JPH073490B2 - 光フアイバ保持基板とその製造方法 - Google Patents
光フアイバ保持基板とその製造方法Info
- Publication number
- JPH073490B2 JPH073490B2 JP61296153A JP29615386A JPH073490B2 JP H073490 B2 JPH073490 B2 JP H073490B2 JP 61296153 A JP61296153 A JP 61296153A JP 29615386 A JP29615386 A JP 29615386A JP H073490 B2 JPH073490 B2 JP H073490B2
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- fiber holding
- holding substrate
- substrate
- aligning
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- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、１枚の基板上で位置精度および作業性よく、
多対光フアイバの整列あるいは接続が行える光フアイバ
保持基板およびその製造方法に関するものである。
多対光フアイバの整列あるいは接続が行える光フアイバ
保持基板およびその製造方法に関するものである。
従来、この種の多対光フアイバの整列あるいは接続を行
うのに、たとえば第４図に示すように、異方性エツチン
グ技術を用いてＶ溝加工した単結晶シリコン基板からな
る光フアイバ保持基板２′のＶ溝上に光フアイバ１をの
せ、この上から同様の技術でＶ溝を形成したシリコン基
板あるいは平板からなる押え板３で光フアイバ１を押
え、整列あるいは接続する方法がとられてきた。４は接
着層を示す。
うのに、たとえば第４図に示すように、異方性エツチン
グ技術を用いてＶ溝加工した単結晶シリコン基板からな
る光フアイバ保持基板２′のＶ溝上に光フアイバ１をの
せ、この上から同様の技術でＶ溝を形成したシリコン基
板あるいは平板からなる押え板３で光フアイバ１を押
え、整列あるいは接続する方法がとられてきた。４は接
着層を示す。
また、文献（Journal of Lightwave Technology,Vol LT
-1,No3,P479〜482,1983）や、特開昭61-132912号公報で
示されている例として、第５図に示すようにＶ溝を形成
した２枚の光フアイバ保持基板２″,2を重ね、上記の
Ｖ溝に光フアイバ１を挿入し整列あるいは接続する方法
もとられてきた。
-1,No3,P479〜482,1983）や、特開昭61-132912号公報で
示されている例として、第５図に示すようにＶ溝を形成
した２枚の光フアイバ保持基板２″,2を重ね、上記の
Ｖ溝に光フアイバ１を挿入し整列あるいは接続する方法
もとられてきた。
従来技術の一例である第４図の方法では、光フアイバ保
持基板２′および押え板３のそりやうねり、接着層４の
膜厚バラツキ等のため、多対光フアイバを位置精度良く
整列するには限界があつた。また従来技術の他の例であ
る第５図に示した方法では、高精度なＶ溝加工を行つた
光フアイバ保持基板２″,2を２枚必要とするため構造
が複雑となり、第４図に示した例における位置精度の問
題に加え、経済性の面からも問題があつた。
持基板２′および押え板３のそりやうねり、接着層４の
膜厚バラツキ等のため、多対光フアイバを位置精度良く
整列するには限界があつた。また従来技術の他の例であ
る第５図に示した方法では、高精度なＶ溝加工を行つた
光フアイバ保持基板２″,2を２枚必要とするため構造
が複雑となり、第４図に示した例における位置精度の問
題に加え、経済性の面からも問題があつた。
本発明は同一基板表面に光フアイバを整列，接続するた
めの断面形状が台形状の溝を形成し、しかも単結晶Ga-A
s基板の異方性エツチングを利用して溝加工を行つた点
が最も主要な特徴である。すなわち、本発明の光フアイ
バ保持基板は、表面に光フアイバを内接して挿入し、整
列・固定する開口部の寸法が底辺より小さい台形状断面
を有する溝を備えてなることを特徴とし、とくに結晶面
によりエツチング速度が異なる異方性エツチング加工が
可能な単結晶Ga-As基板からなることを特徴とする。ま
た本発明の光フアイバ保持基板を生産する製造方法は、
（100）面を表面とする単結晶Ga-As基板にフオトレジス
トを塗布し、＜011＞方向にマスク合わせしパターンを
形成し、硫酸系エツチング液を用いて異方性エツチング
加工を施し、（011）面に着目して（100）面の底辺と
（111）面の斜辺とのなす角度が54.7゜の、前記光フア
イバを挿入し整列・固定する台形状断面の溝を形成する
ことを特徴とし、たとえばH2SO4:H2O2:H2O＝1:10:1で液
温28〜30℃の硫酸系エツチング液を適用する。
めの断面形状が台形状の溝を形成し、しかも単結晶Ga-A
s基板の異方性エツチングを利用して溝加工を行つた点
が最も主要な特徴である。すなわち、本発明の光フアイ
バ保持基板は、表面に光フアイバを内接して挿入し、整
列・固定する開口部の寸法が底辺より小さい台形状断面
を有する溝を備えてなることを特徴とし、とくに結晶面
によりエツチング速度が異なる異方性エツチング加工が
可能な単結晶Ga-As基板からなることを特徴とする。ま
た本発明の光フアイバ保持基板を生産する製造方法は、
（100）面を表面とする単結晶Ga-As基板にフオトレジス
トを塗布し、＜011＞方向にマスク合わせしパターンを
形成し、硫酸系エツチング液を用いて異方性エツチング
加工を施し、（011）面に着目して（100）面の底辺と
（111）面の斜辺とのなす角度が54.7゜の、前記光フア
イバを挿入し整列・固定する台形状断面の溝を形成する
ことを特徴とし、たとえばH2SO4:H2O2:H2O＝1:10:1で液
温28〜30℃の硫酸系エツチング液を適用する。
本発明の光フアイバ保持基板は、同一基板表面に形成し
た開口部の寸法が底辺より小さい台形状の溝に内接する
よう光フアイバを保持する構造であり、本発明の光フア
イバ保持基板を生産する方法は、異方性エツチング技術
と微細パターンの形成に有利なフオト工程により、台形
状溝を形成することから、光フアイバを位置ずれなく高
精度に整列することが可能であり、また位置精度，寸法
精度に優れた溝加工が可能であり、多対光フアイバを高
精度に保持することができる。以下図面にもとづき実施
例について説明する。
た開口部の寸法が底辺より小さい台形状の溝に内接する
よう光フアイバを保持する構造であり、本発明の光フア
イバ保持基板を生産する方法は、異方性エツチング技術
と微細パターンの形成に有利なフオト工程により、台形
状溝を形成することから、光フアイバを位置ずれなく高
精度に整列することが可能であり、また位置精度，寸法
精度に優れた溝加工が可能であり、多対光フアイバを高
精度に保持することができる。以下図面にもとづき実施
例について説明する。
第１図に本発明の光フアイバ保持基板の一実施例の概要
を示す。光フアイバ保持基板２に形成した溝５は、開口
部８の寸法が底辺７より小さい台形状の断面形状であ
り、底辺７と二つの斜辺６の各１点で接する内接円の直
径とほぼ等しい光フアイバ１を挿入することにより光フ
アイバを保持する構造である。このように底辺７と二つ
の斜辺６のそれぞれの１点、合計３点で光フアイバ１を
支持することから、光フアイバ１を位置ずれなく高精度
に整列することが可能である。
を示す。光フアイバ保持基板２に形成した溝５は、開口
部８の寸法が底辺７より小さい台形状の断面形状であ
り、底辺７と二つの斜辺６の各１点で接する内接円の直
径とほぼ等しい光フアイバ１を挿入することにより光フ
アイバを保持する構造である。このように底辺７と二つ
の斜辺６のそれぞれの１点、合計３点で光フアイバ１を
支持することから、光フアイバ１を位置ずれなく高精度
に整列することが可能である。
次に、光フアイバ保持基板２の表面に台形状の溝５を形
成する方法の一実施例を第２図a,b,cおよび第３図に示
す。第２図a,b,cはそれぞれ光フアイバ保持基板に溝を
形成した上面、正面、側面の状態図、第３図は寸法構成
の具体例である。光フアイバ保持基板２として、（10
0）面を表面とする単結晶Ga-As基板表面にフオトレジス
ト９を塗布し、＜011＞方向にマスク合わせしパターン
を形成した後、たとええば、H2SO4:H2O2:H2O＝1:10:1で
液温28〜30℃の硫酸系エツチング液を用いて異方性エツ
チングを行うと、（011）面および（01）面の断面は
第２図のようになる。（011）面に着目すると、（100）
面と（111）面とのなす角度は結晶構造で決まり、単結
晶Ga-Asの場合は54.7゜となる。実験により、エツチン
グ深さ10およびサイドエツチ11とエツチング時間との関
係を求めると、深さ方向のエツチング速度は10μm/mi
n:、サイドエツチ速度は3.3μm/minであつたので、たと
えば外径125μｍφの光フアイバ１を溝５に挿入するた
めには、溝５のエツチング深さ10は110μｍ、サイドエ
ツチ11は36μｍとなるので，フオトレジスト９のパター
ン間隔12を14μｍとすればよい。このときの寸法構成を
第３図に示す。
成する方法の一実施例を第２図a,b,cおよび第３図に示
す。第２図a,b,cはそれぞれ光フアイバ保持基板に溝を
形成した上面、正面、側面の状態図、第３図は寸法構成
の具体例である。光フアイバ保持基板２として、（10
0）面を表面とする単結晶Ga-As基板表面にフオトレジス
ト９を塗布し、＜011＞方向にマスク合わせしパターン
を形成した後、たとええば、H2SO4:H2O2:H2O＝1:10:1で
液温28〜30℃の硫酸系エツチング液を用いて異方性エツ
チングを行うと、（011）面および（01）面の断面は
第２図のようになる。（011）面に着目すると、（100）
面と（111）面とのなす角度は結晶構造で決まり、単結
晶Ga-Asの場合は54.7゜となる。実験により、エツチン
グ深さ10およびサイドエツチ11とエツチング時間との関
係を求めると、深さ方向のエツチング速度は10μm/mi
n:、サイドエツチ速度は3.3μm/minであつたので、たと
えば外径125μｍφの光フアイバ１を溝５に挿入するた
めには、溝５のエツチング深さ10は110μｍ、サイドエ
ツチ11は36μｍとなるので，フオトレジスト９のパター
ン間隔12を14μｍとすればよい。このときの寸法構成を
第３図に示す。
なお、第２図は、正方形のフオトレジスト９によるマス
クを用いた場合のエツチング例であり、第３図の台形状
の溝５を得るためには、第２図ｂの光フアイバ保持基板
２の（011）面からの断面に示したような を組み合わせことによつて形成することができる。
クを用いた場合のエツチング例であり、第３図の台形状
の溝５を得るためには、第２図ｂの光フアイバ保持基板
２の（011）面からの断面に示したような を組み合わせことによつて形成することができる。
また第１図に示す光フアイバ保持基板２は、第３図に示
す光フアイバ保持基板２からフオトレジスト９のマスク
を除去することによつて作ることができる。
す光フアイバ保持基板２からフオトレジスト９のマスク
を除去することによつて作ることができる。
以上説明したように、本発明の光フアイバ保持基板は、
同一基板表面に形成した断面形状が開口部の寸法が底辺
より小さい台形状の溝に内接するよう光フアイバを保持
する構造であり、本発明の光フアイバ保持基板を生産す
る方法は、異方性エツチング技術と微細パターンの形成
に有利なフオト工程により、台形状溝を形成することか
ら、多対の光フアイバを位置ずれなく高精度に配列する
ことができ、また位置精度、寸法精度に優れた溝加工が
可能であり、多対光フアイバを高精度に保持することが
でき、その効果顕著である。
同一基板表面に形成した断面形状が開口部の寸法が底辺
より小さい台形状の溝に内接するよう光フアイバを保持
する構造であり、本発明の光フアイバ保持基板を生産す
る方法は、異方性エツチング技術と微細パターンの形成
に有利なフオト工程により、台形状溝を形成することか
ら、多対の光フアイバを位置ずれなく高精度に配列する
ことができ、また位置精度、寸法精度に優れた溝加工が
可能であり、多対光フアイバを高精度に保持することが
でき、その効果顕著である。
第１図は本発明の光フアイバ保持基板の一実施例の概要
を示す図、第２図a,b,cは本発明の光フアイバ保持基板
に溝を形成した上面，正面，側面の状態図、第３図は本
発明の光フアイバ保持基板の寸法構成の具体例を示す
図、第４図および第５図は従来の光フアイバ保持基板の
第１および第２の例の概要図である。 １……光フアイバ、2,2′,2″,2……光フアイバ保持
基板、３……押え板、４……接着層、５……溝、６……
斜辺、７……底辺、８……開口部、９……フオトレジス
ト、10……エツチング深さ、11……サイドエツチ、12…
…パターン間隔
を示す図、第２図a,b,cは本発明の光フアイバ保持基板
に溝を形成した上面，正面，側面の状態図、第３図は本
発明の光フアイバ保持基板の寸法構成の具体例を示す
図、第４図および第５図は従来の光フアイバ保持基板の
第１および第２の例の概要図である。 １……光フアイバ、2,2′,2″,2……光フアイバ保持
基板、３……押え板、４……接着層、５……溝、６……
斜辺、７……底辺、８……開口部、９……フオトレジス
ト、10……エツチング深さ、11……サイドエツチ、12…
…パターン間隔
Claims (4)
- 【請求項１】光フアイバを整列・固定する光フアイバ保
持基板において、 前記光フアイバ保持基板は、 表面に光フアイバを内接して挿入し、整列・固定する開
口部の寸法が底辺より小さい台形状断面を有する溝を備
えてなることを特徴とする光フアイバ保持基板。 - 【請求項２】前記光フアイバ保持基板は、結晶面により
エツチング速度が異なる異方性エツチング加工が可能な
単結晶Ga-As基板からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光フアイバ保持基板。 - 【請求項３】光フアイバを整列・固定する光フアイバ保
持基板の製造方法において、（100）面を表面とする単
結晶Ga-As基板にフオトレジストを塗布し、 ＜011＞方向にマスク合わせパターンを形成し、 硫酸系エツチング液を用いて異方性エツチング加工を施
し、 （011）面に着目して（100）面の底辺と（111）面の斜
辺とのなす角度が54.7゜の、前記光フアイバを挿入し、
整列・固定する台形状断面の溝を形成する ことを特徴とする光フアイバ保持基板の製造方法。 - 【請求項４】前記硫酸系エツチング液は、H2SO4:H2O2:H
2O＝1:10:1で液温28〜30℃の硫酸系エツチング液からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光フア
イバ保持基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61296153A JPH073490B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光フアイバ保持基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61296153A JPH073490B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光フアイバ保持基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148205A JPS63148205A (ja) | 1988-06-21 |
| JPH073490B2 true JPH073490B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=17829841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61296153A Expired - Fee Related JPH073490B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光フアイバ保持基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073490B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000075145A (ja) * | 1998-09-01 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | 光フアイバホルダ |
| JP4445920B2 (ja) | 2005-12-28 | 2010-04-07 | Ｙｋｋ株式会社 | ボタン用キャップ、止め具およびボタン |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123406A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光配線板 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP61296153A patent/JPH073490B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123406A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63148205A (ja) | 1988-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |