JPH0733579A - 微細単結晶粉末の製造方法 - Google Patents
微細単結晶粉末の製造方法Info
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- JPH0733579A JPH0733579A JP20188093A JP20188093A JPH0733579A JP H0733579 A JPH0733579 A JP H0733579A JP 20188093 A JP20188093 A JP 20188093A JP 20188093 A JP20188093 A JP 20188093A JP H0733579 A JPH0733579 A JP H0733579A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】組成が均一で結晶性が高く、粒径の揃ったペロ
ブスカイト構造の微細単結晶を、より低温で合成する製
造方法を提供する。 【構成】Ｘの酸化物、Ｍの酸化物、Ｇの酸化物またはこ
れらの酸化物に転換し得るＸ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合
物をそれぞれの直径が０．１μｍ未満となるように混合
し、焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −
ａＧＯz ）（式中、ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種ま
たは２種以上、ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ば
れた１種または２種以上、ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上であ
る。ｙ、ｚは酸素数を表す。ｗはモルを表し、ａは実数
で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去して微細単結晶粉末を
得る方法。
ブスカイト構造の微細単結晶を、より低温で合成する製
造方法を提供する。 【構成】Ｘの酸化物、Ｍの酸化物、Ｇの酸化物またはこ
れらの酸化物に転換し得るＸ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合
物をそれぞれの直径が０．１μｍ未満となるように混合
し、焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −
ａＧＯz ）（式中、ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種ま
たは２種以上、ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ば
れた１種または２種以上、ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上であ
る。ｙ、ｚは酸素数を表す。ｗはモルを表し、ａは実数
で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去して微細単結晶粉末を
得る方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細単結晶粉末の製造
方法に関するもので、特に各粒子が粒径の揃った単結晶
であるようなペロブスカイト構造の微細単結晶粉末の製
造方法に関するものである。本発明により得られる微細
単結晶粉末は、圧電コンポジットとして、アクチュエー
タ、感圧センサ等の圧電部品へ、また希土類イオンのド
ーピングによって蛍光体原料への応用等が挙げられる。
方法に関するもので、特に各粒子が粒径の揃った単結晶
であるようなペロブスカイト構造の微細単結晶粉末の製
造方法に関するものである。本発明により得られる微細
単結晶粉末は、圧電コンポジットとして、アクチュエー
タ、感圧センサ等の圧電部品へ、また希土類イオンのド
ーピングによって蛍光体原料への応用等が挙げられる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チタン酸バリウム、チタン酸
ジルコン酸鉛等の誘電体粉末は、その誘電特性、圧電特
性により磁器コンデンサーやフィルター等の材料として
利用されてきた。これら粉末は一般に酸化物、炭酸塩等
の粉末を高温で焼成することによる固相反応や、水溶液
中で溶液反応による共沈法等で０．５〜５μｍの誘電体
粉末として製造されている。
ジルコン酸鉛等の誘電体粉末は、その誘電特性、圧電特
性により磁器コンデンサーやフィルター等の材料として
利用されてきた。これら粉末は一般に酸化物、炭酸塩等
の粉末を高温で焼成することによる固相反応や、水溶液
中で溶液反応による共沈法等で０．５〜５μｍの誘電体
粉末として製造されている。
【０００３】これらいずれの反応においても、得られる
粉末は一次粒子が凝集して形成されている２次粒子から
なっており、組成の均一性、結晶性に問題があった。こ
れを解決するために水熱合成法が提案されているが、そ
の方法は高温高圧を必要とし、設備費、生産性等からコ
ストが高くなる。そこで、他の方法として結晶化ガラス
を用いる方法も提案されている。
粉末は一次粒子が凝集して形成されている２次粒子から
なっており、組成の均一性、結晶性に問題があった。こ
れを解決するために水熱合成法が提案されているが、そ
の方法は高温高圧を必要とし、設備費、生産性等からコ
ストが高くなる。そこで、他の方法として結晶化ガラス
を用いる方法も提案されている。
【０００４】この方法では、まずガラスを形成できるよ
うな組成に化合物を配合後、１４００℃程度の高温で溶
融した後に急冷してガラスとし、次いでこれを６００〜
８００℃で熱処理することにより結晶化させて微細単結
晶を得るものである。この方法は、ガラス化しうる組成
が極めて限られ、また結晶相の割合を５０％よりも多く
することは極めて困難であった。
うな組成に化合物を配合後、１４００℃程度の高温で溶
融した後に急冷してガラスとし、次いでこれを６００〜
８００℃で熱処理することにより結晶化させて微細単結
晶を得るものである。この方法は、ガラス化しうる組成
が極めて限られ、また結晶相の割合を５０％よりも多く
することは極めて困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、組成が均一で結晶性が高く、粒径の揃ったペロブス
カイト構造の微細単結晶粉末を、より低温で合成できる
製造方法を提供するものである。
は、組成が均一で結晶性が高く、粒径の揃ったペロブス
カイト構造の微細単結晶粉末を、より低温で合成できる
製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる事情に鑑み、本発
明者らはペロブスカイト構造の微細単結晶粉末について
鋭意検討を重ねた結果、その製造方法を見出し、本発明
を完成させたものである。
明者らはペロブスカイト構造の微細単結晶粉末について
鋭意検討を重ねた結果、その製造方法を見出し、本発明
を完成させたものである。
【０００７】すなわち、本発明は下記に示すものであ
る。 １）Ｘの酸化物（ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種また
は２種以上）、Ｍの酸化物（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｇの酸化物
（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ば
れた１種または２種以上）またはこれらの酸化物に転換
し得るＸ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物を用い、それぞれ
の酸化物または化合物の直径が０．１μｍ未満となるよ
うに混合し、焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）
（ＸＯy−ａＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、
ＸがＬｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂ
ａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、
Ｂｉのときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂの
ときはｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝
２、ＧがＰのときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表
し、ａは実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ
≦２である。）で表される誘電体組成物を得、これから
ガラス成分を酸またはアルカリで溶解除去することを特
徴とする微細単結晶粉末の製造方法。
る。 １）Ｘの酸化物（ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種また
は２種以上）、Ｍの酸化物（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｇの酸化物
（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ば
れた１種または２種以上）またはこれらの酸化物に転換
し得るＸ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物を用い、それぞれ
の酸化物または化合物の直径が０．１μｍ未満となるよ
うに混合し、焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）
（ＸＯy−ａＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、
ＸがＬｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂ
ａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、
Ｂｉのときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂの
ときはｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝
２、ＧがＰのときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表
し、ａは実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ
≦２である。）で表される誘電体組成物を得、これから
ガラス成分を酸またはアルカリで溶解除去することを特
徴とする微細単結晶粉末の製造方法。
【０００８】２）有機溶媒に可溶なＸ化合物（ＸはＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、
Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種または２種以上）、Ｍ化合物
（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）を用
い、それぞれの溶液を混合し、乾燥または加水分解して
それぞれの化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末と
し、次いで焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（Ｘ
Ｏy −ａＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、Ｘが
Ｌｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉ
のときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのとき
はｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、
ＧがＰのときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、
ａは実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２
である。）で表される誘電体組成物を得、これからガラ
ス成分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴と
する微細単結晶粉末の製造方法。
ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、
Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種または２種以上）、Ｍ化合物
（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）を用
い、それぞれの溶液を混合し、乾燥または加水分解して
それぞれの化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末と
し、次いで焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（Ｘ
Ｏy −ａＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、Ｘが
Ｌｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉ
のときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのとき
はｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、
ＧがＰのときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、
ａは実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２
である。）で表される誘電体組成物を得、これからガラ
ス成分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴と
する微細単結晶粉末の製造方法。
【０００９】３）１次粒子の粒径が０．１μｍ未満のＸ
化合物（ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種または２種
以上）、Ｍ化合物（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗか
ら選ばれた１種または２種以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、
Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種ま
たは２種以上）のコロイダルゾルを用い、それぞれのコ
ロイダルゾルを混合し、乾燥または共沈させてそれぞれ
の化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次い
で焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −ａ
ＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのときは
ｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。
化合物（ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種または２種
以上）、Ｍ化合物（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗか
ら選ばれた１種または２種以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、
Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種ま
たは２種以上）のコロイダルゾルを用い、それぞれのコ
ロイダルゾルを混合し、乾燥または共沈させてそれぞれ
の化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次い
で焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −ａ
ＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのときは
ｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。
【００１０】４）水に可溶なＸ化合物（ＸはＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂ
ｉから選ばれた１種または２種以上）、Ｍ化合物（Ｍは
Ａｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種
以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）を用い、そ
れぞれの溶液を混合し、乾燥または共沈させてそれぞれ
の化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次い
で焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −ａ
ＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのときは
ｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。
ａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂ
ｉから選ばれた１種または２種以上）、Ｍ化合物（Ｍは
Ａｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種
以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）を用い、そ
れぞれの溶液を混合し、乾燥または共沈させてそれぞれ
の化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次い
で焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −ａ
ＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのときは
ｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。
【００１１】５）酸としてフッ酸、塩酸、硝酸、硫酸、
酢酸から選ばれた１種または２種以上の水溶液を用いる
ことを特徴とする上記１、２、３または４項記載の微細
単結晶粉末の製造方法。
酢酸から選ばれた１種または２種以上の水溶液を用いる
ことを特徴とする上記１、２、３または４項記載の微細
単結晶粉末の製造方法。
【００１２】６）アルカリとして水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、アンモニアから選ばれた１種または２種
以上の水溶液を用いることを特徴とする上記１、２、３
または４項記載の微細単結晶粉末の製造方法。
酸化カリウム、アンモニアから選ばれた１種または２種
以上の水溶液を用いることを特徴とする上記１、２、３
または４項記載の微細単結晶粉末の製造方法。
【００１３】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明は、Ｘの酸化物〔ＸはＰｂ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙから選ばれた１種または２
種以上（以下、Ｘと称する）〕、Ｍの酸化物〔ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ
から選ばれた１種または２種以上（以下、Ｍと称す
る）〕、Ｇの酸化物〔ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上（以下、
Ｇと称する）〕またはこれらの酸化物に転換し得るＸ化
合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物を用いて、一般式ｗＸＭＯ3
−（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）で表される誘電体組
成物を得、該誘電体組成物からガラス成分を酸またはア
ルカリで溶解除去することにより微細単結晶粉末を製造
する方法に関するものである。
明は、Ｘの酸化物〔ＸはＰｂ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙから選ばれた１種または２
種以上（以下、Ｘと称する）〕、Ｍの酸化物〔ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ
から選ばれた１種または２種以上（以下、Ｍと称す
る）〕、Ｇの酸化物〔ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上（以下、
Ｇと称する）〕またはこれらの酸化物に転換し得るＸ化
合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物を用いて、一般式ｗＸＭＯ3
−（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）で表される誘電体組
成物を得、該誘電体組成物からガラス成分を酸またはア
ルカリで溶解除去することにより微細単結晶粉末を製造
する方法に関するものである。
【００１４】ここで、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉの
ときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときは
ｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、Ｇ
がＰのときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａ
は実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２で
ある。
ｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉの
ときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときは
ｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、Ｇ
がＰのときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａ
は実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２で
ある。
【００１５】ｗは誘電体結晶相の割合で、これが０．１
以下の場合は得られる微細単結晶粉末が少なすぎるし、
０．９５を超えると微細単結晶粉末の生成が難しく、高
温が必要になる。また、微細単結晶粉末の粒径、生成温
度等を望ましいように制御するためには、ｗは上記の範
囲であればよい。ｙは電気的中性の要請から、Ｘを構成
する各イオンの価数にモル分率を乗じた合計価数の１／
２である。ａはガラス相形成酸化物の元素基準のモル数
を表す。たとえば、ほう酸（Ｂ2Ｏ3 ）の場合にはＢＯ
1.5 を１モル、Ｐ2 Ｏ5 の場合にはＰＯ2.5 を１モル、
ＳｉＯ2 の場合にはＳｉＯ2 を１モルとする。また、１
／ａはガラス相中に存在する元素ＸのＧに対するモル比
を表し、０．５から２０倍のモル比が好ましく、更に好
ましくは１から９倍のモル比である。１／ａが０．５よ
りも小さいと、結晶相中の化合物からのＸの逃散が生じ
て結晶相量が減少し、２０よりも多いと、余分なＸＯが
析出してやはり結晶相が減少する。
以下の場合は得られる微細単結晶粉末が少なすぎるし、
０．９５を超えると微細単結晶粉末の生成が難しく、高
温が必要になる。また、微細単結晶粉末の粒径、生成温
度等を望ましいように制御するためには、ｗは上記の範
囲であればよい。ｙは電気的中性の要請から、Ｘを構成
する各イオンの価数にモル分率を乗じた合計価数の１／
２である。ａはガラス相形成酸化物の元素基準のモル数
を表す。たとえば、ほう酸（Ｂ2Ｏ3 ）の場合にはＢＯ
1.5 を１モル、Ｐ2 Ｏ5 の場合にはＰＯ2.5 を１モル、
ＳｉＯ2 の場合にはＳｉＯ2 を１モルとする。また、１
／ａはガラス相中に存在する元素ＸのＧに対するモル比
を表し、０．５から２０倍のモル比が好ましく、更に好
ましくは１から９倍のモル比である。１／ａが０．５よ
りも小さいと、結晶相中の化合物からのＸの逃散が生じ
て結晶相量が減少し、２０よりも多いと、余分なＸＯが
析出してやはり結晶相が減少する。
【００１６】本発明の実施において、出発物質としての
Ｘ、Ｍ、Ｇの各酸化物またはそれらの化合物の直径が
０．１μｍ未満となるような混合粉末を得る方法として
はＣＶＤ法、有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法、シ
リカコロイド等のコロイダルゾルを用いる方法、水に可
溶な化合物を用いる方法等がある。
Ｘ、Ｍ、Ｇの各酸化物またはそれらの化合物の直径が
０．１μｍ未満となるような混合粉末を得る方法として
はＣＶＤ法、有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法、シ
リカコロイド等のコロイダルゾルを用いる方法、水に可
溶な化合物を用いる方法等がある。
【００１７】ＣＶＤ法の場合には、出発物質としてＸ化
合物は下記のものが挙げられる。 ・水素化リチウム、アルキルリチウム等のリチウム化合
物。 ・水素化ナトリウム、アルキルナトリウム等のナトリウ
ム化合物。 ・水素化カリウム、アルキルカリウム等のカリウム化合
物。 ・４エチル鉛、ビスジピバロイルメタナト鉛等の有機鉛
化合物、あるいは塩化鉛等のハロゲン化物の鉛化合物。 ・バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、ビ
スジピバロイルバリウム等の有機バリウム化合物、ある
いは塩化バリウム等のハロゲン化物のバリウム化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、あるいは塩化カルシウム等のハロゲン化物のカル
シウム化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、あるいは塩化ストロンチウム等の
ハロゲン化物のストロンチウム化合物。 ・ランタンエトキシド、ランタンアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルランタン等の有機ランタン化合
物、あるいは塩化ランタン等のハロゲン化物のランタン
化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルイットリウム等の有機イッ
トリウム化合物、あるいは塩化イットリウム等のハロゲ
ン化物のイットリウム化合物。 ・ビスマスエトキシド、ビスマスアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルビスマス等の有機ビスマス化合
物、あるいは塩化ビスマス等のハロゲン化物のビスマス
化合物。
合物は下記のものが挙げられる。 ・水素化リチウム、アルキルリチウム等のリチウム化合
物。 ・水素化ナトリウム、アルキルナトリウム等のナトリウ
ム化合物。 ・水素化カリウム、アルキルカリウム等のカリウム化合
物。 ・４エチル鉛、ビスジピバロイルメタナト鉛等の有機鉛
化合物、あるいは塩化鉛等のハロゲン化物の鉛化合物。 ・バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、ビ
スジピバロイルバリウム等の有機バリウム化合物、ある
いは塩化バリウム等のハロゲン化物のバリウム化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、あるいは塩化カルシウム等のハロゲン化物のカル
シウム化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、あるいは塩化ストロンチウム等の
ハロゲン化物のストロンチウム化合物。 ・ランタンエトキシド、ランタンアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルランタン等の有機ランタン化合
物、あるいは塩化ランタン等のハロゲン化物のランタン
化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルイットリウム等の有機イッ
トリウム化合物、あるいは塩化イットリウム等のハロゲ
ン化物のイットリウム化合物。 ・ビスマスエトキシド、ビスマスアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルビスマス等の有機ビスマス化合
物、あるいは塩化ビスマス等のハロゲン化物のビスマス
化合物。
【００１８】ＣＶＤ法の場合には、出発物質としてＭ化
合物は下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシドのようなアルミニウ
ム化合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲ化物の
アルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナートのようなマンガン化合
物。 ・チタニウムエトキシド、チタニウムイソプロポキシ
ド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのような有機チ
タニウム化合物、あるいは四塩化チタン等のハロゲン化
物のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、あるいは四塩化ジルコニウム等のハロゲン化
物のジルコニウム化合物 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、あるいは塩化亜鉛
等のハロゲン化物の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、あるいは塩化鉄等のハロゲ
ン化物の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、あるいは塩化コバルト等のハロゲン化物のコバルト
化合物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、あるいは塩化ニッケル等のハロゲン化物のニッケル
化合物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート、ビスジピバロイルニオビウム等の有機ニオビウム
化合物、あるいは塩化ニオビウム等のハロゲン化物のニ
オビウム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルタンタル等の有機タンタル化合
物、あるいは塩化タンタル等のハロゲン化物のタンタル
化合物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルタングステン等の有機タン
グステン化合物、あるいは塩化タングステン等のハロゲ
ン化物のタングステン化合物。
合物は下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシドのようなアルミニウ
ム化合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲ化物の
アルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナートのようなマンガン化合
物。 ・チタニウムエトキシド、チタニウムイソプロポキシ
ド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのような有機チ
タニウム化合物、あるいは四塩化チタン等のハロゲン化
物のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、あるいは四塩化ジルコニウム等のハロゲン化
物のジルコニウム化合物 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、あるいは塩化亜鉛
等のハロゲン化物の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、あるいは塩化鉄等のハロゲ
ン化物の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、あるいは塩化コバルト等のハロゲン化物のコバルト
化合物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、あるいは塩化ニッケル等のハロゲン化物のニッケル
化合物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート、ビスジピバロイルニオビウム等の有機ニオビウム
化合物、あるいは塩化ニオビウム等のハロゲン化物のニ
オビウム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルタンタル等の有機タンタル化合
物、あるいは塩化タンタル等のハロゲン化物のタンタル
化合物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルタングステン等の有機タン
グステン化合物、あるいは塩化タングステン等のハロゲ
ン化物のタングステン化合物。
【００１９】ＣＶＤ法の場合には、出発物質としてＧ化
合物は下記のものが挙げられる。 ・ボラン、トリエチルほう素、トリメチルほう素等のほ
う素化合物。 ・アルシン、トリエチル砒素、トリメチル砒素等の砒素
化合物。 ・トリエチルアンチモン、トリメチルアンチモン等のア
ンチモン化合物。 ・シラン、ジシラン、テトラメチルシラン、テトラエチ
ルシラン、四塩化珪素、テトラエトキシシラン、テトラ
メトキシシラン等の珪素化合物。 ・水素化ゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウム、テ
トラエチルゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム、テトラ
エトキシゲルマニウム、テトラメトキシゲルマニウム等
のゲルマニウム化合物。 ・水素化テルル、テトラメチルテルル、テトラエチルテ
ルル、四塩化テルル、テトラエトキシテルル、テトラメ
トキシテルル、等のテルル化合物。 ・オキシ塩化リン等のリン化合物。
合物は下記のものが挙げられる。 ・ボラン、トリエチルほう素、トリメチルほう素等のほ
う素化合物。 ・アルシン、トリエチル砒素、トリメチル砒素等の砒素
化合物。 ・トリエチルアンチモン、トリメチルアンチモン等のア
ンチモン化合物。 ・シラン、ジシラン、テトラメチルシラン、テトラエチ
ルシラン、四塩化珪素、テトラエトキシシラン、テトラ
メトキシシラン等の珪素化合物。 ・水素化ゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウム、テ
トラエチルゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム、テトラ
エトキシゲルマニウム、テトラメトキシゲルマニウム等
のゲルマニウム化合物。 ・水素化テルル、テトラメチルテルル、テトラエチルテ
ルル、四塩化テルル、テトラエトキシテルル、テトラメ
トキシテルル、等のテルル化合物。 ・オキシ塩化リン等のリン化合物。
【００２０】これらの化合物をそれぞれの直径が０．１
μｍ未満となるように混合し、一般式ｗＸＭＯ3 −（１
−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）で表される組成物が得られ
るように反応器中で析出させる。ここで混合方法は通常
用いられるように、個別の気化装置で気化させた各化合
物を配管の途中で混合する方法が制御性がよいが、あら
かじめ全ての原料をほぼ蒸気圧の等しい化合物として混
合してから気化してもよい。
μｍ未満となるように混合し、一般式ｗＸＭＯ3 −（１
−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）で表される組成物が得られ
るように反応器中で析出させる。ここで混合方法は通常
用いられるように、個別の気化装置で気化させた各化合
物を配管の途中で混合する方法が制御性がよいが、あら
かじめ全ての原料をほぼ蒸気圧の等しい化合物として混
合してから気化してもよい。
【００２１】ガスの流量は生産速度に応じて、１００ｃ
ｃ／分から１０リットル／分の範囲で選ぶことができ
る。
ｃ／分から１０リットル／分の範囲で選ぶことができ
る。
【００２２】反応器は耐食性があり、外気と遮断した条
件でガスが混合できるものであればどのようなものでも
用いることができる。
件でガスが混合できるものであればどのようなものでも
用いることができる。
【００２３】反応器壁あるいは基板は３００〜９００℃
に加熱してもよいが、加熱している場合は微細単結晶が
直接析出してくる。加熱してない場合は一般にアモルフ
ァス粉末となっているので、ＣＶＤ装置から該粉末を取
り出した後に加熱して微細単結晶を析出させる。
に加熱してもよいが、加熱している場合は微細単結晶が
直接析出してくる。加熱してない場合は一般にアモルフ
ァス粉末となっているので、ＣＶＤ装置から該粉末を取
り出した後に加熱して微細単結晶を析出させる。
【００２４】このようにして得られたＸ、Ｍ、Ｇの各化
合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末の焼成方法とし
ては電気抵抗加熱、プラズマ、高周波、レーザー等既知
の方法を用いることができる。焼成温度は製造方法によ
って異なるが、ＣＶＤ法の場合は２００〜９００℃の範
囲でよい。
合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末の焼成方法とし
ては電気抵抗加熱、プラズマ、高周波、レーザー等既知
の方法を用いることができる。焼成温度は製造方法によ
って異なるが、ＣＶＤ法の場合は２００〜９００℃の範
囲でよい。
【００２５】焼成は空気中、不活性ガス中または還元雰
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
【００２６】このようにして得られた粉末は、多数の析
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液にガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液にガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
【００２７】ここで用いられる酸としては硝酸、フッ
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
【００２８】有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法にお
いては、Ｘ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・エトキシリチウム、イソプロポキシリチウム、ブトキ
シリチウム、酢酸リチウム、リチウムアセチルアセトナ
ート等のリチウム化合物。 ・メトキシナトリウム、ジエトキシナトリウム、ジイソ
プロポキシナトリウム、ジブトキシナトリウム、酢酸ナ
トリウム、ナトリウムアセチルアセトナート等のナトリ
ウム化合物。 ・メトキシカリウム、エトキシカリウム、ジイソプロポ
キシカリウム、ブトキシカリウム、酢酸カリウム、カリ
ウムアセチルアセトナート等のカリウム化合物。 ・ジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛、ジメトキシエト
キシ鉛、鉛アセチルアセナート、蟻酸鉛、酢酸鉛等の鉛
化合物。 ・ジメトキシバリウム、ジエトキシバリウム、ジイソプ
ロポキシバリウム、ジブトキシバリウム、酢酸バリウ
ム、バリウムアセチルアセトナート等のバリウム化合
物。 ・ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、
ジイソプロポキシマグネシウム、ジブトキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物。 ・ジメトキシカルシウム、ジエトキシカルシウム、ジイ
ソプロポキシカルシウム、ジブトキシカルシウム等のカ
ルシウム化合物。 ・ジメトキシストロンチウム、ジエトキシストロンチウ
ム、ジイソプロポキシストロンチウム、ジブトキシスト
ロンチウム等のストロンチウム化合物。 ・トリメトキシランタン、トリエトキシランタン、トリ
イソプロポキシランタン、トリブトキシランタン、塩化
ランタン等のランタン化合物。 ・トリメトキシイットリウム、トリエトキシイットリウ
ム、トリイソプロポキシイットリウム、トリブトキシイ
ットリウム、塩化イットリウム等のイットリウム化合
物。 ・トリメトキシビスマス、トリエトキシビスマス、トリ
イソプロポキシビスマス、トリブトキシビスマス、塩化
ビスマス等のビスマス化合物。
いては、Ｘ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・エトキシリチウム、イソプロポキシリチウム、ブトキ
シリチウム、酢酸リチウム、リチウムアセチルアセトナ
ート等のリチウム化合物。 ・メトキシナトリウム、ジエトキシナトリウム、ジイソ
プロポキシナトリウム、ジブトキシナトリウム、酢酸ナ
トリウム、ナトリウムアセチルアセトナート等のナトリ
ウム化合物。 ・メトキシカリウム、エトキシカリウム、ジイソプロポ
キシカリウム、ブトキシカリウム、酢酸カリウム、カリ
ウムアセチルアセトナート等のカリウム化合物。 ・ジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛、ジメトキシエト
キシ鉛、鉛アセチルアセナート、蟻酸鉛、酢酸鉛等の鉛
化合物。 ・ジメトキシバリウム、ジエトキシバリウム、ジイソプ
ロポキシバリウム、ジブトキシバリウム、酢酸バリウ
ム、バリウムアセチルアセトナート等のバリウム化合
物。 ・ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、
ジイソプロポキシマグネシウム、ジブトキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物。 ・ジメトキシカルシウム、ジエトキシカルシウム、ジイ
ソプロポキシカルシウム、ジブトキシカルシウム等のカ
ルシウム化合物。 ・ジメトキシストロンチウム、ジエトキシストロンチウ
ム、ジイソプロポキシストロンチウム、ジブトキシスト
ロンチウム等のストロンチウム化合物。 ・トリメトキシランタン、トリエトキシランタン、トリ
イソプロポキシランタン、トリブトキシランタン、塩化
ランタン等のランタン化合物。 ・トリメトキシイットリウム、トリエトキシイットリウ
ム、トリイソプロポキシイットリウム、トリブトキシイ
ットリウム、塩化イットリウム等のイットリウム化合
物。 ・トリメトキシビスマス、トリエトキシビスマス、トリ
イソプロポキシビスマス、トリブトキシビスマス、塩化
ビスマス等のビスマス化合物。
【００２９】有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法にお
いては、Ｍ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシド等のアルミニウム化
合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲン化物のア
ルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナート等のマンガン化合物。 ・テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウ
ム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラブトキシ
チタニウム、四塩化チタン等のチタニウム化合物。 ・テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコ
ニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウム、四塩化ジルコニウム等のジルコニ
ウム化合物。 ・テトラメトキシスズ、テトラエトキシスズ、テトライ
ソプロポキシスズ、テトラブトキシスズ、テトラオクチ
ルスズ、スズアセチルアセトナート、四塩化スズ等のス
ズ化合物。 ・ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、
ジイソプロポキシマグネシウム、ジブトキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物。 ・ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、ジイソプロポキシ
亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、塩
化亜鉛等の亜鉛化合物。 ・テトラエトキシ鉄、テトライソプロポキシ鉄、テトラ
ブトキシ鉄、鉄アセチルアセトナート、塩化鉄等の鉄化
合物。 ・テトラエトキシコバルト、テトライソプロポキシコバ
ルト、テトラブトキシコバルト、コバルトアセチルアセ
トナート、塩化コバルト等のコバルト化合物。 ・テトラエトキシニッケル、テトライソプロポキシニッ
ケル、テトラブトキシニッケル、ニッケルアセチルアセ
トナート、塩化ニッケル等のニッケル化合物。 ・ペンタメトキシニオビウム、ペンタエトキシニオビウ
ム、ペンタイソプロポキシニオビウム、ペンタブトキシ
ニオビウム、塩化ニオビウム等のニオビウム化合物。 ・ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、
ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタブトキシタンタ
ル、塩化タンタル等のタンタル化合物。 ・ペンタメトキシタングステン、ペンタエトキシタング
ステン、ペンタイソプロポキシタングステン、ペンタブ
トキシタングステン、塩化タングステン等のタングステ
ン化合物。
いては、Ｍ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシド等のアルミニウム化
合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲン化物のア
ルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナート等のマンガン化合物。 ・テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウ
ム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラブトキシ
チタニウム、四塩化チタン等のチタニウム化合物。 ・テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコ
ニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウム、四塩化ジルコニウム等のジルコニ
ウム化合物。 ・テトラメトキシスズ、テトラエトキシスズ、テトライ
ソプロポキシスズ、テトラブトキシスズ、テトラオクチ
ルスズ、スズアセチルアセトナート、四塩化スズ等のス
ズ化合物。 ・ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、
ジイソプロポキシマグネシウム、ジブトキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物。 ・ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、ジイソプロポキシ
亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、塩
化亜鉛等の亜鉛化合物。 ・テトラエトキシ鉄、テトライソプロポキシ鉄、テトラ
ブトキシ鉄、鉄アセチルアセトナート、塩化鉄等の鉄化
合物。 ・テトラエトキシコバルト、テトライソプロポキシコバ
ルト、テトラブトキシコバルト、コバルトアセチルアセ
トナート、塩化コバルト等のコバルト化合物。 ・テトラエトキシニッケル、テトライソプロポキシニッ
ケル、テトラブトキシニッケル、ニッケルアセチルアセ
トナート、塩化ニッケル等のニッケル化合物。 ・ペンタメトキシニオビウム、ペンタエトキシニオビウ
ム、ペンタイソプロポキシニオビウム、ペンタブトキシ
ニオビウム、塩化ニオビウム等のニオビウム化合物。 ・ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、
ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタブトキシタンタ
ル、塩化タンタル等のタンタル化合物。 ・ペンタメトキシタングステン、ペンタエトキシタング
ステン、ペンタイソプロポキシタングステン、ペンタブ
トキシタングステン、塩化タングステン等のタングステ
ン化合物。
【００３０】有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法にお
いては、Ｇ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・ほう酸トリエチル、ほう酸トリメチル、トリメトキシ
エトキシほう素、ほう酸トリフェニル、ほう酸等のほう
素化合物。 ・砒酸トリエチル、砒酸トリメチル、トリメトキシエト
キシ砒素、砒酸トリフェニル等の砒素化合物。 ・アンチモン酸トリエチル、アンチモン酸トリメチル、
トリメトキシエトキシアンチモン、アンチモン酸トリフ
ェニル等のアンチモン化合物。 ・テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テト
ライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、四塩
化珪素等の珪素化合物。 ・テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマ
ニウム、テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラブ
トキシゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム等のゲルマニ
ウム化合物。 ・テトラメトキシテルル、テトラエトキシテルル、テト
ライソプロポキシテルル、テトラブトキシテルル、四塩
化テルル等のテルル化合物。 ・トリメトキシフォスフォニル、オキシ塩化リン等のリ
ン化合物。
いては、Ｇ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・ほう酸トリエチル、ほう酸トリメチル、トリメトキシ
エトキシほう素、ほう酸トリフェニル、ほう酸等のほう
素化合物。 ・砒酸トリエチル、砒酸トリメチル、トリメトキシエト
キシ砒素、砒酸トリフェニル等の砒素化合物。 ・アンチモン酸トリエチル、アンチモン酸トリメチル、
トリメトキシエトキシアンチモン、アンチモン酸トリフ
ェニル等のアンチモン化合物。 ・テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テト
ライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、四塩
化珪素等の珪素化合物。 ・テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマ
ニウム、テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラブ
トキシゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム等のゲルマニ
ウム化合物。 ・テトラメトキシテルル、テトラエトキシテルル、テト
ライソプロポキシテルル、テトラブトキシテルル、四塩
化テルル等のテルル化合物。 ・トリメトキシフォスフォニル、オキシ塩化リン等のリ
ン化合物。
【００３１】本発明を実施する際に用いられる有機溶媒
としては、前記リチウム化合物、ナトリウム化合物、カ
リウム化合物、鉛化合物、バリウム化合物、マグネシウ
ム化合物、カルシウム化合物、ストロンチウム化合物、
ランタン化合物、イットリウム化合物、ビスマス化合
物、アルミニウム化合物、マンガン化合物、チタニウム
化合物、ジルコニウム化合物、スズ化合物、亜鉛化合
物、鉄化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物、ニオ
ビウム化合物、タンタル化合物、タングステン化合物、
ほう素化合物、砒素化合物、アンチモン化合物、珪素化
合物、ゲルマニウム化合物、テルル化合物、リン化合物
等を溶解するものならばどのような有機溶媒を用いても
よいが、好ましくはメタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール、ペンタノール、メトキシエタノー
ル、エトキシエタノール等のアルコール類、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセ
トン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン
類、酢酸メチル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン
酸エステル類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセト
ン、ジベンゾイルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等
が挙げられ、これらの有機溶媒を単独、あるいは２種以
上を併用することもできる。
としては、前記リチウム化合物、ナトリウム化合物、カ
リウム化合物、鉛化合物、バリウム化合物、マグネシウ
ム化合物、カルシウム化合物、ストロンチウム化合物、
ランタン化合物、イットリウム化合物、ビスマス化合
物、アルミニウム化合物、マンガン化合物、チタニウム
化合物、ジルコニウム化合物、スズ化合物、亜鉛化合
物、鉄化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物、ニオ
ビウム化合物、タンタル化合物、タングステン化合物、
ほう素化合物、砒素化合物、アンチモン化合物、珪素化
合物、ゲルマニウム化合物、テルル化合物、リン化合物
等を溶解するものならばどのような有機溶媒を用いても
よいが、好ましくはメタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール、ペンタノール、メトキシエタノー
ル、エトキシエタノール等のアルコール類、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセ
トン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン
類、酢酸メチル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン
酸エステル類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセト
ン、ジベンゾイルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等
が挙げられ、これらの有機溶媒を単独、あるいは２種以
上を併用することもできる。
【００３２】一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −
ａＧＯz ）で表される組成物を得るための化合物溶液の
調製方法としては、前記Ｘ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物
を有機溶媒中に溶解して室温で混合するか、あるいは前
記各化合物を有機溶媒中で加熱下で反応させる方法が挙
げられる。
ａＧＯz ）で表される組成物を得るための化合物溶液の
調製方法としては、前記Ｘ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物
を有機溶媒中に溶解して室温で混合するか、あるいは前
記各化合物を有機溶媒中で加熱下で反応させる方法が挙
げられる。
【００３３】有機溶媒中で加熱するときの温度は化合物
の種類によって異なるが、６０〜１５０℃の温度範囲で
あり、反応容器をジャケットで加熱する方法が標準的で
ある。
の種類によって異なるが、６０〜１５０℃の温度範囲で
あり、反応容器をジャケットで加熱する方法が標準的で
ある。
【００３４】有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法にお
いては、微細単結晶粉末形成用の溶液中の各化合物の濃
度は化合物の種類によっても異なるが、あまり希釈し過
ぎると溶媒が多量に必要になって経済的でなく、一般に
は酸化物に換算して５〜８０重量％、好ましくは１０〜
５０重量％で適用される。
いては、微細単結晶粉末形成用の溶液中の各化合物の濃
度は化合物の種類によっても異なるが、あまり希釈し過
ぎると溶媒が多量に必要になって経済的でなく、一般に
は酸化物に換算して５〜８０重量％、好ましくは１０〜
５０重量％で適用される。
【００３５】ここで用いられる微細単結晶粉末形成用の
溶液には安定化のためのカルボン酸（Ｃ６〜Ｃ２０）、
グリコール、アミン等を添加することができる。また、
微細単結晶粉末形成用の溶液の作業性の向上のために、
例えばポリオールやエチルセルロース等の高分子物質、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルアセト
ン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系また
はアニオン系の界面活性剤等を添加することができる。
溶液には安定化のためのカルボン酸（Ｃ６〜Ｃ２０）、
グリコール、アミン等を添加することができる。また、
微細単結晶粉末形成用の溶液の作業性の向上のために、
例えばポリオールやエチルセルロース等の高分子物質、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルアセト
ン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系また
はアニオン系の界面活性剤等を添加することができる。
【００３６】このようにして得られた溶液を乾燥、また
は加水分解してＸ、Ｍ、Ｇの各化合物の直径が０．１μ
ｍ未満の混合粉末を得ることができる。加水分解は、該
化合物溶液の溶液中に含まれる化合物のモル数の少なく
とも２倍以上の過剰量の水または水を含む溶液と反応さ
せるか、単に空気中に放置して空気中の水分と反応させ
てもよい。
は加水分解してＸ、Ｍ、Ｇの各化合物の直径が０．１μ
ｍ未満の混合粉末を得ることができる。加水分解は、該
化合物溶液の溶液中に含まれる化合物のモル数の少なく
とも２倍以上の過剰量の水または水を含む溶液と反応さ
せるか、単に空気中に放置して空気中の水分と反応させ
てもよい。
【００３７】ここで得られた粉末の乾燥方法としてはロ
ータリーエバポレーター、フレーカー、エアーバス等の
公知の方法を用いることができる。
ータリーエバポレーター、フレーカー、エアーバス等の
公知の方法を用いることができる。
【００３８】焼成方法としては電気抵抗加熱、プラズ
マ、高周波、レーザー等の既知の方法を用いることがで
きる。ここで、焼成温度は化合物の種類により異なる
が、微細単結晶粉末の結晶化以上の温度にする必要があ
り、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜１
０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せず、
結晶化も進行しない。また、１２００℃を超えると元素
の蒸発等による組成の変化がおこり、好ましくない。
マ、高周波、レーザー等の既知の方法を用いることがで
きる。ここで、焼成温度は化合物の種類により異なる
が、微細単結晶粉末の結晶化以上の温度にする必要があ
り、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜１
０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せず、
結晶化も進行しない。また、１２００℃を超えると元素
の蒸発等による組成の変化がおこり、好ましくない。
【００３９】焼成は空気中、不活性ガス中または還元雰
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
【００４０】このようにして得られた粉末は、多数の析
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液にガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液にガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
【００４１】ここで用いられる酸としては硝酸、フッ
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
【００４２】一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −
ａＧＯz ）で表される組成物を得るために、コロイダル
ゾルを用いる方法においては、Ｘ化合物、Ｍ化合物、Ｇ
化合物のそれぞれのコロイダルゾルは、例えばそれぞれ
の化合物の塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等水溶性塩
のアルカリによる沈澱、あるいはイオン交換等で調整さ
れる。また、シリカについては市販のシリカゾル（デュ
ポン社、日産化学工業社、触媒化成工業社等で製造）も
使用可能である。
ａＧＯz ）で表される組成物を得るために、コロイダル
ゾルを用いる方法においては、Ｘ化合物、Ｍ化合物、Ｇ
化合物のそれぞれのコロイダルゾルは、例えばそれぞれ
の化合物の塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等水溶性塩
のアルカリによる沈澱、あるいはイオン交換等で調整さ
れる。また、シリカについては市販のシリカゾル（デュ
ポン社、日産化学工業社、触媒化成工業社等で製造）も
使用可能である。
【００４３】これらコロイダルゾルは一般式ｗＸＭＯ3
−（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）を満足するように混
合し、乾燥または共沈、ゲル化等してゲル粉末とし、得
られたＸ、Ｍ、Ｇの各化合物の直径が０．１μｍ未満の
ゲル粉末は必要に応じて粉砕される。
−（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）を満足するように混
合し、乾燥または共沈、ゲル化等してゲル粉末とし、得
られたＸ、Ｍ、Ｇの各化合物の直径が０．１μｍ未満の
ゲル粉末は必要に応じて粉砕される。
【００４４】ゲル化の方法として、通常は乾燥が挙げら
れる。一般にゾルは分散媒がなくなった時点で反発力が
なくなり、ゲル化する。この方法は全てのゾルに対して
適用できる。また、ｐＨ調整や塩の添加により、クーロ
ン反発力を抑えてもゲル化する。酸性ゾルはアンモニア
や苛性ソーダ等の添加により中性〜アルカリ性領域でゲ
ル化し、アルカリ性ゾルは塩酸や硝酸等の酸を添加する
ことにより、中性〜酸性領域でゲル化する。塩化カリ、
塩化カルシウム、硝酸アルミニウム等の塩を加えること
により、コロイド水溶液の電解質濃度を高くするとクー
ロン反発力が遮蔽されて小さくなりゲル化する。イソプ
ロパノール、アセトン等の有機溶媒を添加してもゲル化
を起こすことができる。
れる。一般にゾルは分散媒がなくなった時点で反発力が
なくなり、ゲル化する。この方法は全てのゾルに対して
適用できる。また、ｐＨ調整や塩の添加により、クーロ
ン反発力を抑えてもゲル化する。酸性ゾルはアンモニア
や苛性ソーダ等の添加により中性〜アルカリ性領域でゲ
ル化し、アルカリ性ゾルは塩酸や硝酸等の酸を添加する
ことにより、中性〜酸性領域でゲル化する。塩化カリ、
塩化カルシウム、硝酸アルミニウム等の塩を加えること
により、コロイド水溶液の電解質濃度を高くするとクー
ロン反発力が遮蔽されて小さくなりゲル化する。イソプ
ロパノール、アセトン等の有機溶媒を添加してもゲル化
を起こすことができる。
【００４５】ここで得られた粉末の乾燥方法としてはロ
ータリーエバポレーター、フレーカー、エアーバス等の
公知の方法を用いることができる。
ータリーエバポレーター、フレーカー、エアーバス等の
公知の方法を用いることができる。
【００４６】焼成方法としては電気抵抗加熱、プラズ
マ、高周波、レーザー等の既知の方法を用いることがで
きる。ここで、焼成温度は化合物の種類により異なる
が、微細単結晶粉末の結晶化以上の温度にする必要があ
り、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜１
０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せず、
結晶化も進行しない。また、１２００℃を超えると元素
の蒸発等による組成の変化がおこり、好ましくない。
マ、高周波、レーザー等の既知の方法を用いることがで
きる。ここで、焼成温度は化合物の種類により異なる
が、微細単結晶粉末の結晶化以上の温度にする必要があ
り、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜１
０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せず、
結晶化も進行しない。また、１２００℃を超えると元素
の蒸発等による組成の変化がおこり、好ましくない。
【００４７】焼成は空気中、不活性ガス中または還元雰
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
【００４８】このようにして得られた粉末は、多数の析
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液でガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液でガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
【００４９】ここで用いられる酸としては硝酸、フッ
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
【００５０】水に可溶な化合物を用いて混合し、必要に
応じて共沈させて混合物を得る方法において、Ｘ化合物
としては下記のものが挙げられる。 ・硝酸リチウム、酢酸リチウム、塩化リチウム等のリチ
ウム化合物。 ・硝酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、塩化ナトリウム等
のナトリウム化合物。 ・硝酸カリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム等のカリ
ウム化合物。 ・硝酸鉛、酢酸鉛、塩化鉛等の鉛化合物。 ・硝酸バリウム、酢酸バリウム、塩化バリウム等のバリ
ウム化合物。 ・硝酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、塩化マグネシ
ウム等のマグネシウム化合物。 ・硝酸カルシウム、酢酸カルシウム、塩化カルシウム等
のカルシウム化合物。 ・硝酸ストロンチウム、酢酸ストロンチウム、塩化スト
ロンチウム等のストロンチウム化合物。 ・硝酸ランタン、酢酸ランタン、塩化ランタン等のラン
タン化合物。 ・硝酸イットリウム、酢酸イットリウム、塩化イットリ
ウム等のイットリウム化合物。 ・硝酸ビスマス、酢酸ビスマス、塩化ビスマス等のビス
マス化合物。
応じて共沈させて混合物を得る方法において、Ｘ化合物
としては下記のものが挙げられる。 ・硝酸リチウム、酢酸リチウム、塩化リチウム等のリチ
ウム化合物。 ・硝酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、塩化ナトリウム等
のナトリウム化合物。 ・硝酸カリウム、酢酸カリウム、塩化カリウム等のカリ
ウム化合物。 ・硝酸鉛、酢酸鉛、塩化鉛等の鉛化合物。 ・硝酸バリウム、酢酸バリウム、塩化バリウム等のバリ
ウム化合物。 ・硝酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、塩化マグネシ
ウム等のマグネシウム化合物。 ・硝酸カルシウム、酢酸カルシウム、塩化カルシウム等
のカルシウム化合物。 ・硝酸ストロンチウム、酢酸ストロンチウム、塩化スト
ロンチウム等のストロンチウム化合物。 ・硝酸ランタン、酢酸ランタン、塩化ランタン等のラン
タン化合物。 ・硝酸イットリウム、酢酸イットリウム、塩化イットリ
ウム等のイットリウム化合物。 ・硝酸ビスマス、酢酸ビスマス、塩化ビスマス等のビス
マス化合物。
【００５１】水に可溶なＭ化合物としては下記のものが
挙げられる。 ・硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、塩化アルミニ
ウム、硫酸アルミニウム等のアルミニウム化合物。 ・硝酸マンガン、酢酸マンガン、塩化マンガン等のマン
ガン化合物。 ・硝酸チタニル、酢酸チタニル、四塩化チタニウム、硫
酸チタニル等のチタニウム化合物。 ・硝酸ジルコニル、酢酸ジルコニル、四塩化ジルコニウ
ム、硫酸ジルコニル等のジルコウム化合物。 ・硝酸スズ、酢酸スズ、四塩化スズ、ニ塩化スズ等のス
ズ化合物。 ・硝酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、塩化マグネシ
ウム等のマグネシウム化合物。 ・硝酸亜鉛、酢酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛等の亜鉛化
合物。 ・硝酸鉄、塩化鉄、硫酸鉄等の鉄化合物。 ・硝酸コバルト、酢酸コバルト、塩化コバルト、硫酸コ
バルト等のコバルト化合物。 ・硝酸ニッケル、酢酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニ
ッケル等のニッケル化合物。 ・硝酸ニオブ、酢酸ニオブ、塩化ニオブ、硫酸ニオブ等
のニオブ化合物。 ・硝酸タンタル、酢酸タンタル、塩化タンタル、硫酸タ
ンタル等のタンタル化合物。 ・硝酸タングステン、酢酸タングステン、塩化タングス
テン、硫酸タングステン等のタングステン化合物。
挙げられる。 ・硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、塩化アルミニ
ウム、硫酸アルミニウム等のアルミニウム化合物。 ・硝酸マンガン、酢酸マンガン、塩化マンガン等のマン
ガン化合物。 ・硝酸チタニル、酢酸チタニル、四塩化チタニウム、硫
酸チタニル等のチタニウム化合物。 ・硝酸ジルコニル、酢酸ジルコニル、四塩化ジルコニウ
ム、硫酸ジルコニル等のジルコウム化合物。 ・硝酸スズ、酢酸スズ、四塩化スズ、ニ塩化スズ等のス
ズ化合物。 ・硝酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、塩化マグネシ
ウム等のマグネシウム化合物。 ・硝酸亜鉛、酢酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛等の亜鉛化
合物。 ・硝酸鉄、塩化鉄、硫酸鉄等の鉄化合物。 ・硝酸コバルト、酢酸コバルト、塩化コバルト、硫酸コ
バルト等のコバルト化合物。 ・硝酸ニッケル、酢酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニ
ッケル等のニッケル化合物。 ・硝酸ニオブ、酢酸ニオブ、塩化ニオブ、硫酸ニオブ等
のニオブ化合物。 ・硝酸タンタル、酢酸タンタル、塩化タンタル、硫酸タ
ンタル等のタンタル化合物。 ・硝酸タングステン、酢酸タングステン、塩化タングス
テン、硫酸タングステン等のタングステン化合物。
【００５２】水に可溶なＧ化合物としては下記のものが
挙げられる。 ・ほう酸等のほう素化合物。 ・砒酸等の砒素化合物。 ・アンチモン酸、硝酸アンチモン、酢酸アンチモン、塩
化チモン、硫酸アンチモン等のアンチモン化合物。 ・四塩化珪素、珪酸等の珪素化合物。 ・四塩化ゲルマニウム、硝酸ゲルマニウム、酢酸ゲルマ
ニウム等のゲルマニウム化合物。 ・四塩化テルル、硝酸テルル等のテルル化合物。 ・燐酸等のリン化合物。
挙げられる。 ・ほう酸等のほう素化合物。 ・砒酸等の砒素化合物。 ・アンチモン酸、硝酸アンチモン、酢酸アンチモン、塩
化チモン、硫酸アンチモン等のアンチモン化合物。 ・四塩化珪素、珪酸等の珪素化合物。 ・四塩化ゲルマニウム、硝酸ゲルマニウム、酢酸ゲルマ
ニウム等のゲルマニウム化合物。 ・四塩化テルル、硝酸テルル等のテルル化合物。 ・燐酸等のリン化合物。
【００５３】水に可溶な上記化合物を一般式ｗＸＭＯ3
−（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）を満足するように混
合し、ｐＨを調整し、難溶性塩を生成させるようなアニ
オンを加えて沈澱物を得、これを乾燥してＸ、Ｍ、Ｇの
各化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末を得、必要
に応じて粉砕する。
−（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）を満足するように混
合し、ｐＨを調整し、難溶性塩を生成させるようなアニ
オンを加えて沈澱物を得、これを乾燥してＸ、Ｍ、Ｇの
各化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末を得、必要
に応じて粉砕する。
【００５４】沈殿を生成させるためのｐＨは化合物によ
って異なるが、一般にｐＨは３以上で中性付近が好まし
い。Ｍｇ等のアルカリ土類金属イオンの場合はｐＨは１
１以上を必要とし、アルカリ金属イオンの場合はｐＨの
調整では沈殿しない。したがって、アルカリ土類金属イ
オンの場合は難溶性塩の形成が好ましく、シュウ酸、硫
酸、クエン酸等の添加により沈殿が生じる。アルカリ金
属イオンの場合は水を系から除くことによる溶解度の低
下により沈殿させる。
って異なるが、一般にｐＨは３以上で中性付近が好まし
い。Ｍｇ等のアルカリ土類金属イオンの場合はｐＨは１
１以上を必要とし、アルカリ金属イオンの場合はｐＨの
調整では沈殿しない。したがって、アルカリ土類金属イ
オンの場合は難溶性塩の形成が好ましく、シュウ酸、硫
酸、クエン酸等の添加により沈殿が生じる。アルカリ金
属イオンの場合は水を系から除くことによる溶解度の低
下により沈殿させる。
【００５５】ここで得られた粉末の乾燥方法としてはロ
ータリーエバポレーター、フレーカー、エアーバス等の
公知の方法を用いることができる。
ータリーエバポレーター、フレーカー、エアーバス等の
公知の方法を用いることができる。
【００５６】焼成方法としては電気抵抗加熱、プラズ
マ、高周波、レーザー等の既知の方法を用いることがで
きる。ここで、焼成温度は金属化合物の種類により異な
るが、微細単結晶粉末の結晶化以上の温度にする必要が
あり、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜
１０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せ
ず、結晶化も進行しない。また、１２００℃を超えると
元素の蒸発等による組成の変化がおこり、好ましくな
い。
マ、高周波、レーザー等の既知の方法を用いることがで
きる。ここで、焼成温度は金属化合物の種類により異な
るが、微細単結晶粉末の結晶化以上の温度にする必要が
あり、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜
１０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せ
ず、結晶化も進行しない。また、１２００℃を超えると
元素の蒸発等による組成の変化がおこり、好ましくな
い。
【００５７】焼成は空気中、不活性ガス中または還元雰
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
囲気中のいずれでもよい。微細単結晶粉末が還元され易
い場合は、酸素雰囲気中でも焼成することができる。
【００５８】このようにして得られた粉末は、多数の析
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液でガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
出微細単結晶とガラス成分との混合物である。これから
微細単結晶のみを分離するためには水や希酸、希アルカ
リ等の水溶液でガラス成分を溶解させた後、ろ過、遠心
分離の手段を用いることができる。
【００５９】ここで用いられる酸としては硝酸、フッ
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
酸、塩酸、硫酸、酢酸等を挙げることができ、単独でも
混合しても用いることができる。アルカリとしてはアン
モニア水、苛性ソーダ、苛性カリ等が挙げられ、単独で
も混合しても用いることができる。これらは５〜５０重
量％の濃度に希釈して用いられる。
【００６０】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明は下記実施例により、何ら限定されるものではな
い。また、結晶相の確認は粉末Ｘ線回折、結晶形状は走
査形電子顕微鏡によって確認した。
発明は下記実施例により、何ら限定されるものではな
い。また、結晶相の確認は粉末Ｘ線回折、結晶形状は走
査形電子顕微鏡によって確認した。
【００６１】実施例１ 鉛ジエトキシドとチタニウムテトライソプロポキシドと
トリメチルほう素とを、ｗＰｂＴｉＯ3 −（１−ｗ）
（ＰｂＯ−ＢＯ1.5 ）に換算して 表１に示すような割
合に調合し、イソプロパノールートルエンの１：１（重
量比）混合溶媒中に溶解し、酸化物換算で１５重量％の
微細単結晶粉末形成液を合成した。この液からロータリ
ーエバポレータで溶媒を除き、ついで１３０℃で３０分
間乾燥してゲル粉末を得た。この粉末を８００℃で１時
間保持して微細単結晶粉末を析出させた。これを更に４
０℃の１規定の硝酸中で洗浄後、ろ過して微細単結晶の
みを得た。結晶相の生成はＸ線回折により確認した。結
晶相ピーク高さ（１１０）で結晶相生成量と結晶性の目
安とした。
トリメチルほう素とを、ｗＰｂＴｉＯ3 −（１−ｗ）
（ＰｂＯ−ＢＯ1.5 ）に換算して 表１に示すような割
合に調合し、イソプロパノールートルエンの１：１（重
量比）混合溶媒中に溶解し、酸化物換算で１５重量％の
微細単結晶粉末形成液を合成した。この液からロータリ
ーエバポレータで溶媒を除き、ついで１３０℃で３０分
間乾燥してゲル粉末を得た。この粉末を８００℃で１時
間保持して微細単結晶粉末を析出させた。これを更に４
０℃の１規定の硝酸中で洗浄後、ろ過して微細単結晶の
みを得た。結晶相の生成はＸ線回折により確認した。結
晶相ピーク高さ（１１０）で結晶相生成量と結晶性の目
安とした。
【００６２】
【表１】
【００６３】比較例１ 実施例１において、ｗの割合が１の場合は結晶化が充分
でなく、単結晶粉末は得られなかった。結果を表１に示
す。
でなく、単結晶粉末は得られなかった。結果を表１に示
す。
【００６４】比較例２ 実施例１において、ｗの割合が０．０５の場合は得られ
る結晶量が少なく、実用的ではなかった。
る結晶量が少なく、実用的ではなかった。
【００６５】実施例２ バリウム０．４モルをメトキシエタノール４モル中に２
５℃で混合反応させた後、１２０℃で２時間熟成した。
その後９０℃に冷却し、チタニウムテトライソプロポキ
シド０．４モルを添加して更に１２０℃に加熱した後、
メトキシエタノールに溶解した水を０．６モル加えて加
水分解を行った（Ａ液）。この液に、別に用意したバリ
ウムメトキシエトキシドとほう酸トリメチルおよびテト
ラエトキシシランを、Ｂａ：Ｂ：Ｓｉ＝１：ａ：０．５
ａとなるようにメトキシエタノールに溶解した液（Ｂ
液）を、Ａ液に表２に示されるように混合した。液組成
は０．７ＢａＴｉＯ3 −０．３（ＢａＯ−ａＢＯ1.5 −
０．５ａＳｉＯ2 ）と表される。この液をロータリーエ
バポレーターで乾燥して粉末を得た。この粉末を８００
℃で３０分間空気中で焼成して粉末を得た。この粉末を
５０℃の１Ｎ塩酸に１０分間浸漬した後、遠心分離して
微細単結晶粉末をえた。この粉末の結晶性を実施例１と
同様の方法で測定した。結果を表２に示す。
５℃で混合反応させた後、１２０℃で２時間熟成した。
その後９０℃に冷却し、チタニウムテトライソプロポキ
シド０．４モルを添加して更に１２０℃に加熱した後、
メトキシエタノールに溶解した水を０．６モル加えて加
水分解を行った（Ａ液）。この液に、別に用意したバリ
ウムメトキシエトキシドとほう酸トリメチルおよびテト
ラエトキシシランを、Ｂａ：Ｂ：Ｓｉ＝１：ａ：０．５
ａとなるようにメトキシエタノールに溶解した液（Ｂ
液）を、Ａ液に表２に示されるように混合した。液組成
は０．７ＢａＴｉＯ3 −０．３（ＢａＯ−ａＢＯ1.5 −
０．５ａＳｉＯ2 ）と表される。この液をロータリーエ
バポレーターで乾燥して粉末を得た。この粉末を８００
℃で３０分間空気中で焼成して粉末を得た。この粉末を
５０℃の１Ｎ塩酸に１０分間浸漬した後、遠心分離して
微細単結晶粉末をえた。この粉末の結晶性を実施例１と
同様の方法で測定した。結果を表２に示す。
【００６６】比較例３ ａが３．３では、ガラス中にバリウムが溶解して結晶相
の割合が低下するため好ましくない。
の割合が低下するため好ましくない。
【００６７】比較例４ ａが０．０４では、ガラス成分が少なすぎて結晶化が十
分ではなかった。
分ではなかった。
【００６８】
【表２】
【００６９】実施例３ ストロンチウムジイソプロポキシドとほう酸トリメチル
とテトラエトキシシランとチタニウムテトライソプロポ
キシドとを後述のモル比に調合し、イソプロパノールー
トルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶解して酸化
物換算で１５重量％の微細単結晶粉末形成用の溶液を合
成した。組成は０．８ＳｒＴｉＯ3 −０．２（ＳｒＯ−
０．５Ｂ2 Ｏ3 −０．１ＳｉＯ2 ）で表されるものであ
った。この液を乾燥して粉末にした後、最終的に８００
℃で１時間大気中で焼成した。次いで１Ｎ塩酸に１０分
間浸漬した後、ろ過、洗浄して平均粒径が５．０μｍの
微細単結晶粉末を得た。この粉末の結晶性を実施例１と
同様な方法で測定した。その結果、ＳｒＴｉＯ3 の生成
が確認された。
とテトラエトキシシランとチタニウムテトライソプロポ
キシドとを後述のモル比に調合し、イソプロパノールー
トルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶解して酸化
物換算で１５重量％の微細単結晶粉末形成用の溶液を合
成した。組成は０．８ＳｒＴｉＯ3 −０．２（ＳｒＯ−
０．５Ｂ2 Ｏ3 −０．１ＳｉＯ2 ）で表されるものであ
った。この液を乾燥して粉末にした後、最終的に８００
℃で１時間大気中で焼成した。次いで１Ｎ塩酸に１０分
間浸漬した後、ろ過、洗浄して平均粒径が５．０μｍの
微細単結晶粉末を得た。この粉末の結晶性を実施例１と
同様な方法で測定した。その結果、ＳｒＴｉＯ3 の生成
が確認された。
【００７０】実施例４ 鉛ジエトキシドとジルコニウムイソプロポキシドとチタ
ニウムテトライソプロポキシドとテトラエトキシゲルマ
ニウムとを、０．７ＰｂＺｒ0.5 Ｔｉ0.5 Ｏ3−０．３
（ＰｂＯ−ＧｅＯ2 ）の組成になるように調合し、イソ
プロパノールートルエンの１：１（重量比）混合溶媒中
に溶解し、酸化物換算で１５重量％の微細単結晶粉末形
成用の溶液を合成した。この液を乾燥して粉末を得た
後、７００℃で３０分間大気中で焼成し１Ｎ塩酸に１０
分間浸漬した後、ろ過、洗浄して平均粒径が０．８μｍ
の微細単結晶粉末を得た。ＰＺＴ結晶相の生成はＸ線に
より確認された。
ニウムテトライソプロポキシドとテトラエトキシゲルマ
ニウムとを、０．７ＰｂＺｒ0.5 Ｔｉ0.5 Ｏ3−０．３
（ＰｂＯ−ＧｅＯ2 ）の組成になるように調合し、イソ
プロパノールートルエンの１：１（重量比）混合溶媒中
に溶解し、酸化物換算で１５重量％の微細単結晶粉末形
成用の溶液を合成した。この液を乾燥して粉末を得た
後、７００℃で３０分間大気中で焼成し１Ｎ塩酸に１０
分間浸漬した後、ろ過、洗浄して平均粒径が０．８μｍ
の微細単結晶粉末を得た。ＰＺＴ結晶相の生成はＸ線に
より確認された。
【００７１】比較例５ 粒径１μｍの酸化鉛粉末０．５モル、粒径０．３μｍの
酸化チタン粉末０．７モル、粒径１．１μｍの炭酸スト
ロンチウム粉末０．５モル、粒径２μｍのシリカ粉末
０．３モルをエタノール中でボールミル混合した後、乾
燥して粉末を得た。これを直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの
ペレットに成形した後、８００℃で焼成した。Ｘ線では
結晶相はわずかにしか認められず、走査電子顕微鏡では
結晶粒子は確認できなかった。
酸化チタン粉末０．７モル、粒径１．１μｍの炭酸スト
ロンチウム粉末０．５モル、粒径２μｍのシリカ粉末
０．３モルをエタノール中でボールミル混合した後、乾
燥して粉末を得た。これを直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの
ペレットに成形した後、８００℃で焼成した。Ｘ線では
結晶相はわずかにしか認められず、走査電子顕微鏡では
結晶粒子は確認できなかった。
【００７２】実施例５ 塩化バリウム０．２モル、四塩化チタン０．２モル、ほ
う酸０．０２モル、酸性シリカゾル０．００３モルを混
合した水溶液５００ミリリットルを、撹拌しながらアン
モニアでｐＨ８に調整して沈澱を得た。この沈澱をろ
過、乾燥して得た粉末の１次粒子の粒径は１８ｎｍであ
った。この粉末を５００℃で３時間焼成して得られた酸
化物粉末を乳鉢で磨砕後、プレス機で直径１０ｍｍ、厚
み１ｍｍのペレットに成形した。このペレットを大気中
９００℃で３０分間焼成した。次いで１Ｎ塩酸に１０分
間浸漬した後、ろ過、洗浄して粒径が５〜１０μｍの微
細単結晶粉末を得た。また、このペレットの結晶性を実
施例１と同様の方法で測定した結果、Ｘ線回折により結
晶相の生成が確認された。
う酸０．０２モル、酸性シリカゾル０．００３モルを混
合した水溶液５００ミリリットルを、撹拌しながらアン
モニアでｐＨ８に調整して沈澱を得た。この沈澱をろ
過、乾燥して得た粉末の１次粒子の粒径は１８ｎｍであ
った。この粉末を５００℃で３時間焼成して得られた酸
化物粉末を乳鉢で磨砕後、プレス機で直径１０ｍｍ、厚
み１ｍｍのペレットに成形した。このペレットを大気中
９００℃で３０分間焼成した。次いで１Ｎ塩酸に１０分
間浸漬した後、ろ過、洗浄して粒径が５〜１０μｍの微
細単結晶粉末を得た。また、このペレットの結晶性を実
施例１と同様の方法で測定した結果、Ｘ線回折により結
晶相の生成が確認された。
【００７３】比較例６ 塩化バリウム０．１６モル、塩化マグネシウム０．０４
モル、四塩化チタン０．２モルを混合した水溶液５００
ｍｌを、撹拌しながらアンモニアでｐＨ８に調整し、沈
澱を得た。この沈澱をろ過、乾燥して得た粉末の１次粒
子の粒径は１８ｎｍであった。この粉末を５００℃で３
時間焼成して得られた酸化物粉末を乳鉢で磨砕後、プレ
ス機で直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍのペレットに成形し
た。このペレットを大気中９００℃で３０分間焼成し
た。このペレットは、Ｘ線回折では結晶化していたが、
走査電子顕微鏡では単結晶粒子は認められなかった。
モル、四塩化チタン０．２モルを混合した水溶液５００
ｍｌを、撹拌しながらアンモニアでｐＨ８に調整し、沈
澱を得た。この沈澱をろ過、乾燥して得た粉末の１次粒
子の粒径は１８ｎｍであった。この粉末を５００℃で３
時間焼成して得られた酸化物粉末を乳鉢で磨砕後、プレ
ス機で直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍのペレットに成形し
た。このペレットを大気中９００℃で３０分間焼成し
た。このペレットは、Ｘ線回折では結晶化していたが、
走査電子顕微鏡では単結晶粒子は認められなかった。
【００７４】
【発明の効果】本発明によれば、従来の水熱合成法等で
得る方法に比較して方法が単純であると共に組成が均一
で、粒径の揃ったペロブスカイト構造の微細単結晶粉末
をより低温で合成でき、また、種々の組成の微細単結晶
粉末の製造が可能であり、その工業的価値は大である。
得る方法に比較して方法が単純であると共に組成が均一
で、粒径の揃ったペロブスカイト構造の微細単結晶粉末
をより低温で合成でき、また、種々の組成の微細単結晶
粉末の製造が可能であり、その工業的価値は大である。
【図１】実施例１のｗ＝０．８で観察された微細単結晶
粉末の粒子構造を示す。図面に代わる写真。（倍率５０
０倍の走査電子顕微鏡写真）。
粉末の粒子構造を示す。図面に代わる写真。（倍率５０
０倍の走査電子顕微鏡写真）。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】ＣＶＤ法の場合には、出発物質としてＸ化
合物は下記のものが挙げられる。・ア ルキルリチウム等のリチウム化合物。・ア ルキルナトリウム等のナトリウム化合物。・ア ルキルカリウム等のカリウム化合物。 ・４エチル鉛、ビスジピバロイルメタナト鉛等の有機鉛
化合物、あるいは塩化鉛等のハロゲン化物の鉛化合物。 ・バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、ビ
スジピバロイルバリウム等の有機バリウム化合物、ある
いは塩化バリウム等のハロゲン化物のバリウム化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、あるいは塩化カルシウム等のハロゲン化物のカル
シウム化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、あるいは塩化ストロンチウム等の
ハロゲン化物のストロンチウム化合物。 ・ランタンエトキシド、ランタンアセチルアセトナー
ト、トリスジピバロイルメタナートランタン等の有機ラ
ンタン化合物、あるいは塩化ランタン等のハロゲン化物
のランタン化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、トリスジピバロイルメタナートイットリウム
等の有機イットリウム化合物、あるいは塩化イットリウ
ム等のハロゲン化物のイットリウム化合物。 ・ビスマスエトキシド、ビスマスアセチルアセトナート
等の有機ビスマス化合物、あるいは塩化ビスマス等のハ
ロゲン化物のビスマス化合物。
合物は下記のものが挙げられる。・ア ルキルリチウム等のリチウム化合物。・ア ルキルナトリウム等のナトリウム化合物。・ア ルキルカリウム等のカリウム化合物。 ・４エチル鉛、ビスジピバロイルメタナト鉛等の有機鉛
化合物、あるいは塩化鉛等のハロゲン化物の鉛化合物。 ・バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、ビ
スジピバロイルバリウム等の有機バリウム化合物、ある
いは塩化バリウム等のハロゲン化物のバリウム化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、あるいは塩化カルシウム等のハロゲン化物のカル
シウム化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、あるいは塩化ストロンチウム等の
ハロゲン化物のストロンチウム化合物。 ・ランタンエトキシド、ランタンアセチルアセトナー
ト、トリスジピバロイルメタナートランタン等の有機ラ
ンタン化合物、あるいは塩化ランタン等のハロゲン化物
のランタン化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、トリスジピバロイルメタナートイットリウム
等の有機イットリウム化合物、あるいは塩化イットリウ
ム等のハロゲン化物のイットリウム化合物。 ・ビスマスエトキシド、ビスマスアセチルアセトナート
等の有機ビスマス化合物、あるいは塩化ビスマス等のハ
ロゲン化物のビスマス化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】ＣＶＤ法の場合には、出発物質としてＭ化
合物は下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシドのようなアルミニウ
ム化合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲ化物の
アルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナートのようなマンガン化合
物。 ・チタニウムエトキシド、チタニウムイソプロポキシ
ド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのような有機チ
タニウム化合物、あるいは四塩化チタン等のハロゲン化
物のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、あるいは四塩化ジルコニウム等のハロゲン化
物のジルコニウム化合物 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、あるいは塩化亜鉛
等のハロゲン化物の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、あるいは塩化鉄等のハロゲ
ン化物の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、あるいは塩化コバルト等のハロゲン化物のコバルト
化合物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、あるいは塩化ニッケル等のハロゲン化物のニッケル
化合物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート等の有機ニオビウム化合物、あるいは塩化ニオビウ
ム等のハロゲン化物のニオビウム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナート
等の有機タンタル化合物、あるいは塩化タンタル等のハ
ロゲン化物のタンタル化合物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルタングステン等の有機タン
グステン化合物、あるいは塩化タングステン等のハロゲ
ン化物のタングステン化合物。
合物は下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシドのようなアルミニウ
ム化合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲ化物の
アルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナートのようなマンガン化合
物。 ・チタニウムエトキシド、チタニウムイソプロポキシ
ド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのような有機チ
タニウム化合物、あるいは四塩化チタン等のハロゲン化
物のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、あるいは四塩化ジルコニウム等のハロゲン化
物のジルコニウム化合物 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、あるいは塩化マグネシウム等のハロゲン化
物のマグネシウム化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、あるいは塩化亜鉛
等のハロゲン化物の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、あるいは塩化鉄等のハロゲ
ン化物の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、あるいは塩化コバルト等のハロゲン化物のコバルト
化合物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、あるいは塩化ニッケル等のハロゲン化物のニッケル
化合物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート等の有機ニオビウム化合物、あるいは塩化ニオビウ
ム等のハロゲン化物のニオビウム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナート
等の有機タンタル化合物、あるいは塩化タンタル等のハ
ロゲン化物のタンタル化合物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルタングステン等の有機タン
グステン化合物、あるいは塩化タングステン等のハロゲ
ン化物のタングステン化合物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】有機溶媒に可溶な化合物を用いる方法にお
いては、Ｍ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシド等のアルミニウム化
合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲン化物のア
ルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナート等のマンガン化合物。 ・テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウ
ム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラブトキシ
チタニウム、四塩化チタン等のチタニウム化合物。 ・テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコ
ニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウム、四塩化ジルコニウム等のジルコニ
ウム化合物。 ・テトラメトキシスズ、テトラエトキシスズ、テトライ
ソプロポキシスズ、テトラブトキシスズ、テトラオクチ
ルスズ、スズアセチルアセトナート、四塩化スズ等のス
ズ化合物。 ・ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、
ジイソプロポキシマグネシウム、ジブトキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物。 ・ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、ジイソプロポキシ
亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、塩
化亜鉛等の亜鉛化合物。 ・トリエトキシ鉄、ジイソプロポキシ鉄、ジブトキシ
鉄、鉄アセチルアセトナート、塩化鉄等の鉄化合物。 ・ジエトキシコバルト、ジイソプロポキシコバルト、ジ
ブトキシコバルト、コバルトアセチルアセトナート、塩
化コバルト等のコバルト化合物。 ・ジエトキシニッケル、ジイソプロポキシニッケル、ジ
ブトキシニッケル、ニッケルアセチルアセトナート、塩
化ニッケル等のニッケル化合物。 ・ペンタメトキシニオビウム、ペンタエトキシニオビウ
ム、ペンタイソプロポキシニオビウム、ペンタブトキシ
ニオビウム、塩化ニオビウム等のニオビウム化合物。 ・ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、
ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタブトキシタンタ
ル、塩化タンタル等のタンタル化合物。 ・ペンタメトキシタングステン、ペンタエトキシタング
ステン、ペンタイソプロポキシタングステン、ペンタブ
トキシタングステン、塩化タングステン等のタングステ
ン化合物。
いては、Ｍ化合物としては下記のものが挙げられる。 ・トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、
アルミニウムトリイソプロポキシド等のアルミニウム化
合物、あるいは塩化アルミニウム等のハロゲン化物のア
ルミニウム化合物。 ・マンガンアセチルアセトナート等のマンガン化合物。 ・テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウ
ム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラブトキシ
チタニウム、四塩化チタン等のチタニウム化合物。 ・テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコ
ニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウム、四塩化ジルコニウム等のジルコニ
ウム化合物。 ・テトラメトキシスズ、テトラエトキシスズ、テトライ
ソプロポキシスズ、テトラブトキシスズ、テトラオクチ
ルスズ、スズアセチルアセトナート、四塩化スズ等のス
ズ化合物。 ・ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、
ジイソプロポキシマグネシウム、ジブトキシマグネシウ
ム等のマグネシウム化合物。 ・ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、ジイソプロポキシ
亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、塩
化亜鉛等の亜鉛化合物。 ・トリエトキシ鉄、ジイソプロポキシ鉄、ジブトキシ
鉄、鉄アセチルアセトナート、塩化鉄等の鉄化合物。 ・ジエトキシコバルト、ジイソプロポキシコバルト、ジ
ブトキシコバルト、コバルトアセチルアセトナート、塩
化コバルト等のコバルト化合物。 ・ジエトキシニッケル、ジイソプロポキシニッケル、ジ
ブトキシニッケル、ニッケルアセチルアセトナート、塩
化ニッケル等のニッケル化合物。 ・ペンタメトキシニオビウム、ペンタエトキシニオビウ
ム、ペンタイソプロポキシニオビウム、ペンタブトキシ
ニオビウム、塩化ニオビウム等のニオビウム化合物。 ・ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、
ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタブトキシタンタ
ル、塩化タンタル等のタンタル化合物。 ・ペンタメトキシタングステン、ペンタエトキシタング
ステン、ペンタイソプロポキシタングステン、ペンタブ
トキシタングステン、塩化タングステン等のタングステ
ン化合物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 29/22 Ｚ 8216−4Ｇ Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｄ 9059−5Ｇ Ｈ０１Ｇ 4/10 4/12 ４１５
Claims (6)
- 【請求項１】Ｘの酸化物（ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、
Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた
１種または２種以上）、Ｍの酸化物（ＭはＡｌ、Ｍｎ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｇの
酸化物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐか
ら選ばれた１種または２種以上）またはこれらの酸化物
に転換し得るＸ化合物、Ｍ化合物、Ｇ化合物を用い、そ
れぞれの酸化物または化合物の直径が０．１μｍ未満と
なるように混合し、焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−
ｗ）（ＸＯy −ａＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表
し、ＸがＬｉ、Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰ
ｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬ
ａ、Ｙ、Ｂｉのときはｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａ
ｓ、Ｓｂのときはｚ＝１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅの
ときはｚ＝２、ＧがＰのときはｚ＝２．５である。ｗは
モル数を表し、ａは実数で、０．１＜ｗ≦０．９５、
０．０５≦ａ≦２である。）で表される誘電体組成物を
得、これからガラス成分を酸またはアルカリで溶解除去
することを特徴とする微細単結晶粉末の製造方法。 - 【請求項２】有機溶媒に可溶なＸ化合物（ＸはＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂ
ｉから選ばれた１種または２種以上）、Ｍ化合物（Ｍは
Ａｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種
以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）を用い、そ
れぞれの溶液を混合し、乾燥または加水分解してそれぞ
れの化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次
いで焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −
ａＧＯz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、
Ｎａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのとき
はｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。 - 【請求項３】１次粒子の粒径が０．１μｍ未満のＸ化合
物（ＸはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉから選ばれた１種または２種以
上）、Ｍ化合物（ＭはＡｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選
ばれた１種または２種以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種また
は２種以上）のコロイダルゾルを用い、それぞれのコロ
イダルゾルを混合し、乾燥または共沈させてそれぞれの
化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次いで
焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −ａＧ
Ｏz ）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのときは
ｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。 - 【請求項４】水に可溶なＸ化合物（ＸはＬｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｂｉか
ら選ばれた１種または２種以上）、Ｍ化合物（ＭはＡ
ｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種
以上）、Ｇ化合物（ＧはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）を用い、そ
れぞれの溶液を混合し、乾燥または共沈させてそれぞれ
の化合物の直径が０．１μｍ未満の混合粉末とし、次い
で焼成して一般式ｗＸＭＯ3 −（１−ｗ）（ＸＯy −ａ
ＧＯz）（式中、ｙ、ｚは酸素数を表し、ＸがＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋのときはｙ＝０．５、ＸがＰｂ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒのときはｙ＝１、ＸがＬａ、Ｙ、Ｂｉのときは
ｙ＝１．５である。ＧがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときはｚ＝
１．５、ＧがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｚ＝２、ＧがＰ
のときはｚ＝２．５である。ｗはモル数を表し、ａは実
数で、０．１＜ｗ≦０．９５、０．０５≦ａ≦２であ
る。）で表される誘電体組成物を得、これからガラス成
分を酸またはアルカリで溶解除去することを特徴とする
微細単結晶粉末の製造方法。 - 【請求項５】酸としてフッ酸、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸
から選ばれた１種または２種以上の水溶液を用いること
を特徴とする請求項１、２、３または４記載の微細単結
晶粉末の製造方法。 - 【請求項６】アルカリとして水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、アンモニアから選ばれた１種または２種以上
の水溶液を用いることを特徴とする請求項１、２、３ま
たは４記載の微細単結晶粉末の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20188093A JPH0733579A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 微細単結晶粉末の製造方法 |
| US08/590,680 US6126743A (en) | 1993-03-12 | 1996-01-29 | Process for producing dielectrics and fine single crystal powders and thin film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20188093A JPH0733579A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 微細単結晶粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733579A true JPH0733579A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16448390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20188093A Pending JPH0733579A (ja) | 1993-03-12 | 1993-07-21 | 微細単結晶粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733579A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872251B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-03-29 | Tdk Corporation | Method for manufacturing single crystal ceramic powder, and single crystal ceramic powder, composite material, and electronic element |
| WO2007013596A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| JP2008230872A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tokyo Institute Of Technology | 立方体形状ナノ粒子およびその製造方法 |
| JP2010206153A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
| JP2011105542A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸化合物粒子の製造方法及びチタン酸化合物粒子 |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP20188093A patent/JPH0733579A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872251B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-03-29 | Tdk Corporation | Method for manufacturing single crystal ceramic powder, and single crystal ceramic powder, composite material, and electronic element |
| WO2007013596A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Showa Denko K. K. | 複合酸化物膜およびその製造方法、複合酸化物膜を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 |
| US8524324B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-09-03 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, dielectric material including complex oxide film, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element, and electronic device |
| US8486492B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-07-16 | Showa Denko K.K. | Complex oxide film and method for producing same, composite body and method for producing same, dielectric material, piezoelectric material, capacitor, piezoelectric element and electronic device |
| JP2008230872A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tokyo Institute Of Technology | 立方体形状ナノ粒子およびその製造方法 |
| JP2010206153A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
| JP2011105542A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸化合物粒子の製造方法及びチタン酸化合物粒子 |
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