JPH0738193A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0738193A JPH0738193A JP17920693A JP17920693A JPH0738193A JP H0738193 A JPH0738193 A JP H0738193A JP 17920693 A JP17920693 A JP 17920693A JP 17920693 A JP17920693 A JP 17920693A JP H0738193 A JPH0738193 A JP H0738193A
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- clad
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 短波長発光と共に高出力化をはかることので
きる半導体レーザを提供するものである。 【構成】 活性層１３に隣接するクラッド層の少なくと
も放熱体側クラッド層１４が、活性層１３に接する側に
活性層１３に対するキャリアの閉じ込め効果を呈する範
囲で小なる厚さを有し、活性層１３に比し大なるエネル
ギーバンドギャップ幅を有するＡｌＧａＩｎＰ層よりな
る第１のクラッド層１４Ａと、これに比し熱伝導度が高
く上記活性層に比し屈折率が小さく主として光の閉じ込
め機能を有するＡｌＧａＡｓ層よりなる第２のクラッド
層１４Ｂとを有する半導体レーザにおいて、第２のクラ
ッド層１４Ｂの上記第１のクラッド層１４Ａ側に高屈折
率ガイド層１４Ｂ0 を有する構成とする。
きる半導体レーザを提供するものである。 【構成】 活性層１３に隣接するクラッド層の少なくと
も放熱体側クラッド層１４が、活性層１３に接する側に
活性層１３に対するキャリアの閉じ込め効果を呈する範
囲で小なる厚さを有し、活性層１３に比し大なるエネル
ギーバンドギャップ幅を有するＡｌＧａＩｎＰ層よりな
る第１のクラッド層１４Ａと、これに比し熱伝導度が高
く上記活性層に比し屈折率が小さく主として光の閉じ込
め機能を有するＡｌＧａＡｓ層よりなる第２のクラッド
層１４Ｂとを有する半導体レーザにおいて、第２のクラ
ッド層１４Ｂの上記第１のクラッド層１４Ａ側に高屈折
率ガイド層１４Ｂ0 を有する構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特に室
温で連続発振を可能にしたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザに係わる。
温で連続発振を可能にしたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザに係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えばコンパクトディスク、ビデオディ
スク等の光ディスクや光磁気ディスク等の光源として、
高密度記録化をはかる上で短波長半導体レーザの要求が
高い。
スク等の光ディスクや光磁気ディスク等の光源として、
高密度記録化をはかる上で短波長半導体レーザの要求が
高い。
【０００３】この短波長半導体レーザ例えば５００ｎｍ
〜６８０ｎｍのいわゆる６００ｎｍ波長帯の半導体レー
ザとしては、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザが注目さ
れており、特に室温で連続発振が可能な半導体レーザと
して、特開昭６２−２６８８５号等に開示されたクラッ
ド層が積層された半導体レーザ（以下ＤＳＣレーザとい
う）がある。
〜６８０ｎｍのいわゆる６００ｎｍ波長帯の半導体レー
ザとしては、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザが注目さ
れており、特に室温で連続発振が可能な半導体レーザと
して、特開昭６２−２６８８５号等に開示されたクラッ
ド層が積層された半導体レーザ（以下ＤＳＣレーザとい
う）がある。
【０００４】このＤＳＣレーザは、図５にその一例の模
式的断面図を示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ
型のＡｌＧａＩｎＰによるクラッド層（以下基板側クラ
ッド層という）２、ＧａＩｎＰによる活性層３、ｐ型の
クラッド層（以下放熱体側クラッド層という）４、ｐ型
のＧａＡｓによるキャップ層５が順次エピタキシャル成
長されて成り、キャップ層５上の電極６側をヘッダもし
くはヒートシンク等の放熱体７に例えば半田層を介して
熱的および電気的に結合する構成において、特にその放
熱体側クラッド層４を、第１のｐ型クラッド層４Ａと第
２のｐ型クラッド層４Ｂとによって構成する。
式的断面図を示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ
型のＡｌＧａＩｎＰによるクラッド層（以下基板側クラ
ッド層という）２、ＧａＩｎＰによる活性層３、ｐ型の
クラッド層（以下放熱体側クラッド層という）４、ｐ型
のＧａＡｓによるキャップ層５が順次エピタキシャル成
長されて成り、キャップ層５上の電極６側をヘッダもし
くはヒートシンク等の放熱体７に例えば半田層を介して
熱的および電気的に結合する構成において、特にその放
熱体側クラッド層４を、第１のｐ型クラッド層４Ａと第
２のｐ型クラッド層４Ｂとによって構成する。
【０００５】そして、放熱体側クラッド層１４の、活性
層３に接する側の第１のクラッド層４Ａは、活性層３に
比し充分バンドギャップの大なるＡｌＧａＩｎＰによっ
て構成するが、放熱体７側、この例ではキャップ層５側
の第２のクラッド層４Ｂに関しては４元系のＡｌＧａＩ
ｎＰ系に比し熱伝導度が高い３元系のＡｌＧａＡｓによ
って構成する。
層３に接する側の第１のクラッド層４Ａは、活性層３に
比し充分バンドギャップの大なるＡｌＧａＩｎＰによっ
て構成するが、放熱体７側、この例ではキャップ層５側
の第２のクラッド層４Ｂに関しては４元系のＡｌＧａＩ
ｎＰ系に比し熱伝導度が高い３元系のＡｌＧａＡｓによ
って構成する。
【０００６】第１のクラッド層４Ａは、キャリアの閉じ
込め効果を得る範囲でできるだけ薄い厚さとし、第２の
クラッド層４Ｂは、第１および第２のクラッド層４Ａお
よび４Ｂの両層によって光の閉じ込め効果を得ることの
できる比較的厚い層とする。
込め効果を得る範囲でできるだけ薄い厚さとし、第２の
クラッド層４Ｂは、第１および第２のクラッド層４Ａお
よび４Ｂの両層によって光の閉じ込め効果を得ることの
できる比較的厚い層とする。
【０００７】このようにして、活性層３と放熱体４との
間に介在する熱伝導度の低いＡｌＧａＩｎＰをできるだ
け薄い厚さとして、放熱効果を高め室温での発振を可能
にするものである。
間に介在する熱伝導度の低いＡｌＧａＩｎＰをできるだ
け薄い厚さとして、放熱効果を高め室温での発振を可能
にするものである。
【０００８】また、このＤＳＣレーザにおいて、メサ型
構造を採るものにおいて、その特性の安定化、製造の再
現性をはかったものとして、特開昭３−２７６７８６号
公報に開示されたものの提案もある。
構造を採るものにおいて、その特性の安定化、製造の再
現性をはかったものとして、特開昭３−２７６７８６号
公報に開示されたものの提案もある。
【０００９】ところで、昨今例えば光磁気記録等におい
て、短波長半導体レーザの要求と共に高パワー記録を行
うための高出力短波長半導体レーザの必要性が高まって
いる。
て、短波長半導体レーザの要求と共に高パワー記録を行
うための高出力短波長半導体レーザの必要性が高まって
いる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
短波長発光と共に高出力化をはかることのできる半導体
レーザ特にＤＳＣレーザを提供するものである。
短波長発光と共に高出力化をはかることのできる半導体
レーザ特にＤＳＣレーザを提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は図１にそ
の一例の模式的断面図を示すように、活性層１３に隣接
するクラッド層の少なくとも放熱体側クラッド層１４
が、活性層１３に接する側に活性層１３に対するキャリ
アの閉じ込め効果を呈する範囲で小なる厚さを有し、活
性層１３に比し大なるエネルギーバンドギャップ幅を有
するＡｌＧａＩｎＰ層よりなる第１のクラッド層１４Ａ
と、これに比し熱伝導度が高く上記活性層に比し屈折率
が小さく主として光の閉じ込め機能を有するＡｌＧａＡ
ｓ層よりなる第２のクラッド層１４Ｂとを有するＤＳＣ
半導体レーザにおいて、第２のクラッド層１４Ｂの上記
第１のクラッド層１４Ａ側に高屈折率ガイド層１４Ｂ0
を有する構成とする。
の一例の模式的断面図を示すように、活性層１３に隣接
するクラッド層の少なくとも放熱体側クラッド層１４
が、活性層１３に接する側に活性層１３に対するキャリ
アの閉じ込め効果を呈する範囲で小なる厚さを有し、活
性層１３に比し大なるエネルギーバンドギャップ幅を有
するＡｌＧａＩｎＰ層よりなる第１のクラッド層１４Ａ
と、これに比し熱伝導度が高く上記活性層に比し屈折率
が小さく主として光の閉じ込め機能を有するＡｌＧａＡ
ｓ層よりなる第２のクラッド層１４Ｂとを有するＤＳＣ
半導体レーザにおいて、第２のクラッド層１４Ｂの上記
第１のクラッド層１４Ａ側に高屈折率ガイド層１４Ｂ0
を有する構成とする。
【００１２】すなわち第２のクラッド層１４Ｂを、高屈
折率ガイド層１４Ｂ0 と、これに比し低屈折率のＡｌＧ
ａＡｓからなる層（以下低屈折率層という）１４Ｂ1 と
より構成する。
折率ガイド層１４Ｂ0 と、これに比し低屈折率のＡｌＧ
ａＡｓからなる層（以下低屈折率層という）１４Ｂ1 と
より構成する。
【００１３】また、第２の本発明は、上述の構成におい
て、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 を、放熱体側クラッド層
１４に形成するメサエッチングのエッチングストッパ層
２２とする。
て、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 を、放熱体側クラッド層
１４に形成するメサエッチングのエッチングストッパ層
２２とする。
【００１４】
【作用】本発明は、放熱体側のクラッド層１４に高屈折
ガイド層１４Ｂ0 を設けたことによって光の分布を全体
的にクラッド層１４側に引き寄せる。したがって、活性
層近傍の光密度を低めることができることにより、ＣＯ
Ｄ（光学損傷）レベルを高めることができ、高パワー化
がはかられるものである。
ガイド層１４Ｂ0 を設けたことによって光の分布を全体
的にクラッド層１４側に引き寄せる。したがって、活性
層近傍の光密度を低めることができることにより、ＣＯ
Ｄ（光学損傷）レベルを高めることができ、高パワー化
がはかられるものである。
【００１５】
【実施例】図１を参照して本発明の一例を詳細に説明す
る。
る。
【００１６】この例においては、（１００）結晶面によ
るｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰの基
板側クラッド層１２、アンドープのＧａＩｎＰによる活
性層１３、ｐ型の放熱体側クラッド層１４、ｐ型ＧａＡ
ｓによるキャップ層１５を順次エピタキシーする。
るｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰの基
板側クラッド層１２、アンドープのＧａＩｎＰによる活
性層１３、ｐ型の放熱体側クラッド層１４、ｐ型ＧａＡ
ｓによるキャップ層１５を順次エピタキシーする。
【００１７】クラッド層１４は、活性層１３側から順次
ｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなる第１のクラッド層１４Ａ
と、これより熱伝導度の高い第２のクラッド層１４Ｂと
より構成する。
ｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなる第１のクラッド層１４Ａ
と、これより熱伝導度の高い第２のクラッド層１４Ｂと
より構成する。
【００１８】そして，特に本発明にいては、第２のクラ
ッド層１４Ｂを、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 と、ＡｌＧ
ａＡｓからなる低屈折率層１４Ｂ1 とより構成する。
ッド層１４Ｂを、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 と、ＡｌＧ
ａＡｓからなる低屈折率層１４Ｂ1 とより構成する。
【００１９】低屈折率クラッド層１４Ｂ1 は、Ａｌz Ｇ
ａ1-z Ａｓよりなり、高屈折率１４Ｂ0 は、Ａｌz0Ｇａ
1-z0Ａｓより構成する。この場合、上述の組成におい
て、ｚ 0 が、ｚ0 ＜ｚ、例えばｚ0 ＝０．４０〜０．５
５に選定される。
ａ1-z Ａｓよりなり、高屈折率１４Ｂ0 は、Ａｌz0Ｇａ
1-z0Ａｓより構成する。この場合、上述の組成におい
て、ｚ 0 が、ｚ0 ＜ｚ、例えばｚ0 ＝０．４０〜０．５
５に選定される。
【００２０】各層１２，１３，１４Ａ，１４Ｂ0 ，１４
Ｂ1 および１５は、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成
長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）等によって順次
連続的エピタキシャル成長できる。
Ｂ1 および１５は、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成
長）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）等によって順次
連続的エピタキシャル成長できる。
【００２１】活性層１３は、例えばＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ
によって構成され、基板側クラッド層１２と、放熱体側
のクラッド層１４の第１のクラッド層１４Ａは、例えば
Ａｌ 0.6 ＧａＩｎＰによって構成し得る。
によって構成され、基板側クラッド層１２と、放熱体側
のクラッド層１４の第１のクラッド層１４Ａは、例えば
Ａｌ 0.6 ＧａＩｎＰによって構成し得る。
【００２２】第１のクラッド層１４Ａは、例えばＡｌ
0.73ＧａＡｓよりなり、その厚さは、活性層１３に対し
てキャリアの閉じ込め効果を有する程度の厚さとするも
のの、光の閉じ込めは充分に行うことを必要としないで
きるだけ薄い例えば０．１〜０．３μｍとする。しか
し、第１及び第２クラッド層１４Ａおよび１４Ｂ全体の
厚さは、これらによって光の閉じ込めをも行うことがで
きる程度の例えば１μｍ以上に選定する。
0.73ＧａＡｓよりなり、その厚さは、活性層１３に対し
てキャリアの閉じ込め効果を有する程度の厚さとするも
のの、光の閉じ込めは充分に行うことを必要としないで
きるだけ薄い例えば０．１〜０．３μｍとする。しか
し、第１及び第２クラッド層１４Ａおよび１４Ｂ全体の
厚さは、これらによって光の閉じ込めをも行うことがで
きる程度の例えば１μｍ以上に選定する。
【００２３】第２のクラッド層１４Ｂの低屈折率層１４
Ｂ1 の厚さは、例えば０．７０μｍ〜０．７６μｍと
し、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 は、その厚さを例えば４
０ｎｍ〜１００ｎｍとして例えばＡｌz0Ｇａ1-z0Ａｓの
ｚ0 が０．４０〜０．５５とする。
Ｂ1 の厚さは、例えば０．７０μｍ〜０．７６μｍと
し、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 は、その厚さを例えば４
０ｎｍ〜１００ｎｍとして例えばＡｌz0Ｇａ1-z0Ａｓの
ｚ0 が０．４０〜０．５５とする。
【００２４】そして、キャップ層１５に一方の電極１６
がオーミックに被着され、この電極１６側で例えば半田
層を介してヘッダ，ヒートシンク等の放熱体１７に結合
される。
がオーミックに被着され、この電極１６側で例えば半田
層を介してヘッダ，ヒートシンク等の放熱体１７に結合
される。
【００２５】また、本発明は図２にその一例の略線的断
面図を示すように、上述の構成において、その電極１６
の被着側のキャップ層１５および第２のクラッド層１４
Ｂの中央部を図２において紙面と直交する方向に延びる
ストライプ状に残して、その両側にメサエッチングを行
ってそのエッチング溝１８に、通電を阻止ないしは低減
化する電流狭窄層１９を埋め込む構成を採るメサ型ＤＳ
Ｃ半導体レーザ構成に適用することができる。
面図を示すように、上述の構成において、その電極１６
の被着側のキャップ層１５および第２のクラッド層１４
Ｂの中央部を図２において紙面と直交する方向に延びる
ストライプ状に残して、その両側にメサエッチングを行
ってそのエッチング溝１８に、通電を阻止ないしは低減
化する電流狭窄層１９を埋め込む構成を採るメサ型ＤＳ
Ｃ半導体レーザ構成に適用することができる。
【００２６】ここで、図２において図１と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略するが、この場合
は、第１のクラッド層１４Ａ上に、例えばｐ型のＡｌ
0.73ＧａＩｎＰよりなる劣化防止層２１と、メサエッチ
ングを所定の深さにとどめるための例えばｐ型のＡｌ
0.6 ＧａＩｎＰよりなるエッチングストッパ層２２とを
前述の各層と同様にエピタキシャル成長する。
には同一符号を付して重複説明を省略するが、この場合
は、第１のクラッド層１４Ａ上に、例えばｐ型のＡｌ
0.73ＧａＩｎＰよりなる劣化防止層２１と、メサエッチ
ングを所定の深さにとどめるための例えばｐ型のＡｌ
0.6 ＧａＩｎＰよりなるエッチングストッパ層２２とを
前述の各層と同様にエピタキシャル成長する。
【００２７】このメサ構造を有する半導体レーザにおい
て、劣化防止層とエッチングストッパ層とを設けること
によって特性の向上と、再現性の向上をはかることにつ
いては、特開平３−２７６７８６号公報で開示されてい
るものであるが、この場合、キャップ層１５上に図示し
ないが、エッチングマスクとなる例えばＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｎ等を例えば中央にストライプ状に形成し、これをエッ
チングレジストとしてこのストライプ部の両側をキャッ
プ層１５側から例えば硫酸系のエッチング液によってエ
ッチングするとりんＰを含むエッチングストッパ層２２
が露呈するところでそのエッチング速度が低下すること
から見掛け上エッチングが停止するのでここでエッチン
グをやめることによって所要の深さのメサ溝１８を形成
することができる。
て、劣化防止層とエッチングストッパ層とを設けること
によって特性の向上と、再現性の向上をはかることにつ
いては、特開平３−２７６７８６号公報で開示されてい
るものであるが、この場合、キャップ層１５上に図示し
ないが、エッチングマスクとなる例えばＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｎ等を例えば中央にストライプ状に形成し、これをエッ
チングレジストとしてこのストライプ部の両側をキャッ
プ層１５側から例えば硫酸系のエッチング液によってエ
ッチングするとりんＰを含むエッチングストッパ層２２
が露呈するところでそのエッチング速度が低下すること
から見掛け上エッチングが停止するのでここでエッチン
グをやめることによって所要の深さのメサ溝１８を形成
することができる。
【００２８】そして、このメサ溝１８内に、通電を阻止
するあるいは高抵抗を有する電流狭窄層１９を構成する
例えばキャップ層１５および放熱体側クラッド層１４と
異なる導電型のｎ型のＧａＡｓをエピタキシャル成長し
て埋込む。
するあるいは高抵抗を有する電流狭窄層１９を構成する
例えばキャップ層１５および放熱体側クラッド層１４と
異なる導電型のｎ型のＧａＡｓをエピタキシャル成長し
て埋込む。
【００２９】この場合、メサ溝１８内にＧａＡｓをエピ
タキシャル成長させるに際しての加熱温度によって、り
んＰの蒸発がなされることから、ＡｌＧａＩｎＰによる
第１のクラッド層１４Ａがエッチングによって露呈する
と、その組成が不安定に変化する恐れがあるが、図２の
構成では、エッチングストッパ層２２下に、例えばＡｌ
ＧａＡｓによる劣化防止層２１を設けていることによっ
てクラッド層１４ＡからのりんＰの蒸発を阻止できるこ
とによって目的とする特性の半導体レーザを判定して得
ることができる。
タキシャル成長させるに際しての加熱温度によって、り
んＰの蒸発がなされることから、ＡｌＧａＩｎＰによる
第１のクラッド層１４Ａがエッチングによって露呈する
と、その組成が不安定に変化する恐れがあるが、図２の
構成では、エッチングストッパ層２２下に、例えばＡｌ
ＧａＡｓによる劣化防止層２１を設けていることによっ
てクラッド層１４ＡからのりんＰの蒸発を阻止できるこ
とによって目的とする特性の半導体レーザを判定して得
ることができる。
【００３０】また、この例では、エッチングストッパ層
２２を設けたことによって、メサ溝１８を形成するメサ
エッチングに際して、その深さの規定を行わせるもので
あるが、このエッチングストッパ層２２を高屈折率ガイ
ド層１４Ｂ0 によって兼ねる構成とすることができる。
図３はこの場合の一例の略線的断面図を示すものであ
る。
２２を設けたことによって、メサ溝１８を形成するメサ
エッチングに際して、その深さの規定を行わせるもので
あるが、このエッチングストッパ層２２を高屈折率ガイ
ド層１４Ｂ0 によって兼ねる構成とすることができる。
図３はこの場合の一例の略線的断面図を示すものであ
る。
【００３１】この場合においてはその高屈折率ガイド層
１４Ｂ0 をｐ型のＧａＩｎＰによって構成する。
１４Ｂ0 をｐ型のＧａＩｎＰによって構成する。
【００３２】また、高屈折率ガイド層１４Ｂ0 は、図３
にその略線的断面図を示すように、劣化防止層２１と、
第１のクラッド層１４Ａ間に配置する構成とすることも
できる。
にその略線的断面図を示すように、劣化防止層２１と、
第１のクラッド層１４Ａ間に配置する構成とすることも
できる。
【００３３】図３および図４において、図１および図２
と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
【００３４】上述の各構成によれば、高屈折層ガイド１
４Ｂ0 を設けたことによって光の分布が広げられて、活
性層近傍の光密度を低めることができるが、特に本発明
においてはその高屈折率ガイド層１４Ｂ0 を、放熱体側
のクラッド層１４側に設けてその光の分布を放熱体側に
引き寄せたことにより、ＣＯＤレベルをより高めること
ができ、高パワー化がはかられるものである。
４Ｂ0 を設けたことによって光の分布が広げられて、活
性層近傍の光密度を低めることができるが、特に本発明
においてはその高屈折率ガイド層１４Ｂ0 を、放熱体側
のクラッド層１４側に設けてその光の分布を放熱体側に
引き寄せたことにより、ＣＯＤレベルをより高めること
ができ、高パワー化がはかられるものである。
【００３５】そして、本発明では、このガイド層１４Ｂ
0 を、第２のクラッド層１４Ｂ全体のＡｌ量を減じる構
成とするものではなくクラッド層１４Ｂの一部の層によ
って構成したので全体の屈折率バランスを崩すことな
く、安定な基本モード発振を行うことができる。
0 を、第２のクラッド層１４Ｂ全体のＡｌ量を減じる構
成とするものではなくクラッド層１４Ｂの一部の層によ
って構成したので全体の屈折率バランスを崩すことな
く、安定な基本モード発振を行うことができる。
【００３６】また、上述したように、メサ型構造をとっ
てストライプ構造とする場合に、このストライプ側すな
わちメサ側に光分布を広げる構造としたので、そのスト
ライプ内外の実効屈折率差が大となり、その発光スポッ
トの光点収差を小さくする効果が得られる。
てストライプ構造とする場合に、このストライプ側すな
わちメサ側に光分布を広げる構造としたので、そのスト
ライプ内外の実効屈折率差が大となり、その発光スポッ
トの光点収差を小さくする効果が得られる。
【００３７】尚、本発明は、図示の各例に限られるもの
ではなく、例えば図示の各部の導電型をそれぞれ逆の導
電型とすることもできる。
ではなく、例えば図示の各部の導電型をそれぞれ逆の導
電型とすることもできる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、放熱体側のクラッド層１４に
高屈折ガイド層１４Ｂ0 を設けたことによって光の分布
を全体的にクラッド層１４側に引き寄せることができ、
活性層近傍の光密度を低めることができることにより、
ＣＯＤレベルを高めることができ、高パワー化がはから
れるものである。
高屈折ガイド層１４Ｂ0 を設けたことによって光の分布
を全体的にクラッド層１４側に引き寄せることができ、
活性層近傍の光密度を低めることができることにより、
ＣＯＤレベルを高めることができ、高パワー化がはから
れるものである。
【図１】本発明の一例の略線的断面図である。
【図２】本発明の他の一例の略線的断面図である。
【図３】本発明の他の一例の略線的断面図である。
【図４】本発明の他の一例の略線的断面図である。
【図５】従来例の略線的断面図である。
１１ 基板 １２ 基体側クラッド層 １３ 活性層 １４ 放熱体側クラッド層 １４Ａ 第１のクラッド層 １４Ｂ 第２のクラッド層 １４Ｂ0 高屈折率ガイド層
Claims (2)
- 【請求項１】 活性層に隣接するクラッド層の少なくと
も放熱体側クラッド層が、上記活性層に接する側に上記
活性層に対するキャリアの閉じ込め効果を呈する範囲で
小なる厚さを有し、上記活性層に比し大なるエネルギー
バンドギャップ幅を有するＡｌＧａＩｎＰ層よりなる第
１のクラッド層と、これに比し熱伝導度が高く上記活性
層に比し屈折率が小さく主として光の閉じ込め機能を有
するＡｌＧａＡｓ層よりなる第２クラッド層とを有する
半導体レーザにおいて、 上記第２のクラッド層の上記第１のクラッド層側に高屈
折率ガイド層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記高屈折率ガイド層を、メサエッチン
グのエッチングストッパ層としたことを特徴とする請求
項１に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17920693A JPH0738193A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17920693A JPH0738193A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738193A true JPH0738193A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16061787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17920693A Pending JPH0738193A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017813A (ja) * | 2000-10-04 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2005197414A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Sony Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| US7129512B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP17920693A patent/JPH0738193A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017813A (ja) * | 2000-10-04 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| US7129512B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| CN100336274C (zh) * | 2003-12-05 | 2007-09-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光器 |
| JP2005197414A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Sony Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
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