JPH0740577B2 - Probe card - Google Patents

Probe card

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JPH0740577B2
JPH0740577B2 JP62098280A JP9828087A JPH0740577B2 JP H0740577 B2 JPH0740577 B2 JP H0740577B2 JP 62098280 A JP62098280 A JP 62098280A JP 9828087 A JP9828087 A JP 9828087A JP H0740577 B2 JPH0740577 B2 JP H0740577B2
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Japan
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probe card
contact terminal
probe
contact
electrode pad
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昇 増岡
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Tokyo Electron Ltd
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【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、プローブ装置に配置され、半導体ウエハ上に
形成された半導体チップの試験測定等に利用されるプロ
ーブカードに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application] The present invention relates to a probe card arranged in a probe apparatus and used for test measurement of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer.

(従来の技術) 一般に、プローブカードは、プローブ装置に配置され、
半導体ウエハ上に形成された半導体チップの試験測定等
に用いられる。
(Prior Art) Generally, a probe card is arranged in a probe device,
It is used for test measurement of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer.

第7図はこのような従来のプローブカードの要部を示す
もので、プリント基板等からなる板状のプローブカード
本体1には、例えば円形の透孔2が形成されている。こ
の透孔2の周囲には、接触端子すなわち多数の探針3が
下方へ向けて斜めに植設されており、この探針3は、プ
ローブカード本体1に形成された導体層4を介して、プ
ローブカード本体1の端部に配設された図示しない電極
に電気的に接続されている。
FIG. 7 shows an essential part of such a conventional probe card, and a plate-shaped probe card body 1 made of a printed circuit board or the like is provided with a circular through hole 2, for example. Around the through hole 2, contact terminals, that is, a large number of probes 3 are planted obliquely downward, and the probes 3 are provided with a conductor layer 4 formed on the probe card body 1 therebetween. , Is electrically connected to an electrode (not shown) arranged at the end of the probe card body 1.

そして、上記プローブカードは、プローブ装置のインサ
ートリング等に固定され、半導体ウエハ5の電極パッド
6に接触される。この時、電極パッド6表面には、アル
ミ酸化膜等からなる絶縁膜が形成されていることが多
く、このため、例えば半導体ウエハ5を上昇させて、探
針3と電極パッド6とを接触状態とした後、さらに半導
体ウエハ5を上昇させることにより、探針3の先端部を
電極パッド6上で例えば距離Sだけスライドさせ、絶縁
膜を破壊して、電気的導通を得る。
Then, the probe card is fixed to an insert ring or the like of the probe device and brought into contact with the electrode pad 6 of the semiconductor wafer 5. At this time, an insulating film made of an aluminum oxide film or the like is often formed on the surface of the electrode pad 6. Therefore, for example, the semiconductor wafer 5 is lifted to bring the probe 3 and the electrode pad 6 into contact with each other. After that, by further raising the semiconductor wafer 5, the tip end portion of the probe 3 is slid on the electrode pad 6 by, for example, the distance S, the insulating film is broken, and electrical conduction is obtained.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記説明の従来のプローブカードでは、
次のような問題がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional probe card described above,
There are the following problems.

すなわち、接触端子である探針が半導体チップの電極パ
ッドに接触した後、横方向にスライドするので、電極パ
ッド表面が探針により削られ、大きな傷が形成されて、
ワイヤボンディングが不良となる場合がある。
That is, since the probe, which is a contact terminal, contacts the electrode pad of the semiconductor chip and then slides in the lateral direction, the surface of the electrode pad is scraped by the probe, and a large scratch is formed.
Wire bonding may be defective.

さらに、接触端子である探針が斜めに配置されているた
め、例えば複数の半導体チップに同時に探針を接触可能
とする等、探針を高密度に配置することが困難である。
Further, since the probe as the contact terminal is obliquely arranged, it is difficult to arrange the probe at a high density, for example, the probe can simultaneously contact a plurality of semiconductor chips.

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、電極パッド表面が接触端子により削られて、この電
極パッド表面に大きな傷が形成されることを防止するこ
とができ、かつ接触端子を高密度で多数配置することの
できるプローブカードを提供しようとするものである。
The present invention has been made in response to such a conventional situation, and it is possible to prevent the electrode pad surface from being scraped by the contact terminal and forming a large scratch on the electrode pad surface, and the contact terminal. An object of the present invention is to provide a probe card capable of arranging a large number of cells at high density.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち本発明のプローブカードは、板状のプローブカ
ード本体と、絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面に複
数形成された導体パターンからなる接触端子を有し、前
記プローブカード本体にほぼ垂直に保持された複数の接
触端子ユニットとを備えたことを特徴とする (作用) 本発明のプローブカードでは、板状のプローブカード本
体に、絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面の少なくと
も一部に形成された導体層からなる探針が、ほぼ垂直に
保持されている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving Problems) That is, the probe card of the present invention comprises a plate-shaped probe card main body, an insulating substrate, and a contact consisting of a plurality of conductor patterns formed on the surface of the insulating substrate. A plurality of contact terminal units having terminals and held substantially vertically to the probe card main body are provided. (Operation) In the probe card of the present invention, the plate-shaped probe card main body is provided with an insulating material. A probe made of a substrate and a conductor layer formed on at least a part of the surface of the insulating substrate is held substantially vertically.

したがって、探針が半導体チップの電極パッドに接触し
た後の横方向へのスライド量を従来に較べて大幅に減少
させることができ、電極パッド表面が探針により削られ
大きな傷が形成されることを防止することができる。ま
た、探針を高密度で多数配置することができ、例えば複
数の半導体チップに同時に探針を接触可能に構成するこ
とができる。
Therefore, the lateral slide amount after the probe comes into contact with the electrode pad of the semiconductor chip can be significantly reduced compared to the conventional case, and the electrode pad surface is scraped by the probe and a large scratch is formed. Can be prevented. Further, a large number of probes can be arranged at a high density, and for example, the probes can be simultaneously contactable with a plurality of semiconductor chips.

(実施例) 以下本発明のプローブカードを第1図〜第6図を参照し
て実施例について説明する。
(Embodiment) An embodiment of the probe card of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 6.

材質例えば樹脂、セラミックス等からなり、板状に形成
されたプローブカード本体11には、このプローブカード
本体11を貫通して複数の接触端子ユニット12が、ほぼ垂
直に配置されている。
A plate-shaped probe card main body 11 made of a material such as resin or ceramics has a plurality of contact terminal units 12 penetrating through the probe card main body 11 and arranged substantially vertically.

この接触端子ユニット12は、例えばフォトリソグラフィ
ーによって成形された水晶基板等からなる絶縁性基板13
と、この絶縁性基板13表面の所望部位に例えばフォトリ
ソグラフィーによって形成された導体パターン14とから
構成されている。
The contact terminal unit 12 includes an insulating substrate 13 made of, for example, a crystal substrate formed by photolithography.
And a conductor pattern 14 formed at a desired portion of the surface of the insulating substrate 13 by photolithography, for example.

上記絶縁性基板13は、第3図に示すように、外形がほぼ
逆三角形状とされ、下側端部に櫛歯状の接触端子部15が
形成されている。そして、この櫛歯状の接触端子部15
に、それぞれ導体パターン14が形成されており、これら
の導体パターン14は、それぞれ上部に向けて徐々に幅広
となるように、帯状に形成されている。また、接触端子
部15の先端部には、第4図に示すように、絶縁性基板13
の反対側へ回り込むように導体パターン14が形成されて
いる。
As shown in FIG. 3, the insulating substrate 13 has a substantially triangular outer shape, and a comb-teeth-shaped contact terminal portion 15 is formed at the lower end thereof. Then, the comb-shaped contact terminal portion 15
The conductor patterns 14 are respectively formed on the bases, and the conductor patterns 14 are formed in a strip shape so as to gradually widen toward the upper part. Further, as shown in FIG. 4, an insulating substrate 13 is provided at the tip of the contact terminal portion 15.
A conductor pattern 14 is formed so as to wrap around to the opposite side.

なお、上記櫛歯状の接触端子部15は、半導体ウエハ表面
に形成された半導体チップの電極パッドに対応して形成
されている。
The comb-teeth-shaped contact terminal portion 15 is formed corresponding to the electrode pad of the semiconductor chip formed on the surface of the semiconductor wafer.

また、上記接触端子ユニット12が、プローブカード本体
11上面に突出した部位には、例えば導電性ゴム等からな
る導体層を備えた接続部材16が配置されている。すなわ
ち、第5図に示すように、接続部材16は、導体層16a
と、絶縁層16bの繰り返しで形成されている。そして導
体パターン14に接触したいくつかの導体槽16aを通じ
て、例えばカード本体11に形成された図示しない導体層
を介して、図示しない接続端子に電気的に接続されてい
る。
In addition, the contact terminal unit 12 is
A connecting member 16 provided with a conductor layer made of, for example, a conductive rubber or the like is arranged at the portion projecting on the upper surface. That is, as shown in FIG. 5, the connecting member 16 includes the conductor layer 16a.
And the insulating layer 16b is repeated. Then, through some conductor tanks 16a in contact with the conductor pattern 14, for example, via a conductor layer (not shown) formed in the card body 11, it is electrically connected to a connection terminal (not shown).

なお、例えば第6図に示すように、接続部材16の導体パ
ターン14と接触される面と反対側の面を絶縁層16bと
し、多数の接触端子ユニット12の間に、それぞれ接続部
材16を介在させて一体的に構成することもできる。
For example, as shown in FIG. 6, the surface of the connecting member 16 opposite to the surface in contact with the conductor pattern 14 is an insulating layer 16b, and the connecting member 16 is interposed between a large number of contact terminal units 12. It is also possible to configure them integrally.

さらに、この実施例のプローブカードでは、プローブカ
ード本体11の上部に、例えば圧電素子からなる超音波振
動子17等の振動手段が配置されている。
Further, in the probe card of this embodiment, the vibrating means such as the ultrasonic transducer 17 including a piezoelectric element is arranged above the probe card body 11.

上記構成のプローブカードは、プローブ装置のインサー
トリング等に固定される。そして、接触端子部15を、半
導体ウエハに形成された半導体チップの電極パッドに接
触させて、半導体チップの試験測定を行う。
The probe card having the above configuration is fixed to the insert ring or the like of the probe device. Then, the contact terminal portion 15 is brought into contact with the electrode pad of the semiconductor chip formed on the semiconductor wafer, and the test measurement of the semiconductor chip is performed.

また、接触端子部15と半導体ウエハの電極パッドとを接
触させた後、電極パッドの表面に形成されたアルミ酸化
膜等からなる絶縁膜を破壊して、電気的な導通を得るた
めに、超音波振動子17により接触端子部15を一定時間振
動させる。この振動時間および振動周波数等は、測定す
る半導体ウエハの種類等により、適宜選択する。
In addition, after the contact terminal portion 15 and the electrode pad of the semiconductor wafer are brought into contact with each other, the insulating film made of an aluminum oxide film or the like formed on the surface of the electrode pad is destroyed to obtain electrical continuity. The sound wave vibrator 17 vibrates the contact terminal portion 15 for a predetermined time. The vibration time, the vibration frequency, etc. are appropriately selected depending on the type of the semiconductor wafer to be measured.

すなわち上述のこの実施例のプローブカードでは、プロ
ーブカード本体11に、接触端子ユニット12が、ほぼ垂直
に配置されている。
That is, in the above-described probe card of this embodiment, the contact terminal unit 12 is arranged in the probe card main body 11 substantially vertically.

したがって、接触端子部15が半導体ウエハの電極パッド
に接触した後の横方向へのスライド量を従来に較べて大
幅に減少させることができ、電極パット表面が削られ大
きな傷が形成されて、ワイヤボンディングが不良となる
ことを防止することができる。
Therefore, the amount of sliding in the lateral direction after the contact terminal portion 15 comes into contact with the electrode pad of the semiconductor wafer can be significantly reduced as compared with the conventional case, and the electrode pad surface is scraped to form a large scratch, and the wire It is possible to prevent defective bonding.

さらに、接触端子ユニット12および接触端子部15を高密
度で多数配置することができ、複数の半導体チップに同
時に接触端子部15を接触可能とすることができるので、
従来に較べて試験測定に要する時間の短縮を図ることが
できる。
Furthermore, the contact terminal units 12 and the contact terminal portions 15 can be arranged in high density in a large number, and the contact terminal portions 15 can be simultaneously brought into contact with a plurality of semiconductor chips.
The time required for the test measurement can be shortened as compared with the conventional case.

[発明の効果] 上述のように、本発明のプローブカードでは、電極パッ
ド表面が接触端子により削られて、この電極パッド表面
に大きな傷が形成されることを防止することができ、か
つ接触端子を高密度で多数配置することができる。
[Advantages of the Invention] As described above, in the probe card of the present invention, it is possible to prevent the electrode pad surface from being scraped by the contact terminal and form a large scratch on the electrode pad surface, and the contact terminal can be prevented. Can be arranged in high density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例のプローブカードの要部を示
す斜視図、第2図は第1図の縦断面図、第3図は接触端
子ユニットを示す正面図、第4図は第3図の要部を示す
縦断面図、第5図は第1図の要部を示す斜視図、第6図
は変形例を示す縦断面図、第7図は従来のプローブカー
ドの要部を示す縦断面図である。 11……プローブカード本体、12……接触端子ユニット、
13……絶縁性基板、14……導体パターン、15……接触端
子部。
FIG. 1 is a perspective view showing a main part of a probe card according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view of FIG. 1, FIG. 3 is a front view showing a contact terminal unit, and FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an essential part of FIG. 3, FIG. 5 is a perspective view showing an essential part of FIG. 1, FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a modified example, and FIG. 7 is an essential part of a conventional probe card. FIG. 11 …… Probe card body, 12 …… Contact terminal unit,
13 ... Insulating substrate, 14 ... Conductor pattern, 15 ... Contact terminal part.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】板状のプローブカード本体と、 絶縁性基板およびこの絶縁性基板表面に複数形成された
導体パターンからなる接触端子を有し、前記プローブカ
ード本体にほぼ垂直に保持された複数の接触端子ユニッ
トと を備えたことを特徴とするプローブカード。
1. A plurality of plate-shaped probe card main bodies, a plurality of contact terminals composed of an insulating substrate and a plurality of conductor patterns formed on the surface of the insulating substrate, and a plurality of contact terminals held substantially vertically on the probe card main body. A probe card comprising a contact terminal unit.
【請求項2】前記絶縁性基は、フォトリソグラフィーに
より成形されたものである特許請求の範囲第1項記載の
プローブカード。
2. The probe card according to claim 1, wherein the insulating group is molded by photolithography.
【請求項3】前記導体層は、フォトリソグラフィーによ
り前記絶縁性基板表面の所望部位に形成されたものであ
る特許請求の範囲第1項記載のプローブカード。
3. The probe card according to claim 1, wherein the conductor layer is formed on a desired portion of the surface of the insulating substrate by photolithography.
JP62098280A 1987-04-21 1987-04-21 Probe card Expired - Lifetime JPH0740577B2 (en)

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