JPH07335908A - 運動センサーを製造する方法 - Google Patents

運動センサーを製造する方法

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JPH07335908A
JPH07335908A JP6069633A JP6963394A JPH07335908A JP H07335908 A JPH07335908 A JP H07335908A JP 6069633 A JP6069633 A JP 6069633A JP 6963394 A JP6963394 A JP 6963394A JP H07335908 A JPH07335908 A JP H07335908A
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wafer
etching
forming
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film
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JP6069633A
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Timothy S Norris
テイモテイ・エス．ノーリス
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BAE Systems PLC
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British Aerospace PLC
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    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/567—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode
    • G01C19/5677—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially two-dimensional vibrators, e.g. ring-shaped vibrators
    • G01C19/5684—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially two-dimensional vibrators, e.g. ring-shaped vibrators the devices involving a micromechanical structure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
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    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
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    • G01P15/0802—Details
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 単結晶Ｓｉウエハーからその機械的性質を継
承した高性能の超小型運動センサの製造方法を提供す
る。 【構成】 基層ウエハー１０上に沈着させた第１レジス
ト層に選択的にエッチング窓を形成し、この窓を通して
エッチングして第１キャビティ１６を形成する。つぎに
比較的に厚い膜ウエハー２４を基層ウエハー１０に接着
してキャビティ１６をカバーする。膜ウエハー２４を研
磨して薄い膜２４ａを形成し、この上に第２レジスト層
を沈着し、これにパターン状に窓を開け、この窓を通し
て第１キャビティ１６が露出するまでエッチングして薄
い膜２４ａを加工し、自立共鳴器構造の超小型運動セン
サを製作する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は運動センサーを製造する方法に関
し、とくにただし限定的ではないが中心軸線の周りの回
転を検出するのに使用される型の運動センサーを製造す
る方法に関する。英国特許出願９１０５０６０.９に開
示された振動数センサーの例は、静電技術によって実施
される励起およびピックオフ変換装置を備えた三枚の板
の接着された堆積を使用している。遺憾ながら、この装
置に使用された構造形式は製造するのに経費がかかる比
較的大型のセンサーである。微細加工シリコンセンサは
種々の方面に使用されるようになってきたが、これら市
販のセンサは薄い膜を使用し(たとえば圧力センサ)、と
きには自立式カンティレバーまたはビーム型の共鳴器を
有する(グリーンウッドほか)。これらの膜は、CVD(化学
的蒸着)炉内で層を沈着しまたはシリコンウエハー表面
にほう素を十分に拡散して非等方性エッチングに対する
有効なエッチング防止層を形成するとき、フィルム応力
の技術的課題のため、わずか１５um以下の厚さに制限さ
れる。さらに、最近の研究によれば(文末参照)、ほう素
１原子対シリコン１０００原子以上の多量のほう素添加
は、しばしば非等方性エッチングによって生じたシリコ
ン膜の弾性において、エージング効果として知られる不
安定性を生じ、ほう素とともにゲルマニウムを拡散させ
ることによって弾性を安定化させる補償措置を実施する
ことができるとしても、この方法では微細な割れの追加
の課題を解消することはできない。
【０００２】本発明の目的は、きわめてコンパクトな構
造の運動センサを製造する方法を提供し、基層を組立中
他の層と正確に整合させる課題を解消し、共鳴器または
センサの振動部分を構成するのに使用される単結晶シリ
コンウエハーのほぼ完全な機械的性質を保持しようとす
ることである。これに加えて、提案された方法は、コン
プライアントマウントに吊下げられたフープ状またはリ
ング状の共鳴器の、多軸慣性感知を達成することを可能
にする能力を損なうものでない。したがって、本発明
は、基層ウエハーを設けること;前記基層ウエハー上に
第１レジスト層を沈着すること;前記第１レジスト層の
選択された区域を除去して、第１エッチング窓を形成す
ること;前記第１窓を通して第１エッチング工程を実施
することにより基層ウエハーに第１キャビティを形成す
ること;比較的厚い膜ウエハーを基層ウエハーに接着し
て、前記キャビティをカバーすること;比較的厚い膜ウ
エハーの表面を研磨して比較的薄い膜を成形すること;
前記比較的薄い膜ウエハーに第２レジスト層を沈着する
こと;前記第２沈着レジスト層の選択された区域を除去
して、第２エッチング窓を形成すること;第２エッチン
グ窓の区域の比較的薄い膜を第１キャビティが露出する
までエッチングして、前記比較的薄い膜に固定部分から
延びる複数のコンプライアントビームマウントに吊下げ
られた自立共鳴器構造を形成すること、の各工程を備え
た運動センサーを製造する方法を提供する。
【０００３】上記方法はきわめてコンパクトな構造のセ
ンサーを製造することを可能にし、組立て中基層を他の
層と正確に整合させる課題を解消した。比較的厚い膜ウ
エハーの表面を研磨して比較的薄い膜を製造し、つづい
て前記膜をエッチングしてコンプライアントマウントに
吊下げられた自立共鳴器構造を形成することは、ほぼ完
全な機械的性質が維持されるのを可能にするものであ
る。前記比較的厚い膜ウエハーは、前記基層ウエハー
に、前記ウエハーの一方の面または他方の面に適用され
たガラスフリットフィルムを使用することにより接着さ
れ、熱および圧力の一方または双方を接着中前記フリッ
トに加えるのが有利である。前記フリット層は基層ウエ
ハーに織成またはシルクスクリーン印刷されるのが便利
である。比較的厚い膜ウエハーと基層ウエハーの間の接
着をよくするためシリコン溶融接着技術が使用すること
ができる。
【０００４】そうでなければ、比較的厚い膜ウエハーは
共融またはポリマ接着剤接着によって接着することがで
きる。レジスト層が旋回層として沈着され、一様なかつ
適当な薄いコーテイングを形成する。もっともよい結果
はをえるため、エッチング工程を等方性またはガスエッ
チング工程とするのが好ましい。気泡が基層と膜ウエハ
ーとの間に閉込められるのを回避するため、通気通路を
基層に設けることができる。多数のセンサが基層上で形
成され、前記基層に設けられたエッチングされた劈開通
路に沿って破壊することにより相互に分離される。電極
通路は(a) 膜ウエハーの研磨された面に誘電層を沈着す
ること、(b) 複数の電極通路を誘電層にまた導線接着パ
ッドを膜ウエハーの周辺付近に沈着することによって形
成することができる。電極通路および導線接着パッドの
一方または双方は、誘電層に金属をコーテイングし、つ
いでガスまたは液体エッチング工程により必要のない金
属を除去することによって沈着されるのが便利である。
【０００５】支持部材が比較的厚い膜ウエハーの少なく
とも一部の下に形成され、研磨中前記比較的厚い膜の少
なくとも一部を支持すると、もっともよい結果がえられ
る。T型棒の形式のコンプライアントビームマウントを
形成し、その二つの端部を前記基層ウエハーに固定し一
方の端部を前記吊下げられた共鳴器に接続すると。装置
の融通性をもっともよくなる。そうでなければ、二重L
型棒の形式のコンプライアントビームマウントを形成
し、各棒の一端を前記基層ウエハーに固定し自由端を前
記吊下げられた共鳴器に接続することもできる。コンプ
ライアントビームマウントを、ほぼ半径方向に延びる第
１および第２部分およびその間に伸びる接続部分を有す
るほぼ三角形の形式の形成し、前記半径方向に延びる第
１部分を第１端部において基層ウエハーに第２端部にお
いて前記接続部分の第１端部に固定し、前記接続部分の
第２端部を自由端が前記吊下げられた共鳴器構造に接続
された前記固定された半径方向に延びる部分の第１端部
に固定すると装置の融通性は最高になる。
【０００６】自立共鳴器はコンプライアントビームマウ
ントの半径方向内方に形成される。
【０００７】そうでなければ、とくにコンパクトな装置
が必要ならば、自立共鳴器をコンプライアントビームマ
ウントの半径方向外方に形成することもできる。便宜
上、複数の運動センサーが同じ基層ウエハーに製造さ
れ、劈開通路に沿って分割することにより互いに分割さ
れる。本発明の方法は、比較的薄い膜をピックオフ位置
においてアンダーカットするように、所望のピックオフ
位置において層膜をエッチングすることによって複数の
静電ピックオフを形成して、共鳴器構造の隣接する部分
および非固定部分に突出するピックオフ部材を形成す
る、付加的工程を有することができる。
【０００８】とくにコンパクトな装置において、コンプ
ライアントビームが碇着される固定部分に半径方向に延
びる突堤が形成される。本発明の方法によって製造され
た運動センサも本発明の範囲に含まれる。以下、本発明
を図面を参照して、単なる例示として説明する。
【０００９】図１〜図４を参照すると、ここに基層ウエ
ハーと称する、最初のウエハー１０には有機レジスト１
２がスピン塗布(spun)され、この有機レジスト１２は、
エッチング窓を形成するため、続いて露出マスク１４を
使用してパターンを形成され、キャビティ１６が等方性
または乾燥ガス(RIEまたはプラズマ)法を使用して下層
に窓を介してエッチングすることによって形成される。
これらのキャビティは共鳴器１８または関連するビーム
吊下げ装置のような自立構造が製造されるためのもの、
後でウエハーを別のダイに分けるための劈開通路２０、
または後で詳細に記載する排気通路用のものとすること
ができる。層１０にはシリコンの熱膨張係数に適合した
熱膨張係数を有するガラスも使用しうるがシリコンが好
ましい。図５にもっともよく示された排気通路２２は長
いキャビティとして製造され、ここで膜ウエハーと称せ
られる、第２のウエハー２４が基層ウエハーに接着され
る。膜ウエハー２４の基層ウエハー１０(図３ａ)への接
合は好ましくはシリコン溶融接着によって実施される
か、または一対のウエハーを高温(たとえば９００℃)に
加熱しフリット２９を流すため中位の圧力を加えること
によってガラスフリットフィルム接着を達成することが
でき、排気通路２２はこの高温工程中に発生する圧力差
を回避する。
【００１０】フリット接合工程は、うけ入れうる生産量
を達成するため原子レベルにおける二つのウエハー表面
間の全体的接触を必要とするSFB法に比較して接合され
るウエハー表面のごみによる汚染に対して比較的敏感で
ないという利点を有する。フリット層２６は好ましくは
基層ウエハー上へのスピン塗布またはシルクスクリーン
印刷であり、その訳はフリット層が不完全な弾性的特性
を有し、その特性は膜ウエハー２４の特性を劣化させ、
すなわちフリットフィルム２６はキャビティが発生しな
い予定の接触区域に設けられるべきである。そうでなけ
れば、共融接合またはポリマ接着剤接合は二つのウエハ
ーを接着すると考えられるが、フリット接合またはシリ
コン溶融接合(SFB)法に比較して劣った結果がえられ
る。
【００１１】上記発明において、膜ウエハー１０はシリ
コンを少し添加することができ、そこで、シリコンを多
く添加され、高度に応力を加えられることによって現れ
る不安定性およびエージングに悩むことはない。図３ｂ
における接着工程後に示されるように、膜ウエハー２４
は、続いて回転ラッピング/研磨工具およびダイヤモン
ドペーストを使用して、通常厚さ５０umの薄膜に研磨さ
れるか(図３ｃ)、そうでなければ、膜ウエハー１０およ
び排出通路２２からの周辺出口２２aが化学的研磨剤か
ら保護されるべきであるにしても、適当な化学的薬剤を
使用する膜の化学的研磨を使用することができ、厚さ５
０umの膜はほう素添加またはCVDによって製造するのが
困難である。膜ウエハーの研磨面２２aは、好ましくは
低電圧CVD法によって二酸化シリコンまたは窒化シリコ
ンをほぼ１umの厚さに適用された誘電層３０を有し、つ
いで真空熱蒸着またはスパッタリング法により金属(た
とえばアルミニウム)３２を被覆され、その後金属は、
ガスRIEまたは液体エッチングを使用してパターンを形
成され、電極トラッキング３４および導線接合パッド３
６をウエハー上の各ダイの付近に形成される(図４ｂ)。
コンプライアントビームマウント３８に吊下げられた自
由に振動するリング共振器１８を形成するため、薄膜２
４はエッチング窓４０をえるためマスクを使用してパタ
ーンを形成されたレジスト３３とともに旋回される。つ
いで薄い膜は下方のキャビティ１６に達するまでレジス
トエッチング窓を通して、プラズマまたはRIEエッチン
グされる。この段階において、ウエハーの対は劈開通路
２０に沿って分離し、個々のセンサ４４を形成する。予
め形成された通路に沿うウエハー対の劈開はウエハーを
罫書または鋸引きするため好ましく、その訳はこれらの
作業がかなりのキャビティを閉塞する屑を生ずるからで
ある。
【００１２】図６は端部支持構造を備えた共鳴器構造の
例の平面図である。図７に示された対応する内側支持構
造も可能であり、かつそれは一層コンパクトな装置、ダ
イ取付け応力の一層よい隔離を生ずるが、しかしなが
ら、接続導線３４の連結は内側支持構造においては一層
困難になり、その訳は接続導線が共鳴器の上を横切って
入組むからである。センサー平面内に等方性弾性を生ず
るため<１１１>シリコン結晶面は膜面に露出されなけれ
ばならず(すなわち膜ウエハーは<１１１>カットでなけ
ればならない)、他の選択された結晶面も使用できる
が、アイゲンモードの適合を達成するため共鳴器の大き
さをかなり変更しなければならない。センサーの基本的
形式は、共鳴器１８、コンプライアントマウント３８及
び、たとえば静電的ピックオフを形成するための、長い
ピアー５２を備えうる取付区域５０を有する。そうでな
ければビームまたは光学的反射にに沿うピエゾ抵抗歪み
ゲージのような振動変換法はこの用途に対して使用可能
であり、また静電的ピックオフは設備に対して直接的で
あり、かつセンサーにおいて温度勾配を上昇させ好まし
くないセンサー予熱を生ずる関連した動力損失がない。
オーバーハングピックオフ電極５４の例は図８に示さ
れ、この型の電極構造は共鳴器を構成するため使用され
るエッチングの特性をアンダーカットしてうけ入れうる
変換感度を発生する。図５は図６に示された膜構造を補
完するのに必要な対応するキャビティの配置を示してい
る。コンプライアントマウントビーム３８はＴ型、Ｌ型
または図９〜１１に示された折りたたみ型とすることが
できる。好ましくは八つの(またはそれより多くの)支持
ビームがＣｏｓ２θモードの場合にアイゲンモード適合
を確実にするため、設けられる。折りたたみ形式または
開放ループ吊下げビーム３８は、相対的の粗雑な構造を
要求しまたダイ区域の実際的保護を必要とするにして
も、コンプライアントマウントを形成するのにとくに有
効である。
【００１３】図９〜１１から、各ビームの一端(または
端部の対)が基層ウエハー１０に固定され、一方、別の
方法で自由端(または両端)は一緒に動くため吊下げられ
た共鳴器構造１８にリンクされていることが分かるであ
ろう。ほぼ三角形のビームは多数の図に示されている。
この特殊な融通のきく配置は、第１および第２の全体的
に半径方向に延びる部分６０,６２(図６)および、その
間に延びるリンク部分６４を有し、前記第１の半径方向
に延びる部分は第１の端部６０aにおいて基層ウエハー
１０に、また第２の端部においてリンク部分の第１の端
部６４cに固定され、リンク部分は第２の端部において
第２の半径方向に延びる部分の第１の端部６２aに、そ
の部分は、別の自由な端部６２bにおいて吊下げられた
共鳴器１８に連結されている。そのコンプライアントマ
ウントにおいて、リングまたは環状共鳴器１８は図１２
に略示された振動パターンに励起される。運動が(図１
２にＰで示された)主軸に沿って励起されるならば、そ
の(膜の平面に垂直な)Ｚ軸の周りの共鳴器の回転は、振
動を主軸から第２の軸に組合わせるコリオリ力を発生
し、第２の軸に沿って発生する振動の検出は加えられた
回転数の検出を可能にする。直線的加速をうけるとき、
リングまたは環状共鳴器は地震質量として作動し、その
コンプライアント支持体内でキャビティが形成されてい
る層区域に対して運動する。共鳴器１８の早退運動を検
出することにより、構造全体に加えられた直線加速度を
適当なピックオフ変換器によって検出することができ
る。
【００１４】本発明は、コンパクトな形式の、直線的加
速をまた同時に加えられた回転数を検出する特徴を備
え、センサーに加えられた種々の運動入力は完全なセン
サーの一部を構成する、関連した電子信号処理回路にお
いて識別することができる。英国特許出願第９１０５０
６０号は共鳴器における運動を励起する方法および共鳴
器の運動を検出する多数の方法を記載している。共鳴器
を振動させるためのこの発明における好ましい方法は電
磁的であり、静電(容量)ピックオフが振動検出(ピック
オフ)のため選択されている。励起およびピックオフの
ため異なった技術を選択することは、ピックオフ(すな
わち寄生的フィードスルー)に直接励起信号の無視しう
る伝達がなされ、そのことは共鳴器の振動および地震運
動に関連する所要の信号をしゃ閉する傾向がある。図１
３は本発明の実際的設備の全体的構造を示し、この構造
は共鳴器ダイを５mm×５mm程度の大きさにする微小化を
可能にし、その訳は利用しうる信号体雑音の比率が、共
鳴器の直径が３mm以下に縮小されると、好ましい励起お
よびピックオフ方法に対して迅速に劣化するからであ
る。
【００１５】図１３の概略の全体的配置において、セン
サは常磁性材料(たとえばニッケル-鉄合金、鋼板または
希土類金属の合金)よりなる全体のケーシング７０,７１
を有し、それらは低い磁気抵抗を有する。ケーシングは
遠隔装置の接続を可能にする接続ピン７４を有し、さら
にセンサーはそのケーシング(７０,７１)によって取付
け可能である。センサーケーシング(７０,７１)内には
永久磁石７６が収容され、永久磁石７６は分極化され、
上下の面は反対の磁極を有し、磁石は理想的には、焼結
希土類元素(たとえばサマリウム-こコバルト)よりな
り、この型の永久磁石は極めて大き磁場密度、大きい残
留磁気、および小さい起磁力を備えている。センサーケ
ーシングには、磁場が共鳴器膜の平面に対して垂直に設
けられる。磁石の上には、信号処理回路の直ぐ近くに平
らなセンサー８０が設けられ、図１３の処理回路は通常
の集積回路であり、また発明にお多量にほう素を添加さ
れたエッチングを停止する必要性の回避が適当に中位に
添加されたシリコン膜を形成し、信号処理が完全に必要
ならばそれ自体膜に完全に集積される。接続導線３０は
共鳴器と関連する回路をケーシングピン７４にリンクす
る。高性能の用途に対しては、センサーケースは共鳴器
のQ係数を増加するため排気することができるが、しか
しながら厚さ５０umの膜の使用は空気緩衝作用が大気圧
で管理可能で装置が真空を発生する複雑さなしで作用し
うることを意味している。空気緩衝作用は窒化シリコン
沈着フィルムまたは表面ほう素添加シリコンウエハーの
等方性エッチングにおいて製造される、厚さ１５umの小
さい共鳴器から公知である。電磁励起および静電ピック
オフを達成するため、ある種のトランスジューサの特徴
が膜構造に必要である。図１４は主要な変換特性を示
す。膜は、導体の軌道が突然膜を短絡することを防止す
るため、前記のように、窒化シリコンまたは酸化シリコ
ンの絶縁誘電層を被覆される。大伝導度軌道３４は絶縁
誘電体に沈着される。接続窓は誘電体に特定の位置に設
けられ、電気的接続が膜材料の塊たとえば端部接続パッ
ド８５の付近にまたは共鳴器１８自体に対する電気的接
続を可能にし、このことは励起軌道からピックオフへ
の、また接続パッドから接続パッドへのいかなる寄生的
フィードスルーも回避するため、共鳴器電位を保証す
る。駆動導体３４は低くされ(数オーム)、半径方向力F
を生ずる電流は共鳴器付近の電位のいかなる変化にも関
連せず、このことは容量ピックオフに対する励起は偶然
の静電的結合を回避する。共鳴器および支持ビームを含
む膜のかさ高の材料は高い電位に維持され、駆動および
追跡ならびにピックオフ電極は実際の設備においてほと
んど装置の接地電位で作動する。種々の変形および変更
が、特許請求の範囲において限定される本発明の範囲内
において、記載されかつ図示された本発明の実施例に対
して実施することができる。
【００１６】註 (１)添加量の多いシリコンカンティレ
バービームにおけるエイジング M.Tabib-Azar,K.WongおよびWen Ko センサーおよびアクチユエータA,３３(１９９２)pp １
９９- ２０６
【図面の簡単な説明】
【図１】ａ〜ｃは本発明によるレートセンサ(rate sens
or) の生産における種々の製造段階を示す図である。
【図２】ａ〜ｃは図１ｃから続く、本発明によるレート
センサ(rate sensor) の生産における種々の製造段階を
示す図である。
【図３】ａ〜ｃは図２ｃから続く、本発明によるレート
センサ(rate sensor) の生産における種々の製造段階を
示す図である。
【図４】ａ〜ｄは図３ｃから続く、本発明によるレート
センサ(rate sensor) の生産における種々の製造段階を
示す図である
【図５】接合の問題を回避するため使用されるキャビテ
ィの配置を示す図である。
【図６】端部取付けセンサ装置を示す図である。
【図７】中心取付けセンサ装置を示す図である。
【図８】図１４のＡ−Ａ方向に見たピックオフ装置の断
面図である。
【図９】取付けビームを示す図である。
【図１０】図９とは異なる取付けビームを示す図であ
る。
【図１１】図９、１０とは異なる取付けビームを示す図
である。
【図１２】上記図面に図示されたセンサの振動モードを
示す図である。
【図１３】ケーシング内に設置されたときのセンサを示
す図である。
【図１４】ピックオフ装置を示す図である。
【符号の説明】
１０ 基層ウエハー １２ 第１レジスト １４ マスク １６ 第１キャビティ １８ 共鳴器構造 ２２ 排気通路 ２４ 膜ウエハー ３３ 第２レジスト層 ２４a 薄い膜 ４０ 第２エッチング窓 ５０ 固定部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 テイモテイ・エス．ノーリス イギリス国．エセツクス・シイビイ11・３ キユエル．サフロン．ウオルデン．ニユー ポート．ミードウフオード．９

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 (a) 基層ウエハーを設けること、 (b) 前記基層ウエハー上に第１レジスト層を沈着するこ
    と、 (c) 前記第１レジスト層の選択された区域を除去して、
    第１エッチング窓を形成すること、 (d) 前記第１窓を通して第１エッチング工程を実施する
    ことにより基層ウエハーに第１キャビティを形成するこ
    と、 (e) 比較的厚い膜を基層ウエハーに接合して、前記キャ
    ビティをカバーすること、 (f) 比較的厚い膜ウエハーの表面を研磨して比較的薄い
    膜を形成すること、 (g) 前記比較的薄い膜に第２レジスト層を沈着するこ
    と、 (h) 前記第２沈着レジスト層の選択された区域を除去し
    て、第２エッチング窓を形成すること、 (i) 第２エッチング窓の区域の比較的薄い膜を第１キャ
    ビティが露出するまでエッチングして、前記比較的薄い
    膜に固定部分から延びる複数のコンプライアントビーム
    マウントに吊下げられた自立共鳴器構造を形成すること の各工程を備えた運動センサーを製造する方法。
  2. 【請求項２】 前記比較的厚い膜ウエハーを前記基層ウ
    エハーに、前記ウエハーの一方の面または他方の面に適
    用されたガラスフリットフィルムを使用することにより
    接着し、接着中に前記フリットに熱および圧力の一方ま
    たは双方を加える請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記フリット層を基層ウエハーにスピン
    塗布またはシルクスクリーン印刷する請求項１に記載の
    方法。
  4. 【請求項４】 前記比較的厚い膜ウエハーをシリコン溶
    融接着技術によって前記基層ウエハーに接着する請求項
    １に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記比較的厚い膜ウエハーを共融または
    ポリマ接着剤接着によって前記基層ウエハーに接着する
    請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記第１および第２レジストの一方また
    は双方をスピン塗布された層として沈着する請求項１に
    記載の方法。
  7. 【請求項７】 エッチング工程が等方性またはドライガ
    スエッチング工程を含む請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 基層に通気通路をエッチングする工程を
    含む請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 基層に劈開通路をエッチングする工程を
    含む請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 (a) 膜ウエハーの研磨された面に誘電
    層を沈着すること、 (b) 複数の電極通路を誘電層に沈着し、かつ導線接着パ
    ッドを膜ウエハーの周辺付近に接着すること、 の各工程をさらに有する請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 誘電層に金属をコーテイングしついで
    ガスまたは液体エッチング工程により必要のない金属を
    除去することによって、電極通路および導線接着パッド
    の一方または双方を沈着する請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 比較的厚い膜ウエハーの少なくとも一
    部の下に支持部材を形成することによって、研磨中に前
    記比較的厚い膜の少なくとも一部を支持する工程をさら
    に有する請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 Ｔ型棒の形式のコンプライアントビー
    ムマウントを形成し、その二つの端部を前記基層ウエハ
    ーに固定し、かつ一方の端部を前記吊下げられた共鳴器
    構造に接続する工程をさらに有する請求項１に記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】 二重L型棒の形式のコンプライアント
    ビームマウントを形成し、各棒の一端を前記基層ウエハ
    ーに固定し、かつ自由端を前記吊下げられた共鳴器構造
    に接続する工程をさらに有する請求項１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 不完全なループの形式のコンプライア
    ントビームマウントを形成し、第１の端部を前記基層ウ
    エハーに固定し、自由端を前記吊下げられた共鳴器構造
    に接続する工程をさらに有する請求項１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 ほぼ半径方向に延びる第１および第２
    部分およびその間に伸びる接続部分を有するほぼ三角形
    の形式のコンプライアントビームマウントを形成し、前
    記半径方向に延びる第１部分の第１端部を基層ウエハー
    に固定し、かつ第２端部を前記接続部分の第１端部に固
    定し、前記接続部分の第２端部を自由端が前記吊下げら
    れた共鳴器構造に接続された前記固定された半径方向に
    延びる部分の第１端部に固定する工程をさらに有する請
    求項１に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記コンプライアントビームマウント
    の半径方向内方に自立共鳴器構造を形成する工程をさら
    に有する請求項１に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記コンプライアントビームマウント
    の半径方向外方に自立共鳴器構造を形成する工程をさら
    に有する請求項１に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 複数の運動センサーが同じ基層ウエハ
    ー上に形成され、劈開通路に沿って分割することにより
    互いに分割される請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 比較的薄い膜をピックオフ位置におい
    てアンダーカットするように、所望のピックオフ位置に
    おいて基層ウエハーをエッチングすることによって複数
    の静電ピックオフを形成して、共鳴器構造の隣接する部
    分および固定部分に突出するピックオフ部材を形成する
    工程をさらに有する請求項１に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 コンプライアントビームが碇着される
    固定部分に半径方向に延びる突堤を形成する工程をさら
    に有する請求項１に記載の方法。
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