆後、従来の有機過酸化物架橋で必
要であった加圧下で加熱架橋するための連続架橋管を必
要としない。そのため、シラン架橋ポリオレフィン絶縁
電力ケーブルが次第に多く製造され、使用されるように
なってきた。
しかしながら、このように連続架橋管を用いないで製造
するシラン架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルにおい
て、低電圧ケーブルの場合には問題はなかったが、高電
圧ケーブルにおいては、内部半導電層と必要に応じて外
部半導電層とが設けられるが、この半導電層を押出型の
シラン架橋型半導電性組成物にて形成すると、架橋処理
時に加圧しないことにより、半導電層と絶縁体層との界
面の密着度が悪く、空隙が存在し、特にその個所が内部
半導電層と絶縁体層との間である場合には、絶縁破壊強
度を大巾に低下させる原因となっていた。
するシラン架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルにおい
て、低電圧ケーブルの場合には問題はなかったが、高電
圧ケーブルにおいては、内部半導電層と必要に応じて外
部半導電層とが設けられるが、この半導電層を押出型の
シラン架橋型半導電性組成物にて形成すると、架橋処理
時に加圧しないことにより、半導電層と絶縁体層との界
面の密着度が悪く、空隙が存在し、特にその個所が内部
半導電層と絶縁体層との間である場合には、絶縁破壊強
度を大巾に低下させる原因となっていた。
本発明の目的は、このような従来法にみられた欠点を除
去するためになされたものであって、高電圧シラン架橋
ポリオレフィン絶縁電力ケーブルにおける内部半導電層
と絶縁体層との間の空隙をなくして密着性を良好に改善
することにより絶縁破壊強度を向上させた架橋ポリオレ
フィン絶縁電力ケーブルの製造方法を提供しようとする
ものである。
去するためになされたものであって、高電圧シラン架橋
ポリオレフィン絶縁電力ケーブルにおける内部半導電層
と絶縁体層との間の空隙をなくして密着性を良好に改善
することにより絶縁破壊強度を向上させた架橋ポリオレ
フィン絶縁電力ケーブルの製造方法を提供しようとする
ものである。
すなわち、本発明によるシラン架橋ポリオレフィン絶縁
電力ケーブルの製造方法は、導体１上に押出型のシラン
架橋内部半導電層８、シラン架橋ポリオレフィン絶縁体
層２、必要に応じて外部半導電層４を順次形成して高電
圧用架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルを製造するに
当り、内部半導電層８を直鎖状低密度ポリエチレン95〜
40重量％、エチレン共重合体５〜60重量％から成る基材
ポリマーに、導電性カーボンブラックと、一般式RR′Si
Y2（式中Ｒは、１価のオレフィン性不飽和炭化水素基、
又はハイドロカルボキシ基、Ｙは加水分解しうる有機
基、Ｒ′は脂肪性不飽和を含まない１価の炭化水素基、
基Ｙあるいは水素である）で表わされるシラン化合物と
パーオキサイド化合物とを必須成分として配合して成る
体積抵抗率100〜106Ω−cmの半導電性組成物の押出成形
にて形成せしめることを特徴とする（第１図参照）。
電力ケーブルの製造方法は、導体１上に押出型のシラン
架橋内部半導電層８、シラン架橋ポリオレフィン絶縁体
層２、必要に応じて外部半導電層４を順次形成して高電
圧用架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルを製造するに
当り、内部半導電層８を直鎖状低密度ポリエチレン95〜
40重量％、エチレン共重合体５〜60重量％から成る基材
ポリマーに、導電性カーボンブラックと、一般式RR′Si
Y2（式中Ｒは、１価のオレフィン性不飽和炭化水素基、
又はハイドロカルボキシ基、Ｙは加水分解しうる有機
基、Ｒ′は脂肪性不飽和を含まない１価の炭化水素基、
基Ｙあるいは水素である）で表わされるシラン化合物と
パーオキサイド化合物とを必須成分として配合して成る
体積抵抗率100〜106Ω−cmの半導電性組成物の押出成形
にて形成せしめることを特徴とする（第１図参照）。
ここで直鎖状低密度ポリエチレンとは、エチレンと炭素
数４〜８のオレフィンとの共重合体であり、長鎖分岐の
ないポリエチレンである。その製造法としては気相法と
液相法とがある。
数４〜８のオレフィンとの共重合体であり、長鎖分岐の
ないポリエチレンである。その製造法としては気相法と
液相法とがある。
本発明において、この直鎖状低密度ポリエチレンを選択
した理由は、（イ）ポリオレフィン絶縁体層との密着強
度が高い。（ロ）耐クラック性が非常に優れているため
押出成形後、架橋までの間にクラックが人いることがな
い、ということによる。
した理由は、（イ）ポリオレフィン絶縁体層との密着強
度が高い。（ロ）耐クラック性が非常に優れているため
押出成形後、架橋までの間にクラックが人いることがな
い、ということによる。
半導電層を形成する基材として選んだ直鎖状低密度ポリ
エチレンを95〜40重量％と限定した理由は、95重量％を
越えると、可撓性が悪くなり半導電層の平滑性が悪くな
るためであり、40重量％未満では密着性が悪くなり空隙
が発生し易くなるためである。
エチレンを95〜40重量％と限定した理由は、95重量％を
越えると、可撓性が悪くなり半導電層の平滑性が悪くな
るためであり、40重量％未満では密着性が悪くなり空隙
が発生し易くなるためである。
一方、本発明において、エチレン強重合体はエチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体等
を意味し、基材における割合の限定理由は、60重量％を
越えると絶縁体層との密着性が悪くなり、５重量％未満
では可撓性が悪くなるからである。
酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体等
を意味し、基材における割合の限定理由は、60重量％を
越えると絶縁体層との密着性が悪くなり、５重量％未満
では可撓性が悪くなるからである。
また、本発明にて用いる導電性カーボンブラックとして
は特に限定されるものでなく、例えばキャボット社のバ
ルカンXC−72の如き導電性ファーネスブラック、電気化
学工業（株）社のデンカブラックの如きアセチレンブラ
ック、AKZO社のKetjen black等があり、この配合量はベ
ースポリマー100重量部に対して５〜70重量部の範囲で
配合されるのが通常である。またシラン化合物として
は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン等が通常用いられ、その配合量はベースポリマー10
0重量部に対して0.5〜５重量部である。
は特に限定されるものでなく、例えばキャボット社のバ
ルカンXC−72の如き導電性ファーネスブラック、電気化
学工業（株）社のデンカブラックの如きアセチレンブラ
ック、AKZO社のKetjen black等があり、この配合量はベ
ースポリマー100重量部に対して５〜70重量部の範囲で
配合されるのが通常である。またシラン化合物として
は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン等が通常用いられ、その配合量はベースポリマー10
0重量部に対して0.5〜５重量部である。
また、本発明で必要に応じて形成される外部半導電層は
半導電性テープの巻回、或いは半導電性樹脂組成物の押
出成形などで形成されるが、特に内部半導電層形成に用
いたと同一の押出型半導電性樹脂組成物を用いて形成す
れば、一段と電気特性の向上効果が得られ好ましい。
半導電性テープの巻回、或いは半導電性樹脂組成物の押
出成形などで形成されるが、特に内部半導電層形成に用
いたと同一の押出型半導電性樹脂組成物を用いて形成す
れば、一段と電気特性の向上効果が得られ好ましい。
また、絶縁体層からの剥離性が要求される場合には、剥
離可能型の半導電性組成物が用いられる。なお、外部半
導電層を必要とする電力ケーブルは通常、電圧6KV以上
用の場合である。
離可能型の半導電性組成物が用いられる。なお、外部半
導電層を必要とする電力ケーブルは通常、電圧6KV以上
用の場合である。
以下本発明の実施例を比較例と対比して説明する。
実施例１〜8;比較例１〜８ 次に示す表−１に各実施例及び各比較例についての半導
電性組成物の組成（重量部）と、それらに対応するケー
ブルのケーブル特性をそれぞれまとめて示す。
電性組成物の組成（重量部）と、それらに対応するケー
ブルのケーブル特性をそれぞれまとめて示す。
すなわち、表−１に示す各半導電性組成物にビニルトリ
メトキシシラン2.0重量部、ジクミルパーオキサイド0.2
重量部、シラノール触媒0.1重量部を配合したシラン架
橋型半導電性組成物を250mm2の導体１（第１図参照）上
及び3.5mm厚のシラン架橋ポリエチレン絶縁体層２の外
周上に各々1.0mm厚に押出成形してそれぞれ内部半導電
層３及び外部半導電層４を形成し、6KV架橋ポリエチレ
ンケーブルを製造した。このようにして得た各ケーブル
について諸特性をそれぞれ評価した。得られた結果を第
１表に併記した。表から明らかなように実施例１〜３の
ケーブルは何れも、比較例１〜３のケーブルと対比し
て、密着性（内部半導電層と絶縁体層との間の）、平滑
性（ケーブル表面の）が良好であって、AC破壊電圧も高
く、ケーブル特性が良好である。
メトキシシラン2.0重量部、ジクミルパーオキサイド0.2
重量部、シラノール触媒0.1重量部を配合したシラン架
橋型半導電性組成物を250mm2の導体１（第１図参照）上
及び3.5mm厚のシラン架橋ポリエチレン絶縁体層２の外
周上に各々1.0mm厚に押出成形してそれぞれ内部半導電
層３及び外部半導電層４を形成し、6KV架橋ポリエチレ
ンケーブルを製造した。このようにして得た各ケーブル
について諸特性をそれぞれ評価した。得られた結果を第
１表に併記した。表から明らかなように実施例１〜３の
ケーブルは何れも、比較例１〜３のケーブルと対比し
て、密着性（内部半導電層と絶縁体層との間の）、平滑
性（ケーブル表面の）が良好であって、AC破壊電圧も高
く、ケーブル特性が良好である。
実施例４及び比較例４ 実施例３で用いたと同一のシラン架橋型半導電性組成物
を250mm2の導体上に1.0mm厚に、その上に3.5mm厚にシラ
ン架橋型ポリエチレンからなる絶縁体層を、更にその上
に剥取可能型のシラン架橋半導電性組成物を1.0mm厚に
連続して３層押出被覆して6KVシラン架橋ポリオレフィ
ン絶縁電力ケーブルを製造した。また比較のため、比較
例２で用いたと同一のシラン架橋型半導電性組成物を25
0mm2の導体上に1.0mm厚に、その上に3.5mm厚にシラン架
橋型ポリエチレンからなる絶縁体層を、更にその上に実
施例４で用いたと同一の剥取可能な半導電性組成物を1.
0mm厚に連続して３層押出被覆して6KVシラン架橋ポリオ
レフィン絶縁電力ケーブルを製造した。
を250mm2の導体上に1.0mm厚に、その上に3.5mm厚にシラ
ン架橋型ポリエチレンからなる絶縁体層を、更にその上
に剥取可能型のシラン架橋半導電性組成物を1.0mm厚に
連続して３層押出被覆して6KVシラン架橋ポリオレフィ
ン絶縁電力ケーブルを製造した。また比較のため、比較
例２で用いたと同一のシラン架橋型半導電性組成物を25
0mm2の導体上に1.0mm厚に、その上に3.5mm厚にシラン架
橋型ポリエチレンからなる絶縁体層を、更にその上に実
施例４で用いたと同一の剥取可能な半導電性組成物を1.
0mm厚に連続して３層押出被覆して6KVシラン架橋ポリオ
レフィン絶縁電力ケーブルを製造した。
このようにして得たケーブルについて実施例１と同様の
特性測定を行った。得られた結果を表−２に示す。
特性測定を行った。得られた結果を表−２に示す。
以上述べたように、本発明の効果として、本発明にて特
定した如き半導電性組成物を使用することにより、シラ
ン架橋方法における設備メリットを活かして、特性の優
れたシラン架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの製造
が可能となった。
定した如き半導電性組成物を使用することにより、シラ
ン架橋方法における設備メリットを活かして、特性の優
れたシラン架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの製造
が可能となった。
すなわち、高電圧シラン架橋ポリオレフィン絶縁ケーブ
ルにおける内部半導電層と絶縁体層との間の空隙をなく
して密着性を改良し、絶縁破壊強度を向上させた。
ルにおける内部半導電層と絶縁体層との間の空隙をなく
して密着性を改良し、絶縁破壊強度を向上させた。
第１図は本発明の一実施例に係る架橋ポリオレフィン絶
縁電力ケーブルの断面略図である。 １……導体 ２……シラン架橋ポリオレフィン絶縁体層 ３……内部半導電層 ４……外部半導電層 ５……金属遮蔽層 ６……保護層
縁電力ケーブルの断面略図である。 １……導体 ２……シラン架橋ポリオレフィン絶縁体層 ３……内部半導電層 ４……外部半導電層 ５……金属遮蔽層 ６……保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西山 秀美 神奈川県平塚市東八幡５―１―９ 古河電 気工業株式会社平塚電線製造所内 (56)参考文献 特開 昭58−222140（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導体上に少くとも押出型架橋内部半導電層
および押出型シラン架橋ポリオレフィン絶縁体層がこの
順に形成された高電圧用架橋ポリオレフィン絶縁電力ケ
ーブルを製造するに当り、 前記内部半導電層を、直鎖状低密度ポリエチレン95〜40
重量％、エチレン共重合体５〜60重量％から成る基材ポ
リマーに、導電性カーボンブラックと一般式RR′SiY
2（式中Ｒは、１価のオレフィン性不飽和炭化水素基、
又はハイドロカルボキシ基、Ｙは加水分解しうる有機
基、Ｒ′は脂肪性不飽和を含まない１価の炭化水素基、
基Ｙあるいは水素である）で表わされるシラン化合物と
パーオキサイド化合物とを必須成分として配合して成る
体積抵抗率100〜106Ω−cmの半導電性組成物の押出成形
にて形成せしめることを特徴とする架橋ポリオレフィン
絶縁電力ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332285A JPH0743969B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332285A JPH0743969B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183817A JPS61183817A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH0743969B2 true JPH0743969B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=12107350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2332285A Expired - Lifetime JPH0743969B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743969B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140117448A (ko) * | 2012-01-31 | 2014-10-07 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 열가소성 반도전성 조성물 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2332285A patent/JPH0743969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140117448A (ko) * | 2012-01-31 | 2014-10-07 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 열가소성 반도전성 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61183817A (ja) | 1986-08-16 |
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