JPH07321007A - 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置とこれを用いたデバイス製造方法Info
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- JPH07321007A JPH07321007A JP6109696A JP10969694A JPH07321007A JP H07321007 A JPH07321007 A JP H07321007A JP 6109696 A JP6109696 A JP 6109696A JP 10969694 A JP10969694 A JP 10969694A JP H07321007 A JPH07321007 A JP H07321007A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ミラーに対するシンクロトロン放射光の位置
が変動しても、露光領域全面に渡って均一な露光量が得
られる露光装置を提供すること。 【構成】 シンクロトロン放射光１を反射するミラー２
と、ミラー２を保持して保持したミラー２を振動させる
ためのミラー駆動機構３と、ミラー２に入射するシンク
ロトロン放射光１のビーム位置を検出するＸ線位置検出
器５と、検出器５の出力を基にシンクロトロン放射光１
に対するミラー２の平均的な位置を調整する調整機構７
とを有し、ミラー駆動機構３とＸ線位置検出器５が同一
の基準台４に設置され実質的に一体化されている。
が変動しても、露光領域全面に渡って均一な露光量が得
られる露光装置を提供すること。 【構成】 シンクロトロン放射光１を反射するミラー２
と、ミラー２を保持して保持したミラー２を振動させる
ためのミラー駆動機構３と、ミラー２に入射するシンク
ロトロン放射光１のビーム位置を検出するＸ線位置検出
器５と、検出器５の出力を基にシンクロトロン放射光１
に対するミラー２の平均的な位置を調整する調整機構７
とを有し、ミラー駆動機構３とＸ線位置検出器５が同一
の基準台４に設置され実質的に一体化されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンクロトロン放射光を
用いた露光装置に関するものである。
用いた露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの回路パターンなどの微
細パターンを作成するための露光方法として、シンクロ
トロン放射光をマスク上のパターンをレジストを塗布し
たウエハに転写するＸ線露光方式が注目を浴びている。
シンクロトロンリングから放射されるシンクロトン放射
光は、垂直方向に薄いシート状のビームである。例え
ば、発光点から１０ｍ離れた位置においても放射光の垂
直方向の幅はわずか５ｍｍ程度であり、露光領域（２５
〜３０ｍｍ）に比べ小さい。そのため、シート状のビー
ムをＸ線ミラーで反射し、ミラーを振動（スキャン）す
ることによって露光領域上でビームを走査し、垂直方向
の照射領域を実質的に拡大する方式が提案されている。
細パターンを作成するための露光方法として、シンクロ
トロン放射光をマスク上のパターンをレジストを塗布し
たウエハに転写するＸ線露光方式が注目を浴びている。
シンクロトロンリングから放射されるシンクロトン放射
光は、垂直方向に薄いシート状のビームである。例え
ば、発光点から１０ｍ離れた位置においても放射光の垂
直方向の幅はわずか５ｍｍ程度であり、露光領域（２５
〜３０ｍｍ）に比べ小さい。そのため、シート状のビー
ムをＸ線ミラーで反射し、ミラーを振動（スキャン）す
ることによって露光領域上でビームを走査し、垂直方向
の照射領域を実質的に拡大する方式が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】ところが、何らか
の要因でミラーに対する入射ビームの位置変動が生じる
と、スキャンされた反射光の光路が変化し、露光精度に
悪影響を及ぼす。これを解決するためには、ミラーと入
射ビームとの相対位置ずれを検出してこれを補正する必
要があるが、ミラーが常に振動しているので、相対位置
ずれを検出することが難しい。
の要因でミラーに対する入射ビームの位置変動が生じる
と、スキャンされた反射光の光路が変化し、露光精度に
悪影響を及ぼす。これを解決するためには、ミラーと入
射ビームとの相対位置ずれを検出してこれを補正する必
要があるが、ミラーが常に振動しているので、相対位置
ずれを検出することが難しい。
【０００４】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
ので、振動するミラーと入射ビームとの相対的な位置関
係を精度よく検出して補正することにより、精度の高い
露光を可能にする露光装置や、これを用いたデバイス製
造方法を提供することを目的とする。
ので、振動するミラーと入射ビームとの相対的な位置関
係を精度よく検出して補正することにより、精度の高い
露光を可能にする露光装置や、これを用いたデバイス製
造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
する本発明は、シンクロトロン放射光を用いて露光を行
う露光装置において、シンクロトロン放射光を反射する
ミラーと、該ミラーを保持し保持したミラーを振動させ
るための駆動機構と、該ミラーに入射するシンクロトロ
ン放射光のビーム位置を検出する検出器と、該検出器の
出力を基に前記シンクロトロン放射光に対するミラー位
置を調整する調整機構とを有し、前記駆動機構と前記検
出器を同一の基準台に設置したことを特徴とする。
する本発明は、シンクロトロン放射光を用いて露光を行
う露光装置において、シンクロトロン放射光を反射する
ミラーと、該ミラーを保持し保持したミラーを振動させ
るための駆動機構と、該ミラーに入射するシンクロトロ
ン放射光のビーム位置を検出する検出器と、該検出器の
出力を基に前記シンクロトロン放射光に対するミラー位
置を調整する調整機構とを有し、前記駆動機構と前記検
出器を同一の基準台に設置したことを特徴とする。
【０００６】本発明では、シンクロトロン放射光に対す
る振動ミラーの位置を２つの成分に分離して考えること
を特徴とする。第１の成分は、振動ミラーの平均位置で
あり、これは露光中にビームが床に対して静止している
とき、振動の一周期中におけるミラーとビームの相対的
な平均位置と平均的な姿勢を指す。例えば、回転軸の回
りにミラーを回転させ視射角を露光中に１０ｍｒａｄか
ら２０ｍｒａｄまで等角速度で一往復させる場合、ミラ
ーの平均位置は視射角１５ｍｒａｄのときのミラー位置
を指す。第２の成分は、ミラーの振動に伴って変化する
実位置であり、ミラー振動によって時々刻々と変わる入
射ビームに対するミラーの相対的な位置と姿勢である。
る振動ミラーの位置を２つの成分に分離して考えること
を特徴とする。第１の成分は、振動ミラーの平均位置で
あり、これは露光中にビームが床に対して静止している
とき、振動の一周期中におけるミラーとビームの相対的
な平均位置と平均的な姿勢を指す。例えば、回転軸の回
りにミラーを回転させ視射角を露光中に１０ｍｒａｄか
ら２０ｍｒａｄまで等角速度で一往復させる場合、ミラ
ーの平均位置は視射角１５ｍｒａｄのときのミラー位置
を指す。第２の成分は、ミラーの振動に伴って変化する
実位置であり、ミラー振動によって時々刻々と変わる入
射ビームに対するミラーの相対的な位置と姿勢である。
【０００７】所望の駆動速度でミラーの振動が行なわれ
ている場合、露光量変動の原因となるのはミラーの平均
位置である。そこで本発明では、ミラーの駆動機構とビ
ーム位置検出器を同一の基準台に設置して、検出器の出
力に基づいてミラーの平均位置を常に一定に保つように
基準台を移動させるようにした。
ている場合、露光量変動の原因となるのはミラーの平均
位置である。そこで本発明では、ミラーの駆動機構とビ
ーム位置検出器を同一の基準台に設置して、検出器の出
力に基づいてミラーの平均位置を常に一定に保つように
基準台を移動させるようにした。
【０００８】
＜実施例１＞図１に本発明の第一の実施例を示す。１は
シンクロトロンリングから放射されたシート状のシンク
ロトロン放射光で、ビームポートを通じて導かれる。２
は導かれた放射光を反射するためのミラーであり、凸形
状を曲面有しているが平面ミラーであってもよい。３は
シート状の放射光を拡大するためにミラー２を振動（ス
キャン）するためのミラー駆動機構であり、ピエゾ素子
やリニアモータなどで構成される。４はミラー駆動機構
３を保持する基準台である。５はシンクロトロン放射光
のビーム位置を検出するためのＸ線位置検出器であり、
これも基準台４に設置されている。これにより、ミラー
駆動機構３とＸ線位置検出器５は実質的に一体化され、
両者の間で相対的な変位が起きないようになっている。
また、ミラー２とＸ線位置検出器５とはミラー駆動機構
３によって相対的な位置関係が変えられるようになって
いる。６はミラー２とＸ線位置検出器５と基準台４を収
納し、内部が超高真空に保たれたミラーチャンバ、７は
ミラーチャンバ６の姿勢を床１４に対して位置調整する
ための駆動機構を備えたミラーチャンバ保持機構、８は
Ｘ線位置検出器５からの出力信号を処理し、入射する放
射光の位置を算出する演算装置、９は演算装置８からの
信号を受けてミラーチャンバ保持機構７を駆動するため
の制御装置である。また、１０はＸ線マスク、１１はウ
エハであり、両者はＨｅ等のＸ線透過率の高い気体で満
たされた露光チャンバ１２の中で近接して保持される。
１３はミラーチャンバ側の超高真空と露光チャンバ側の
Ｈｅ雰囲気とを隔絶するための、Ｂｅ等でできているＸ
線取出窓である。
シンクロトロンリングから放射されたシート状のシンク
ロトロン放射光で、ビームポートを通じて導かれる。２
は導かれた放射光を反射するためのミラーであり、凸形
状を曲面有しているが平面ミラーであってもよい。３は
シート状の放射光を拡大するためにミラー２を振動（ス
キャン）するためのミラー駆動機構であり、ピエゾ素子
やリニアモータなどで構成される。４はミラー駆動機構
３を保持する基準台である。５はシンクロトロン放射光
のビーム位置を検出するためのＸ線位置検出器であり、
これも基準台４に設置されている。これにより、ミラー
駆動機構３とＸ線位置検出器５は実質的に一体化され、
両者の間で相対的な変位が起きないようになっている。
また、ミラー２とＸ線位置検出器５とはミラー駆動機構
３によって相対的な位置関係が変えられるようになって
いる。６はミラー２とＸ線位置検出器５と基準台４を収
納し、内部が超高真空に保たれたミラーチャンバ、７は
ミラーチャンバ６の姿勢を床１４に対して位置調整する
ための駆動機構を備えたミラーチャンバ保持機構、８は
Ｘ線位置検出器５からの出力信号を処理し、入射する放
射光の位置を算出する演算装置、９は演算装置８からの
信号を受けてミラーチャンバ保持機構７を駆動するため
の制御装置である。また、１０はＸ線マスク、１１はウ
エハであり、両者はＨｅ等のＸ線透過率の高い気体で満
たされた露光チャンバ１２の中で近接して保持される。
１３はミラーチャンバ側の超高真空と露光チャンバ側の
Ｈｅ雰囲気とを隔絶するための、Ｂｅ等でできているＸ
線取出窓である。
【０００９】図１の装置を放射光１の入射側から見た図
を図２に示す。放射光１がミラー２に照射されるのを妨
げないように、Ｘ線位置検出器５はミラー２の横に取り
付けられている。Ｘ線位置検出器５は２分割の受光素子
からなり、上下に２個の受光素子５ａ、５ｂが配設され
ている。
を図２に示す。放射光１がミラー２に照射されるのを妨
げないように、Ｘ線位置検出器５はミラー２の横に取り
付けられている。Ｘ線位置検出器５は２分割の受光素子
からなり、上下に２個の受光素子５ａ、５ｂが配設され
ている。
【００１０】上記の構成において、ミラー２で反射され
たビームがマスク１０上を垂直方向に走査するように、
ミラー駆動機構３によってミラー２を上下方向に振動さ
せる。ここで、ミラー２の実位置をｙ、そのときの移動
速度をｖ（ｙ）とし、ミラー２の実位置がｙの時のマス
ク１０上の位置ｙ′でのＸ線照射強度をＰ（ｙ′，ｙ）
とすると、位置ｙ′の露光量Ｄ（ｙ′）は、 Ｄ（ｙ′）＝ ∫ Ｐ（ｙ′，ｙ）／ｖ（ｙ） ｄｙ となる。よって露光量Ｄ（ｙ′）がｙ′によらず一定と
なるようにミラーの移動速度ｖ（ｙ）を決定すれば、露
光領域全体に渡って均一な露光量が得られる。
たビームがマスク１０上を垂直方向に走査するように、
ミラー駆動機構３によってミラー２を上下方向に振動さ
せる。ここで、ミラー２の実位置をｙ、そのときの移動
速度をｖ（ｙ）とし、ミラー２の実位置がｙの時のマス
ク１０上の位置ｙ′でのＸ線照射強度をＰ（ｙ′，ｙ）
とすると、位置ｙ′の露光量Ｄ（ｙ′）は、 Ｄ（ｙ′）＝ ∫ Ｐ（ｙ′，ｙ）／ｖ（ｙ） ｄｙ となる。よって露光量Ｄ（ｙ′）がｙ′によらず一定と
なるようにミラーの移動速度ｖ（ｙ）を決定すれば、露
光領域全体に渡って均一な露光量が得られる。
【００１１】ミラー２を上下に移動した際に、マスク１
０の面上に照射されるビームの強度分布移動の様子を図
３に示す。図中の強度分布ＰnはＰ（ｙ′，ｙn）を示
し、ミラー２の実位置がｙnの時の強度分布を示す。こ
の図から分かるように、ミラー２の実位置の移動に伴い
マスク面上に照射されるＸ線光束は強度を変化させなが
ら移動する。
０の面上に照射されるビームの強度分布移動の様子を図
３に示す。図中の強度分布ＰnはＰ（ｙ′，ｙn）を示
し、ミラー２の実位置がｙnの時の強度分布を示す。こ
の図から分かるように、ミラー２の実位置の移動に伴い
マスク面上に照射されるＸ線光束は強度を変化させなが
ら移動する。
【００１２】ミラー２の実位置がｙ1寄り（図１の鉛直
方向の下方寄り）のときは、視射角（放射光１とミラー
２の入射面が作る角度）が大きいため反射率が小さく、
マスク上の照射光の強度も小さい。逆にミラー２の実位
置がｙ6の寄り（図１の鉛直方向の上方寄り）のとき
は、視射角が小さいため反射率が大きく、マスク上の照
射光の強度も大きい。したがって、上式から分かるよう
に、ミラーの実位置ｙが小さい時はミラーの速度ｖ
（ｙ）を小さく、ミラーの実位置ｙが大きい時はミラー
の速度ｖ（ｙ）を大きくなるように駆動すれば、位置
ｙ′によらずマスク面上で一定の露光量が得られる。露
光領域をｙ′1からｙ′2とし、この範囲で均一な値とな
るようにして得られた露光量Ｄを図３に一点鎖線で示し
た。また、強度分布の包絡線を破線で示すが、不連続点
のない滑らかな曲線となる。
方向の下方寄り）のときは、視射角（放射光１とミラー
２の入射面が作る角度）が大きいため反射率が小さく、
マスク上の照射光の強度も小さい。逆にミラー２の実位
置がｙ6の寄り（図１の鉛直方向の上方寄り）のとき
は、視射角が小さいため反射率が大きく、マスク上の照
射光の強度も大きい。したがって、上式から分かるよう
に、ミラーの実位置ｙが小さい時はミラーの速度ｖ
（ｙ）を小さく、ミラーの実位置ｙが大きい時はミラー
の速度ｖ（ｙ）を大きくなるように駆動すれば、位置
ｙ′によらずマスク面上で一定の露光量が得られる。露
光領域をｙ′1からｙ′2とし、この範囲で均一な値とな
るようにして得られた露光量Ｄを図３に一点鎖線で示し
た。また、強度分布の包絡線を破線で示すが、不連続点
のない滑らかな曲線となる。
【００１３】ところが、露光中に何らかの要因でミラー
２の平均位置がΔｙだけ変化したとすると、包絡線に段
差が生じる。図４に放射光の位置が鉛直上方に変化した
場合、すなわちミラーの平均位置がｙ3の時に ｙ3→ｙ
3＋Δｙ と変化した場合を示した。変化後の強度分布
Ｐ（ｙ′，ｙ3＋Δｙ）は元の強度分布Ｐ（ｙ′，ｙ3）
に対して、 Ｐ（ｙ′，ｙ3）＜Ｐ（ｙ′，ｙ3＋Δｙ） であり、ミラー２を前述のようにして求めた速度Ｖ
（ｙ）で移動させると、図４の破線で示すようにマスク
面上の露光量Ｄは不均一となってしまう。
２の平均位置がΔｙだけ変化したとすると、包絡線に段
差が生じる。図４に放射光の位置が鉛直上方に変化した
場合、すなわちミラーの平均位置がｙ3の時に ｙ3→ｙ
3＋Δｙ と変化した場合を示した。変化後の強度分布
Ｐ（ｙ′，ｙ3＋Δｙ）は元の強度分布Ｐ（ｙ′，ｙ3）
に対して、 Ｐ（ｙ′，ｙ3）＜Ｐ（ｙ′，ｙ3＋Δｙ） であり、ミラー２を前述のようにして求めた速度Ｖ
（ｙ）で移動させると、図４の破線で示すようにマスク
面上の露光量Ｄは不均一となってしまう。
【００１４】これに対処するため本実施例では、Ｘ線位
置検出器５によって放射光１とミラー２の反射面の平均
的な相対位置関係（ミラー２の平均位置）を常時測定し
ている。具体的には、Ｘ線検出器５の２つの受光素子５
ａ、５ｂの出力をそれぞれＩａ、Ｉｂとし、 Ｉ＝（Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ） を演算装置８で計算して求め、Ｉの変動によってミラー
２の平均位置の変化を得ている。そして、演算装置８で
ミラー２の平均位置の変化が検出されたら、直ちに制御
装置９によってチャンバ保持機構７を駆動して、変化量
に相当するΔｙ0だけ移動させ補正している。すると強
度分布はＰ（ｙ′，ｙ3＋Δｙ ＋Δｙ0）となるので、
Δｙ0＝−Δｙとなるようにミラーチャンバ６を駆動す
れば、露光量Ｄはマスク面上の位置ｙ′にかかわらず均
一となる。図５はこの補正した結果を示したものであ
る。
置検出器５によって放射光１とミラー２の反射面の平均
的な相対位置関係（ミラー２の平均位置）を常時測定し
ている。具体的には、Ｘ線検出器５の２つの受光素子５
ａ、５ｂの出力をそれぞれＩａ、Ｉｂとし、 Ｉ＝（Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ） を演算装置８で計算して求め、Ｉの変動によってミラー
２の平均位置の変化を得ている。そして、演算装置８で
ミラー２の平均位置の変化が検出されたら、直ちに制御
装置９によってチャンバ保持機構７を駆動して、変化量
に相当するΔｙ0だけ移動させ補正している。すると強
度分布はＰ（ｙ′，ｙ3＋Δｙ ＋Δｙ0）となるので、
Δｙ0＝−Δｙとなるようにミラーチャンバ６を駆動す
れば、露光量Ｄはマスク面上の位置ｙ′にかかわらず均
一となる。図５はこの補正した結果を示したものであ
る。
【００１５】＜実施例２＞図６は第２の実施例の構成図
であり、先の図１と同一の符号は同一の部材を示す。本
実施例では、シンクロトロン放射光１に対するミラー２
の相対位置を調整するための調整機構として、ミラーチ
ャンバ６の内部に駆動機構１５を設け、これによって基
準台４を保持している。そして、検出器５の検出出力に
基づいて駆動機構１５によって基準台４を変位させる。
また、上記実施例と違って、ミラーチャンバ保持装置７
には駆動機構を設けず、床１４に対してミラーチャンバ
は常に固定している。
であり、先の図１と同一の符号は同一の部材を示す。本
実施例では、シンクロトロン放射光１に対するミラー２
の相対位置を調整するための調整機構として、ミラーチ
ャンバ６の内部に駆動機構１５を設け、これによって基
準台４を保持している。そして、検出器５の検出出力に
基づいて駆動機構１５によって基準台４を変位させる。
また、上記実施例と違って、ミラーチャンバ保持装置７
には駆動機構を設けず、床１４に対してミラーチャンバ
は常に固定している。
【００１６】＜実施例３＞図７は第３の実施例の構成図
であり、シンクロトロン放射光を走査するのに２枚ミラ
ー系とした例である。第１ミラー２ａは水平方向のＸ線
を集光できるようにトロイダル形状を成し、第２ミラー
２ｂが揺動し領域を拡大する。
であり、シンクロトロン放射光を走査するのに２枚ミラ
ー系とした例である。第１ミラー２ａは水平方向のＸ線
を集光できるようにトロイダル形状を成し、第２ミラー
２ｂが揺動し領域を拡大する。
【００１７】Ｘ線位置検出器５の検出に基づいて、演算
装置８は第１ミラー２ａに入射する放射光の平均位置を
測定し、平均位置がΔｙ変動した場合、駆動装置９によ
るミラー振動制御にΔｙ分のオフセットを与えるように
チャンバ保持機構７を駆動し、入射する放射光に対する
ミラーの平均位置を一定に保つようにする。
装置８は第１ミラー２ａに入射する放射光の平均位置を
測定し、平均位置がΔｙ変動した場合、駆動装置９によ
るミラー振動制御にΔｙ分のオフセットを与えるように
チャンバ保持機構７を駆動し、入射する放射光に対する
ミラーの平均位置を一定に保つようにする。
【００１８】なお、必ずしも第１ミラー２ａの手前で放
射光位置を測定する必要はなく、第１ミラー２ａと第２
ミラー２ｂの間で放射光位置を測定するようにしても良
い。さらに、第１と第２ミラーの両方に入射する放射光
の位置を測定するようにしても良い。
射光位置を測定する必要はなく、第１ミラー２ａと第２
ミラー２ｂの間で放射光位置を測定するようにしても良
い。さらに、第１と第２ミラーの両方に入射する放射光
の位置を測定するようにしても良い。
【００１９】＜実施例４＞図８は第４の実施例の構成図
である。本実施例では、ミラー２を振動させるためのミ
ラー駆動装置３が、ミラー２の平均位置の補正も兼ねる
ようにしたことを特徴とする。先の実施例のような基準
台は設けていないが、Ｘ線位置検出器５とミラー駆動機
構３は共にミラーチャンバ６に内部に固定され、実質的
に両者は一体化されている。
である。本実施例では、ミラー２を振動させるためのミ
ラー駆動装置３が、ミラー２の平均位置の補正も兼ねる
ようにしたことを特徴とする。先の実施例のような基準
台は設けていないが、Ｘ線位置検出器５とミラー駆動機
構３は共にミラーチャンバ６に内部に固定され、実質的
に両者は一体化されている。
【００２０】ここで、チャンバ６を基準にした（言い換
えれば、床１４を基準にした）放射光１の絶対位置をｙ
s、ミラー２の絶対位置をｙ″とし、さらにミラー２の
駆動速度は絶対位置のｙ″の関数Ｖ（ｙ″）として以下
説明する。
えれば、床１４を基準にした）放射光１の絶対位置をｙ
s、ミラー２の絶対位置をｙ″とし、さらにミラー２の
駆動速度は絶対位置のｙ″の関数Ｖ（ｙ″）として以下
説明する。
【００２１】露光中にＸ線位置検出器５によってｙsと
測定していた放射光の位置が、時刻ｔにｙs＋Δｙと変
化したと検出されたならば、ミラー２の平均位置（放射
光とミラーの相対的な位置）がｙ−Δｙに変化したこと
を意味する。そのままであると、先の図４で示したよう
な露光ムラを生じてしまうので、ミラー２の絶対位置を
直ちにΔｙ0だけ移動する。Δｙ0＝Δｙとすることによ
ってミラーの平均位置を一定に保つことができる。
測定していた放射光の位置が、時刻ｔにｙs＋Δｙと変
化したと検出されたならば、ミラー２の平均位置（放射
光とミラーの相対的な位置）がｙ−Δｙに変化したこと
を意味する。そのままであると、先の図４で示したよう
な露光ムラを生じてしまうので、ミラー２の絶対位置を
直ちにΔｙ0だけ移動する。Δｙ0＝Δｙとすることによ
ってミラーの平均位置を一定に保つことができる。
【００２２】これをミラー駆動装置３側から見ると、は
じめ絶対位置ｙ″1を中心として速度Ｖ（ｙ″）で駆動
していたミラー２を、時刻ｔでの変動後はΔｙのオフセ
ットが与えられて絶対位置ｙ″1＋Δｙを中心とし速度
Ｖ（ｙ″＋Δｙ）で駆動することになる。
じめ絶対位置ｙ″1を中心として速度Ｖ（ｙ″）で駆動
していたミラー２を、時刻ｔでの変動後はΔｙのオフセ
ットが与えられて絶対位置ｙ″1＋Δｙを中心とし速度
Ｖ（ｙ″＋Δｙ）で駆動することになる。
【００２３】＜変形例＞なお、以上説明してきた実施例
では、凸面ミラーを上下に平行振動して走査を行う方式
の例を示したが、凹面又は凸面ミラーを回転振動させる
方式、あるいは平面ミラーを上下又は回転振動させる方
式など、さまざまなミラー振動方式に適用することがで
きる。さらに、ミラー面の微小な形状誤差や傷などにに
よる露光量ムラを緩和するためにミラーを微小に振動さ
せる方式にも適用することができる。
では、凸面ミラーを上下に平行振動して走査を行う方式
の例を示したが、凹面又は凸面ミラーを回転振動させる
方式、あるいは平面ミラーを上下又は回転振動させる方
式など、さまざまなミラー振動方式に適用することがで
きる。さらに、ミラー面の微小な形状誤差や傷などにに
よる露光量ムラを緩和するためにミラーを微小に振動さ
せる方式にも適用することができる。
【００２４】ミラーを回転振動させるための機構の例と
しては、一軸を中心にモータやピエゾ素子によって回転
振動を与える構成、あるいはミラーを複数個のリニアア
クチュエータで保持し、各アクチュエータによる駆動の
位相をずらして回転運動を与える構成などが挙げられ
る。
しては、一軸を中心にモータやピエゾ素子によって回転
振動を与える構成、あるいはミラーを複数個のリニアア
クチュエータで保持し、各アクチュエータによる駆動の
位相をずらして回転運動を与える構成などが挙げられ
る。
【００２５】＜実施例５＞次に上記説明した露光装置を
利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図９
は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶
パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）
の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半
導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク
製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製
作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン
等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエ
ハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工
程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）
ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。
利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図９
は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶
パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）
の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半
導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク
製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製
作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン
等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエ
ハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に
実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は
後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工
程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）
ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。
【００２６】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の露光装置によれば、ミラーに対
するシンクロトロン放射光の位置が変動しても、露光領
域全面に渡って均一な露光量が得られ高精度な露光が可
能となる。また、この露光装置を用いてデバイスを製造
すれば、従来よりも高集積度のデバイスを製造すること
ができる。
するシンクロトロン放射光の位置が変動しても、露光領
域全面に渡って均一な露光量が得られ高精度な露光が可
能となる。また、この露光装置を用いてデバイスを製造
すれば、従来よりも高集積度のデバイスを製造すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の露光装置の構成図であ
る。
る。
【図２】図１の装置を側面から見た図である。
【図３】露光領域での照射強度分布と露光量を説明する
ための図である。
ための図である。
【図４】露光領域での照射強度分布と露光量を説明する
ための図である。
ための図である。
【図５】露光領域での照射強度分布と露光量を説明する
ための図である。
ための図である。
【図６】第２実施例の露光装置の構成図である。
【図７】第３実施例の露光装置の構成図である。
【図８】第４実施例の露光装置の構成図である。
【図９】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図１０】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ シンクロトロン放射光 ２ Ｘ線ミラー ３ ミラー駆動機構 ４ 基準台 ５ Ｘ線位置検出器 ６ ミラーチャンバ ７ チャンバ保持機構 ８ 演算装置 ９ 制御装置 １０ Ｘ線マスク １１ ウエハ １２ 露光チャンバ １３ Ｘ線取り出し窓 １４ 床 １５ ミラー駆動機構
Claims (7)
- 【請求項１】 シンクロトロン放射光を用いて露光を行
う露光装置において、 シンクロトロン放射光を反射するミラーと、 該ミラーを保持し、保持したミラーを振動させるための
駆動機構と、 該ミラーに入射するシンクロトロン放射光のビーム位置
を検出する検出器と、 該検出器の出力を基に、前記シンクロトロン放射光に対
するミラー位置を調整する調整機構とを有し、 前記駆動機構と前記検出器を同一の基準台に設置したこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 調整機構は基準台を床に対して変位させ
る機構を有することを特徴とする請求項１記載の露光装
置。 - 【請求項３】 ミラーと駆動機構を有するチャンバを有
することを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項４】 調整機構はチャンバを床に対して変位さ
せる機構を有することを特徴とする請求項３記載の露光
装置。 - 【請求項５】 調整機構は基準台をチャンバに対して変
位させる機構を有することを特徴とする請求項３記載の
露光装置。 - 【請求項６】 シンクロトロン放射光を用いて露光を行
う露光装置において、 シンクロトロン放射光を反射するミラーと、 該ミラーに入射するシンクロトロン放射光のビーム位置
を検出する検出器と、 該検出器の出力を基に、前記シンクロトロン放射光に対
するミラー位置を調整する第１駆動機構と、 前記ミラーと前記検出器との相対的な位置関係を変化さ
せる第２駆動機構と、を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか記載の露光装
置を用いて露光を行う工程を有することを特徴とするデ
バイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10969694A JP3167077B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法 |
| US08/963,874 US5835560A (en) | 1994-05-24 | 1997-11-04 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10969694A JP3167077B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321007A true JPH07321007A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3167077B2 JP3167077B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=14516890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10969694A Expired - Fee Related JP3167077B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3167077B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618146B1 (en) | 1999-09-28 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillation mechanism in exposure apparatus |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10969694A patent/JP3167077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618146B1 (en) | 1999-09-28 | 2003-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Oscillation mechanism in exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3167077B2 (ja) | 2001-05-14 |
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