JPH0737796A - 半導体基板の製造方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板裏面保護膜を形成するに際し、水
溶性樹脂が基板周縁部に残留するのを防止し、また残っ
てもこれによる不具合を生じるのを防止する。 【構成】 半導体基板２０の表面に水溶性樹脂２３を塗
布して水溶性樹脂膜を形成し、次に水溶性樹脂膜を介し
て半導体基板２０の表面を支持した状態で裏面にスピン
ナを用いてレジスト２４を塗布してレジスト膜を形成
し、次に水溶性樹脂膜を剥離する一連の工程を含む半導
体基板の製造方法において、半導体基板２０の表面に水
溶性樹脂２３を塗布した後に、半導体基板２０の裏面側
の周縁部を水溶性樹脂用剥離液によりリンスして半導体
基板２０の裏面側に回り込んで付着している水溶性樹脂
２３を除去する工程と、半導体基板２０の裏面にレジス
ト２４を塗布した後に半導体基板２０の表面の周縁部を
レジスト用剥離液によりリンスして半導体基板２０の表
面側に回り込んで付着しているレジスト２４を除去する
工程のいずれか一工程又は両工程を行う。その後、水溶
性樹脂を剥離した後、半導体基板を高速で自転させて乾
燥する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の製造方法
及びその方法に用いる装置に関する。更に詳しくは、例
えば半導体基板の表面側に拡散法により高濃度不純物領
域を形成する際、半導体基板の裏面側にも不純物が拡散
されることを防止する保護膜を形成する方法及びその方
法を実施するのに適した装置に関する。

【０００２】

【発明の背景技術】半導体装置製造技術において、各種
の回路素子を形成する場合、例えば、半導体基板に高濃
度の埋込層を形成した後、その上にエピタキシャル層を
形成し、このエピタキシャル層に各種素子を形成するこ
とが行われている。

【０００３】上記のようにして半導体装置を製造する場
合、不純物を拡散して埋込層を形成する際に、半導体基
板の表面部と同様に、側面部及び裏面部にも不純物が高
濃度に拡散される。その後、エピタキシャル層を形成す
る際に側面部及び裏面部の不純物がエピタキシャル層形
成工程時の気相エッチングによって気相中に一旦放出さ
れた後、エピタキシャル層内に再度取り込まれる。この
ような現象はオートドーピングと呼ばれる。

【０００４】このオートドーピングが起きると、エピタ
キシャル層の不純物濃度が変化し、エピタキシャル層内
の不純物濃度が不均一化してしまう。このような不都合
を回避するため、埋込層形成のための拡散工程を行う前
に、半導体基板の裏面に予め熱酸化膜等からなる保護膜
を形成しておき、この保護膜によって半導体基板の裏面
部への不純物拡散を防止する方法がある。

【０００５】具体的には、例えば半導体基板の両主面に
熱酸化膜を形成し、表面部にフォトレジストを塗布して
パターニングした後、半導体基板の裏面部にもレジスト
（酸化膜用エッチング液に耐えるレジストであり、前記
フォトレジストも含む。）を塗布して熱酸化膜を保護し
ておき、埋込層を形成するために表面側の熱酸化膜をフ
ッ化アンモニウムとフッ酸の混合水溶液によりパターン
エッチングする。この際、裏面部にもレジストを塗布し
てあるので、裏面全面の熱酸化膜がエッチングされずに
残り、フォトレジスト及びレジスト除去後に埋込層形成
のための拡散工程を行えば、裏面全面に残った熱酸化膜
の存在により裏面部への不純物の拡散を防止することが
できる。

【０００６】しかし、従来、半導体基板の裏面へのレジ
ストの塗布は手作業によって行わなければならなかった
ため、製造ラインの自動化が図れなかった。これは、ス
ピンナを用いて基板裏面部へレジストを塗布すると、基
板表面部のパターニングされたフォトレジスト膜面をチ
ャックすることになるので、スピンナのチャックとパタ
ーニングされたフォトレジスト膜との間にパーティクル
（塵埃）が挟み込まれる等によりフォトレジスト膜が損
傷し、パターニング不良を招くピンホール等が形成され
る恐れがあったからである。

【０００７】そこで、スピンナにより半導体基板の裏面
部にレジストを塗布する前に、表面部に形成されたフォ
トレジスト膜の上に水溶性樹脂を塗布し、形成された水
溶性樹脂膜を介してチャックする方法が提案されている
（特開平２−２０１９２７号参照）。半導体基板の裏面
部にレジストを塗布した後は、半導体基板を純水等の水
溶性樹脂用リンス液の入ったリンス槽に浸漬し、水溶性
樹脂を剥離して通常の工程を続行する。

【０００８】この方法によれば、表面部のフォトレジス
ト膜は水溶性樹脂膜によって保護されているので、半導
体基板の表面側をチャックしてもフォトレジスト膜を損
傷することがない。従って、スピンナを用いて半導体基
板の裏面部にレジストを塗布することが可能となり、工
程の自動化を図ることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の方法では、半導体基板の裏面部にレジストを塗布
後、半導体基板を剥離槽に浸漬して水溶性樹脂を除去し
ても、水溶性樹脂を完全に除去することができなかっ
た。すなわち、水溶性樹脂の一部が基板周縁部（面取り
部）に残留することがあった。

【００１０】基板周縁部に水溶性樹脂が残留してしまう
原因は、水溶性樹脂やレジストが基板周縁部で塗布面の
反対面側まで回り込んで付着することによる。これを図
４を参照して説明する。ここでは、図４（Ａ）に示すよ
うに、半導体基板２０の表裏全面に熱酸化膜２１を形成
した後、表面部にパターニングしたフォトレジスト２２
膜を形成した基板（以下、この加工された基板を「半導
体基板２０」と総称する。）に処理を施す場合の例を示
す。

【００１１】この半導体基板２０の表面側を上方に向
け、裏面側を水溶性樹脂塗布用のスピンナのチャック３
０に吸着させ、上方のノズル３１から半導体基板２０の
表面中央付近に水溶性樹脂２３を滴下し、半導体基板２
０を高速回転させて余分な水溶性樹脂２３を飛散させて
所定膜厚の水溶性樹脂２３膜を形成する（図４
（Ｂ））。このとき、図から分るように、水溶性樹脂２
３は半導体基板２０の周縁部の裏面側まで回り込んで付
着する。

【００１２】次に、半導体基板２０を反転させ、半導体
基板２０の表面側をレジスト塗布用のスピンナのチャッ
ク４０に吸着させ（図４（Ｃ））、上方のノズル４１か
ら半導体基板２０の裏面中央付近にレジスト２４を滴下
し、半導体基板２０を高速回転させて余分なレジスト２
４を飛散させて所定膜厚のレジスト２４膜を形成する
（図４（Ｄ））。

【００１３】このとき、図から分るように、レジスト２
４は半導体基板２０の周縁部の表面側（下方側）まで回
り込んで付着し、水溶性樹脂２３の一部を被覆した状態
となる。この半導体基板２０を剥離槽に浸漬して水溶性
樹脂２３を除去しても、レジスト２４に被覆された部分
の水溶性樹脂２３が残留物として残ってしまう（図４
（Ｅ））。

【００１４】上記のように水溶性樹脂２３が残留した半
導体基板２０を、通常用いられる公転式乾燥機で乾燥す
ると、基板周縁部に残留していた水溶性樹脂２３が半導
体基板２０の表面側に流れ出し、次に行う熱酸化膜２１
のパターンエッチング工程での不具合の原因となってい
た。すなわち、半導体基板２０の表面側に流れ出した水
溶性樹脂２３は、パターニングしたフォトレジスト２２
膜を覆ってしまい、熱酸化膜２１の適切なパターンエッ
チングを妨げてしまう場合があった。

【００１５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、水溶性樹脂が基板周縁部に残留物として残らず、
また残ったとしても半導体基板の表面に流れ出して不具
合を生じさせることのない半導体基板の製造方法を提供
することを目的とする。

【００１６】また本発明は、上記方法を行うのに適した
装置を提供することを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、特許請求の範
囲の請求項１に記載したように、半導体基板の一主面
（以下「表面」という。）を支持した状態で該表面の反
対側の一主面（以下「裏面」という。）にスピンナを用
いてレジストを塗布するために、前記表面上に水溶性樹
脂膜を形成して該表面部を保護し、次に該水溶性樹脂膜
を介して前記表面部を支持した状態で前記裏面部にスピ
ンナを用いてレジストを塗布し、さらに、前記水溶性樹
脂膜を水溶性樹脂用剥離液により剥離する一連の工程を
含む半導体基板の製造方法において、前記表面部に前記
水溶性樹脂を塗布した後に前記裏面側の周縁部を水溶性
樹脂用剥離液によりリンスして該裏面側に回り込んで付
着している前記水溶性樹脂を除去する工程と、該裏面部
に前記スピンナを用いて前記レジストを塗布した後に前
記表面側の周縁部をレジスト用剥離液によりリンスして
該表面側に回り込んで付着している該レジストを除去す
る工程のいずれか一工程又は両工程を行い、さらに、前
記水溶性樹脂膜を剥離液により剥離した後に、前記半導
体基板を高速で自転させて乾燥することを特徴とする半
導体基板の製造方法を提供する。

【００１８】前記水溶性樹脂の塗布手段は例えばスピン
ナである。また、前記水溶性樹脂を塗布して前記水溶性
樹脂膜を形成した後に該水溶性樹脂膜をベークするよう
にしてもよい。さらに、前記半導体基板の前記裏面側を
前記水溶性樹脂用剥離液によりリンスした後、前記裏面
部に前記レジストを塗布する前に、該裏面部を疎水処理
するようにしてもよい。

【００１９】前記疎水処理は、例えばヘキサメチルジシ
ラザンを主成分とする疎水処理剤を塗布するものであ
る。また、前記水溶性樹脂は例えばポリビニルアルコー
ルである。

【００２０】また本発明は、特許請求の範囲の請求項７
に記載したように、半導体基板の一主面（以下「表面」
という。）を支持した状態で該表面の反対側の一主面
（以下「裏面」という。）にレジストを塗布するため
に、前記表面上に水溶性樹脂膜を形成して該表面部を保
護し、次に該水溶性樹脂膜を介して前記表面部を支持し
た状態で前記裏面部にレジストを塗布し、さらに、前記
水溶性樹脂膜を水溶性樹脂用剥離液により剥離する一連
の工程を含む半導体基板の製造方法に用いる装置におい
て、前記半導体基板の前記表面部に水溶性樹脂を塗布す
る水溶性樹脂塗布手段と、該水溶性樹脂をベークする水
溶性樹脂ベーク手段と、前記表面部に前記水溶性樹脂膜
が形成された前記半導体基板の前記裏面部にレジストを
塗布するレジスト塗布手段と、前記裏面部にレジスト膜
が形成された前記半導体基板の前記表面側の周縁部をレ
ジスト用剥離液によりリンスする周縁部レジスト剥離手
段と、前記レジスト膜をベークするレジストベーク手段
と、前記水溶性樹脂膜を剥離する水溶性樹脂剥離手段
と、前記半導体基板を自転させて乾燥する自転乾燥手段
とを備えたことを特徴とする半導体基板の製造装置を提
供する。

【００２１】上記装置はさらに、前記表面部に前記水溶
性樹脂膜が形成された前記半導体基板の前記裏面部の周
縁部を水溶性樹脂用剥離液によりリンスする周縁部水溶
性樹脂剥離手段と、前記レジスト塗布手段により前記裏
面部に前記レジストを塗布する前に該裏面部に疎水処理
剤を塗布して疎水処理するための疎水処理剤塗布手段と
を備えていてもよい。また、前記水溶性樹脂膜を剥離す
る水溶性樹脂剥離手段は例えばスピンナからなり、この
スピンナが前記自転乾燥手段を兼ねていてもよい。

【００２２】

【作用】本発明においては、半導体基板の表面部に水溶
性樹脂を塗布した後に裏面側の周縁部を水溶性樹脂用剥
離液によりリンス（これを「バックリンス」と言う。）
して半導体基板の裏面側に回り込んで付着している水溶
性樹脂を除去する工程と、半導体基板の裏面部にレジス
トを塗布した後に表面側の周縁部をレジスト用剥離液に
よりリンス（バックリンス）して半導体基板の表面側に
回り込んで付着しているレジストを除去する工程のいず
れか一工程又は両工程を行うので、半導体基板の周縁部
の水溶性樹脂の一部がレジストによって被覆される状態
を解消することができ、その後に水溶性樹脂膜を剥離す
る際に水溶性樹脂が周縁部で部分的に残存してしまうこ
とがなくなる。

【００２３】上記バックリンスは、水溶性樹脂塗布後及
びレジスト塗布後の両方で行うと水溶性樹脂の残存によ
る不具合をより確実に防止できるが、工程の煩雑性等を
考慮すると、いずれか一方を行うようにしても十分効果
を発揮する。

【００２４】なお、水溶性樹脂塗布後のバックリンスを
行う場合は、その後に半導体基板の裏面部に塗布するレ
ジストと半導体基板との密着性が不十分となるので、レ
ジスト塗布前に該裏面部を例えばヘキサメチルジシラザ
ンを主成分とする疎水処理剤を塗布して疎水処理するの
が好ましい。

【００２５】レジスト塗布後のバックリンスのみを行
い、水溶性樹脂塗布後のバックリンスを省略する場合
は、レジスト塗布前の疎水処理も省略することができ、
工程の簡略化が図れる。水溶性樹脂塗布後のバックリン
スを省略した場合、半導体基板の裏面側に回り込んだ水
溶性樹脂の一部がその後に塗布されるレジストによって
被覆され、水溶性樹脂の剥離工程後にも水溶性樹脂が基
板周縁部に僅かに残存することがあるが、この場合に残
存する水溶性樹脂は半導体基板の周縁部の裏面側にのみ
存在するので、その後に乾燥工程を行っても水溶性樹脂
の残留物は半導体基板の表面側に流出する可能性は極め
て小さい。

【００２６】また本発明においては、水溶性樹脂膜を水
溶性樹脂用剥離液により剥離した後、該半導体基板を従
来のような公転式乾燥機の代りに枚葉式の自転式乾燥機
等の自転乾燥手段を用いて乾燥するようにしたことによ
り、例え上記のように極く僅かに水溶性樹脂が半導体基
板の周縁部に残存する場合でも、半導体基板が自転する
ので水溶性樹脂は遠心力により半導体基板の外方へ飛散
し、半導体基板の中心側すなわち表面側に流れ出ること
がなく、不具合の発生の防止がより確実に達成できる。

【００２７】なお、前記水溶性樹脂は、例えばポリビニ
ルアルコールを用いることができるが、その他の水溶性
樹脂を用いることができることは言うまでもない。ま
た、水溶性樹脂を半導体基板に塗布した後にベークする
と、水溶性樹脂は保護膜としての役割を確実に果すのに
十分な硬度が得られる。

【００２８】本発明は、特に前記半導体基板の表面部に
予め写真蝕刻法により所定のパターンが形成されたフォ
トレジスト膜を形成した後に前記水溶性樹脂膜を形成す
る場合に適している。パターニングされたフォトレジス
ト膜は特に保護される必要があり、水溶性樹脂による保
護が不可欠であるばかりでなく、水溶性樹脂が残存する
ことによる不具合も大きな問題となるからである。

【００２９】次に、本発明の半導体基板の製造装置にお
いては、前述した構成としたことにより、本発明の半導
体基板の製造方法を手作業なしに自動で行うことができ
る。すなわち、まず、スピンナ等の水溶性樹脂塗布手段
に半導体基板の表面側を上方に向けてセットし、半導体
基板の表面部に水溶性樹脂を塗布する。この場合、必要
に応じて、例えば下方から水溶性樹脂用剥離液（純水）
を吐出するノズルからなる周縁部水溶性樹脂剥離手段を
設けた場合は、この周縁部水溶性樹脂剥離手段により半
導体基板の裏面をリンス（バックリンス）し、半導体基
板の周縁部に回り込んで付着した水溶性樹脂を除去す
る。そして、この半導体基板を加熱炉等の水溶性樹脂ベ
ーク手段に搬送してベークし、水溶性樹脂を硬化させ
る。

【００３０】次に、表面部に水溶性樹脂膜が形成された
半導体基板を反転し、半導体基板の裏面を上方に向け直
す。ここで、前述のように周縁部水溶性樹脂剥離手段を
設けてバックリンスをした場合は、併せてスピンナ等の
疎水処理剤塗布手段も設けておき、これにレジスト塗布
前の半導体基板をセットして裏面部に疎水剤を塗布して
疎水処理を施す。

【００３１】次に、この半導体基板を、スピンナ等のレ
ジスト塗布手段に裏面側を上方に向けてセットし、半導
体基板の裏面部にレジストを塗布する。そして、例えば
下方からレジスト用剥離液（酢酸ブチル等）を吐出する
ノズルからなる周縁部レジスト剥離手段により、半導体
基板の表面側の周縁部をリンス（バックリンス）し、半
導体基板の表面側に回り込んで付着したレジストを除去
する。そして、この半導体基板を加熱炉等のレジストベ
ーク手段に搬送してベークし、レジストを硬化させる。

【００３２】次に、裏面にレジスト膜が形成された半導
体基板を再び反転し、半導体基板の表面側を上方に向け
直す。この半導体基板を、スピンナ等よりなる水溶性樹
脂剥離手段に表面を上方に向けてセットし、上方から水
溶性樹脂用剥離液（純水）を散布して半導体基板の表面
部に形成されていた水溶性樹脂膜を剥離する。このスピ
ンナ等からなる水溶性剥離手段は自転乾燥手段を兼ねて
いてもよい。その場合には、水溶性樹脂用剥離液による
水溶性樹脂の剥離工程終了後、水溶性樹脂用剥離液の吐
出を止めた後も半導体基板を高速で回転させて乾燥す
る。このとき半導体基板は自転しているので、万一水溶
性樹脂の残留物が半導体基板の周縁部に存在していて
も、半導体基板の外方へ飛散するので、半導体基板の表
面側に流れ出ることはない。

【００３３】上記各手段の間は、例えばローダー等の搬
送手段で接続され、本発明の方法が自動的に行われる。

【００３４】

【実施例】以下、本発明の半導体基板の製造方法及びそ
の装置の実施例について、図面を参照しながら説明す
る。

【００３５】図１及び図２は、本発明の半導体基板の製
造方法の工程の一実施例を示すものである。本実施例で
は、半導体基板の表面側に例えば埋込層形成のための拡
散工程を行う際、裏面側にも不純物が拡散されるのを防
止する保護膜（熱酸化膜）を形成する場合を例として示
す。

【００３６】図３は、本実施例の半導体基板の製造方法
を自動で行う装置の実施例を示すブロック図である。本
装置の構成は、水溶性樹脂塗布用スピンナ５０、水溶性
樹脂ベーク用の加熱炉５１、反転機構５２、疎水処理剤
塗布用スピンナ５３、レジスト塗布用スピンナ５４、レ
ジストベーク用の加熱炉５５、反転機構５６、自転式乾
燥機兼用の水溶性樹脂剥離用スピンナ５７とからなる。

【００３７】各構成部は例えば半導体基板を搬送する機
構によって相互に連結され、半導体基板はこの搬送機構
によって水溶性樹脂塗布用スピンナ５０から水溶性樹脂
剥離用スピンナ５７まで順次自動的に搬送されながら各
処理を受ける。

【００３８】次に、図３に示した構成の装置を用いて本
実施例の方法を行う場合の具体的工程について図１〜図
３を参照して説明する。まず、半導体基板２０を酸素あ
るいは水蒸気を含む酸化性雰囲気中で高温処理し、表裏
全面に熱酸化膜２１を形成した後、表面部にフォトレジ
スト２２を塗布し、露光、現像して所望のパターンを形
成する（図１（Ａ））。以下、この加工された基板を半
導体基板２０と総称する。

【００３９】次に、上記半導体基板２０の裏面側を水溶
性樹脂塗布用スピンナ５０のチャック５０ａに吸着さ
せ、上方のノズル５０ｂから半導体基板２０の表面中央
付近に、例えば固形分１５％のポリビニルアルコール樹
脂からなる水溶性樹脂２３を滴下する。そして、半導体
基板２０を例えば５０００ｒｐｍで高速回転させ、水溶
性樹脂２３膜の形成、乾燥を行う（図１（Ｂ））。この
とき、図から分るように、水溶性樹脂２３は半導体基板
２０の周縁部の裏面側まで回り込んで形成される。

【００４０】次に、下部のバックリンスノズル５０ｃか
ら純水等の水溶性樹脂用剥離液を半導体基板２０の裏面
側の周縁部寄りに散布し、半導体基板２０の周縁部の裏
面側（下方側）に回り込んで付着している水溶性樹脂２
３を除去する（図１（Ｃ））。

【００４１】次に、水溶性樹脂２３を表面部に塗布した
半導体基板２０を加熱炉５１にて１１０℃、１分のベー
キングを行う。これによって約１μｍの膜厚を持つ水溶
性樹脂２３膜が形成される。

【００４２】次に、半導体基板２０を反転機構５２によ
り反転させ、半導体基板２０の表面側を疎水処理剤塗布
用スピンナ５３のチャック５３ａに吸着させる（図１
（Ｄ））。このとき、半導体基板２０の表面部のパター
ニングされたフォトレジスト２２は水溶性樹脂２３によ
り保護されているので、チャック４０に吸着させる際に
パーティクルが挟み込まれてもピンホール等が生じると
いった不具合が生じない。次に、上方のノズル５３ｂか
ら半導体基板２０の裏面部中央付近に、例えばヘキサメ
チルジシラザンを主成分とする疎水処理剤を滴下して半
導体基板２０を高速回転させ、疎水処理を施す。

【００４３】次に、半導体基板２０の表面側をレジスト
塗布用スピンナ５４のチャック５４ａに吸着させ、上方
のノズル５４ｂから半導体基板２０の裏面部中央付近に
レジスト２４を滴下し、半導体基板２０を約３０００ｒ
ｐｍで高速回転させて余分なレジストを振り切り、半導
体基板２０の裏面部にレジスト２４膜を形成する（図１
（Ｅ））。

【００４４】このとき、図から分るように、レジスト２
４膜は半導体基板２０の周縁部の表面側（下方側）まで
回り込んで形成され、水溶性樹脂２３の一部を被覆した
状態となる。そこで、下部のバックリンスノズル５４ｃ
から酢酸ブチル等のレジスト用剥離液を半導体基板２０
の裏面側の周縁部寄りに散布し、半導体基板２０の周縁
部の表面側（下方側）に回り込んで付着しているレジス
トを除去する（図２（Ｆ））。

【００４５】その後、半導体基板２０を加熱炉５５にて
１１０℃、１分のベーキングを行う。次に、半導体基板
２０を反転機構５６により再び反転させ、半導体基板２
０の裏面側を水溶性樹脂剥離用スピンナ５７のチャック
５７ａに吸着させ、半導体基板２０を静止させた状態ま
たは低速で回転させた状態で、上方のノズル５７ｂから
半導体基板２０の表面部全面に水溶性樹脂用剥離液（純
水）を散布して水溶性樹脂２３を剥離し、その後、自転
式乾燥機を兼ねた水溶性樹脂剥離用スピンナ５７により
半導体基板２０を高速回転（例えば３０００ｒｐｍ、１
０秒の自転）させて乾燥する（図２（Ｇ））。

【００４６】次に、半導体基板２０の残存フォトレジス
ト２２及びレジスト２４をマスクにして熱酸化膜２１の
パターンエッチングを行い、半導体基板２０の表面の埋
込層形成予定領域上の熱酸化膜２１を選択的に除去して
パターニングする（図２（Ｈ））。そして、フォトレジ
スト２２及びレジスト２４を除去すると、表面側にパタ
ーニングされた熱酸化膜２１と、裏面側全面に熱酸化膜
２１が残る（図２（Ｉ））。

【００４７】上記のように半導体基板２０の裏面全面に
保護膜として残った熱酸化膜２１及び表面のパターニン
グされた熱酸化膜２１をマスクにして、アンチモン（Ｓ
ｂ）やボロン（Ｂ）等の不純物拡散を行うことにより、
表面側に埋込層等の不純物拡散層が形成される。裏面側
全面には熱酸化膜が残っているので、不純物が半導体基
板２０の裏面部に拡散されず、その後に行うエピタキシ
ャル工程等において基板裏面からの不純物のオートドー
ピングが防止できる。

【００４８】また、上記のように、半導体基板への水溶
性樹脂の塗布から剥離・乾燥までを自動的に行うことが
できる。

【００４９】以上、本発明の実施例を詳細に説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはい
うまでもない。

【００５０】例えば、前述したように水溶性樹脂のバッ
クリンス工程は必ずしも行う必要はなく、この工程を省
略することができる。その場合は疎水処理も必要がなく
なるのでこれも省略することができる。その場合、半導
体基板２０の周縁部の裏面側に回り込んで付着している
水溶性樹脂２３の一部がレジスト２４に被覆され、水溶
性樹脂２３が剥離工程後も除去されずに基板周縁部の裏
面側に残留物として僅かに残ってしまう可能性がある
が、その後の半導体基板２０の自転による高速回転によ
り残留物は外方へ飛散し、半導体基板２０の主面に流れ
出すことはなく、しかもこの残留物は基板周縁部の裏面
側に僅かに残るものなので、半導体基板２０の表面側に
流れ出す可能性は極めて少ない。

【００５１】また、上記実施例では水溶性樹脂の剥離手
段としてスピンナを用い、これが自転式乾燥機を兼ねる
ようにして水溶性樹脂の剥離及び自転乾燥を行うように
したが、水溶性樹脂の剥離手段として剥離液を入れた槽
を用い、これに半導体基板を浸漬して水溶性樹脂を剥離
し、その後に乾燥専用の自転式乾燥機を用いて半導体基
板の自転乾燥を行うようにしてもよい。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、水
溶性樹脂が基板周縁部に残留することなく除去すること
ができ、また僅かに残ったとしても基板表面に流れ出す
のを防止できるので、不具合の発生を大幅に減少するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体基板の製造方法の一実施例を示
す工程図である。

【図２】本発明の半導体基板の製造方法の一実施例を示
す工程図である。

【図３】本発明の半導体基板の製造装置の一実施例を示
すブロック図である。

【図４】従来の半導体基板の製造方法を示す工程図であ
る。

【符号の説明】

２０ 半導体基板 ２１ 熱酸化膜 ２２ フォトレジスト ２３ 水溶性樹脂 ２４ レジスト ５０ 水溶性樹脂塗布用スピンナ ５０ａ，５３ａ，５４ａ，５７ａ チャック ５０ｂ，５３ｂ，５４ｂ，５７ｂ ノズル ５０ｃ，５４ｃ バックリンスノズル ５１，５５ 加熱炉 ５２，５６ 反転機構 ５３ 疎水処理剤塗布用スピンナ ５４ レジスト塗布用スピンナ ５７ 水溶性樹脂剥離用スピンナ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の一主面（以下「表面」とい
   う。）を支持した状態で該表面の反対側の一主面（以下
   「裏面」という。）にスピンナを用いてレジストを塗布
   するために、前記表面上に水溶性樹脂膜を形成して該表
   面部を保護し、次に該水溶性樹脂膜を介して前記表面部
   を支持した状態で前記裏面部にスピンナを用いてレジス
   トを塗布し、さらに、前記水溶性樹脂膜を水溶性樹脂用
   剥離液により剥離する一連の工程を含む半導体基板の製
   造方法において、 前記表面部に前記水溶性樹脂を塗布した後に前記裏面側
   の周縁部を水溶性樹脂用剥離液によりリンスして該裏面
   側に回り込んで付着している前記水溶性樹脂を除去する
   工程と、該裏面部に前記スピンナを用いて前記レジスト
   を塗布した後に前記表面側の周縁部をレジスト用剥離液
   によりリンスして該表面側に回り込んで付着している該
   レジストを除去する工程のいずれか一工程又は両工程を
   行い、さらに、前記水溶性樹脂膜を水溶性樹脂用剥離液
   により剥離した後に、前記半導体基板を高速で自転させ
   て乾燥することを特徴とする半導体基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記水溶性樹脂の塗布手段はスピンナで
   ある請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記水溶性樹脂を塗布して前記水溶性樹
   脂膜を形成した後に該水溶性樹脂膜をベークするもので
   ある請求項１又は請求項２に記載の半導体基板の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記半導体基板の前記裏面側を前記水溶
   性樹脂用剥離液によりリンスした後、前記裏面部に前記
   レジストを塗布する前に、該裏面部を疎水処理するもの
   である請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の
   半導体基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記疎水処理はヘキサメチルジシラザン
   を主成分とする疎水処理剤を塗布するものである請求項
   ４に記載の半導体基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記水溶性樹脂はポリビニルアルコール
   である請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の
   半導体基板の製造方法。
7. 【請求項７】 半導体基板の一主面（以下「表面」とい
   う。）を支持した状態で該表面の反対側の一主面（以下
   「裏面」という。）にレジストを塗布するために、前記
   表面上に水溶性樹脂膜を形成して該表面部を保護し、次
   に該水溶性樹脂膜を介して前記表面部を支持した状態で
   前記裏面部にレジストを塗布し、さらに、前記水溶性樹
   脂膜を水溶性樹脂用剥離液により剥離する一連の工程を
   含む半導体基板の製造方法に用いる装置において、 前記半導体基板の前記表面部に水溶性樹脂を塗布する水
   溶性樹脂塗布手段と、該水溶性樹脂をベークする水溶性
   樹脂ベーク手段と、前記表面部に前記水溶性樹脂膜が形
   成された前記半導体基板の前記裏面部にレジストを塗布
   するレジスト塗布手段と、前記裏面部にレジスト膜が形
   成された前記半導体基板の前記表面側の周縁部をレジス
   ト用剥離液によりリンスする周縁部レジスト剥離手段
   と、前記レジスト膜をベークするレジストベーク手段
   と、前記水溶性樹脂膜を剥離する水溶性樹脂剥離手段
   と、前記半導体基板を自転させて乾燥する自転乾燥手段
   とを備えたことを特徴とする半導体基板の製造装置。
8. 【請求項８】 前記表面部に前記水溶性樹脂膜が形成さ
   れた前記半導体基板の前記裏面部の周縁部を水溶性樹脂
   用剥離液によりリンスする周縁部水溶性樹脂剥離手段
   と、前記レジスト塗布手段により前記裏面部に前記レジ
   ストを塗布する前に該裏面部に疎水処理剤を塗布して疎
   水処理するための疎水処理剤塗布手段とを備えた請求項
   ７に記載の半導体基板の製造装置。
9. 【請求項９】 前記水溶性樹脂剥離手段はスピンナから
   なり、且つ前記自転乾燥手段を兼ねている請求項７又は
   請求項８に記載の半導体基板の製造装置。