JPH07335402A - チップ抵抗器上面電極形成用ペースト - Google Patents
チップ抵抗器上面電極形成用ペーストInfo
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- JPH07335402A JPH07335402A JP6147086A JP14708694A JPH07335402A JP H07335402 A JPH07335402 A JP H07335402A JP 6147086 A JP6147086 A JP 6147086A JP 14708694 A JP14708694 A JP 14708694A JP H07335402 A JPH07335402 A JP H07335402A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板との接着強度が強く、耐硫化性に優れた
チップ抵抗器上面電極用ペーストを提供する。 【構成】 導電性粉末、ガラスフリット、無機結合剤を
有機ビヒクル中に分散して成るチップ抵抗器上面電極用
ペーストにおいて、導電性粉末を平均粒径０．１〜０．
５μｍの球状銀粉と平均粒径０．５〜１．５μｍの球状
銀被覆パラジウム粉から生成する。好ましくは、被覆し
た銀とパラジウムの割合（重量％）１５：８５〜４０：
６０にする。また、好ましくは、屈服温度が４００〜５
５０°Ｃであり、熱膨張係数が５．０〜９，５ｐｐｍ／
°Ｃであるガラスフリットを用いる。さらに、ペースト
１００重量部に対して、銀粉が７０〜７５重量部と、銀
被覆パラジウム粉が０．５〜１．０重量部と、ガラスフ
リットが０．５〜１．５重量部含有させる。
チップ抵抗器上面電極用ペーストを提供する。 【構成】 導電性粉末、ガラスフリット、無機結合剤を
有機ビヒクル中に分散して成るチップ抵抗器上面電極用
ペーストにおいて、導電性粉末を平均粒径０．１〜０．
５μｍの球状銀粉と平均粒径０．５〜１．５μｍの球状
銀被覆パラジウム粉から生成する。好ましくは、被覆し
た銀とパラジウムの割合（重量％）１５：８５〜４０：
６０にする。また、好ましくは、屈服温度が４００〜５
５０°Ｃであり、熱膨張係数が５．０〜９，５ｐｐｍ／
°Ｃであるガラスフリットを用いる。さらに、ペースト
１００重量部に対して、銀粉が７０〜７５重量部と、銀
被覆パラジウム粉が０．５〜１．０重量部と、ガラスフ
リットが０．５〜１．５重量部含有させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ抵抗器上面電極
形成用ペーストに関し、特に、主として厚膜チップ抵抗
器の電極の形成に用いられるチップ抵抗器上面電極形成
用ペーストであって、基板との接触強度が強く、銀の硫
化による電極の短絡を抑制したチップ抵抗器上面電極形
成用ペーストに関する。
形成用ペーストに関し、特に、主として厚膜チップ抵抗
器の電極の形成に用いられるチップ抵抗器上面電極形成
用ペーストであって、基板との接触強度が強く、銀の硫
化による電極の短絡を抑制したチップ抵抗器上面電極形
成用ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子工業で用いられている厚膜チップ抵
抗器は、アルミナ基板と、銀系厚膜電極から作られた上
面電極層と側面電極層と、ルテニウム系厚膜抵抗成分か
ら作られた抵抗層と、抵抗層を覆うガラス層と、捺印ガ
ラス層から成っており、露出した電極面には半田付け性
を向上させるために、ＮｉメッキとＳｎ−Ｐｂメッキが
電解メッキによって施されている。
抗器は、アルミナ基板と、銀系厚膜電極から作られた上
面電極層と側面電極層と、ルテニウム系厚膜抵抗成分か
ら作られた抵抗層と、抵抗層を覆うガラス層と、捺印ガ
ラス層から成っており、露出した電極面には半田付け性
を向上させるために、ＮｉメッキとＳｎ−Ｐｂメッキが
電解メッキによって施されている。
【０００３】
【発明が解決しよとする課題】しかし、熱エージングあ
るいは冷熱サイクルがかかるような過酷な条件下で使用
した場合、応力によってガラス層−メッキ層界面に隙間
ができて電極が露出し、空気中のイオウ性ガスによる銀
の硫化が起こり、電極が短絡することがあった。このよ
うな電極の短絡に対処する方法としてはパラジウム粉末
の添加が行われていたが、パラジウムの使用は、電極の
比抵抗値の上昇や電極の膜強度の低下による基板との接
触強度の低下、さらに、コストアップを招くといった問
題があった。
るいは冷熱サイクルがかかるような過酷な条件下で使用
した場合、応力によってガラス層−メッキ層界面に隙間
ができて電極が露出し、空気中のイオウ性ガスによる銀
の硫化が起こり、電極が短絡することがあった。このよ
うな電極の短絡に対処する方法としてはパラジウム粉末
の添加が行われていたが、パラジウムの使用は、電極の
比抵抗値の上昇や電極の膜強度の低下による基板との接
触強度の低下、さらに、コストアップを招くといった問
題があった。
【０００４】したがって、本発明の目的は、基板との接
着強度が強く、耐硫化性に優れたチップ抵抗器上面電極
用ペーストを提供することにある。
着強度が強く、耐硫化性に優れたチップ抵抗器上面電極
用ペーストを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は、導電性粉末、ガラスフリット、無機結
合剤を有機ビヒクル中に分散して成るチップ抵抗器上面
電極用ペーストにおいて、導電性粉末が平均粒径０．１
〜０．５μｍの球状銀粉と平均粒径０．５〜１．５μｍ
の球状銀被覆パラジウム粉から成ることを特徴とするチ
ップ抵抗器上面電極用ペーストを採用するものである。
めに、本発明は、導電性粉末、ガラスフリット、無機結
合剤を有機ビヒクル中に分散して成るチップ抵抗器上面
電極用ペーストにおいて、導電性粉末が平均粒径０．１
〜０．５μｍの球状銀粉と平均粒径０．５〜１．５μｍ
の球状銀被覆パラジウム粉から成ることを特徴とするチ
ップ抵抗器上面電極用ペーストを採用するものである。
【０００６】前述のチップ抵抗器上面電極用ペーストに
おいて、被覆した銀とパラジウムの割合（重量％）１
５：８５〜４０：６０にする。
おいて、被覆した銀とパラジウムの割合（重量％）１
５：８５〜４０：６０にする。
【０００７】前述のチップ抵抗器上面電極用ペーストに
おいて、屈服温度が４００〜５５０°Ｃであり、熱膨張
係数が５．０〜９，５ｐｐｍ／°Ｃであるガラスフリッ
トを用いる。
おいて、屈服温度が４００〜５５０°Ｃであり、熱膨張
係数が５．０〜９，５ｐｐｍ／°Ｃであるガラスフリッ
トを用いる。
【０００８】前述のチップ抵抗器上面電極用ペーストに
おいて、ペースト１００重量部に対して、銀粉が７０〜
７５重量部と、銀被覆パラジウム粉が０．５〜１．０重
量部と、ガラスフリットが０．５〜１．５重量部含有さ
せる。
おいて、ペースト１００重量部に対して、銀粉が７０〜
７５重量部と、銀被覆パラジウム粉が０．５〜１．０重
量部と、ガラスフリットが０．５〜１．５重量部含有さ
せる。
【０００９】
【作用】本発明の特徴は、導電性粉末粉として、平均粒
径０．１〜０．５μｍの微細な球状銀粉と平均粒径０，
５〜１．５μｍの銀被覆パラジウム粉を使用することに
よって従来より焼成膜の緻密性を向上させたことにあ
る。
径０．１〜０．５μｍの微細な球状銀粉と平均粒径０，
５〜１．５μｍの銀被覆パラジウム粉を使用することに
よって従来より焼成膜の緻密性を向上させたことにあ
る。
【００１０】微細な球状銀粉は、焼結性が良く、緻密な
焼成膜を形成することができ、メッキ工程での接着強度
の劣化を抑える働きがあるために使用されるが、その平
均粒径を０．１〜０．５μｍに限定した理由は、０．１
μｍ未満であると、凝集が起こってビヒクル中への分散
性が低下したり、ビヒクルの使用量が多くなったりし、
一方、０．５μｍを越えると、焼成膜の緻密性が低下す
るからである。
焼成膜を形成することができ、メッキ工程での接着強度
の劣化を抑える働きがあるために使用されるが、その平
均粒径を０．１〜０．５μｍに限定した理由は、０．１
μｍ未満であると、凝集が起こってビヒクル中への分散
性が低下したり、ビヒクルの使用量が多くなったりし、
一方、０．５μｍを越えると、焼成膜の緻密性が低下す
るからである。
【００１１】また、ペーストに占める銀粉の割合をペー
スト１００重量部に対して７０〜７５重量部とする理由
は、７０重量部未満では、焼成膜の緻密性が低くなり、
接着強度の低下、導電抵抗値の上昇等が起こり、７５重
量部を越えると、混練性が低下するからである。
スト１００重量部に対して７０〜７５重量部とする理由
は、７０重量部未満では、焼成膜の緻密性が低くなり、
接着強度の低下、導電抵抗値の上昇等が起こり、７５重
量部を越えると、混練性が低下するからである。
【００１２】パラジウム粉は、硫黄性ガスによって銀が
硫化するのを防ぐ働きがあるが、銀の焼結性を著しく低
下させたり、導電抵抗値を上昇させたりする。これに対
し、パラジウムの表面を銀で被覆することによって銀の
焼結性を低下させることなく耐硫化性を得ることがで
き、さらに、焼成膜が緻密になることによってメッキ付
き性が向上し、ガラス層−メッキ層界面に発生する隙間
を抑制することができる。
硫化するのを防ぐ働きがあるが、銀の焼結性を著しく低
下させたり、導電抵抗値を上昇させたりする。これに対
し、パラジウムの表面を銀で被覆することによって銀の
焼結性を低下させることなく耐硫化性を得ることがで
き、さらに、焼成膜が緻密になることによってメッキ付
き性が向上し、ガラス層−メッキ層界面に発生する隙間
を抑制することができる。
【００１３】本発明において、銀被覆パラジウム粉の平
均粒径を０．５〜１．５μｍに限定した理由は、被膜粉
末では０．５μｍ未満の粒子を製造するのが困難であ
り、一方、１．５μｍを越えると、緻密な焼成膜が得ら
れないからである。
均粒径を０．５〜１．５μｍに限定した理由は、被膜粉
末では０．５μｍ未満の粒子を製造するのが困難であ
り、一方、１．５μｍを越えると、緻密な焼成膜が得ら
れないからである。
【００１４】また、被覆した銀とパラジウムの比（重量
％）を１５：８５〜４０：６０とする理由は、銀が１５
重量％未満で、パラジウムが８５重量％を越えると、膜
の焼結性が低下し、銀が４０重量％を越え、パラジウム
が６０重量％未満であると、硫黄ガスによる銀の硫化を
防ぐ効果が低くなるからである。
％）を１５：８５〜４０：６０とする理由は、銀が１５
重量％未満で、パラジウムが８５重量％を越えると、膜
の焼結性が低下し、銀が４０重量％を越え、パラジウム
が６０重量％未満であると、硫黄ガスによる銀の硫化を
防ぐ効果が低くなるからである。
【００１５】また、銀被覆パラジウム粉をペースト１０
０重量部に対して０．５〜１重量部とした理由は、０．
５重量部未満では硫黄性ガスによる銀の硫化を防ぐ効果
がほとんどなく、一方、１重量部を越えると、接着強度
が低下するからである。
０重量部に対して０．５〜１重量部とした理由は、０．
５重量部未満では硫黄性ガスによる銀の硫化を防ぐ効果
がほとんどなく、一方、１重量部を越えると、接着強度
が低下するからである。
【００１６】ガラスフリットは、特殊な成分のものであ
る必要はないが、屈服温度が４００〜５５０°Ｃであ
り、熱膨張係数が５．０〜９．５ｐｐｍ／°Ｃであれ
ば、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ｚ
ｎＯ−ＳｉＯ2 など種々の系のガラスを使用することが
望ましく、銀の液層焼結を考慮すると、粒度は１〜２．
５μｍ程度であることが望ましい。
る必要はないが、屈服温度が４００〜５５０°Ｃであ
り、熱膨張係数が５．０〜９．５ｐｐｍ／°Ｃであれ
ば、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、ＰｂＯ−Ｚ
ｎＯ−ＳｉＯ2 など種々の系のガラスを使用することが
望ましく、銀の液層焼結を考慮すると、粒度は１〜２．
５μｍ程度であることが望ましい。
【００１７】ガラスフリットの配合割合を０．５〜１．
５重量部とする理由は、０．５重量部未満では基板と電
極の接着強度が劣化し１．５重量部を越えると、電極の
メッキ性を著しく低下させることになるからである。
５重量部とする理由は、０．５重量部未満では基板と電
極の接着強度が劣化し１．５重量部を越えると、電極の
メッキ性を著しく低下させることになるからである。
【００１８】本発明のチップ抵抗器上面電極形成用ペー
ストには、基板との高い接着強度を得るために無機結合
剤が添加される。そのような目的で添加される代表的な
無機結合剤としては、銅および（または）酸化銅が挙げ
られる。なお、無機結合剤の過剰量の添加は、銀粉の焼
結を阻害し、電極膜のメッキ付き性を著しく低下させる
ために適量添加しなければならない。好ましくは、ペー
スト１００重量部に対して０．５〜１．５重量部であ
る。銅および（または）酸化銅の粒度および粒形状に特
に制限はないが、混練性、スクリーン印刷性等を考慮す
ると、平均粒径が１〜５μｍ程度で球状に近いものが望
ましい。
ストには、基板との高い接着強度を得るために無機結合
剤が添加される。そのような目的で添加される代表的な
無機結合剤としては、銅および（または）酸化銅が挙げ
られる。なお、無機結合剤の過剰量の添加は、銀粉の焼
結を阻害し、電極膜のメッキ付き性を著しく低下させる
ために適量添加しなければならない。好ましくは、ペー
スト１００重量部に対して０．５〜１．５重量部であ
る。銅および（または）酸化銅の粒度および粒形状に特
に制限はないが、混練性、スクリーン印刷性等を考慮す
ると、平均粒径が１〜５μｍ程度で球状に近いものが望
ましい。
【００１９】本発明に用いる有機ビヒクルとしては公知
のものが使用可能である。例えば、セルロース系もしく
はアクリル系の樹脂をテルピネオール等の溶剤に溶解さ
せたものを使用すればよい。
のものが使用可能である。例えば、セルロース系もしく
はアクリル系の樹脂をテルピネオール等の溶剤に溶解さ
せたものを使用すればよい。
【００２０】
【実施例】次に、本発明の実施例を比較例と共に説明す
る。 （１）実施例１〜４、比較例１〜５ 別紙の表１に示す銀粉および別紙の表２に示す銀被覆パ
ラジウム粉と、屈服温度が４２５°Ｃでありかつ熱膨張
係数が８．１ｐｐｍ／°Ｃである特性を持ち、組成が６
９．２重量％ＰｂＯ−８．７重量％Ｂ2 ０3 −３．３重
量％ＳｉＯ2 −５．８重量％ＴｉＯ2 であるガラスフリ
ット（平均粒径１．５μｍ）を１重量部と、試薬１級の
酸化第二銅（ＣｕＯ）を０．８重量部と、１５重量％の
エチルセルロースをテルピネオールに溶解した有機ビヒ
クルを３本ロールミルで混練してペーストを作製した。
なお、実施例および比較例で使用したパラジウム粉は、
平均粒径０．３μｍの出願人製造のパラジウム粉（商品
名：ＳＦＰ−０３０）である。
る。 （１）実施例１〜４、比較例１〜５ 別紙の表１に示す銀粉および別紙の表２に示す銀被覆パ
ラジウム粉と、屈服温度が４２５°Ｃでありかつ熱膨張
係数が８．１ｐｐｍ／°Ｃである特性を持ち、組成が６
９．２重量％ＰｂＯ−８．７重量％Ｂ2 ０3 −３．３重
量％ＳｉＯ2 −５．８重量％ＴｉＯ2 であるガラスフリ
ット（平均粒径１．５μｍ）を１重量部と、試薬１級の
酸化第二銅（ＣｕＯ）を０．８重量部と、１５重量％の
エチルセルロースをテルピネオールに溶解した有機ビヒ
クルを３本ロールミルで混練してペーストを作製した。
なお、実施例および比較例で使用したパラジウム粉は、
平均粒径０．３μｍの出願人製造のパラジウム粉（商品
名：ＳＦＰ−０３０）である。
【００２１】なお、表１において、Ｓ１およびＳ２は、
「作用」の欄で説明した平均粒径が０．１〜０．５μｍ
の範囲内に入るものであり、一方Ｓ３は、平均粒径が
０．１〜０．５μｍの範囲外のものである。また表２に
おいて、Ｐ２〜Ｐ４は、「作用」の欄で説明した平均粒
径が０．５〜１．５μｍの範囲に入りかつ被覆した銀と
パラジウムの比（重量％）が１５：８５〜４０：６０の
範囲に入るものであり、一方、Ｐ１は、被覆した銀とパ
ラジウムの比が範囲外になり、またＰ５は平均粒径が範
囲外になるものである。
「作用」の欄で説明した平均粒径が０．１〜０．５μｍ
の範囲内に入るものであり、一方Ｓ３は、平均粒径が
０．１〜０．５μｍの範囲外のものである。また表２に
おいて、Ｐ２〜Ｐ４は、「作用」の欄で説明した平均粒
径が０．５〜１．５μｍの範囲に入りかつ被覆した銀と
パラジウムの比（重量％）が１５：８５〜４０：６０の
範囲に入るものであり、一方、Ｐ１は、被覆した銀とパ
ラジウムの比が範囲外になり、またＰ５は平均粒径が範
囲外になるものである。
【００２２】接着強度の評価は、まず、作製したペース
トを純度９６％の１インチ角アルミナ基板（京セラ製Ａ
４７３）上に２ｍｍ角のパターンで焼成膜厚が８μｍ程
度になるようにスクリーン印刷を行い、１２０°Ｃで１
５分間乾燥した後、ベルト式連続焼成炉において、ピー
ク８５０°Ｃ×９分を含む１サイクル３０分の条件で焼
成を行い電極を形成した。次いで、２ｍｍ角のパッドに
液温４５°Ｃ、ｐＨ３．５のメッキ浴中でメッキ電流値
０．１／パッド、メッキ時間２分の条件でメッキ厚５μ
ｍ程度にＮｉメッキを施した後、その上に直径０．６５
ｍｍのスズメッキ銅線を６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂ半田で
半田付けした。スズメッキ銅線を電極膜端部で９０度に
曲げて基板と垂直にし、基板を固定した状態で引っ張り
試験機によってスズメッキ銅線を引っ張り、スズメッキ
銅線が基板から剥がれたときの接着強度を測定した。接
着強度は、半田付け直後の値（初期強度）および１５０
°Ｃで２４時間エージングした後の値（エージング強
度）をそれぞれ測定した。なお、接着強度は、約６０Ｎ
／４ｍｍ2 以上あれば実用に供することができる。
トを純度９６％の１インチ角アルミナ基板（京セラ製Ａ
４７３）上に２ｍｍ角のパターンで焼成膜厚が８μｍ程
度になるようにスクリーン印刷を行い、１２０°Ｃで１
５分間乾燥した後、ベルト式連続焼成炉において、ピー
ク８５０°Ｃ×９分を含む１サイクル３０分の条件で焼
成を行い電極を形成した。次いで、２ｍｍ角のパッドに
液温４５°Ｃ、ｐＨ３．５のメッキ浴中でメッキ電流値
０．１／パッド、メッキ時間２分の条件でメッキ厚５μ
ｍ程度にＮｉメッキを施した後、その上に直径０．６５
ｍｍのスズメッキ銅線を６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂ半田で
半田付けした。スズメッキ銅線を電極膜端部で９０度に
曲げて基板と垂直にし、基板を固定した状態で引っ張り
試験機によってスズメッキ銅線を引っ張り、スズメッキ
銅線が基板から剥がれたときの接着強度を測定した。接
着強度は、半田付け直後の値（初期強度）および１５０
°Ｃで２４時間エージングした後の値（エージング強
度）をそれぞれ測定した。なお、接着強度は、約６０Ｎ
／４ｍｍ2 以上あれば実用に供することができる。
【００２３】耐硫化性の評価は、作製したペーストの上
面電極を抵抗体部分に使用してチップ抵抗器と同じ構造
の１．６ｍｍ×０．８ｍｍサイズのジャンパー品を作製
し、これを２５０±５°Ｃの２％Ａｇ共晶半田（２％Ａ
ｇ−６２％Ｓｎ−３６％Ｐｂ）槽に５秒間浸漬した後、
常温のエチルアルコール中に投入して冷却する。この熱
エージングサイクルを５回繰り返した後、「印刷配線板
用コネクタ硫化試験方法（ＪＥＩＤＥ−２５−1974）」
に従って硫化試験を行い、ガラス層−メッキ層界面付近
の針状結晶（Ａｇ2 Ｓ）の有無を観察し、針状結晶が確
認されたものを×、確認されなかったものを○とした。
その結果を別紙の表３にまとめて示す。
面電極を抵抗体部分に使用してチップ抵抗器と同じ構造
の１．６ｍｍ×０．８ｍｍサイズのジャンパー品を作製
し、これを２５０±５°Ｃの２％Ａｇ共晶半田（２％Ａ
ｇ−６２％Ｓｎ−３６％Ｐｂ）槽に５秒間浸漬した後、
常温のエチルアルコール中に投入して冷却する。この熱
エージングサイクルを５回繰り返した後、「印刷配線板
用コネクタ硫化試験方法（ＪＥＩＤＥ−２５−1974）」
に従って硫化試験を行い、ガラス層−メッキ層界面付近
の針状結晶（Ａｇ2 Ｓ）の有無を観察し、針状結晶が確
認されたものを×、確認されなかったものを○とした。
その結果を別紙の表３にまとめて示す。
【００２４】表３から明らかなように、実施例１〜４で
示す銀粉Ｓ１またはＳ２と銀被覆パラジウム粉Ｐ２〜Ｐ
４の組み合わせたものは、接着強度は、初期値およびエ
ージング後の値のいずれにおいても６０Ｎ／４ｍｍ以上
であり、また耐硫化性も十分であることが分かる。
示す銀粉Ｓ１またはＳ２と銀被覆パラジウム粉Ｐ２〜Ｐ
４の組み合わせたものは、接着強度は、初期値およびエ
ージング後の値のいずれにおいても６０Ｎ／４ｍｍ以上
であり、また耐硫化性も十分であることが分かる。
【００２５】また、比較例１は、銀被覆パラジウム粉を
含まないがパラジウム粉を含む従来例のものであり、こ
の場合には、接着強度および耐硫化性の両方において劣
ったものである。比較例２は、銀粉としてＳ３を用いた
ものであり、接着強度および耐硫化性の両方において劣
ったものである。比較例３は、銀被覆パラジウム粉とし
てＰ１を用いたものであり、耐硫化性は十分であるが、
接着強度が劣ったものである。比較例４は、銀被覆パラ
ジウム粉としてＰ５を用いたものであり、耐硫化性は十
分であるが、接着強度が劣ったものである。比較例５
は、銀被覆パラジウム粉が「作用」の欄で説明したペー
スト１００重量部に対して０．５〜１重量部の範囲外で
ある２．０重量部を用いたものであり、耐硫化性は十分
であるが、接着強度が劣ったものである。
含まないがパラジウム粉を含む従来例のものであり、こ
の場合には、接着強度および耐硫化性の両方において劣
ったものである。比較例２は、銀粉としてＳ３を用いた
ものであり、接着強度および耐硫化性の両方において劣
ったものである。比較例３は、銀被覆パラジウム粉とし
てＰ１を用いたものであり、耐硫化性は十分であるが、
接着強度が劣ったものである。比較例４は、銀被覆パラ
ジウム粉としてＰ５を用いたものであり、耐硫化性は十
分であるが、接着強度が劣ったものである。比較例５
は、銀被覆パラジウム粉が「作用」の欄で説明したペー
スト１００重量部に対して０．５〜１重量部の範囲外で
ある２．０重量部を用いたものであり、耐硫化性は十分
であるが、接着強度が劣ったものである。
【００２６】（２）実施例５〜８、比較例６〜９ 次に、使用したガラスフリットを別紙の表４に示す。表
４に示すガラスフリット（平均粒径：１〜２．５μｍ）
と、銀粉Ｓ１を７３重量部と、銀被覆パラジウム粉Ｐ３
を０．５重量部と、無機結合剤として試薬１級の酸化第
二銅（ＣｕＯ）を０．８重量部と、１５重量％のエチル
セルースをテルピネオールに溶解した有機ビヒクルを３
本ロールミルで混練して導電ペーストを作製し、実施例
１〜４と同様の方法で接着強度を測定した。その結果を
別紙の表５にまとめて示す。
４に示すガラスフリット（平均粒径：１〜２．５μｍ）
と、銀粉Ｓ１を７３重量部と、銀被覆パラジウム粉Ｐ３
を０．５重量部と、無機結合剤として試薬１級の酸化第
二銅（ＣｕＯ）を０．８重量部と、１５重量％のエチル
セルースをテルピネオールに溶解した有機ビヒクルを３
本ロールミルで混練して導電ペーストを作製し、実施例
１〜４と同様の方法で接着強度を測定した。その結果を
別紙の表５にまとめて示す。
【００２７】なお、表４において、Ｇ２およびＧ３は、
「作用」の欄で説明した屈服温度が４００〜５５０°Ｃ
の範囲内に入りかつ熱膨張係数が５．０〜９．５ｐｐｍ
／°Ｃの範囲内に入るものである。一方、Ｇ１は、屈服
温度および熱膨張係数が前述の範囲外のものであり、Ｇ
４は、屈服温度が前述の範囲外のものである。
「作用」の欄で説明した屈服温度が４００〜５５０°Ｃ
の範囲内に入りかつ熱膨張係数が５．０〜９．５ｐｐｍ
／°Ｃの範囲内に入るものである。一方、Ｇ１は、屈服
温度および熱膨張係数が前述の範囲外のものであり、Ｇ
４は、屈服温度が前述の範囲外のものである。
【００２８】表５から明らかなように、実施例５〜８で
示すガラスフリットとしてＧ２またはＧ３を用いかつ
「作用」の欄で説明したガラスフリットの配合割合が
０．５〜１．５重量部の範囲内のものでは、接着強度は
初期値およびエージング後の値の両方が６０Ｎ／４ｍｍ
2 以上である。一方、比較例６は、ガラスフリットとし
てＧ１も用いたものであり、接着強度は劣ったものであ
る。比較例７は、ガラスフリットとしてＧ４も用いたも
のであり、接着強度は劣ったものである。比較例８は、
ガラスフリットの配合割合が前述の範囲外のものであ
り、接着強度は劣ったものである。比較例９は、ガラス
フリットの配合割合が前述の範囲外のものであり、接着
強度は劣ったものである。
示すガラスフリットとしてＧ２またはＧ３を用いかつ
「作用」の欄で説明したガラスフリットの配合割合が
０．５〜１．５重量部の範囲内のものでは、接着強度は
初期値およびエージング後の値の両方が６０Ｎ／４ｍｍ
2 以上である。一方、比較例６は、ガラスフリットとし
てＧ１も用いたものであり、接着強度は劣ったものであ
る。比較例７は、ガラスフリットとしてＧ４も用いたも
のであり、接着強度は劣ったものである。比較例８は、
ガラスフリットの配合割合が前述の範囲外のものであ
り、接着強度は劣ったものである。比較例９は、ガラス
フリットの配合割合が前述の範囲外のものであり、接着
強度は劣ったものである。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、基板との接着強度が強
く、耐硫化性に優れたチップ抵抗器上面電極用ペースト
が得られる。
く、耐硫化性に優れたチップ抵抗器上面電極用ペースト
が得られる。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ａ 7726−4Ｅ 1/16 Ｃ 7726−4Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性粉末、ガラスフリット、無機結合
剤を有機ビヒクル中に分散して成るチップ抵抗器上面電
極用ペーストにおいて、導電性粉末が平均粒径０．１〜
０．５μｍの球状銀粉と平均粒径０．５〜１．５μｍの
球状銀被覆パラジウム粉から成ることを特徴とするチッ
プ抵抗器上面電極用ペースト。 - 【請求項２】 請求項１記載のチップ抵抗器上面電極用
ペーストにおいて、被覆した銀とパラジウムの割合（重
量％）１５：８５〜４０：６０であることを特徴とする
チップ抵抗器上面電極用ペースト。 - 【請求項３】 請求項１または２のいずれか１つに記載
のチップ抵抗器上面電極用ペーストにおいて、前記ガラ
スフリットが屈服温度が４００〜５５０°Ｃであり、熱
膨張係数が５．０〜９，５ｐｐｍ／°Ｃであることを特
徴とするチップ抵抗器上面電極用ペースト。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
チップ抵抗器上面電極用ペーストにおいて、ペースト１
００重量部に対して、銀粉が７０〜７５重量部と、銀被
覆パラジウム粉が０．５〜１．０重量部と、ガラスフリ
ットが０．５〜１．５重量部含有されることを特徴とす
るチップ抵抗器上面電極用ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6147086A JPH07335402A (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | チップ抵抗器上面電極形成用ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6147086A JPH07335402A (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | チップ抵抗器上面電極形成用ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335402A true JPH07335402A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15422156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6147086A Pending JPH07335402A (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | チップ抵抗器上面電極形成用ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335402A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-06-06 JP JP6147086A patent/JPH07335402A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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