JPH0732131B2 - エピタキシヤル成長装置用サセプタ− - Google Patents
エピタキシヤル成長装置用サセプタ−Info
- Publication number
- JPH0732131B2 JPH0732131B2 JP61137977A JP13797786A JPH0732131B2 JP H0732131 B2 JPH0732131 B2 JP H0732131B2 JP 61137977 A JP61137977 A JP 61137977A JP 13797786 A JP13797786 A JP 13797786A JP H0732131 B2 JPH0732131 B2 JP H0732131B2
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- JP
- Japan
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- susceptor
- oxide film
- epitaxial growth
- silicon carbide
- film
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造におけるエピタキシャル気相成長装
置に使用されるサセプターに関する。
置に使用されるサセプターに関する。
（従来の技術） 従来、エピタキシャル気相成長装置用サセプターとして
は、有害ガスの放出がなく、化学的、熱的に安定な黒鉛
基材に炭化珪素を被覆したものが用いられている。
は、有害ガスの放出がなく、化学的、熱的に安定な黒鉛
基材に炭化珪素を被覆したものが用いられている。
（発明が解決しようとする問題点） 通常、半導体のエピタキシャル層を得るためには、石英
ガラス製の反応管内にサセプターを置き、この上に半導
体基板を載せた後、まず、反応管内にH2ガスを流し、反
応管の外部に配設された高周波コイルによってサセプタ
ーを高温（約1100〜1200℃）に加熱する。次に、基板を
この温度に保持しながら、H2にHClを加えた混合ガスを
流して基板の表面を数ミクロン気相エッチングした後、
H2及びHClを止め、SiCl4とH2の混合ガス等の反応ガスを
流して基板上に半導体（例えばSi）をエピタキシャル成
長させている。この時、サセプター表面にもSiが蒸着さ
れてしまうので、エピタキシャル成長工程が終了するご
とにサセプターの表面に蒸着生成されたSiをH2とHClの
混合ガスを使った気相エッチングにより取除く必要があ
る。
ガラス製の反応管内にサセプターを置き、この上に半導
体基板を載せた後、まず、反応管内にH2ガスを流し、反
応管の外部に配設された高周波コイルによってサセプタ
ーを高温（約1100〜1200℃）に加熱する。次に、基板を
この温度に保持しながら、H2にHClを加えた混合ガスを
流して基板の表面を数ミクロン気相エッチングした後、
H2及びHClを止め、SiCl4とH2の混合ガス等の反応ガスを
流して基板上に半導体（例えばSi）をエピタキシャル成
長させている。この時、サセプター表面にもSiが蒸着さ
れてしまうので、エピタキシャル成長工程が終了するご
とにサセプターの表面に蒸着生成されたSiをH2とHClの
混合ガスを使った気相エッチングにより取除く必要があ
る。
しかしながら、このH2とHClの混合ガスによる気相エッ
チングによってサセプター表面のSiを除去する時に、被
覆された炭化珪素膜までエッチングされてしまい、サセ
プターの寿命を縮めるという問題がある。
チングによってサセプター表面のSiを除去する時に、被
覆された炭化珪素膜までエッチングされてしまい、サセ
プターの寿命を縮めるという問題がある。
本発明は、従来のエピタキシャル成長装置用サセプター
がもつ、以上の欠点を取り除き、ウェーハの温度コント
ロール性を確保し、炭化珪素膜又は酸化膜の亀裂又は剥
離を防止しつつ、気相エッチング用のH2及びHClの混合
ガスに対する耐食性を向上させ、かつ耐用使用回数を延
長化し得るサセプターを提供することを目的とする。
がもつ、以上の欠点を取り除き、ウェーハの温度コント
ロール性を確保し、炭化珪素膜又は酸化膜の亀裂又は剥
離を防止しつつ、気相エッチング用のH2及びHClの混合
ガスに対する耐食性を向上させ、かつ耐用使用回数を延
長化し得るサセプターを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明の前記目的は、次の構成によって達成される。即
ち、本発明は、炭素基材の表面を炭化珪素膜で被覆し、
前記炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成したエピタ
キシャル成長装置用サセプターであって、前記酸化膜の
厚さが５〜1000Åであることを特徴とするエピタキシャ
ル成長装置用サセプターによって構成される。
ち、本発明は、炭素基材の表面を炭化珪素膜で被覆し、
前記炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成したエピタ
キシャル成長装置用サセプターであって、前記酸化膜の
厚さが５〜1000Åであることを特徴とするエピタキシャ
ル成長装置用サセプターによって構成される。
（作用） 本発明のサセプターは、炭化珪素膜の表面に珪素の酸化
膜が形成されているが気相エッチング用混合ガスに対す
るサセプターの耐食性が向上し、サセプターの耐用使用
回数を延長化し得る。
膜が形成されているが気相エッチング用混合ガスに対す
るサセプターの耐食性が向上し、サセプターの耐用使用
回数を延長化し得る。
本発明のサセプターの酸化膜は、従来の炭化珪素膜を酸
化処理し、炭化珪素膜の表面にSiO2の酸化膜を形成して
もよい。
化処理し、炭化珪素膜の表面にSiO2の酸化膜を形成して
もよい。
本発明のサセプターの酸化膜の厚さは５〜1000Åである
のが好ましく、酸化膜の厚さが５Å以下では耐食性につ
いてその効果が小さく、1000Å以上ではサセプターから
の熱電導性が小さくなって、ウェーハの温度コントロー
ルが困難となる上、炭化珪素と酸化膜との熱膨張係数の
相異から炭化珪素膜又は酸化膜に亀裂又は剥離が生じ易
くなる。
のが好ましく、酸化膜の厚さが５Å以下では耐食性につ
いてその効果が小さく、1000Å以上ではサセプターから
の熱電導性が小さくなって、ウェーハの温度コントロー
ルが困難となる上、炭化珪素と酸化膜との熱膨張係数の
相異から炭化珪素膜又は酸化膜に亀裂又は剥離が生じ易
くなる。
（具体例） 本発明の具体例を、図を参照しながら説明する。
具体例１ 炭素基材１の表面に炭化珪素膜２を60μ被覆し、酸素雰
囲気下で前記膜の炭化珪素を酸化し、厚さ500Åの酸化
膜３を有するサセプターを得、ウェーハ４のエピタキシ
ャル成長工程に使用したところ、このサセプターの耐用
使用回数は加熱回数で760回であった。
囲気下で前記膜の炭化珪素を酸化し、厚さ500Åの酸化
膜３を有するサセプターを得、ウェーハ４のエピタキシ
ャル成長工程に使用したところ、このサセプターの耐用
使用回数は加熱回数で760回であった。
具体例２ 具体例１と同様にして900Åの酸化膜３を有するサセプ
ターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用
したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数
で745回であった。
ターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用
したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数
で745回であった。
具体例３ 具体例１と同様にして５Åの酸化膜３を有するサセプタ
ーを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用し
たところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数で
670回であった。
ーを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用し
たところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数で
670回であった。
具体例４ 具体例１と同様にして1000Åの酸化膜３を有するサセプ
ターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用
したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数
で740回であった。
ターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用
したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数
で740回であった。
比較例１ 具体例１と同様にして1100Åの酸化膜３を有するサセプ
ターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用
したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数
で250回であった。
ターを得、ウェーハ４のエピタキシャル成長工程に使用
したところ、このサセプターの耐用使用回数はヒート数
で250回であった。
尚、具体例１、２、３、４において、酸化膜３の厚さを
変化させたことによっては、ウェーハ４に品質上の悪い
影響は与えなかった。
変化させたことによっては、ウェーハ４に品質上の悪い
影響は与えなかった。
因みに、酸化膜３を形成しない従来のサセプターの耐用
使用回数は加熱回数で320回である。
使用回数は加熱回数で320回である。
比較例１に示すように、酸化膜の厚さが1000Åを越える
場合には、表面の酸化膜に微細な亀裂が生じ、結果とし
て、酸化膜のない従来技術よりもヒート数は短くなっ
た。
場合には、表面の酸化膜に微細な亀裂が生じ、結果とし
て、酸化膜のない従来技術よりもヒート数は短くなっ
た。
以上の結果を表にまとめると下表のようになる。
（本発明の効果） 本発明のエピタキシャル成長装置用サセプターによれ
ば、炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成するが故
に、気相エッチング用混合ガスに対するサセプターの耐
食性が向上し、サセプターの耐用使用回数を延長化し得
る。また、サセプターからの熱電導性が小さくなってウ
ェーハの温度コントロールが困難となったり、炭化珪素
と酸化膜との熱膨脹係数の相異から炭化珪素膜又は酸化
膜に亀裂又は剥離が生じ易くなることもない。
ば、炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成するが故
に、気相エッチング用混合ガスに対するサセプターの耐
食性が向上し、サセプターの耐用使用回数を延長化し得
る。また、サセプターからの熱電導性が小さくなってウ
ェーハの温度コントロールが困難となったり、炭化珪素
と酸化膜との熱膨脹係数の相異から炭化珪素膜又は酸化
膜に亀裂又は剥離が生じ易くなることもない。
図は、本発明のサセプターの部分断面斜視図である。 １……炭素基材、２……炭化珪素膜、３……酸化膜、４
……ウェーハ。
……ウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 茂男 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (56)参考文献 特開 昭52−84964（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−139466（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】炭素基材の表面を炭化珪素膜で被覆し、前
記炭化珪素膜の表面に珪素の酸化膜を形成したエピタキ
シャル成長装置用サセプターであって、前記酸化膜の厚
さが５〜1000Åであることを特徴とするエピタキシャル
成長装置用サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137977A JPH0732131B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エピタキシヤル成長装置用サセプタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61137977A JPH0732131B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エピタキシヤル成長装置用サセプタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293713A JPS62293713A (ja) | 1987-12-21 |
| JPH0732131B2 true JPH0732131B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15211164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61137977A Expired - Fee Related JPH0732131B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エピタキシヤル成長装置用サセプタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732131B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100605097B1 (ko) * | 1999-04-15 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 서셉터 |
| JP7459137B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2024-04-01 | シュンク サイカーブ テクノロジー ビー． ブイ． | 化学蒸着チャンバー物品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5284964A (en) * | 1976-01-07 | 1977-07-14 | Hitachi Ltd | Vapor phase growth method for semiconductors |
| JPS54139466A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Toshiba Corp | Vapor growth device for semiconductor substrate |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61137977A patent/JPH0732131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62293713A (ja) | 1987-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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