JPH0740297Y2 - 半導体製造処理装置 - Google Patents
半導体製造処理装置Info
- Publication number
- JPH0740297Y2 JPH0740297Y2 JP8014989U JP8014989U JPH0740297Y2 JP H0740297 Y2 JPH0740297 Y2 JP H0740297Y2 JP 8014989 U JP8014989 U JP 8014989U JP 8014989 U JP8014989 U JP 8014989U JP H0740297 Y2 JPH0740297 Y2 JP H0740297Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dust
- semiconductor manufacturing
- manufacturing processing
- processing equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、高濃度イオン注入のような荷電ビームを用い
る半導体製造処理装置において、イオンビームの照射領
域に、半導体ウエハよりも静電容量の小さい絶縁体から
なるダスト吸着体を半導体ウエハの近傍に配置した保持
板を用いることによって、装置内部に発生したダスト
を、半導体ウエハが荷電ビームによってチャージアップ
しても、より帯電圧の高いダスト吸着板の方へ吸着する
ことによって半導体ウエハへのダストの吸着を防止しよ
うとするものである。
る半導体製造処理装置において、イオンビームの照射領
域に、半導体ウエハよりも静電容量の小さい絶縁体から
なるダスト吸着体を半導体ウエハの近傍に配置した保持
板を用いることによって、装置内部に発生したダスト
を、半導体ウエハが荷電ビームによってチャージアップ
しても、より帯電圧の高いダスト吸着板の方へ吸着する
ことによって半導体ウエハへのダストの吸着を防止しよ
うとするものである。
半導体ウエハ（以下ウエハという）に不純物をドーピン
グするイオン注入法は、不純物のドープ量の制御性が極
めて良好であり、すでに1016／cm3の低濃度のレベルか
ら1020／cm3を超える高濃度のドーピングレベルに至る
まで高精度の不純物量の制御が可能で、さらに、低消費
電力を目指したCMOS化や高速化を目指したBi−CMOS化の
ICにおいては、このイオン注入の使用頻度が著しく高く
なってきている。
グするイオン注入法は、不純物のドープ量の制御性が極
めて良好であり、すでに1016／cm3の低濃度のレベルか
ら1020／cm3を超える高濃度のドーピングレベルに至る
まで高精度の不純物量の制御が可能で、さらに、低消費
電力を目指したCMOS化や高速化を目指したBi−CMOS化の
ICにおいては、このイオン注入の使用頻度が著しく高く
なってきている。
一方、LSIのように、半導体装置の加工において微細化
高集積化に伴い、ますますクリーン技術、すなわちダス
トフリープロセスが重要となってきているが、特に高濃
度イオン注入法を用いるときなどには、装置内部にメカ
ニカルスキャン機構を採用しているため可動部分から発
生するダストが、イオンビームの照射によるウエハのチ
ャージアップによってウエハ表面に吸着されてしまうこ
とが問題となっている。高濃度イオン注入の場合はウエ
ハのチャージアップ量も大きく、発生したダストの吸着
量も多くなる。
高集積化に伴い、ますますクリーン技術、すなわちダス
トフリープロセスが重要となってきているが、特に高濃
度イオン注入法を用いるときなどには、装置内部にメカ
ニカルスキャン機構を採用しているため可動部分から発
生するダストが、イオンビームの照射によるウエハのチ
ャージアップによってウエハ表面に吸着されてしまうこ
とが問題となっている。高濃度イオン注入の場合はウエ
ハのチャージアップ量も大きく、発生したダストの吸着
量も多くなる。
このようなダストの吸着を防止するために、例えば特開
昭61−168915に示されるチャージアップ防止の例を第２
図を用いて説明すると、ウエハ１をウエハ保持板２に保
持し荷電ビームであるイオンビーム３をウエハに照射す
ると、ウエハが電荷によってチャージアップしてしま
う。そこで、電子のシャワーを発生する中性器４を用い
てイオンを中性化する。さらに充分中性化されないイオ
ンビームを分離器５を用いてウエハの側方へ向かうよう
に偏向することによってウエハのチャージアップを防止
している。
昭61−168915に示されるチャージアップ防止の例を第２
図を用いて説明すると、ウエハ１をウエハ保持板２に保
持し荷電ビームであるイオンビーム３をウエハに照射す
ると、ウエハが電荷によってチャージアップしてしま
う。そこで、電子のシャワーを発生する中性器４を用い
てイオンを中性化する。さらに充分中性化されないイオ
ンビームを分離器５を用いてウエハの側方へ向かうよう
に偏向することによってウエハのチャージアップを防止
している。
ウエハのチャージアップを防止するためには、前述のよ
うな装置の変更、さらに制御手段を必要とし高価な装置
になってしまう。
うな装置の変更、さらに制御手段を必要とし高価な装置
になってしまう。
本考案は、ウエハのチャージアップが生じても装置内部
で発生したダストをウエハ以外の領域に吸着させようと
するものである。
で発生したダストをウエハ以外の領域に吸着させようと
するものである。
本考案は、ウエハ保持板に保持したウエハの近傍にダス
ト吸着体を配置することによって装置内部で発生したダ
ストをダスト吸着体を吸着させることによってウエハ表
面へのダストの吸着を防止しようとするものである。
ト吸着体を配置することによって装置内部で発生したダ
ストをダスト吸着体を吸着させることによってウエハ表
面へのダストの吸着を防止しようとするものである。
荷電ビームによるウエハのチャージアップ量よりも大き
なチャージアップを生ずるように、ウエハよりも静電容
量が小さい絶縁材料からなるダスト吸着体をウエハ近傍
に配置すれば、装置内部で発生したダストは、より帯電
圧の高いダスト吸着体に吸着される。
なチャージアップを生ずるように、ウエハよりも静電容
量が小さい絶縁材料からなるダスト吸着体をウエハ近傍
に配置すれば、装置内部で発生したダストは、より帯電
圧の高いダスト吸着体に吸着される。
本考案の実施例を、高濃度イオン注入の場合について第
１図を用いて説明する。
１図を用いて説明する。
高濃度不純物をイオン注入法によって注入するに際し、
ウエハ１を円板状のディスクすなわちウエハ保持板２の
所定の面上のウエハ保持部2aに装着する。ウエハ１の近
傍で、イオンビームが照射される領域のウエハ保持板２
の面上に、ダスト吸着体６を配置する。このダスト吸着
体６は、ウエハ１よりも静電容量が小さい石英のような
絶縁材料からなる、形状は、ウエハ１から出来るだけ等
距離になるように帯状とするか、または取扱いに便利な
ように小円板状に形成してもよい。ウエハ１およびダス
ト吸着体にイオンビームが照射されると、ウエハ１より
も静電容量が小さいダスト吸着体６の帯電圧は、ウエハ
１よりも高くなり、装置内部で発生したダストはウエハ
１よりもダスト吸着体６の方に吸着されるので、ウエハ
１の表面をクリーンにすることが出来る。
ウエハ１を円板状のディスクすなわちウエハ保持板２の
所定の面上のウエハ保持部2aに装着する。ウエハ１の近
傍で、イオンビームが照射される領域のウエハ保持板２
の面上に、ダスト吸着体６を配置する。このダスト吸着
体６は、ウエハ１よりも静電容量が小さい石英のような
絶縁材料からなる、形状は、ウエハ１から出来るだけ等
距離になるように帯状とするか、または取扱いに便利な
ように小円板状に形成してもよい。ウエハ１およびダス
ト吸着体にイオンビームが照射されると、ウエハ１より
も静電容量が小さいダスト吸着体６の帯電圧は、ウエハ
１よりも高くなり、装置内部で発生したダストはウエハ
１よりもダスト吸着体６の方に吸着されるので、ウエハ
１の表面をクリーンにすることが出来る。
本考案の実施例においては、高濃度イオン注入の場合に
ついて説明したが、荷電ビームを用いるドライエッチン
グやスパッタリングやアッシングまたはCVD等のプロセ
スにおける処理装置に適用出来ることはいうまでもな
い。
ついて説明したが、荷電ビームを用いるドライエッチン
グやスパッタリングやアッシングまたはCVD等のプロセ
スにおける処理装置に適用出来ることはいうまでもな
い。
荷電ビームを用いた半導体製造処理装置に本考案のウエ
ハ保持板を用いて処理するとき、装置内部に発生したダ
ストはダスト吸着体に吸着されるので、ウエハの表面を
クリーンに維持することが出来る。
ハ保持板を用いて処理するとき、装置内部に発生したダ
ストはダスト吸着体に吸着されるので、ウエハの表面を
クリーンに維持することが出来る。
第１図は本考案のウエハ保持板の平面図、第２図は従来
のチャージアップ防止を模式的に示す側面図である。 １……ウエハ ２……ウエハ保持板 2a……ウエハ保持部 ３……イオンビーム 3a……偏向されたイオンビーム ４……中性器 ５……分離器 ６……ダスト吸着体
のチャージアップ防止を模式的に示す側面図である。 １……ウエハ ２……ウエハ保持板 2a……ウエハ保持部 ３……イオンビーム 3a……偏向されたイオンビーム ４……中性器 ５……分離器 ６……ダスト吸着体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (1)
- 【請求項１】荷電ビームの照射領域に、半導体ウエハよ
りも静電容量が小さい絶縁体からなるダスト吸着体を前
記半導体ウエハの近傍に配置したウエハ保持板を有して
なる半導体製造処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8014989U JPH0740297Y2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体製造処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8014989U JPH0740297Y2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体製造処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320860U JPH0320860U (ja) | 1991-02-28 |
| JPH0740297Y2 true JPH0740297Y2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=31624947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8014989U Expired - Lifetime JPH0740297Y2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体製造処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740297Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP8014989U patent/JPH0740297Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320860U (ja) | 1991-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |