JPH0743373A - 導電性部材の観察・計測方法及びその装置 - Google Patents
導電性部材の観察・計測方法及びその装置Info
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- JPH0743373A JPH0743373A JP5189610A JP18961093A JPH0743373A JP H0743373 A JPH0743373 A JP H0743373A JP 5189610 A JP5189610 A JP 5189610A JP 18961093 A JP18961093 A JP 18961093A JP H0743373 A JPH0743373 A JP H0743373A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、アトムプロ−ブに用いられる単一針
状試料を平面状化することにより装置の分析効率と応用
範囲を向上させ、更にＤｅａｄ Ｔｉｍｅを大きく減少
させるとともに、短時間で大量の情報が得られる原子オ
−ダ−の極微細領域計測方法と装置を提供することを目
的としている。 【構成】装置は凹凸のある平面状試料とそれから１μｍ
以下にまで接近したマイクロ引き出し電極よりなり、試
料面上の凹凸（ティップ１１）は機械切削または電解研
摩、ドライエッチング等により形成させる。 【効果】本発明によれば、平面試料面上の多数の凹凸や
ティップの先端の原子配列・構造・組成分布・電子状態
が調べられるという画期的な効果がある。
状試料を平面状化することにより装置の分析効率と応用
範囲を向上させ、更にＤｅａｄ Ｔｉｍｅを大きく減少
させるとともに、短時間で大量の情報が得られる原子オ
−ダ−の極微細領域計測方法と装置を提供することを目
的としている。 【構成】装置は凹凸のある平面状試料とそれから１μｍ
以下にまで接近したマイクロ引き出し電極よりなり、試
料面上の凹凸（ティップ１１）は機械切削または電解研
摩、ドライエッチング等により形成させる。 【効果】本発明によれば、平面試料面上の多数の凹凸や
ティップの先端の原子配列・構造・組成分布・電子状態
が調べられるという画期的な効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電性部材の観察・計測
装置に係り、特に原子オ−ダ−の分解能を有し、極微細
領域の構造と組成を分析するとともに電子状態を明らか
にするに好適な計測方法及びその装置に関し、また試料
面をビ−ム源とする試料の作製方法に関する。
装置に係り、特に原子オ−ダ−の分解能を有し、極微細
領域の構造と組成を分析するとともに電子状態を明らか
にするに好適な計測方法及びその装置に関し、また試料
面をビ−ム源とする試料の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアトムプロ−ブでは先端半径０．
１μｍ以下の単一の針状試料に高電圧を印加し、更にパ
ルス電圧またはパルスレ−ザを照射し表面原子をイオン
として蒸発させ、その飛行時間を計測し、原子の種類を
同定している。
１μｍ以下の単一の針状試料に高電圧を印加し、更にパ
ルス電圧またはパルスレ−ザを照射し表面原子をイオン
として蒸発させ、その飛行時間を計測し、原子の種類を
同定している。
【０００３】先端半径を０．１μｍ以下とするのは原子
の蒸発を可能とする電圧との関連からで、太くなりすぎ
ると放電を起こすような高電圧を印加しなければならな
い。従って当初は０．１μｍ以下の針を用いても蒸発を
継続すると段々太くなり、それ以上分析を続けられな
い。それ故、線状の試料から針を形成し、その針先を分
析しても１本の針から５万個以上の原子を計測すること
が困難であり、正確な統計処理を行えないという欠点が
あった。
の蒸発を可能とする電圧との関連からで、太くなりすぎ
ると放電を起こすような高電圧を印加しなければならな
い。従って当初は０．１μｍ以下の針を用いても蒸発を
継続すると段々太くなり、それ以上分析を続けられな
い。それ故、線状の試料から針を形成し、その針先を分
析しても１本の針から５万個以上の原子を計測すること
が困難であり、正確な統計処理を行えないという欠点が
あった。
【０００４】また吸着、表面反応、界面を測定する際は
多数の針から計測し、デ−タの信頼性を確認する必要が
あった。
多数の針から計測し、デ−タの信頼性を確認する必要が
あった。
【０００５】尚、この種の従来技術としては、Ｔ．Ｔｓ
ｏｎｇ：”Ａｔｏｍ−ｐｒｏｂｅＦｉｅｌｄ Ｉｏｎ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ”，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉ
−ｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ （アトムプロ−ブフィ
−ルド イオンマイクロスコピ−；ケンブリッジ大学出
版部）（１９９０）がある。
ｏｎｇ：”Ａｔｏｍ−ｐｒｏｂｅＦｉｅｌｄ Ｉｏｎ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ”，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｕｎｉ
−ｖｅｒｓｉｔｙ Ｐｒｅｓｓ （アトムプロ−ブフィ
−ルド イオンマイクロスコピ−；ケンブリッジ大学出
版部）（１９９０）がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の単一の針を用い
た従来技術は、一本の針の観察、分析、計測が終了すれ
ば計測またはビ−ム源を超高真空中から取り出し、新し
いものと交換しなければならず、装置に多大なＤｅａｄ
Ｔｉｍｅを生じさせる。またアトムプロ−ブまたは電
界イオン顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｅ，ＦＩＭ）の試料とする場合、単一の針からの計
測ではデ−タ、統計処理が不可能になることが多い。更
に層状構造を持つ２次元試料から針状試料を作製するこ
とは極めて困難であり、界面構造を評価する場合は大き
く制限される。
た従来技術は、一本の針の観察、分析、計測が終了すれ
ば計測またはビ−ム源を超高真空中から取り出し、新し
いものと交換しなければならず、装置に多大なＤｅａｄ
Ｔｉｍｅを生じさせる。またアトムプロ−ブまたは電
界イオン顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｅ，ＦＩＭ）の試料とする場合、単一の針からの計
測ではデ−タ、統計処理が不可能になることが多い。更
に層状構造を持つ２次元試料から針状試料を作製するこ
とは極めて困難であり、界面構造を評価する場合は大き
く制限される。
【０００７】本発明はマルチティップを試料またはビ−
ム源とし装置のＤｅａｄ Ｔｉｍｅを大きく減少させる
とともに２次元試料解析を可能にするものであって、超
高真空を乱すことなく平面状試料の多数の点の計測を可
能とする原子オ−ダ−の極微細領域の解析方法および装
置であって、その解析に適したマルチティップの作製方
法を提供することを目的としている。
ム源とし装置のＤｅａｄ Ｔｉｍｅを大きく減少させる
とともに２次元試料解析を可能にするものであって、超
高真空を乱すことなく平面状試料の多数の点の計測を可
能とする原子オ−ダ−の極微細領域の解析方法および装
置であって、その解析に適したマルチティップの作製方
法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は走査可能な
マイクロ引き出し電極と平面状試料をマルチティップと
することにより達成される。◆本発明の導電性部材の観
察・計測方法は次のいずれかを特徴とする。
マイクロ引き出し電極と平面状試料をマルチティップと
することにより達成される。◆本発明の導電性部材の観
察・計測方法は次のいずれかを特徴とする。
【０００９】（１）平面状試料の原子配列と組成分布、
更に電子状態を観察・計測する装置において、平面状試
料面をビ−ム源とする （２）（１）において、平面状試料の表面近傍に引き出
し電極を配置し、引き出し電極を用い平面状試料の表面
をビ−ム源として平面状試料の原子配列と組成分布、更
に電子状態を観察、計測する。◆ （３）（２）において、引き出し電極または平面状試料
をＸ−Ｙ−Ｚ方向に走査する。
更に電子状態を観察・計測する装置において、平面状試
料面をビ−ム源とする （２）（１）において、平面状試料の表面近傍に引き出
し電極を配置し、引き出し電極を用い平面状試料の表面
をビ−ム源として平面状試料の原子配列と組成分布、更
に電子状態を観察、計測する。◆ （３）（２）において、引き出し電極または平面状試料
をＸ−Ｙ−Ｚ方向に走査する。
【００１０】（４）（１）乃至（３）のいずれかにおい
て、観察・計測方法の基本原理が電界イオン顕微鏡、電
界放射顕微鏡及び／またはアトムプロ−ブと共通する。
◆ （５）（４）において、平面状試料を電子線ホログラフ
ィ−の電子源とする。
て、観察・計測方法の基本原理が電界イオン顕微鏡、電
界放射顕微鏡及び／またはアトムプロ−ブと共通する。
◆ （５）（４）において、平面状試料を電子線ホログラフ
ィ−の電子源とする。
【００１１】（６）（１）乃至（５）のいずれかにおい
て、平面状試料の表面の観察または計測を容易にするた
めに、平面状試料上に核をつけた後、核上にウィスカ−
を成長させることにより平面状試料の表面にマルチティ
ップを形成させる。◆ （７）（１）乃至（５）のいずれかにおいて、平面状試
料の表面の観察または計測を容易にするために、平面状
試料に電解研磨またはドライエッチングを施こすことに
より平面状試料の表面にマルチティップを形成させる。
て、平面状試料の表面の観察または計測を容易にするた
めに、平面状試料上に核をつけた後、核上にウィスカ−
を成長させることにより平面状試料の表面にマルチティ
ップを形成させる。◆ （７）（１）乃至（５）のいずれかにおいて、平面状試
料の表面の観察または計測を容易にするために、平面状
試料に電解研磨またはドライエッチングを施こすことに
より平面状試料の表面にマルチティップを形成させる。
【００１２】また、本発明の導電性部材の観察・計測装
置は次のいずれかを特徴とする。◆ （８）試料表面がビーム源となる平面状試料と、平面状
試料の原子配列と組成分布を計測する装置、更に電子状
態を計測する装置を備えてなる。
置は次のいずれかを特徴とする。◆ （８）試料表面がビーム源となる平面状試料と、平面状
試料の原子配列と組成分布を計測する装置、更に電子状
態を計測する装置を備えてなる。
【００１３】（９）（８）において、平面状試料の表面
を観察または計測するための引き出し電極を具備する。
◆ （１０）（９）において、表面を観察または計測するた
めに、引き出し電極または平面状試料をＸ−Ｙ−Ｚ方向
に走査する。
を観察または計測するための引き出し電極を具備する。
◆ （１０）（９）において、表面を観察または計測するた
めに、引き出し電極または平面状試料をＸ−Ｙ−Ｚ方向
に走査する。
【００１４】（１１）（９）または（１０）において、
引き出し電極が電鋳または塑性加工で成型されたテ−パ
−付きの直径１μｍ以下の円錐面状である。
引き出し電極が電鋳または塑性加工で成型されたテ−パ
−付きの直径１μｍ以下の円錐面状である。
【００１５】
【作用】平面状試料の材料は研究目的に応じて、金属、
半導体、電導性ガラス、電導性セラミックス、電導性ポ
リマ−と様々であるが、これらの試料から先端の鋭いマ
ルチティップを作製する。
半導体、電導性ガラス、電導性セラミックス、電導性ポ
リマ−と様々であるが、これらの試料から先端の鋭いマ
ルチティップを作製する。
【００１６】マルチティップの前面にＸ−Ｙ−Ｚ三方向
に可動な機構に支持された円錐状の引き出し電極を接近
させ、観察、計測、分析するティップをマルチティップ
の中から選定する。次に真空装置内に映像ガスを導入し
てから、マルチティップに高電圧（バイアス＋パルス）
を印加し、針先でガス原子をイオン化し、そのイオンに
より針先の原子配列を観察する。
に可動な機構に支持された円錐状の引き出し電極を接近
させ、観察、計測、分析するティップをマルチティップ
の中から選定する。次に真空装置内に映像ガスを導入し
てから、マルチティップに高電圧（バイアス＋パルス）
を印加し、針先でガス原子をイオン化し、そのイオンに
より針先の原子配列を観察する。
【００１７】続いて、ティップ表面から原子を陽イオン
として蒸発させ、そのイオンをイオン検出器まで飛行さ
せて飛行時間を計測し原子を同定する。また試料に負電
圧を印加し電界放射顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＦＥＭ）として作動さ
せ、針先より電子を放射させそれらの電子のエネルギ−
を分析、計測することにより電子状態も調べる。
として蒸発させ、そのイオンをイオン検出器まで飛行さ
せて飛行時間を計測し原子を同定する。また試料に負電
圧を印加し電界放射顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＦＥＭ）として作動さ
せ、針先より電子を放射させそれらの電子のエネルギ−
を分析、計測することにより電子状態も調べる。
【００１８】本ティップの観察、計測が終了すると、引
き出し電極で次のティップを選択する。この作業を継続
し目的とする解析を完了させる。これにより１回の超高
真空中への試料導入で目的とする表面・界面の構造と組
成分布、更に電子状態についての多量のデ−タ取得が可
能となる。
き出し電極で次のティップを選択する。この作業を継続
し目的とする解析を完了させる。これにより１回の超高
真空中への試料導入で目的とする表面・界面の構造と組
成分布、更に電子状態についての多量のデ−タ取得が可
能となる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。◆マルチティップの外観図を図１に示す。マルチ
ティップは多数のティップ１１を同一基板１２平面上に
配置した形態をもっている。針の長さや分布間隔は使用
目的に応じて選択する。
する。◆マルチティップの外観図を図１に示す。マルチ
ティップは多数のティップ１１を同一基板１２平面上に
配置した形態をもっている。針の長さや分布間隔は使用
目的に応じて選択する。
【００２０】このマルチティップは、図２に示すごとく
板状試料２１をカッター２２で縦横に切削することによ
り機械的にティップの先端が形成される。これにより、
ティップを短時間で大量に作製すると共に、分析を行う
場合には二次元的な情報を得ることができるという効果
がある。ここで前記カッターの刃先角度２３がティップ
２４の先端角を決定する。
板状試料２１をカッター２２で縦横に切削することによ
り機械的にティップの先端が形成される。これにより、
ティップを短時間で大量に作製すると共に、分析を行う
場合には二次元的な情報を得ることができるという効果
がある。ここで前記カッターの刃先角度２３がティップ
２４の先端角を決定する。
【００２１】また、ＦＥＭやＦＩＭ、アトムプローブ、
位置敏感型アトムプローブ（Ｐｏ−ｓｉｔｉｏｎ−Ｓｅ
ｎｓｉｔｉｖｅ Ａｔｏｍ Ｐｒｏｂｅ）の試料として
用いる場合には、更にマルチティップの全ての先端を電
解液に浸漬し、電解研摩して先端の曲率半径が１０００
Å以下の鋭利なマルチティップにする。この場合従来一
本ずつ別々に電解研摩しなければならなかったのに対し
て、本発明では鋭利なティップを同時に多数短時間で作
製することができるという特徴がある。
位置敏感型アトムプローブ（Ｐｏ−ｓｉｔｉｏｎ−Ｓｅ
ｎｓｉｔｉｖｅ Ａｔｏｍ Ｐｒｏｂｅ）の試料として
用いる場合には、更にマルチティップの全ての先端を電
解液に浸漬し、電解研摩して先端の曲率半径が１０００
Å以下の鋭利なマルチティップにする。この場合従来一
本ずつ別々に電解研摩しなければならなかったのに対し
て、本発明では鋭利なティップを同時に多数短時間で作
製することができるという特徴がある。
【００２２】半導体や磁性薄膜のような薄膜多層構造体
材料では、イオンミリング等を用いたフォトリソ工程で
マルチティップを作製することも可能である。更に、平
面試料上に一定間隔で核となる元素の塊を置き、該塊か
らウィスカーを結晶成長させてマルチティップを作製で
きる。本マルチティップは以上の他にもＦＥ−ＴＥＭや
電子線ホログラフィー用の電子線源として使用すること
もできる。
材料では、イオンミリング等を用いたフォトリソ工程で
マルチティップを作製することも可能である。更に、平
面試料上に一定間隔で核となる元素の塊を置き、該塊か
らウィスカーを結晶成長させてマルチティップを作製で
きる。本マルチティップは以上の他にもＦＥ−ＴＥＭや
電子線ホログラフィー用の電子線源として使用すること
もできる。
【００２３】以下マルチティップをアトムプローブＦＩ
Ｍの分析試料をして用いた場合について以下に図３によ
り説明する。従来の一本のティップに代えて、マルチテ
ィップ試料３１をアトムプローブＦＩＭの超高真空容器
に装着する。マルチティップを極低温冷凍機３２で約２
０Ｋまで冷却し、試料に数ｋＶの正の高電圧（定常電
圧）を印加する。
Ｍの分析試料をして用いた場合について以下に図３によ
り説明する。従来の一本のティップに代えて、マルチテ
ィップ試料３１をアトムプローブＦＩＭの超高真空容器
に装着する。マルチティップを極低温冷凍機３２で約２
０Ｋまで冷却し、試料に数ｋＶの正の高電圧（定常電
圧）を印加する。
【００２４】テ−パ付きの直径１μｍ以下の円錐からな
る引き出し電極３３を対面からマルチティップのうちの
一つのティップ３４に近付け、この引き出し電極にも数
ｋＶの正の高電圧を加える（ここで、前記引き出し電極
３３はＸ−Ｙ−Ｚ三方向に可動な機構に支持され、電鋳
または塑性加工で成型して作製する。そして、引き出し
電極から電界放射された高密度の電流がティップおよび
その基盤を損傷することを防ぐために、ティップ先端と
引き出し電極先端との電界強度の比が１０：１以上にな
るように電極の形状を設定するとともに、電極を最適位
置（針から１μｍ以下）にまで接近させる。）。
る引き出し電極３３を対面からマルチティップのうちの
一つのティップ３４に近付け、この引き出し電極にも数
ｋＶの正の高電圧を加える（ここで、前記引き出し電極
３３はＸ−Ｙ−Ｚ三方向に可動な機構に支持され、電鋳
または塑性加工で成型して作製する。そして、引き出し
電極から電界放射された高密度の電流がティップおよび
その基盤を損傷することを防ぐために、ティップ先端と
引き出し電極先端との電界強度の比が１０：１以上にな
るように電極の形状を設定するとともに、電極を最適位
置（針から１μｍ以下）にまで接近させる。）。
【００２５】更に、前記定常電圧の１〜２割のパルス電
圧を上乗せすると、ティップ表面上の原子は電界蒸発
し、イオン３５となって飛行し検出器３６に到着する。
該パルス電圧の印加を継続して行うと、ティップ先端か
ら表面原子が一個ずつ剥ぎ取られて、表面から１原子層
毎の濃度プロファイルを得ることができる。また、前記
パルス電圧を印加せずに、ＨｅやＮｅ等の不活性なガス
を導入すると表面原子の二次元配列を示すＦＩＭ像をス
クリーン３７上で観察することができる。
圧を上乗せすると、ティップ表面上の原子は電界蒸発
し、イオン３５となって飛行し検出器３６に到着する。
該パルス電圧の印加を継続して行うと、ティップ先端か
ら表面原子が一個ずつ剥ぎ取られて、表面から１原子層
毎の濃度プロファイルを得ることができる。また、前記
パルス電圧を印加せずに、ＨｅやＮｅ等の不活性なガス
を導入すると表面原子の二次元配列を示すＦＩＭ像をス
クリーン３７上で観察することができる。
【００２６】前記ティップ３４より約５万個以上のイオ
ンを採取すると、ティップ先端の曲率半径を増大し、電
界蒸発に必要な印加電圧が高くなり分析を継続すること
ができなくなる。更に針に負電圧を印加すると、ＦＩＭ
はＦＥＭとして作動し針先から電子を放出する。
ンを採取すると、ティップ先端の曲率半径を増大し、電
界蒸発に必要な印加電圧が高くなり分析を継続すること
ができなくなる。更に針に負電圧を印加すると、ＦＩＭ
はＦＥＭとして作動し針先から電子を放出する。
【００２７】スクリ−ン３７の中央にあるプロ−ブホ−
ルの後にファラデ−カップ３８を挿入して電子のエネル
ギ−分析をするとプロ−ブホ−ルに対応した針先の領域
の電子状態がわかる。
ルの後にファラデ−カップ３８を挿入して電子のエネル
ギ−分析をするとプロ−ブホ−ルに対応した針先の領域
の電子状態がわかる。
【００２８】従来のアトムプローブＦＩＭではここで分
析を終了することになるが、本発明では前記引き出し電
極３３を移動し、次のティップ３８に接近させ同様な分
析を行う。以上のような各ティップ分析を繰り返すこと
により、１試料から多量の情報を得ることができ、試料
の平面方向の濃度分布を調べることができるという効果
がある。
析を終了することになるが、本発明では前記引き出し電
極３３を移動し、次のティップ３８に接近させ同様な分
析を行う。以上のような各ティップ分析を繰り返すこと
により、１試料から多量の情報を得ることができ、試料
の平面方向の濃度分布を調べることができるという効果
がある。
【００２９】このことは、試料面を電子、イオン源とし
大量の電子、イオンを放出させる場合にも有利であるこ
とを示している。また引き出し電極の先端部を直径数千
Å以下にまで微細化できると現在使用されている走査型
トンネル顕微鏡の走査針と平面試料と同じ次元になるの
で、試料面に本実施例で示した加工によりマルチティッ
プを作製せずとも原子オ−ダ−の凹凸があれば面そのも
のが電子イオン源となるという効果がある。
大量の電子、イオンを放出させる場合にも有利であるこ
とを示している。また引き出し電極の先端部を直径数千
Å以下にまで微細化できると現在使用されている走査型
トンネル顕微鏡の走査針と平面試料と同じ次元になるの
で、試料面に本実施例で示した加工によりマルチティッ
プを作製せずとも原子オ−ダ−の凹凸があれば面そのも
のが電子イオン源となるという効果がある。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、同一試料上に配置した
マルチティップを試料またはビ−ム源とするので、試料
の交換をティップ毎にする必要がなく装置の稼動率を向
上させることができるという効果がある。更に超高真空
を乱すことなく多数の計測を可能とするという効果もあ
る。
マルチティップを試料またはビ−ム源とするので、試料
の交換をティップ毎にする必要がなく装置の稼動率を向
上させることができるという効果がある。更に超高真空
を乱すことなく多数の計測を可能とするという効果もあ
る。
【図１】マルチティップの外観図である。
【図２】機械切削によりマルチティップを作製する方法
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図３】マルチティップをアトムプローブＦＩＭの分析
試料をして用いる方法を示す概略図である。
試料をして用いる方法を示す概略図である。
１１…ティップ，１２…基板，２１…板状試料，２２…
カッター，２３…刃先角度，２４…先端角，３１…マル
チティップ試料，３２…極低温冷凍機，３３…引き出し
電極，３４…ティップ，３５…イオン，３６…検出器，
３７…スクリーン，３８…ファラデーカップ。
カッター，２３…刃先角度，２４…先端角，３１…マル
チティップ試料，３２…極低温冷凍機，３３…引き出し
電極，３４…ティップ，３５…イオン，３６…検出器，
３７…スクリーン，３８…ファラデーカップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 治 石川県金沢市窪７−364西尾ビル608号室
Claims (11)
- 【請求項１】平面状試料の原子配列と組成分布、更に電
子状態を観察・計測する装置において、前記平面状試料
面をビ−ム源とすることを特徴とする導電性部材の観察
・計測方法。 - 【請求項２】請求項１記載において、前記平面状試料の
表面近傍に引き出し電極を配置し、該引き出し電極を用
い該平面状試料の表面をビ−ム源として該平面状試料の
原子配列と組成分布、更に電子状態を観察、計測するこ
とを特徴とする導電性部材の観察・計測方法。 - 【請求項３】請求項２記載において、前記引き出し電極
または該平面状試料をＸ−Ｙ−Ｚ方向に走査することを
特徴とする導電性部材の観察・計測方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか記載において、
前記観察・計測方法の基本原理が電界イオン顕微鏡、電
界放射顕微鏡及び／またはアトムプロ−ブと共通するこ
とを特徴とする導電性部材の観察・計測方法。 - 【請求項５】請求項４において、前記平面状試料を電子
線ホログラフィ−の電子源とすることを特徴とする導電
性部材の観察・計測方法。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか記載において、
前記平面状試料上に核をつけた後、該核上にウィスカ−
を成長させることにより該平面状試料の表面にマルチテ
ィップを形成させることを特徴とする導電性部材の観察
・計測方法。 - 【請求項７】請求項１乃至５のいずれか記載において、
前記平面状試料に電解研磨またはドライエッチングを施
すことにより該平面状試料の表面にマルチティップを形
成させることを特徴とする導電性部材の観察・計測方
法。 - 【請求項８】試料表面がビーム源となる平面状試料と、
該平面状試料の原子配列と組成分布を計測する装置、更
に電子状態を計測する装置を備えてなることを特徴とす
る導電性部材の観察・計測装置。 - 【請求項９】請求項８記載において、前記平面状試料の
表面を観察または計測するための引き出し電極を具備す
ることを特徴とする導電性部材の観察・計測装置。 - 【請求項１０】請求項９記載において、前記引き出し電
極または該平面状試料をＸ−Ｙ−Ｚ方向に走査すること
を特徴とする導電性部材の観察・計測装置。 - 【請求項１１】請求項９または１０記載において、前記
引き出し電極が電鋳または塑性加工で成型されたテ−パ
−付きの直径１μｍ以下の円錐面状であることを特徴と
する導電性部材の観察・計測装置。
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