JPH0736000A - 導波型光アイソレータ - Google Patents
導波型光アイソレータInfo
- Publication number
- JPH0736000A JPH0736000A JP17958693A JP17958693A JPH0736000A JP H0736000 A JPH0736000 A JP H0736000A JP 17958693 A JP17958693 A JP 17958693A JP 17958693 A JP17958693 A JP 17958693A JP H0736000 A JPH0736000 A JP H0736000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- single crystal
- waveguide type
- optical isolator
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型でかつ構造が簡単な導波型光アイソレー
タを提供する。 【構成】 非磁性ガーネット単結晶基板１上に成長させ
てイットリウム・鉄・ガーネット単結晶薄膜２に形成し
た光導波路３をファラデー素子とする。この光導波路３
の両端面に偏光素子４を配置し、上記ファラデー素子の
側面に、上記光導波路３に沿って棒状または板状の永久
磁石５を配置する。
タを提供する。 【構成】 非磁性ガーネット単結晶基板１上に成長させ
てイットリウム・鉄・ガーネット単結晶薄膜２に形成し
た光導波路３をファラデー素子とする。この光導波路３
の両端面に偏光素子４を配置し、上記ファラデー素子の
側面に、上記光導波路３に沿って棒状または板状の永久
磁石５を配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光を用いた放
送波伝送および光による計測などにおいて、光源となる
レーザから発射された光波が、種々の原因で光源に戻る
ことを防ぐために用いる導波型光アイソレータに関す
る。
送波伝送および光による計測などにおいて、光源となる
レーザから発射された光波が、種々の原因で光源に戻る
ことを防ぐために用いる導波型光アイソレータに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光アイソレータとしては、従来、バルク
型のものが多く使われてきた。
型のものが多く使われてきた。
【０００３】最近、導波路技術の進歩とともに、光アイ
ソレータを導波型にして使うことが多く提案され、また
実験されてきた。しかしながら、導波型光アイソレータ
には、磁界印加の手段として、バルク型光アイソレータ
と同様に、リング形状の永久磁石が用いられている。
ソレータを導波型にして使うことが多く提案され、また
実験されてきた。しかしながら、導波型光アイソレータ
には、磁界印加の手段として、バルク型光アイソレータ
と同様に、リング形状の永久磁石が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光アイソレ
ータを導波型にすることの本来の最も大きな目的の一つ
は、光アイソレータの小型化にある。
ータを導波型にすることの本来の最も大きな目的の一つ
は、光アイソレータの小型化にある。
【０００５】しかしながら、従来の導波型光アイソレー
タは、図２に示すように、その構成の一部となる磁界印
加のためのリング形状の永久磁石６が、実質的に光アイ
ソレータの大きさを決めており、その小型化を阻んでい
る大きな要因となっている。
タは、図２に示すように、その構成の一部となる磁界印
加のためのリング形状の永久磁石６が、実質的に光アイ
ソレータの大きさを決めており、その小型化を阻んでい
る大きな要因となっている。
【０００６】本発明の課題は、小型でかつ構造が簡単な
導波型光アイソレータを提供することにある。
導波型光アイソレータを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、非磁性
ガーネット単結晶基板上に成長させてイットリウム・鉄
・ガーネット単結晶薄膜に形成した光導波路をファラデ
ー素子とし、この光導波路の両端面に偏光素子を配置
し、上記ファラデー素子の側面に、上記光導波路に沿っ
て棒状または板状の永久磁石を配置したことを特徴とす
る導波型光アイソレータが得られる。
ガーネット単結晶基板上に成長させてイットリウム・鉄
・ガーネット単結晶薄膜に形成した光導波路をファラデ
ー素子とし、この光導波路の両端面に偏光素子を配置
し、上記ファラデー素子の側面に、上記光導波路に沿っ
て棒状または板状の永久磁石を配置したことを特徴とす
る導波型光アイソレータが得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図によって詳細に説
明する。
明する。
【０００９】本発明の一実施例の導波型光アイソレータ
の構成を図１に示す。
の構成を図１に示す。
【００１０】本実施例の光アイソレータは、非磁性のガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット「組成：Ｇｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12」（以下、ＧＧＧという）単結晶の（１１１）面
を有する基板１上に、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法
によって育成したイットリウム・鉄・ガーネット「組
成：Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12」（以下、ＹＩＧという）単結晶薄
膜２の導波路３を形成し、これをファラデー素子とし
た。
ドリニウム・ガリウム・ガーネット「組成：Ｇｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12」（以下、ＧＧＧという）単結晶の（１１１）面
を有する基板１上に、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法
によって育成したイットリウム・鉄・ガーネット「組
成：Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12」（以下、ＹＩＧという）単結晶薄
膜２の導波路３を形成し、これをファラデー素子とし
た。
【００１１】具体的には、直径３インチ，厚さ０．５ｍ
ｍの（１１１）面を有するＧＧＧ単結晶基板１上に、液
相エピタキシャル（ＬＰＥ）法によってＹＩＧ単結晶薄
膜２育成した後、表面加工を行ってその厚さを約１０μ
ｍとした。このＹＩＧ単結晶薄膜２に、幅５μｍ，深さ
５μｍ，長さ約３ｍｍの導波路３を形成した後、一辺が
導波路３に平行になるチップ状に切り出し、導波路３の
長さが最終的に２．０５ｍｍ（波長１．３μｍのとき偏
光面が、４５°回転するのに要する長さ）になるように
導波路両側面を含むチップの側面に光学研磨を施し、更
にその面に蒸着法によって光学反射防止膜を配置して、
ファラデー素子とした。
ｍの（１１１）面を有するＧＧＧ単結晶基板１上に、液
相エピタキシャル（ＬＰＥ）法によってＹＩＧ単結晶薄
膜２育成した後、表面加工を行ってその厚さを約１０μ
ｍとした。このＹＩＧ単結晶薄膜２に、幅５μｍ，深さ
５μｍ，長さ約３ｍｍの導波路３を形成した後、一辺が
導波路３に平行になるチップ状に切り出し、導波路３の
長さが最終的に２．０５ｍｍ（波長１．３μｍのとき偏
光面が、４５°回転するのに要する長さ）になるように
導波路両側面を含むチップの側面に光学研磨を施し、更
にその面に蒸着法によって光学反射防止膜を配置して、
ファラデー素子とした。
【００１２】次に、上述の光学反射防止膜を配置した導
波路両端面に、薄板型偏光子４を配設するとともに、面
内方向に着磁した板状の永久磁石５（サイズ：２×２×
厚さ０．５ｍｍ）を、着磁の方向を導波路３と平行にし
てＧＧＧ基板１に接着して、導波型光アイソレータを製
作した。
波路両端面に、薄板型偏光子４を配設するとともに、面
内方向に着磁した板状の永久磁石５（サイズ：２×２×
厚さ０．５ｍｍ）を、着磁の方向を導波路３と平行にし
てＧＧＧ基板１に接着して、導波型光アイソレータを製
作した。
【００１３】本実施例による導波型光アイソレータは、
波長１．３１μｍの入射光に対して、偏光面の回転角４
５°を示し、光透過損失は順方向で０．３ｄＢ、逆方向
で４０ｄＢを示した。
波長１．３１μｍの入射光に対して、偏光面の回転角４
５°を示し、光透過損失は順方向で０．３ｄＢ、逆方向
で４０ｄＢを示した。
【００１４】本実施例に示すように、液相エピタキシャ
ル（ＬＰＥ）法によって育成したＹＩＧ単結晶薄膜２
は、その形状による反磁界のために、数エルステッド乃
至数十エルステッドの低い磁界で面内方向に磁気飽和す
ることが特徴である。なお、前記永久磁石５は、棒状で
あっても良い。
ル（ＬＰＥ）法によって育成したＹＩＧ単結晶薄膜２
は、その形状による反磁界のために、数エルステッド乃
至数十エルステッドの低い磁界で面内方向に磁気飽和す
ることが特徴である。なお、前記永久磁石５は、棒状で
あっても良い。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、光アイソレータの小型
化の阻害要因が除去されるので、導波型光アイソレータ
を構造の簡素化及び小型化を図ることができる。
化の阻害要因が除去されるので、導波型光アイソレータ
を構造の簡素化及び小型化を図ることができる。
【図１】本発明の導波型光アイソレータの一実施例の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図２】従来の導波型光アイソレータの構成を示す概略
図である。
図である。
１ ＧＧＧ単結晶基板 ２ ＹＩＧ単結晶薄膜 ３ 導波路 ４ 偏光子 ５ 永久磁石
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性ガーネット単結晶基板上に成長さ
せてイットリウム・鉄・ガーネット単結晶薄膜に形成し
た光導波路をファラデー素子とし、この光導波路の両端
面に偏光素子を配置し、上記ファラデー素子の側面に、
上記光導波路に沿って棒状または板状の永久磁石を配置
したことを特徴とする導波型光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17958693A JPH0736000A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 導波型光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17958693A JPH0736000A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 導波型光アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736000A true JPH0736000A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16068323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17958693A Pending JPH0736000A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 導波型光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736000A (ja) |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP17958693A patent/JPH0736000A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021225 |