JPH0737927A - 半導体デバイス - Google Patents

半導体デバイス

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JPH0737927A
JPH0737927A JP17914493A JP17914493A JPH0737927A JP H0737927 A JPH0737927 A JP H0737927A JP 17914493 A JP17914493 A JP 17914493A JP 17914493 A JP17914493 A JP 17914493A JP H0737927 A JPH0737927 A JP H0737927A
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JP
Japan
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electrode
insulating film
semiconductor substrate
reinforcing
insulating coating
Prior art date
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Application number
JP17914493A
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English (en)
Inventor
Masaaki Sueyoshi
正昭 末吉
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ショットキー電極もしくはオーミック電極の
周囲を絶縁被膜で覆うと同時に、中央部にも補強用バン
ドの絶縁被膜を設けることによって、ワイヤーボンディ
ングの引っ張り強度に対する抗張力が補強強化された半
導体デバイスを提供する。 【構成】 半導体基板に形成された電極２の、周囲に付
着強度補強用の絶縁被膜３ａおよび中央部に付着強度補
強用バンドの絶縁被膜３ｂを、それぞれ設けたことを特
徴とする半導体デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤーボンディング
によって接続される半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオードは、図６および図７に
示すように、半導体基板１０にショットキー電極１１が
形成され、このショットキー電極１１の周囲に、絶縁被
膜１２が設けられて、ショットキー電極の半導体基板へ
の付着強度を増す構造のものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来構造のダイオード、特に、電極面積の直径が５
０μｍ以下のダイオードでは、絶縁被膜１２で覆う面積
が小さく、この絶縁被膜１２は付着強度を向上させるに
は不十分であった。
【０００４】したがって、本発明は、ショットキー電極
もしくはオーミック電極の周囲を絶縁被膜で覆うと同時
に、中央部に補強用バンドの絶縁被膜を設けることによ
って、ワイヤーボンディングの引っ張り強度に対する抗
張力を強化した半導体デバイスを提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体基板に形成された電極の、周囲に
補強用絶縁被膜および中央部に補強用バンドの絶縁被膜
を、それぞれ設けたことを特徴とする半導体デバイスと
したものである。
【０００６】
【作用】本発明は、半導体基板に形成された電極の、周
囲に補強用の絶縁被膜および中央部にも補強用バンドの
絶縁被膜を、設けているので、ワイヤーボンディングの
引っ張り強度に対する抗張力が補強強化され、ワイヤー
ボンディングの際、電極が半導体基板から剥がれること
がない。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１および図２において、１はＧａＡｓ半導体基
板である。この半導体基板１には、ショットキー電極２
が設けられている。このショットキー電極２の周囲は、
補強用絶縁被膜３ａで覆われている。また、ショットキ
ー電極２の中央部は、十文字型補強用バンドの絶縁被膜
３ｂで被覆されている。
【０００８】図３から図５は、別の形状の補強用バンド
の絶縁被膜を示すもので、図３は一文字型補強用バンド
の絶縁被膜４を、図４は二文字型補強用バンドの絶縁被
膜５ａ、５ｂを、図５は半円型補強用バンドの絶縁被膜
６を、それぞれ示すものである。
【０００９】なお、上記実施例における各種形状の補強
用バンドの幅は、ワイヤーボンディング用スペースを確
保するために、適宜の広さを有するものである。
【００１０】また、上記実施例では、ショットキー電極
のみを示したが、本発明はオーミック電極にも適用され
るものである。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、半導体基板に形成された電極
の、周囲に付着強度補強用の絶縁被膜および中央部にも
付着強度補強用バンドの絶縁被膜を、設けているので、
ワイヤーボンディングの引っ張り強度に対する抗張力が
補強強化され、ワイヤーボンディングの際、電極が半導
体基板から剥がれることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例の平面図
【図２】 図１のＸＸ断面図
【図３】 本発明の他の実施例の平面図
【図４】 本発明の他の実施例の平面図
【図５】 本発明の他の実施例の平面図
【図６】 従来例の平面図
【図７】 図６のＹＹ断面図
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ ショットキー電極 ３ａ 絶縁被膜 ３ｂ、４ 補強用バンドの絶縁被膜 ５ａ、５ｂ、６ 補強用バンドの絶縁被膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に形成された電極の、周囲に
    補強用絶縁被膜および中央部に補強用バンドの絶縁被膜
    を、それぞれ設けたことを特徴とする半導体デバイス。
JP17914493A 1993-07-20 1993-07-20 半導体デバイス Pending JPH0737927A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17914493A JPH0737927A (ja) 1993-07-20 1993-07-20 半導体デバイス

Applications Claiming Priority (1)

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JP17914493A JPH0737927A (ja) 1993-07-20 1993-07-20 半導体デバイス

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Publication Number Publication Date
JPH0737927A true JPH0737927A (ja) 1995-02-07

Family

ID=16060746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17914493A Pending JPH0737927A (ja) 1993-07-20 1993-07-20 半導体デバイス

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JP (1) JPH0737927A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8319308B2 (en) 2009-09-08 2012-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8319308B2 (en) 2009-09-08 2012-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing of the same

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