JP3026477B2 - 光導波路基板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路が形成された
結晶基板上にガイドピン装着用或いは接続対象となる光
ファイバの位置決め用に溝を形成した光導波路基板に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光信号を基板上に微細加工した平
面導波路を通して様々な処理、分配を行なう試みが活発
になされている。平面基板上に屈折率の異なる導波路形
成用ガラス層を積層、堆積しフォトリソグラフィーを用
いてコア部ガラス層を微細加工する技術も徐々に確立さ
れてきた。

【０００３】一方、ガラス形成した基板上のチップ回路
（導波路基板）の自由度、完成度が高まるにつれて、光
信号をチップ回路に入出力するインタフェース部、つま
り導波路チップに対する光ファイバの接続が重要となっ
て注目されている。

【０００４】この種の接続において、従来、実験研究用
として光ファイバ端面を導波路チップのコア部端面に接
続する場合には、図２に示すような調芯装置が用いられ
てきた。

【０００５】図２において、２１は接続用光ファイバブ
ロック微調台（以下、微調台と称する）、２２は平面導
波路基板固定台（以下、固定台と称する）であり、固定
台２２上に固定された被接続用の平面光導波路基板（ P
lanar Lightwave Circuit boad；以下ＰＬＣ基板と称す
る）211 に対して、微調台２１に装着された接続用の光
ファイバブロック２９を移動し、ＰＬＣ基板211 の結晶
基板213 上に形成された光導波路コア端面212 に光ファ
イバブロック２９のファイバ端面を対向させて、これら
を固着し、接続するものである。

【０００６】即ち、微調台２１は、基台２１ａ上に上方
に向けて順に設けられた粗動ｘ軸ステージ２３、粗動ｙ
軸ステージ２４、微動ｘ軸ステージ２５、微動ｙ軸ステ
ージ２６、ｚ軸微動ステージ２７、ｘｙ平面回転θステ
ージ２８から構成され、最上部に配置されたｚ軸微動ス
テージ２７に光ファイバブロック２９が装着されてい
る。また、光ファイバブロック２９からは、光ファイバ
テープ210 によって複数本の光ファイバが導出されてい
る。

【０００７】前述した構成よりなる調芯装置を用いて光
ファイバブロック２９を微調して、光ファイバブロック
２９の端面に露出されたファイバコアとＰＬＣ基板211
の光導波路コア端面212 の位置合わせを行ない（調芯工
程）、その位置で紫外線硬化樹脂による固定接続を行な
っていた。この方法は、正確な位置合わせを行なえるの
で接続損失が少ない利点はあるが、調芯装置が高額にな
る、作業に時間がかかる等の問題点があった。このよう
な問題点を克服する為に考えられたのが、ガイド溝を用
いて、一括無調芯接続が行なえるタイプの固定型光ファ
イバブロックである。

【０００８】この種の固定型光ファイバブロックの一構
成例を図３に示す。図中、３１はＶ溝ブロックで、その
上面中央部には複数のファイバ用Ｖ溝３２が、また該Ｖ
溝３２を挟むように２つのガイドピン用Ｖ溝３３が形成
されている。ファイバ用Ｖ溝３２にはそれぞれ光ファイ
バ３４が嵌入され、該光ファイバ３４の一端面３４ａは
Ｖ溝ブロック３１の一側面と同一平面内に配置されてい
る。また、各光ファイバ３４の他端側は光ファイバテー
プ３５としてＶ溝ブロック３１から導出されている。

【０００９】さらに、ガイドピン用Ｖ溝３３には、Ｖ溝
ブロック３１の一側面側に突出したガイドピン３６が嵌
入され、光ファイバ３４及びガイドピン３６は、Ｖ溝ブ
ロック３１上面に接着された押え板３７によってＶ溝ブ
ロック３１から外れないように固定されている。

【００１０】前述したＶ溝ブロック３１は、通常、厚板
の非晶質材料（パイレックスガラス、溶融石英、白ガラ
ス）等にダイシングソー加工によってＶ溝を切削して形
成されている。従って、寸法精度（溝の位置，深さ）は
ダイシングソーの加工精度によるが、かなり（各位置±
０．２μｍ）の程度まで高精度な加工が可能になってき
ている。

【００１１】一方、これを受けるＰＬＣ基板211 は、通
常シリコンウエハ（以下、Ｓｉウエハと称する）上にガ
ラス微粒子層を火炎堆積法によって作製し、該ガラス微
粒子層を溶融（シンタリング）してガラス化させる方法
（ Flame Hydrosys Deposition；ＦＨＤ法）を用いてい
形成される。この際、溶融形成されるガラス薄膜を安定
させるために、使用できる基板としては、一般にＳｉ基
板が用いられている。

【００１２】このＳｉ基板上のガラス薄膜をフォトリソ
グラフィー工程により微細加工して光導波路回路を形成
するため、フォトリソグラフィー工程を適切に行える平
面精度を有するＳｉウエハを必要とするので、Ｓｉウエ
ハの厚みは通常１．０〜１．５ｍｍ厚が最適であるとさ
れている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た固定型光ファイバブロックと同様のＶ溝加工をＰＬＣ
基板211 に施すと、基板厚みに近い加工深さが生じるた
め、加工中の破損、押え板による張り合わせ工程での圧
力によるＶ溝からの破断が極めて多く生じ、図３に示す
ようなガイド溝を有する形状のＰＬＣ基板を作製するこ
とは非常に困難であった。

【００１４】この結果、良好なガイド溝付のＰＬＣ基板
を安定して得ることができず、調芯作業の不要な光ファ
イバブロックとガイド溝付きＰＬＣ基板の接続はほとん
ど検討されてこなかった。

【００１５】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、高精
度かつ安定に作製できかつ取扱い性にも優れたガイド溝
付き光導波路基板を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、請求項１では、結晶基板と、該結晶基板
上に形成された低屈折率のクラッド部及び高屈折率のコ
ア部からなる光導波路と、該光導波路と外部の光導波路
とを接続する際の調芯用ガイドピンとを備え、前記結晶
基板には前記調芯用ガイドピンを装着するガイドピン溝
が形成されてなる光導波路基板であって、前記ガイドピ
ン溝を構成する壁面が前記結晶基板の劈開面に対して２
°以上１８°以下の角度をなして形成されている光導波
路基板を提案する。

【００１７】また、請求項２では、結晶基板と、該結晶
基板上に形成された低屈折率のクラッド部及び高屈折率
のコア部からなる光導波路とを備え、前記結晶基板には
前記光導波路と光ファイバとを接続する際の光ファイバ
ガイド溝が形成されてなる光導波路基板であって、前記
光ファイバガイド溝を構成する壁面が前記結晶基板の劈
開面に対して２°以上１８°以下の角度をなして形成さ
れている光導波路基板を提案する。

【００１８】

【作用】本発明による光導波路基板は、ガイドピン溝若
しくは光ファイバガイド溝を備え、これらの溝を構成す
る壁面が光導波路基板に用いる結晶基板の複数の劈開面
に平行でない位置関係を持つように設計加工されている
ことを最も主要な特徴としている。これにより、従来の
ウエットエッチングによる異方性エッチングを用いたガ
イド溝加工に比べ、溝の加工可能深さが増すと共に加工
溝壁面における破損強度が非常に高くなる。

【００１９】即ち、本発明の請求項１によれば、例えば
シリコン等の結晶基板上に低屈折率のクラッド部及び高
屈折率のコア部からなる光導波路、及びガイドピン溝が
形成され、該ガイドピン溝には前記光導波路と外部の光
導波路とを接続する際の調芯用ガイドピンが装着され
る。これにより、前記結晶基板上に形成された光導波路
と外部の光導波路とを接続する際には、前記調芯用ガイ
ドピンによって対向する光導波路の軸芯が一致され、該
光導波路の端面が接続される。また、前記ガイドピン溝
を構成する壁面は、前記結晶基板の劈開面に対して２°
以上１８°以下の角度をなして形成されているので、前
記ガイドピン溝の形成位置における前記結晶基板の強度
として高い強度が得られ、前記結晶基板にガイドピン溝
を形成する際、若しくは形成した後に、前記ガイドピン
溝の形成位置において前記結晶基板に亀裂或いは破損を
生じることがない。

【００２０】また、請求項２によれば、例えばシリコン
等の結晶基板上に低屈折率のクラッド部及び高屈折率の
コア部からなる光導波路、及び光ファイバガイド溝が形
成され、該光ファイバガイド溝には前記光導波路に対し
て接続対象となる外部の光導波路が装着される。これに
より、前記結晶基板上に形成された光導波路と外部の光
ファイバとを接続する際には、前記光ファイバガイド溝
によって対向する光導波路と光ファイバの軸芯が一致さ
れ、該光導波路と光ファイバの端面が接続される。ま
た、前記光ファイバガイド溝を構成する壁面は、前記結
晶基板の劈開面に対して２°以上１８°以下の角度をな
して形成されているので、前記光ファイバガイド溝の形
成位置における前記結晶基板の強度として高い強度が得
られ、前記結晶基板に光ファイバガイド溝を形成する
際、若しくは形成した後に、前記光ファイバガイド溝の
形成位置において前記結晶基板に亀裂或いは破損を生じ
ることがない。

【００２１】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。まず、本発明の基本構成に関して説明する。図
１は本発明による接続ピン用のガイド溝付き平面光導波
路基板の作製用ウエハの外観図である。

【００２２】図１中、１１はＳｉ単結晶ウエハ、１２は
アンダークラッドガラス層、１３はコアガラス層、１４
はオーバークラッドガラス層であり、１５はＳｉ単結晶
面の方位を示すオリエンテーションフラットである。ま
た、１６及び１７はオリエンテーションフラット１５に
対する垂直面、及び平行面をそれぞれ表し、１８は加工
したＶ字形状のガイド溝（以下、Ｖ溝と称する）を表し
ている。

【００２３】光導波路基板は、図１に示すように基板用
のＳｉ単結晶ウエハ１１に接続ピン用のＶ溝１８を予め
機械加工した後、所定の基板寸法に切断した後、使用さ
れる。

【００２４】図４に、一般に市販されているシリコンウ
エハ（Ｓｉ単結晶ウエハ）の劈開面を示す（図示するも
の以上に高次の劈開面も存在するが、低次の劈開面のみ
を示す）。さらに、図５にＳｉ単結晶の単位格子（面心
立法ダイヤモンド型１／４並進）を示す。

【００２５】Ｓｉ単結晶の単位格子は、図５に示すよう
に手前側の１８個の白球で構成され、単位格子の原子は
８個であり結晶の劈開面は単位格子の組み合わせによっ
て生じる。本発明の光導波路基板は、図１に示したよう
に、シリコン基板の劈開面を避けかつＶ溝１８の壁面も
劈開面を避ける方向に加工されている。この利点を以下
に簡潔にまとめる。

【００２６】(1) Ｖ溝１８の加工時のチッピング（端が
け防止） 寸法制度を要求されるＶ溝１８の加工は、通常、鋭角６
０°程度のダイシングソー刃を用いて機械加工される
が、図４に示す＜１，１，０＞方向に沿って溝を切る
と、Ｓｉ単結晶ウエハ１１の厚み方向において、＜１，
１，２＞及び＜１，１，１＞の劈開面に刃先角度が近い
ためＶ溝１８の壁面の欠けが生じ、Ｖ溝側面、エッジ
部、上端部が荒れて、Ｖ溝１８の寸法が不安定となる。

【００２７】(2) 加工後のピン挿入による回路の破損 前述と同様に、＜１，１，０＞方向のＶ溝加工におい
て、ダイシングソー刃先が加える力は＜１，１，０＞の
劈開面に対して正しく楔状に働き、Ｓｉ単結晶ウエハ１
１を破断する。また、Ｖ溝１８の加工後、Ｖ溝１８に対
してガイドピンを押しつける時の圧力による破損も大き
い。さらに、Ｖ溝１８に接着剤等の膨脹率の大きな材質
を埋め込み、ヒートサイクル等の環境試験を繰り返すと
ほとんどのＳｉ単結晶ウエハ１１がＶ溝１８の部分より
破断する。

【００２８】本発明の如く、予めＶ溝１８の加工面を考
慮した光導波路基板は、上記の欠点を克服でき、優れた
強度を得ることができる。

【００２９】また、本発明の実施態様としては、Ｓｉ単
結晶ウエハ１１の１次若しくは２次の結晶面に対し、２
°＜θ＜１８°の角度に加工面を形成することが望まし
い。これは、以下に示す理由に基づくものである。

【００３０】即ち、立方晶のＳｉ単結晶は、図４に示し
たように単位格子（セル）の各面に対象な劈開面を持っ
ている。この単位格子の劈開は無限次まで存在するが、
通常低次（１次，２次）の劈開（基本面に対して４５°
＜ｎ，１，１＞、３０°＜ｎ，２，１＞、６０°＜ｎ，
１，２＞）を避ければ、不要なクラックの発生を避ける
ことができる。

【００３１】但し、ダイシングソーの刃先の機械精度、
Ｓｉ単結晶ウエハ１１のセッティング誤差が存在するた
め、各誤差に１°の余裕を見ると±２°程度の角度を前
述した基本（低次）劈開面からずらす（オフセットす
る）必要がある。

【００３２】また、加工面に対してずらした角度を単位
格子側面での投影で見ると、オフセット角度が小さいも
の、例えば３０°以下のものでは、側面での６０°Ｖ溝
の壁面も低次の劈開面から２゜以上のオフセット角度が
得られる。基準面のオフセット角度が３０゜に近づくと
側面でのＶ溝壁面が他の劈開面に近づくため好ましくな
い。従って、機械加工精度を考えると、オフセット角は
２°＜θ＜１８°の範囲が最も適していると言える。

【００３３】次に、本発明の第１の実施例における具体
的構成例を図６乃至図８に基づいて説明する。図６はＳ
ｉ単結晶ウエハ上に形成した導波路を示す図、図７は光
導波路基板の切出し並びにＶ溝形成を説明する図、図８
はガイドピン装着を説明する図である。図６及び図７に
おいて、４１はＳｉ単結晶ウエハ、４２はＰＬＣ形成ガ
ラス部、４３はマーカー、４４はコア部、４５はオリエ
ンテーションフラット（＜１，１，０＞面）４７に対し
て８°傾斜して設定されたパターンマスク基準線、４６
はオリエンテーションフラット４７に対して平行に設定
されたパターンマスク基準線である。また、図８におい
て、５１はガイドピン、５２は押え板である。

【００３４】［実験例１］図６に示すように、厚さ１．
０ｍｍ程度（上下面の平行度が１０μｍ以上）のＳｉ単
結晶ウエハ１１にＦＨＤ法及びフォトリソグラフを用い
て、長さ６５ｍｍ、幅９ｍｍの直線光導波路コア部４４
を形成した。コア径８μｍの光導波路コア部４４は２５
０μｍピッチで平行に８本配置されると共に、コア部４
４を挟む両側に幅４ｍｍのガイド溝用マーカー線４３が
コア部４４と同様にフォトリソグラフ加工により形成さ
れている。この際、コア部４４及びマーカー４３の端部
を露出させ、Ｖ溝加工時においてこれらの端部を加工位
置及びＶ溝深さの基準とする方法をとった。

【００３５】図７中の実線ブロックは図６に示すウエハ
に対してＶ溝加工を行った後、パターンマスク基準線４
５及びこれに対して直角をなす基準線に沿って各側端を
切り落とした光導波路（ＰＬＣ）基板４８の外観を示し
ている。ガイドピン用のＶ溝４９は、マーカー４３のコ
ア上面を基準面とし、該基準面より下方に７０４．０μ
ｍの位置を下端としてダイシングソーで深さ加工した。
これにより、加工誤差を最小限にしている。また、Ｖ溝
４９の溝幅は、刃先６０°角のダイシングソーで切削す
ると６０９．７μｍ程度となったが、基板上端部の欠け
等で溝幅に変位が生じることがあるので、加工深さの基
準として溝幅を用いることは適当ではなく、ダイシング
ソーの移動方向の距離、即ちウエハの厚さ方向の距離を
基準とすることが好ましい。

【００３６】次に、図８に示すようにＶ溝４９に、長さ
８ｍｍ、直径７００μｍ（−０．２，＋０）の円柱形状
ステンレス製のガイドピン５１を嵌入し、ガイドピン５
１の上部を、深さ６５０μｍの６０°Ｖ溝５３が形成さ
れたシリコン基板（押え板）５２によってカバーし、荷
重を３００ｇかけた状態で、ガイドピン５１の側部より
Ｖ溝４９，５３内に及び基板４８と押え板５２との間の
隙間にエポキシ製硬化接着剤を注入し固化させた。

【００３７】［実験例２］実験例１と同等の条件で荷重
を５００ｇとして、エポキシ接着剤を注入固化させた。

【００３８】［実験例３］実験例２と同等の条件で荷重
を５００ｇとして、ＰＬＣ基板を作製した。但し、Ｓｉ
単結晶ウエハとして厚さ７５０μｍのものを用いると共
に、上下面間の平行度を０．７μｍ以下とした。

【００３９】前述のように構成した各実験例１，２，３
と、従来と同様にＳｉ単結晶ウエハの劈開面を考慮する
ことなくＶ溝を形成したＰＬＣ基板とを比較するため
に、次に述べる３種類の比較例１，２，３を形成し、エ
ポキシ硬化時の破損、平均接続損失、８０℃アニール変
化の有無、−４０℃〜＋８０℃に亙るヒートサイクル
（３サイクル）等の試験を行った結果を表１に示す。

【００４０】尚、比較例としては次の３種類を用意し
た。

【００４１】［比較例１］実験例１と同様の条件で、オ
リエンテーションフラット４７に対して平行にマーカー
パタニングしたＳｉ単結晶ウエハを加工して、前記実験
例と同形状のＰＬＣ基板を形成した。

【００４２】［比較例２］ 比較例１と同等の条件で荷
重を５００ｇとして、エポキシ接着剤を注入固定化し
た。

【００４３】［比較例３］比較例２と同等の条件（荷重
５００ｇ）で、Ｓｉ単結晶基板の厚みを７５０μｍとし
た。

【００４４】

【表１】 また、表１において、「Ｊ１−×、Ｊ２−×、Ｊ３−
×」は実験例１，２，３を示し、「Ｈ１−×、Ｈ２−
×、Ｈ３−×」は比較例１，２，３を示し、それぞれ３
個ずつ作製した。さらに、平均接続損失は、マスタＭＴ
コネクタとの接続時における８ポート（８つの光導波
路）の平均値を表している。

【００４５】本実験において、本発明の実験例として作
製したＰＬＣ基板は、作製時及びヒートサイクル（３サ
イクル）時にほとんど破損しなかった。また、接続損失
はピン押し付け圧力が増加すると低下する傾向が見ら
れ、ウエハ厚さの低下（平行度の向上）は、接続損失低
下につながるため、総合評価は、押しつけ圧力が高く、
ウエハ厚の大きいものが良好なデータを示した。しか
し、比較例としてＶ溝加工をＳｉ単結晶ウエハの劈開面
に平行に行なったサンプルは、作製時及びヒートサイク
ル試験で破損してしまった。

【００４６】次に、本発明の第２の実施例を図９に基づ
いて説明する。図９は、第２の実施例の要部構成を示す
外観斜視図である。図において、前述した第１の実施例
と同一構成部分は同一符号をもって表しその説明を省略
する。また、第１の実施例と第２の実施例との相違点
は、第２の実施例におてはガイドピン用のＶ溝４９は形
成せずに、各光導波路のコア部４４に接続される光ファ
イバを位置決めするための複数のＶ溝６１をＰＬＣ基板
上に形成したことにある。

【００４７】即ち、図９に示すようにＳｉ単結晶ウエハ
４１上に光導波路のコア部４４を形成した後、該コア部
４４の一端側に光ファイバ位置決め用のＶ溝６１を切削
加工した。この際、マスクオフセット角度を８゜に設定
すると共に、コア部４４をマーカーとして深さ１８７．
５μｍのファイバ用Ｖ溝６１を８本加工した。

【００４８】ここで、機械加工にダイシングソーを用い
るため、円周刃の加工しろが生じるので、光導波路コア
部４４の端面形成位置とＶ溝６１の形成位置との間に、
垂直に切削した深溝部６２を形成した。この深溝部６２
は、接続対象となる光ファイバ（例えば、外径１２５μ
ｍφ）６３の端面と、コア部４４端面とを最適な状態で
接触させるために形成したものであり、ＰＬＣ基板に数
１００μｍ程度のざぐり加工を行なって作製される。ま
た、前述した基板の劈開はこの深溝部６２に対しても生
じるので、深溝部６２の壁面が劈開面からずれるように
予め設計されている。

【００４９】このように作製された８つの光ファイバ用
Ｖ溝６１のそれぞれに光ファイバ（１２５μｍφ単心
線）６３を装着し、パイレックス或いは石英等からなる
平面基板６４でカバーをかけ、第１の実施例と同様に接
着剤を注入して各光ファイバ６３を固定した。このとき
のカバー荷重は５５０ｇとした。

【００５０】前述のように構成したＰＬＣ基板（以下、
実験例４と称する）と、従来と同様にＳｉ単結晶ウエハ
の劈開面を考慮することなく劈開面に対して平行、例え
ばオリエンテーションフラット４７に対して平行に光フ
ァイバ用Ｖ溝を形成したＰＬＣ基板（以下、比較例４と
称する）とを比較実験した結果を表２に示す。

【００５１】

【表２】 実験内容は第１の実施例のときとほぼ同様に、エポキシ
硬化時の破損、平均接続損失、−４０℃〜＋８０℃に亙
るヒートサイクル（３サイクル）等である。尚、実験例
４及び比較例４としては、それぞれ３個ずつを用意し
た。

【００５２】また、表２において、「Ｊ４−×」は実験
例４を示し、「Ｈ４−×」は比較例４を示している。さ
らに、平均接続損失は、８ポート（８つの光導波路）の
平均値を表している。

【００５３】本実験において、本発明の実験例４として
作製したＰＬＣ基板は、作製時及びヒートサイクル（３
サイクル）時に破損しなかったが、比較例４としてＶ溝
加工をＳｉ単結晶ウエハの劈開面に平行に行なったサン
プルは、エポキシ硬化時に破損及びヒートサイクル試験
でセンタクラックが発生してしまった。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よれば、光導波路基板は、調芯用ガイドピンを装着する
ためのガイドピン溝を構成する壁面が、前記結晶基板の
劈開面に対して２°以上１８°以下の角度をなして形成
されているので、前記ガイドピン溝の形成位置における
前記結晶基板の強度として高い強度が得られ、前記結晶
基板にガイドピン溝を形成する際、若しくは形成した後
に、前記ガイドピン溝の形成位置において前記結晶基板
に亀裂或いは破損を生じることがない。これにより、製
作及び環境試験等においても安定した強度が得られ、破
断強度に優れた光導波路基板を得ることができる。さら
に、寸法基準となるガイドピンの押しつけ圧力が接続損
失と強い相関を持つため、本発明を用いて高荷重の押し
つけ圧力でガイドピンを固定して作製した光導波路基板
により、結果として低接続損失となる副次的効果が得ら
れる。

【００５５】また、請求項２によれば、光導波路基板
は、接続対象となる光ファイバを装着するための光ファ
イバガイド溝を構成する壁面が、前記結晶基板の劈開面
に対して２°以上１８°以下の角度をなして形成されて
いるので、前記光ファイバガイド溝の形成位置における
前記結晶基板の強度として高い強度が得られ、前記結晶
基板に光ファイバガイド溝を形成する際、若しくは形成
した後に、前記光ファイバガイド溝の形成位置において
前記結晶基板に亀裂或いは破損を生じることがない。こ
れにより、製作及び環境試験等においても安定した強度
が得られ、破断強度に優れた光導波路基板を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による接続ピン用のガイド溝付き平面光
導波路基板の作製用ウエハの外観図

【図２】従来例のＰＬＣ基板にファイバブロックを接続
する微調芯装置を示す外観図

【図３】従来例の調芯接続型固定光ファイバブロックを
示す外観図

【図４】Ｓｉ単結晶ウエハの劈開面を示す図

【図５】Ｓｉ単結晶の単位格子モデルを示す図

【図６】本発明の第１の実施例におけるＳｉ単結晶ウエ
ハ上に形成した導波路を示す図

【図７】本発明の第１の実施例における光導波路基板の
切出し並びにＶ溝形成を説明する図

【図８】本発明の第１の実施例におけるガイドピン装着
手順を説明する図

【図９】本発明の第２の実施例におけるＰＬＣ基板を示
す外観図

【符号の説明】

１１…Ｓｉ単結晶ウエハ、１２…アンダクラッドガラス
層、１３…コアガラス層、１４…オーバークラッドガラ
ス層、１５…オリエンテーションフラット、１６…オリ
エンテーションフラットに対する垂直面、１７…オリエ
ンテーションフラットに対する平行面、１８…Ｖ溝、２
１…接続用光ブロック微調台、２２…平面導波路基板固
定台、２３…粗動ｘ軸ステージ、２４…粗動ｙ軸ステー
ジ、２５…微動ｘ軸ステージ、２６…微動ｙ軸ステー
ジ、２７…微動ｚ軸ステージ、２８…ｘｙ平面回転θス
テージ、２９…接続用光ファイバブロック、２１０…光
ファイバテープ、２１１…ＰＬＣ基板、２１２…光導波
路コア端面、２１３…結晶基板、３１…Ｖ溝ブロック、
３２…ファイバ用Ｖ溝、３３…ガイドピン用Ｖ溝、３４
…光ファイバ、３５…光ファイバテープ、３６…ガイド
ピン、３７…押え板、４１…Ｓｉ単結晶ウエハ、４２…
ＰＬＣガラス部、４３…マーカー、４４…コア部、４
５，４６…パターンマスク基準線、４７…オリエンテー
ションフラット、４８…ＰＬＣ基板、４９…ガイドピン
用Ｖ溝、５１…ガイドピン、５２…押え板、５３…Ｖ
溝、６１…光ファイバ用Ｖ溝、６２…深溝部、６３…光
ファイバ、６４…シリコン平面基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高戸 範夫 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 千田 和憲 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 富田 信夫 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−128809（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−333231（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 6/30 G02B 6/12 G02B 6/36

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶基板と、該結晶基板上に形成された
   低屈折率のクラッド部及び高屈折率のコア部からなる光
   導波路と、該光導波路と外部の光導波路とを接続する際
   の調芯用ガイドピンとを備え、前記結晶基板には前記調
   芯用ガイドピンを装着するガイドピン溝が形成されてな
   る光導波路基板であって、 前記ガイドピン溝を構成する壁面が前記結晶基板の劈開
   面に対して２°以上１８°以下の角度をなして形成され
   ていることを特徴とする光導波路基板。
2. 【請求項２】 結晶基板と、該結晶基板上に形成された
   低屈折率のクラッド部及び高屈折率のコア部からなる光
   導波路とを備え、前記結晶基板には前記光導波路と光フ
   ァイバとを接続する際の光ファイバガイド溝が形成され
   てなる光導波路基板であって、 前記光ファイバガイド溝を構成する壁面が前記結晶基板
   の劈開面に対して２°以上１８°以下の角度をなして形
   成されていることを特徴とする光導波路基板。