JPH07333199A - マイクロ渦流センサ - Google Patents
マイクロ渦流センサInfo
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- JPH07333199A JPH07333199A JP6130478A JP13047894A JPH07333199A JP H07333199 A JPH07333199 A JP H07333199A JP 6130478 A JP6130478 A JP 6130478A JP 13047894 A JP13047894 A JP 13047894A JP H07333199 A JPH07333199 A JP H07333199A
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- current sensor
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables
- G01N27/82—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws
- G01N27/90—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws using eddy currents
- G01N27/9013—Arrangements for scanning
- G01N27/902—Arrangements for scanning by moving the sensors
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超小型であるにも拘らず、Ｑ値（インダクタ
ンス／抵抗）の高いコイルを有し、しかも安価な製造コ
ストで大量生産され得る高感度なマイクロ渦流センサを
提供することである。 【構成】 本発明のマイクロ渦流センサは、シリコン基
板１上に絶縁膜層２を介してマイクロマシンニングによ
って形成されたコイル手段を具備し、該コイル手段は、
低抵抗率の金属を電着することよって形成されると共
に、線幅（ｄ）に対する線の厚さ（ｈ）の割合であるア
スペクト比（ｈ／ｄ）が１以上であるコイル５を有す
る。さらに、コイル手段は、上下方向に積層される複数
個のコイル５ａ，５ｂおよび／またはコイルの略中心位
置に形成されるコア１０（２０）を有することによっ
て、そのインダクタンスを大きい値にすることができ
る。
ンス／抵抗）の高いコイルを有し、しかも安価な製造コ
ストで大量生産され得る高感度なマイクロ渦流センサを
提供することである。 【構成】 本発明のマイクロ渦流センサは、シリコン基
板１上に絶縁膜層２を介してマイクロマシンニングによ
って形成されたコイル手段を具備し、該コイル手段は、
低抵抗率の金属を電着することよって形成されると共
に、線幅（ｄ）に対する線の厚さ（ｈ）の割合であるア
スペクト比（ｈ／ｄ）が１以上であるコイル５を有す
る。さらに、コイル手段は、上下方向に積層される複数
個のコイル５ａ，５ｂおよび／またはコイルの略中心位
置に形成されるコア１０（２０）を有することによっ
て、そのインダクタンスを大きい値にすることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は磁気センサに関し、特
にシリコン基板上にマイクロマシンニングによって形成
した金属探傷用のマイクロ渦流センサに関する。
にシリコン基板上にマイクロマシンニングによって形成
した金属探傷用のマイクロ渦流センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】金属製の板や管の傷などの欠陥を非破壊
検査で発見するためのセンサとして電磁誘導法の原理を
用いた渦流センサが良く知られている。すなわち、交流
を流したコイルを被検査体に接近させ、該被検査体に生
じる渦流（強磁性体の場合には磁化）によるコイルのイ
ンピーダンス変化を検出するという原理である。
検査で発見するためのセンサとして電磁誘導法の原理を
用いた渦流センサが良く知られている。すなわち、交流
を流したコイルを被検査体に接近させ、該被検査体に生
じる渦流（強磁性体の場合には磁化）によるコイルのイ
ンピーダンス変化を検出するという原理である。
【０００３】導体に生じる渦流や、そのコイルのインピ
ーダンスは、被検査体中に存在する欠陥や、被検査体の
導電率、透磁率、寸法、形状、コイルとの距離などによ
って変化するので、被検査体の導電率、透磁率、寸法、
形状等を予め判明させておくと共に、コイルと被検査体
との距離を一定にしておけば、渦流またはインピーダン
スが変化することで被検査体中の欠陥の有無が検出さ
れ、またその欠陥の程度は渦流またはインピーダンスの
変化の度合いで判断することができる。
ーダンスは、被検査体中に存在する欠陥や、被検査体の
導電率、透磁率、寸法、形状、コイルとの距離などによ
って変化するので、被検査体の導電率、透磁率、寸法、
形状等を予め判明させておくと共に、コイルと被検査体
との距離を一定にしておけば、渦流またはインピーダン
スが変化することで被検査体中の欠陥の有無が検出さ
れ、またその欠陥の程度は渦流またはインピーダンスの
変化の度合いで判断することができる。
【０００４】被検査体を地中などに埋設されたガスの導
管（以下、単にガス管と称す）に限って言えば、本支管
のような大口径管（直径５０ｍｍ以上）に対しては、管
内を走行可能なロボット（管内ロボット）による検出が
従来行われている。しかし、この本支管から各家庭への
配管としての支管のような小口径管（直径２５ｍｍ以
下）に対しては、さらに小型の検査器具（センサ）が必
要になる。
管（以下、単にガス管と称す）に限って言えば、本支管
のような大口径管（直径５０ｍｍ以上）に対しては、管
内を走行可能なロボット（管内ロボット）による検出が
従来行われている。しかし、この本支管から各家庭への
配管としての支管のような小口径管（直径２５ｍｍ以
下）に対しては、さらに小型の検査器具（センサ）が必
要になる。
【０００５】ところで、近年、シリコンを半導体素子材
料としてだけでなくセンサ材料として用いる試みがなさ
れている。信頼性が高く、量産性や低コスト化、あるい
は集積回路との一体化による高機能化等を実現可能にす
るシリコンの優れた点が注目されているからである。
料としてだけでなくセンサ材料として用いる試みがなさ
れている。信頼性が高く、量産性や低コスト化、あるい
は集積回路との一体化による高機能化等を実現可能にす
るシリコンの優れた点が注目されているからである。
【０００６】このようなシリコンの特徴を生かして、半
導体製造技術を駆使してシリコン基板上にアルミ製の磁
界（磁束）検出用サーチコイルを形成した磁気探傷用セ
ンサが実願昭６２−１４０４４８号公報に開示されてい
る。
導体製造技術を駆使してシリコン基板上にアルミ製の磁
界（磁束）検出用サーチコイルを形成した磁気探傷用セ
ンサが実願昭６２−１４０４４８号公報に開示されてい
る。
【０００７】この磁気探傷用センサは磁化させた被検査
材の漏洩磁界（磁束）を検出するためのセンサであり、
従って本願発明の渦流センサとは作動原理が本質的に異
なることは勿論、被検査材の探傷に際して該被検査材を
磁化するための大掛かりな起磁コイルを必要とするの
で、地中に埋設された小径管の内部検査用センサとして
用いることはできないものであるが、半導体製造技術を
用いてシリコン基板上に超小型のコイルを形成するとい
う製造面での類似性があるので、これを敢えて従来例と
して取り上げ検討してみた。
材の漏洩磁界（磁束）を検出するためのセンサであり、
従って本願発明の渦流センサとは作動原理が本質的に異
なることは勿論、被検査材の探傷に際して該被検査材を
磁化するための大掛かりな起磁コイルを必要とするの
で、地中に埋設された小径管の内部検査用センサとして
用いることはできないものであるが、半導体製造技術を
用いてシリコン基板上に超小型のコイルを形成するとい
う製造面での類似性があるので、これを敢えて従来例と
して取り上げ検討してみた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】その結果、実願昭６２
−１４０４４８号公報に開示のセンサは、コイルとして
シリコンウェハ（シリコン基板）上に絶縁膜を介して蒸
着によって形成された線幅７μｍ、厚さ２μｍのアルミ
薄膜を用いているために、抵抗が１ＫΩ以上という高さ
になり、従ってＱ値（インダクタンス／抵抗）の低いも
のになる。さらに、コアが存在しないのでコイルのイン
ダクタンスそのものが低い。このような問題点が未解決
であったため、今まで高感度のマイクロ渦流センサが提
供されていない。
−１４０４４８号公報に開示のセンサは、コイルとして
シリコンウェハ（シリコン基板）上に絶縁膜を介して蒸
着によって形成された線幅７μｍ、厚さ２μｍのアルミ
薄膜を用いているために、抵抗が１ＫΩ以上という高さ
になり、従ってＱ値（インダクタンス／抵抗）の低いも
のになる。さらに、コアが存在しないのでコイルのイン
ダクタンスそのものが低い。このような問題点が未解決
であったため、今まで高感度のマイクロ渦流センサが提
供されていない。
【０００９】本発明は従来技術における上記問題点を解
消するためになされたものであって、その目的とすると
ころは、超小型でありながら、Ｑ値の高いコイルを有
し、しかも安価な製造コストで大量生産され得る高感度
なマイクロ渦流センサを提供することである。
消するためになされたものであって、その目的とすると
ころは、超小型でありながら、Ｑ値の高いコイルを有
し、しかも安価な製造コストで大量生産され得る高感度
なマイクロ渦流センサを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の主なる態様によれば、シリコン基板上に絶
縁膜層を介してマイクロマシンニングによって形成され
たコイル手段を具備し、該コイル手段は線幅（ｄ）に対
する線の厚さ（ｈ）の割合であるアスペクト比（ｈ／
ｄ）が１以上であるコイルを有することを特徴とするマ
イクロ渦流センサが提供される。
に、本発明の主なる態様によれば、シリコン基板上に絶
縁膜層を介してマイクロマシンニングによって形成され
たコイル手段を具備し、該コイル手段は線幅（ｄ）に対
する線の厚さ（ｈ）の割合であるアスペクト比（ｈ／
ｄ）が１以上であるコイルを有することを特徴とするマ
イクロ渦流センサが提供される。
【００１１】本発明の第２態様によれば、上記第１態様
のコイルの中心位置に高透磁性材料からなるコアが設け
られていることを特徴とするマイクロ渦流センサが提供
される。
のコイルの中心位置に高透磁性材料からなるコアが設け
られていることを特徴とするマイクロ渦流センサが提供
される。
【００１２】また、本発明の第３態様によれば、上記第
１および第２態様のコイルが、銅を材料とした電着によ
って形成されることを特徴とするマイクロ渦流センサが
提供される。
１および第２態様のコイルが、銅を材料とした電着によ
って形成されることを特徴とするマイクロ渦流センサが
提供される。
【００１３】さらに、本発明の第４態様によれば、上記
第１乃至第３態様のコイルが上下方向に２層またはそれ
以上の複数層に積層されて形成されていることを特徴と
するマイクロ渦流センサが提供される。
第１乃至第３態様のコイルが上下方向に２層またはそれ
以上の複数層に積層されて形成されていることを特徴と
するマイクロ渦流センサが提供される。
【００１４】
【作用】シリコン基板上に絶縁膜を介してマイクロマシ
ンニングによって厚膜（１０μｍ以上）のレジスト層が
形成され、パターニングによってこのレジスト層内に平
面的視野において渦巻き状の細幅（１０μ以下）の溝が
形成された後、該溝中に電着プロセスを用いて銅のよう
な低抵抗率の金属を埋め込むことによってアスペクト比
が１以上であり、低い抵抗率でしかも高いＱ値を有する
超小型のコイルが形成される。これによって、高感度の
マイクロ渦流センサを低価格の製造コストで大量生産す
ることができる。
ンニングによって厚膜（１０μｍ以上）のレジスト層が
形成され、パターニングによってこのレジスト層内に平
面的視野において渦巻き状の細幅（１０μ以下）の溝が
形成された後、該溝中に電着プロセスを用いて銅のよう
な低抵抗率の金属を埋め込むことによってアスペクト比
が１以上であり、低い抵抗率でしかも高いＱ値を有する
超小型のコイルが形成される。これによって、高感度の
マイクロ渦流センサを低価格の製造コストで大量生産す
ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、添付の図面に示した幾つかの好ましい
実施例に関連して本発明を更に詳細に説明する。
実施例に関連して本発明を更に詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明のマイクロ渦流センサの基本
構成としての第１実施例を示す縦断面図である。図１か
ら明らかなように、この実施例は、シリコン基板１上に
絶縁膜２を介在させて単層のコイル５を形成し、さらに
その上に保護膜６を成膜したものである。参照符号３は
コイルにするための低抵抗率金属の薄膜を電着によって
シリコン基板１上に成膜する際の下地金属膜であり、ま
た５１および５２はコイル５を外部の電源回路乃至処理
回路（いずれも図示せず）へ接続するための端子であ
る。
構成としての第１実施例を示す縦断面図である。図１か
ら明らかなように、この実施例は、シリコン基板１上に
絶縁膜２を介在させて単層のコイル５を形成し、さらに
その上に保護膜６を成膜したものである。参照符号３は
コイルにするための低抵抗率金属の薄膜を電着によって
シリコン基板１上に成膜する際の下地金属膜であり、ま
た５１および５２はコイル５を外部の電源回路乃至処理
回路（いずれも図示せず）へ接続するための端子であ
る。
【００１７】図２は上記第１実施例においてシリコン基
板１の上に渦巻き状に形成された単層コイル５の上面図
である。なお、渦巻きの形状は図２のような四角形に限
られることはない。
板１の上に渦巻き状に形成された単層コイル５の上面図
である。なお、渦巻きの形状は図２のような四角形に限
られることはない。
【００１８】図３および図４には、第１実施例のマイク
ロマシンニングによる製造プロセスがそれぞれ断面図の
チャートで示される。まず、図３の（ａ）においては、
シリコン基板１の表面に例えばＳｉＯ2 のような絶縁膜
２を略５０００Åの厚さに成膜する。続いて、コイルに
する低抵抗率金属を電着するための下地金属膜３を形成
するために、例えばＡｕのような高導電性の金属をスパ
ッタリング装置ないし蒸着装置を用いて絶縁膜２の上に
略５０００Åの厚さに成膜する。
ロマシンニングによる製造プロセスがそれぞれ断面図の
チャートで示される。まず、図３の（ａ）においては、
シリコン基板１の表面に例えばＳｉＯ2 のような絶縁膜
２を略５０００Åの厚さに成膜する。続いて、コイルに
する低抵抗率金属を電着するための下地金属膜３を形成
するために、例えばＡｕのような高導電性の金属をスパ
ッタリング装置ないし蒸着装置を用いて絶縁膜２の上に
略５０００Åの厚さに成膜する。
【００１９】なお、上記プロセス中、絶縁膜２としてＳ
ｉＯ2 以外にＳｉＮまたはポリイミドを使うことがで
き、また下地金属膜３としてＡｕ以外にＣｒ、Ｐｔまた
はＣｕ等の金属が用いられ得る。
ｉＯ2 以外にＳｉＮまたはポリイミドを使うことがで
き、また下地金属膜３としてＡｕ以外にＣｒ、Ｐｔまた
はＣｕ等の金属が用いられ得る。
【００２０】続いて、図３の（ｂ）に示されるように、
コイル５を電着する際の型となるレジスト４を１０μｍ
以上の厚さに塗布した後、コイル５の電着該当箇所がパ
ターニングによって除去され、深さが１０μｍ以上で、
かつ底面として下地金属膜３の表面が露出し、平面的視
野では渦巻き状の凹部４ａが形成される。
コイル５を電着する際の型となるレジスト４を１０μｍ
以上の厚さに塗布した後、コイル５の電着該当箇所がパ
ターニングによって除去され、深さが１０μｍ以上で、
かつ底面として下地金属膜３の表面が露出し、平面的視
野では渦巻き状の凹部４ａが形成される。
【００２１】なお、レジスト４としては、１０μｍ以上
の厚膜に成膜できること、パターンの解像性が良いこ
と、そして電着後の剥離性が良いことを満たすものであ
ればすべて使用可能である。一例としてはヘキスト社の
ＡＺ４９０３（ポジレジスト）がある。
の厚膜に成膜できること、パターンの解像性が良いこ
と、そして電着後の剥離性が良いことを満たすものであ
ればすべて使用可能である。一例としてはヘキスト社の
ＡＺ４９０３（ポジレジスト）がある。
【００２２】コイル電着用の型が形成された後、図３の
（ｃ）に示されるように、凹部４ａ中にコイル５の電着
がレジスト４の厚みに達するまで行われる。電着金属と
してはＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の低抵抗率の金属が望
ましく、中でも電着性能面および価格面でＣｕが最も好
適に用いられる。
（ｃ）に示されるように、凹部４ａ中にコイル５の電着
がレジスト４の厚みに達するまで行われる。電着金属と
してはＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の低抵抗率の金属が望
ましく、中でも電着性能面および価格面でＣｕが最も好
適に用いられる。
【００２３】さらに、図４の（ｄ）に示されるように、
コイル電着用の型として用いたレジスト４が剥離され
る。
コイル電着用の型として用いたレジスト４が剥離され
る。
【００２４】図４の（ｅ）に示されるプロセスでは、コ
イル５の電着の下地となった下地金属膜３のスパッタエ
ッチングがシリコン基板１の全面にわたって行われる。
このスパッタエッチングは絶縁膜２の表面の下地金属膜
３が除去されるまで行われる。その際、コイル５として
電着した金属膜もエッチングを受けるが、下地金属膜３
に比べ膜厚が十分厚いのでそのエッチング量は問題にな
らない。なお、このスパッタエッチングには、アルゴ
ン、窒素などの不活性ガスが用いられる。
イル５の電着の下地となった下地金属膜３のスパッタエ
ッチングがシリコン基板１の全面にわたって行われる。
このスパッタエッチングは絶縁膜２の表面の下地金属膜
３が除去されるまで行われる。その際、コイル５として
電着した金属膜もエッチングを受けるが、下地金属膜３
に比べ膜厚が十分厚いのでそのエッチング量は問題にな
らない。なお、このスパッタエッチングには、アルゴ
ン、窒素などの不活性ガスが用いられる。
【００２５】続いて、図４の（ｆ）に示されるように、
コイル５の保護としてレジスト、ポリイミド等からなる
保護膜６が略２０μｍの厚さで成膜される。この保護膜
６としては、１０μｍ以上の膜厚に成膜できること、
化学的に安定していること、熱的に安定であるこ
と、そして絶縁膜としての電気的な特性が優れている
こと、の条件を満たせば良い。一例として東レ社のフォ
トニース５１００ＦＸがある。
コイル５の保護としてレジスト、ポリイミド等からなる
保護膜６が略２０μｍの厚さで成膜される。この保護膜
６としては、１０μｍ以上の膜厚に成膜できること、
化学的に安定していること、熱的に安定であるこ
と、そして絶縁膜としての電気的な特性が優れている
こと、の条件を満たせば良い。一例として東レ社のフォ
トニース５１００ＦＸがある。
【００２６】その後、コイル５の端子５１（５２）に相
当する部分の保護膜６がエッチングで除去される。
当する部分の保護膜６がエッチングで除去される。
【００２７】次に、本発明の第２実施例を図５から図９
までを参照しながら説明する。
までを参照しながら説明する。
【００２８】この第２実施例は、図５から明らかなよう
に、コア１０がコイル５の中心位置に設けられている点
においてのみ第１実施例と異なる。従って、重複を避け
るためにコア１０を除く他の部分の詳細な説明は省略す
る。コア１０を設けることによって、コイル５の自己イ
ンダクタンスが大きくなり、同じ抵抗率の金属で作られ
たコイルであれば、コアを設けた方がＱ値が高くなり、
センサとしての感度が向上する。
に、コア１０がコイル５の中心位置に設けられている点
においてのみ第１実施例と異なる。従って、重複を避け
るためにコア１０を除く他の部分の詳細な説明は省略す
る。コア１０を設けることによって、コイル５の自己イ
ンダクタンスが大きくなり、同じ抵抗率の金属で作られ
たコイルであれば、コアを設けた方がＱ値が高くなり、
センサとしての感度が向上する。
【００２９】図７および図９に、第２実施例のマイクロ
マシンニングによる製造プロセスがそれぞれ断面図のチ
ャートで示される。ところで、図７の（Ａ）から（Ｃ）
ならびに図８の（Ｄ）までの各プロセスは、前述した図
３の（ａ）から（ｃ）ならびに図４の（ｄ）までの各プ
ロセスと同じであり、また図９の（Ｇ）から（Ｉ）の各
プロセスは図４の（ｄ）から（ｆ）までの各プロセスと
同じであるので、ここでは説明を省略する。従って、図
８の（Ｅ）および（Ｆ）を参照しながらコア１０の形成
プロセスだけを以下に説明する。
マシンニングによる製造プロセスがそれぞれ断面図のチ
ャートで示される。ところで、図７の（Ａ）から（Ｃ）
ならびに図８の（Ｄ）までの各プロセスは、前述した図
３の（ａ）から（ｃ）ならびに図４の（ｄ）までの各プ
ロセスと同じであり、また図９の（Ｇ）から（Ｉ）の各
プロセスは図４の（ｄ）から（ｆ）までの各プロセスと
同じであるので、ここでは説明を省略する。従って、図
８の（Ｅ）および（Ｆ）を参照しながらコア１０の形成
プロセスだけを以下に説明する。
【００３０】図８の（Ｅ）では、まず、コイル５が形成
されたシリコン基板１の上にコア電着用型となる２０μ
ｍ以上の厚さのレジスト膜４０が塗布によって形成され
る。通常１回の塗布で略１０μｍの厚さになるので、こ
の場合は２回の塗布が行われる。なお、レジスト膜４０
には第１実施例で用いたレジスト膜４と同じレジスト材
料が用いられる。このレジスト膜４０の硬化後、渦巻き
コイル５の略平面的中央位置に相当する箇所のレジスト
膜４０がＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）
等のドライエッチングによって除去され、１０μｍ以上
の幅を有し、下地金属膜３の表面にまで達する深さを有
するコア１０の電着のための凹部４０ａが形成される。
されたシリコン基板１の上にコア電着用型となる２０μ
ｍ以上の厚さのレジスト膜４０が塗布によって形成され
る。通常１回の塗布で略１０μｍの厚さになるので、こ
の場合は２回の塗布が行われる。なお、レジスト膜４０
には第１実施例で用いたレジスト膜４と同じレジスト材
料が用いられる。このレジスト膜４０の硬化後、渦巻き
コイル５の略平面的中央位置に相当する箇所のレジスト
膜４０がＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）
等のドライエッチングによって除去され、１０μｍ以上
の幅を有し、下地金属膜３の表面にまで達する深さを有
するコア１０の電着のための凹部４０ａが形成される。
【００３１】続いて、図８の（Ｆ）に示されるように、
コア１０の電着が行われる。電着される金属材料はＦｅ
Ｎｉ（パーマロイ）が好適に用いられるが、高透磁率の
材料であれば良い。コア１０の電着はその高さがレジス
ト膜４０の表面に達するまで行われる。
コア１０の電着が行われる。電着される金属材料はＦｅ
Ｎｉ（パーマロイ）が好適に用いられるが、高透磁率の
材料であれば良い。コア１０の電着はその高さがレジス
ト膜４０の表面に達するまで行われる。
【００３２】次に、本発明の第３実施例として上下２層
コイル５ａ，５ｂを有するマイクロ渦流センサが図１０
から図１６までを参照しながら以下に説明される。
コイル５ａ，５ｂを有するマイクロ渦流センサが図１０
から図１６までを参照しながら以下に説明される。
【００３３】図１０は第３実施例の断面図であり、一
方、図１１はこの第３実施例における上下２層のコイル
５ａ，５ｂの上面図である。これらの図から明らかなよ
うに、両コイル５ａ，５ｂは共通コンタクト５ｃで互い
に接続されている。この第３実施例のように、センサの
平面的大きさ（略３ｍｍ四方）を変えずにさらにセンサ
感度を高めるには、コイルを上下方向に多層に形成して
コイルの自己インダクタンスを大きくすれば良い。
方、図１１はこの第３実施例における上下２層のコイル
５ａ，５ｂの上面図である。これらの図から明らかなよ
うに、両コイル５ａ，５ｂは共通コンタクト５ｃで互い
に接続されている。この第３実施例のように、センサの
平面的大きさ（略３ｍｍ四方）を変えずにさらにセンサ
感度を高めるには、コイルを上下方向に多層に形成して
コイルの自己インダクタンスを大きくすれば良い。
【００３４】上下２層のコイルを有するマイクロ渦流セ
ンサを製造するには、第１実施例の製造プロセスを単に
繰り返すのではなく、図１２から図１６までに示される
製造プロセスを経る必要がある。なお、図１２の（１）
から（３）ならびに図１３の（４）に示される各プロセ
スは、既述の第１実施例の一連の製造プロセス中の図３
の（ａ）から（ｃ）ならびに図４の（ｄ）に示される各
プロセスと同じであるので、それらの説明は省略し、図
１３の（５）のプロセスから説明する。
ンサを製造するには、第１実施例の製造プロセスを単に
繰り返すのではなく、図１２から図１６までに示される
製造プロセスを経る必要がある。なお、図１２の（１）
から（３）ならびに図１３の（４）に示される各プロセ
スは、既述の第１実施例の一連の製造プロセス中の図３
の（ａ）から（ｃ）ならびに図４の（ｄ）に示される各
プロセスと同じであるので、それらの説明は省略し、図
１３の（５）のプロセスから説明する。
【００３５】図１３の（５）に示されるプロセスでは、
第１層（下層）コイル５ａと第２層（上層）コイル５ｂ
とのコンタクト５ｃの電着用型となるレジスト膜４１が
１５〜２０μｍの厚さに塗布によって形成される。この
レジスト膜４１の硬化後、第１層コイル５ａの一端に相
当する部分のレジスト膜４１にパターニングを施すこと
によって、第１層コイル５ａの一端の表面が露出するよ
うな凹部４１ａが形成される。
第１層（下層）コイル５ａと第２層（上層）コイル５ｂ
とのコンタクト５ｃの電着用型となるレジスト膜４１が
１５〜２０μｍの厚さに塗布によって形成される。この
レジスト膜４１の硬化後、第１層コイル５ａの一端に相
当する部分のレジスト膜４１にパターニングを施すこと
によって、第１層コイル５ａの一端の表面が露出するよ
うな凹部４１ａが形成される。
【００３６】図１３の（６）に示されるプロセスでは、
レジスト膜４１の凹部４１ａ内にコンタクト５ｃが銅の
電着によって形成される。
レジスト膜４１の凹部４１ａ内にコンタクト５ｃが銅の
電着によって形成される。
【００３７】続いて、図１４の（７）では、コンタクト
５ｃの電着用の型となったレジスト膜４１が剥離され
る。
５ｃの電着用の型となったレジスト膜４１が剥離され
る。
【００３８】さらに、図１４の（８）に示されるよう
に、第１層コイル５ａの電着の下地となった下地金属膜
３に対してスパッタエッチングがシリコン基板１の全面
にわたって行われる。このスパッタエッチングは絶縁膜
２の表面の下地金属膜３が除去されるまで行われる。そ
の際、第１層コイル５ａとして電着した金属膜もエッチ
ングを受けるが、下地金属膜３に比べ膜厚が十分厚いの
でそのエッチング量は問題にならない。なお、このスパ
ッタエッチングには、アルゴン、窒素などの不活性ガス
が用いられる。
に、第１層コイル５ａの電着の下地となった下地金属膜
３に対してスパッタエッチングがシリコン基板１の全面
にわたって行われる。このスパッタエッチングは絶縁膜
２の表面の下地金属膜３が除去されるまで行われる。そ
の際、第１層コイル５ａとして電着した金属膜もエッチ
ングを受けるが、下地金属膜３に比べ膜厚が十分厚いの
でそのエッチング量は問題にならない。なお、このスパ
ッタエッチングには、アルゴン、窒素などの不活性ガス
が用いられる。
【００３９】さらに、図１４の（９）に示されるよう
に、第１層コイル５ａとその上方に形成される第２層コ
イル５ｂとの間の空間を埋める層間絶縁膜６ａが略２０
μｍの厚さで成膜される。この層間絶縁膜６ａとして
は、１０μｍ以上の膜厚に成膜できること、化学的
に安定していること、熱的に安定であること、そして
絶縁膜としての電気的な特性が優れていること、の条
件を満たせば良い。ポリイミドの一例として東レ社のフ
ォトニース５１００ＦＸがある。
に、第１層コイル５ａとその上方に形成される第２層コ
イル５ｂとの間の空間を埋める層間絶縁膜６ａが略２０
μｍの厚さで成膜される。この層間絶縁膜６ａとして
は、１０μｍ以上の膜厚に成膜できること、化学的
に安定していること、熱的に安定であること、そして
絶縁膜としての電気的な特性が優れていること、の条
件を満たせば良い。ポリイミドの一例として東レ社のフ
ォトニース５１００ＦＸがある。
【００４０】続いて、図１５の（１０）に示されるよう
に、第２層（上層）コイル５ｂを電着するために第２下
地金属膜７がスパッタリング装置および蒸着装置を用い
て略５０００Åの厚さに成膜される。この時、第２下地
金属膜７の表面をコンタクト５ｃの表面と同一高さにす
ると良い。なお、この第２下地金属膜７に用いられる金
属は最初の下地金属膜３と同じである。
に、第２層（上層）コイル５ｂを電着するために第２下
地金属膜７がスパッタリング装置および蒸着装置を用い
て略５０００Åの厚さに成膜される。この時、第２下地
金属膜７の表面をコンタクト５ｃの表面と同一高さにす
ると良い。なお、この第２下地金属膜７に用いられる金
属は最初の下地金属膜３と同じである。
【００４１】第２下地金属膜７の成膜後、図１５の（１
１）に示されるように、第２層コイル５ｂの電着のため
の型となるレジスト膜４２が第２下地金属膜７上に１０
μｍ以上の厚さで塗布によって形成され、前述の図３の
（ｂ）のプロセスと同様に第２層コイル５ｂの電着該当
箇所にパターニングが施され、深さが１０μｍ以上で、
かつ底面として第２下地金属膜７の表面が露出し、平面
的には渦巻き状の凹部４２ａが形成される。ここで用い
られるレジスト４２は前述のレジスト４１と同じであ
る。
１）に示されるように、第２層コイル５ｂの電着のため
の型となるレジスト膜４２が第２下地金属膜７上に１０
μｍ以上の厚さで塗布によって形成され、前述の図３の
（ｂ）のプロセスと同様に第２層コイル５ｂの電着該当
箇所にパターニングが施され、深さが１０μｍ以上で、
かつ底面として第２下地金属膜７の表面が露出し、平面
的には渦巻き状の凹部４２ａが形成される。ここで用い
られるレジスト４２は前述のレジスト４１と同じであ
る。
【００４２】第２層コイル電着用の型が形成された後、
図１５の（１２）に示されるように、第２層コイル５ｂ
の電着がレジスト４２の厚みに達するまで行われる。電
着金属としては第１層コイル５ａと同じ材料が用いられ
る。
図１５の（１２）に示されるように、第２層コイル５ｂ
の電着がレジスト４２の厚みに達するまで行われる。電
着金属としては第１層コイル５ａと同じ材料が用いられ
る。
【００４３】第２層コイル５ｂの電着が終了した後、図
１６の（１３）に示されるように、レジスト４２が剥離
される。
１６の（１３）に示されるように、レジスト４２が剥離
される。
【００４４】図１６の（１４）に示されるプロセスは前
述の図１４の（８）のプロセスと同様で、第２層コイル
５ａの電着の下地となった第２下地金属膜７の除去のた
めのスパッタエッチングがシリコン基板１の全面にわた
って行われる。その際、第２層コイル５ｂとして電着し
た金属膜もエッチングを受けるが、第２下地金属膜７に
比べ膜圧が十分厚いのでそのエッチング量は無視するこ
とができる。このスパッタエッチングにはアルゴン、窒
素等の不活性ガスが用いられる。
述の図１４の（８）のプロセスと同様で、第２層コイル
５ａの電着の下地となった第２下地金属膜７の除去のた
めのスパッタエッチングがシリコン基板１の全面にわた
って行われる。その際、第２層コイル５ｂとして電着し
た金属膜もエッチングを受けるが、第２下地金属膜７に
比べ膜圧が十分厚いのでそのエッチング量は無視するこ
とができる。このスパッタエッチングにはアルゴン、窒
素等の不活性ガスが用いられる。
【００４５】スパッタエッチングの終了後、図１６の
（１５）に示されるように、第２層コイル５ｂのための
保護膜６ｂが略２０μｍの厚さで成膜される。この保護
膜６ｂにはレジストまたはポリイミド等が用いられ得
る。
（１５）に示されるように、第２層コイル５ｂのための
保護膜６ｂが略２０μｍの厚さで成膜される。この保護
膜６ｂにはレジストまたはポリイミド等が用いられ得
る。
【００４６】その後、コイル５ａ（５ｂ）の端子５１
（５２）に相当する部分の層間絶縁幕６ａ（保護膜６
ｂ）がエッチングにより除去され、外部の電源回路ない
し処理回路（いずれも図示せず）との接続がこの端子部
分を介して行われる。
（５２）に相当する部分の層間絶縁幕６ａ（保護膜６
ｂ）がエッチングにより除去され、外部の電源回路ない
し処理回路（いずれも図示せず）との接続がこの端子部
分を介して行われる。
【００４７】最後に、本発明の第４実施例として、上下
２層コイル構造で、しかもコア付きのマイクロ渦流セン
サとその製造プロセスとを図１７ないし図２４を参照し
て説明する。
２層コイル構造で、しかもコア付きのマイクロ渦流セン
サとその製造プロセスとを図１７ないし図２４を参照し
て説明する。
【００４８】この第４実施例は、図１７の全体断面図お
よび図１８のコイル平面図から明らかなように、コア２
０が上下２層のコイル５ａ，５ｂの中心位置に設けられ
ている点においてのみ第３実施例と異なる。従って、重
複を避けるためにコア２０を除く他の部分の詳細な説明
は省略する。コア２０を設けることによって、コイルの
自己インダクタンスが第３実施例のものよりさらに大き
くなる。
よび図１８のコイル平面図から明らかなように、コア２
０が上下２層のコイル５ａ，５ｂの中心位置に設けられ
ている点においてのみ第３実施例と異なる。従って、重
複を避けるためにコア２０を除く他の部分の詳細な説明
は省略する。コア２０を設けることによって、コイルの
自己インダクタンスが第３実施例のものよりさらに大き
くなる。
【００４９】第４実施例の製造プロセスを図１９から図
２４に断面図で示されるプロセスチャートに従って説明
する。なお、図１９の（ロ）から図２３の（ヨ）までに
示される各プロセスは、既述の第３実施例の一連の製造
プロセス中の図１２の（２）から図１６の（１５）まで
に示される各プロセスと同じであるので、それらの説明
は省略し、図１９の（イ）のプロセスと図２４の（タ）
ないし（ソ）の各プロセスとを以下に説明する。
２４に断面図で示されるプロセスチャートに従って説明
する。なお、図１９の（ロ）から図２３の（ヨ）までに
示される各プロセスは、既述の第３実施例の一連の製造
プロセス中の図１２の（２）から図１６の（１５）まで
に示される各プロセスと同じであるので、それらの説明
は省略し、図１９の（イ）のプロセスと図２４の（タ）
ないし（ソ）の各プロセスとを以下に説明する。
【００５０】図１９の（イ）に示されるプロセスにおい
て、シリコン基板１の上にコア電着用下地金属膜３ａお
よび第１層コイル電着用の下地金属膜３がＳｉＯ2 の第
１絶縁膜２ａおよびＳｉＮの第２絶縁膜２ｂをそれぞれ
介して共に略５０００Åの厚さで成膜される。
て、シリコン基板１の上にコア電着用下地金属膜３ａお
よび第１層コイル電着用の下地金属膜３がＳｉＯ2 の第
１絶縁膜２ａおよびＳｉＮの第２絶縁膜２ｂをそれぞれ
介して共に略５０００Åの厚さで成膜される。
【００５１】その後、図１９の（ロ）から図２３の
（ヨ）までの上下２層コイル５ａ，５ｂの形成プロセス
が行われる訳であるが、この形成プロセスは図１２の
（２）から図１６の（１５）までに示した第３実施例の
上下２層コイル形成プロセスと同様であるのでその説明
を省略し、以下、コア２０の形成プロセスを図２４の
（タ）から（ソ）までを参照しながら説明することにす
る。
（ヨ）までの上下２層コイル５ａ，５ｂの形成プロセス
が行われる訳であるが、この形成プロセスは図１２の
（２）から図１６の（１５）までに示した第３実施例の
上下２層コイル形成プロセスと同様であるのでその説明
を省略し、以下、コア２０の形成プロセスを図２４の
（タ）から（ソ）までを参照しながら説明することにす
る。
【００５２】まず、図２４の（タ）に示されるように、
コア電着用の凹型を作るために、ＲＩＥなどのドライエ
ッチングを用いて第２層コイル５ｂのための保護膜６ｂ
および層間絶縁膜６ａがエッチングされ、第２絶縁膜２
ｂの表面にまで達する凹部４３ａが形成される。この時
のドライエッチングのためのガス種としては、Ｏ2 やＣ
Ｆ4 などが用いられる。
コア電着用の凹型を作るために、ＲＩＥなどのドライエ
ッチングを用いて第２層コイル５ｂのための保護膜６ｂ
および層間絶縁膜６ａがエッチングされ、第２絶縁膜２
ｂの表面にまで達する凹部４３ａが形成される。この時
のドライエッチングのためのガス種としては、Ｏ2 やＣ
Ｆ4 などが用いられる。
【００５３】続いて、第２絶縁膜２ｂがエッチングを受
けて除去され、その部分にコア電着用下地金属３ａの表
面が露出して、コア電着用の凹型４３ａが完成する。
（図２４の（レ）参照） 最後に、図２４の（ソ）に示されるように、ＦｅＮｉの
ような高透磁率の磁性材料によるコア２０の電着が保護
膜６ｂの表面の高さに達するまで行われる。
けて除去され、その部分にコア電着用下地金属３ａの表
面が露出して、コア電着用の凹型４３ａが完成する。
（図２４の（レ）参照） 最後に、図２４の（ソ）に示されるように、ＦｅＮｉの
ような高透磁率の磁性材料によるコア２０の電着が保護
膜６ｂの表面の高さに達するまで行われる。
【００５４】その後、コイル５ａ，５ｂの出力端子を露
出させるために保護膜６ｂないし層間絶縁膜６ａの適所
にＲＩＥなどのドライエッチングが施されるなお、図示
の実施例では１個のセンサの製造が示されているが、複
数個のセンサが１つのシリコン基板上に同時に製造さ
れ、個々に切り離されることは言うまでもない。以上の
説明は単に本発明の好適な実施例の例証であり、本発明
の範囲はこれに限定されることはない。
出させるために保護膜６ｂないし層間絶縁膜６ａの適所
にＲＩＥなどのドライエッチングが施されるなお、図示
の実施例では１個のセンサの製造が示されているが、複
数個のセンサが１つのシリコン基板上に同時に製造さ
れ、個々に切り離されることは言うまでもない。以上の
説明は単に本発明の好適な実施例の例証であり、本発明
の範囲はこれに限定されることはない。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、シリコンを利用したマ
イクロマシンニング技術によってアスペクト比が１以上
のコイル線にコアを組合わせたインダクタンスの大きい
コイルを有するマイクロ渦流センサの製造が可能となる
ので、微弱な磁場変化を検出し得る高感度センサを安価
な製造コストで大量に製造することができる。
イクロマシンニング技術によってアスペクト比が１以上
のコイル線にコアを組合わせたインダクタンスの大きい
コイルを有するマイクロ渦流センサの製造が可能となる
ので、微弱な磁場変化を検出し得る高感度センサを安価
な製造コストで大量に製造することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施例のコイルの平面構成を示す
ための平面図である。
ための平面図である。
【図３】本発明の第１実施例のマイクロマシニングによ
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図４】本発明の第１実施例のマイクロマシニングによ
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図５】本発明の第２実施例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第２実施例のコイルの平面構成を示す
ための平面図である。
ための平面図である。
【図７】本発明の第２ 実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図８】本発明の第２実施例のマイクロマシニングによ
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図９】本発明の第２実施例のマイクロマシニングによ
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
る製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図１０】本発明の第３実施例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第３実施例のコイルの平面構成を示
すための平面図である。
すための平面図である。
【図１２】本発明の第３実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図１３】本発明の第３実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図１４】本発明の第３実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図１５】本発明の第３実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図１６】本発明の第３実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図１７】本発明の第４実施例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１８】本発明の第４実施例のコイルの平面構成を示
すための平面図である。
すための平面図である。
【図１９】本発明の第４実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図２０】本発明の第４実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図２１】本発明の第４実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図２２】本発明の第４実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図２３】本発明の第４実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
【図２４】本発明の第４実施例のマイクロマシニングに
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
よる製造プロセスを示すプロセスチャートである。
１ シリコン基板 ２ 絶縁膜 ２ａ 第１絶縁膜 ２ｂ 第２絶縁膜 ３ 下地金属膜 ３ａ コア電着用下地金属膜 ４，４０，４１，４２ レジスト膜 ４ａ 凹部 ５ コイル ５ａ 第１層コイル ５ｂ 第２層コイル ５ｃ コンタクト ６ 保護膜 ６ａ 層間絶縁幕 ６ｂ 保護幕 ７ 第２下地金属膜 １０，２０ コア ４０ａ，４１ａ，４２ａ，４３ａ 凹部 ５１，５２ 端子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】このようなシリコンの特徴を生かして、半
導体製造技術を駆使してシリコン基板状にアルミ製の磁
界（磁束）検出用サーチコイルを形成した磁気探傷用セ
ンサが実開昭６２−１４０４４８号公報に開示されてい
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
導体製造技術を駆使してシリコン基板状にアルミ製の磁
界（磁束）検出用サーチコイルを形成した磁気探傷用セ
ンサが実開昭６２−１４０４４８号公報に開示されてい
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】その結果、実開昭６２−１４０４４８号公
報に開示のセンサは、コイルとしてシリコンウェハ（シ
リコン基板）上に絶縁膜を介して蒸着によって形成され
た線幅７μｍ、厚さ２μｍのアルミ薄膜を用いているた
めに、抵抗が１ＫΩ以上という高さになり、従ってＱ値
（インダクタンス／抵抗）の低いものになる。さらに、
コアが存在しないのでコイルのインダクタンスそのもの
が低い。このような問題点が未解決であったため、今ま
で高感度のマイクロ渦流センサが提供されていない。
報に開示のセンサは、コイルとしてシリコンウェハ（シ
リコン基板）上に絶縁膜を介して蒸着によって形成され
た線幅７μｍ、厚さ２μｍのアルミ薄膜を用いているた
めに、抵抗が１ＫΩ以上という高さになり、従ってＱ値
（インダクタンス／抵抗）の低いものになる。さらに、
コアが存在しないのでコイルのインダクタンスそのもの
が低い。このような問題点が未解決であったため、今ま
で高感度のマイクロ渦流センサが提供されていない。
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン基板上に絶縁膜層を介してマイ
クロマシンニングによって形成されたコイル手段を具備
し、該コイル手段は線幅（ｄ）に対する線の厚さ（ｈ）
の割合であるアスペクト比（ｈ／ｄ）が１以上であるコ
イルを有することを特徴とするマイクロ渦流センサ。 - 【請求項２】 前記コイル手段が前記コイルの中心位置
に高透磁性材料からなるコアを含むことを特徴とする請
求項１に記載のマイクロ渦流センサ。 - 【請求項３】 前記コイルが銅を材料とした電着によっ
て形成されることを特徴とする請求項１および２のいず
れか一方に記載のマイクロ渦流センサ。 - 【請求項４】 前記コイルが上下方向に２層またはそれ
以上の複数層に積層されて形成されていることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１項に記載のマイクロ渦
流センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130478A JPH07333199A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | マイクロ渦流センサ |
| CA002139265A CA2139265A1 (en) | 1994-06-13 | 1994-12-29 | Micro eddy current sensor |
| EP95300080A EP0687907A1 (en) | 1994-06-13 | 1995-01-06 | Micro Eddy current sensor |
| KR1019950000482A KR960003461A (ko) | 1994-06-13 | 1995-01-12 | 마이크로 와전류 센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130478A JPH07333199A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | マイクロ渦流センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333199A true JPH07333199A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15035215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130478A Withdrawn JPH07333199A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | マイクロ渦流センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0687907A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07333199A (ja) |
| KR (1) | KR960003461A (ja) |
| CA (1) | CA2139265A1 (ja) |
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| JP2005091357A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | General Electric Co <Ge> | 全方向性渦電流プローブ、アレイプローブ及び検査システム |
| JP2007078654A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Tohoku Univ | 遠隔誘導型交流電位を用いた非破壊検査装置 |
| JP2020194077A (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置 |
Families Citing this family (8)
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| DE19757575C1 (de) * | 1997-12-23 | 1999-07-15 | Siemens Ag | Elektromagnetische Untersuchungseinrichtung, geeignet für Materialuntersuchung, mit Wirbelstrommeßkopf sowie Verfahren zum Betrieb derselben |
| FI103919B1 (fi) | 1998-02-26 | 1999-10-15 | Valmet Automation Inc | Laite liikkuvan paperi- tai kartonkirainan ominaisuuksien mittaamiseksi |
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