JPH07320676A - 荷電粒子ビーム加工方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム加工方法Info
- Publication number
- JPH07320676A JPH07320676A JP10885894A JP10885894A JPH07320676A JP H07320676 A JPH07320676 A JP H07320676A JP 10885894 A JP10885894 A JP 10885894A JP 10885894 A JP10885894 A JP 10885894A JP H07320676 A JPH07320676 A JP H07320676A
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- Japan
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- blanking
- scanning
- processing
- charged particle
- particle beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッジ部の加工だれを発生させず、シャープ
な加工断面を得る。 【構成】 イオン銃１からのイオンビームは集束レンズ
２及び対物レンズ４により材料上に集束する。ショット
位置信号発生回路７はＸ方向ショット位置信号をＸ方向
偏向電極５Ｘに、Ｙ方向ショット位置信号をＹ方向偏向
電極５Ｙに夫々供給し、これと同期してブランキングタ
イミング信号発生回路１０はブランキングタイミング信
号をプラスブランキング電圧信号発生回路１１ａとマイ
ナスブランキング電圧信号発生回路１１ｂに送り、プラ
スブランキング電圧信号、マイナスブランキング電圧信
号を発生させる。又、同様にこれと同期してブランキン
グ極性コントロール信号発生回路１３からのブランキン
グ極性コントロール信号により、スイッチＳ1 ，Ｓ2 が
夫々ｂ1 ，ａ2 、ａ1 ，ｂ2 、ｂ1 ，ａ2 、ａ1 ，ｂ2
………とスイッチングする。
な加工断面を得る。 【構成】 イオン銃１からのイオンビームは集束レンズ
２及び対物レンズ４により材料上に集束する。ショット
位置信号発生回路７はＸ方向ショット位置信号をＸ方向
偏向電極５Ｘに、Ｙ方向ショット位置信号をＹ方向偏向
電極５Ｙに夫々供給し、これと同期してブランキングタ
イミング信号発生回路１０はブランキングタイミング信
号をプラスブランキング電圧信号発生回路１１ａとマイ
ナスブランキング電圧信号発生回路１１ｂに送り、プラ
スブランキング電圧信号、マイナスブランキング電圧信
号を発生させる。又、同様にこれと同期してブランキン
グ極性コントロール信号発生回路１３からのブランキン
グ極性コントロール信号により、スイッチＳ1 ，Ｓ2 が
夫々ｂ1 ，ａ2 、ａ1 ，ｂ2 、ｂ1 ，ａ2 、ａ1 ，ｂ2
………とスイッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は加工精度を高くした荷
電粒子ビーム加工方法に関する。
電粒子ビーム加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 材料上に形成されたＩＣパターンを検
査する場合、ＩＣパターンが形成された材料の所定領域
を削って穴を形成し、該穴の側面や底面を観察する事が
行われている。
査する場合、ＩＣパターンが形成された材料の所定領域
を削って穴を形成し、該穴の側面や底面を観察する事が
行われている。
【０００３】図４は、例えば、ＩＣパターンが形成され
た材料の所定領域を削って穴を形成する為のイオンビー
ム加工装置の概略を示したものである。図中１はイオン
銃、２は該イオン銃からのイオンビームを材料３の上方
に設けられた対物レンズ４と共に材料上に集束させる為
の集束レンズである。５は制御装置６からの指令により
作動するショット位置信号発生回路７からのショット位
置信号に基づいてイオン銃１からのイオンビームを材料
上の所定位置にショットする為の偏向電極で、図では一
方の方向の偏向電極のみ示したが、実際にはＸ方向とＹ
方向に夫々１対（５Ｘ，５Ｙ）設けられている。８ａ，
８ｂは一方方向（例えば、Ｘ方向）に１対設けられたブ
ランキング用偏向電極、９はブランキング用アパーチャ
プレートで、前記各ブランキング用偏向電極には、前記
制御装置６からの指令により作動するブランキングタイ
ミング信号発生回路１０からのブランキングタイミング
信号によりプラスブランキング電圧信号を発生するプラ
スブランキング電圧信号発生回路１１ａからプラスブラ
ンキング電圧信号が、マイナスブランキング電圧信号を
発生するマイナスブランキング電圧信号発生回路１１ｂ
からマイナスブランキング電圧信号が供給される。
た材料の所定領域を削って穴を形成する為のイオンビー
ム加工装置の概略を示したものである。図中１はイオン
銃、２は該イオン銃からのイオンビームを材料３の上方
に設けられた対物レンズ４と共に材料上に集束させる為
の集束レンズである。５は制御装置６からの指令により
作動するショット位置信号発生回路７からのショット位
置信号に基づいてイオン銃１からのイオンビームを材料
上の所定位置にショットする為の偏向電極で、図では一
方の方向の偏向電極のみ示したが、実際にはＸ方向とＹ
方向に夫々１対（５Ｘ，５Ｙ）設けられている。８ａ，
８ｂは一方方向（例えば、Ｘ方向）に１対設けられたブ
ランキング用偏向電極、９はブランキング用アパーチャ
プレートで、前記各ブランキング用偏向電極には、前記
制御装置６からの指令により作動するブランキングタイ
ミング信号発生回路１０からのブランキングタイミング
信号によりプラスブランキング電圧信号を発生するプラ
スブランキング電圧信号発生回路１１ａからプラスブラ
ンキング電圧信号が、マイナスブランキング電圧信号を
発生するマイナスブランキング電圧信号発生回路１１ｂ
からマイナスブランキング電圧信号が供給される。
【０００４】この様な構成のイオンビーム加工装置の動
作は次の通りである。
作は次の通りである。
【０００５】イオン銃１からのイオンビームは集束レン
ズ２及び対物レンズ４により材料上に集束する。この
時、制御装置６の指令に基づいてショット位置信号発生
回路７は図２（ａ）に示す如きＸ方向ショット位置信号
を発生してＸ方向偏向電極５Ｘに、（ｂ）に示す如きＹ
方向ショット位置信号を発生してＹ方向偏向電極５Ｙに
夫々供給し、これと同期して前記制御装置６からの指令
に基づいてブランキングタイミング信号発生回路１０は
ブランキングタイミング信号をプラスブランキング電圧
信号発生回路１１ａとマイナスブランキング電圧信号発
生回路１１ｂに送り、図２（ｃ）、（ｄ）に示す如きプ
ラスブランキング電圧信号、マイナスブランキング電圧
信号を発生させて、夫々をブランキング用偏向電極８
ａ、８ｂに供給させる。この様な信号の供給により、材
料３上で集束されたイオンビームは材料上の所定領域、
例えば、図５（ａ）に示した領域Ｒ内を左から右に、右
から左に順次繰返してＸ方向に走査し、該各走査の都
度、該走査方向に垂直な方向（例えばＹ方向）に僅かず
つずれるので、該領域内の物質がイオンビームによるシ
ョットで飛ばされ該領域に適宜深さの穴が形成される。
ズ２及び対物レンズ４により材料上に集束する。この
時、制御装置６の指令に基づいてショット位置信号発生
回路７は図２（ａ）に示す如きＸ方向ショット位置信号
を発生してＸ方向偏向電極５Ｘに、（ｂ）に示す如きＹ
方向ショット位置信号を発生してＹ方向偏向電極５Ｙに
夫々供給し、これと同期して前記制御装置６からの指令
に基づいてブランキングタイミング信号発生回路１０は
ブランキングタイミング信号をプラスブランキング電圧
信号発生回路１１ａとマイナスブランキング電圧信号発
生回路１１ｂに送り、図２（ｃ）、（ｄ）に示す如きプ
ラスブランキング電圧信号、マイナスブランキング電圧
信号を発生させて、夫々をブランキング用偏向電極８
ａ、８ｂに供給させる。この様な信号の供給により、材
料３上で集束されたイオンビームは材料上の所定領域、
例えば、図５（ａ）に示した領域Ｒ内を左から右に、右
から左に順次繰返してＸ方向に走査し、該各走査の都
度、該走査方向に垂直な方向（例えばＹ方向）に僅かず
つずれるので、該領域内の物質がイオンビームによるシ
ョットで飛ばされ該領域に適宜深さの穴が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 さて、走査中はブラ
ンキングが掛からず（ブランキング用偏向電極８ａ、８
ｂへの電圧が０Ｖとなる）、ビームはブランキング用ア
パーチャプレート９を通過し、各走査間にブランキング
が掛る（ブランキング用偏向電極８ａ、８ｂへの電圧が
夫々＋ＰＶ，−ＰＶとなる）ので、イオンビームが大き
く偏向されて、ブランキング用アパーチャプレート９を
通過出来ない。このブランキングが掛かる時、何れの走
査間（左から右に走査した後右から左への走査に入る
間、及び右から左に走査した後左から右への走査に入る
間）においても、同じ方向（Ｘ方向）にしかビームは偏
向されない。
ンキングが掛からず（ブランキング用偏向電極８ａ、８
ｂへの電圧が０Ｖとなる）、ビームはブランキング用ア
パーチャプレート９を通過し、各走査間にブランキング
が掛る（ブランキング用偏向電極８ａ、８ｂへの電圧が
夫々＋ＰＶ，−ＰＶとなる）ので、イオンビームが大き
く偏向されて、ブランキング用アパーチャプレート９を
通過出来ない。このブランキングが掛かる時、何れの走
査間（左から右に走査した後右から左への走査に入る
間、及び右から左に走査した後左から右への走査に入る
間）においても、同じ方向（Ｘ方向）にしかビームは偏
向されない。
【０００７】又、ブランキング電圧信号は図６（ａ）に
示す様に理想的な、即ち、立上がり及び立下がりの鋭い
完全な矩形波ではなく、実際には、（ｂ）に示す様に立
上がり及び立下がりが少しだれた矩形波である。
示す様に理想的な、即ち、立上がり及び立下がりの鋭い
完全な矩形波ではなく、実際には、（ｂ）に示す様に立
上がり及び立下がりが少しだれた矩形波である。
【０００８】これらの事から、図５（ａ）に示す前記加
工領域Ｒの右側エッジ部の外側が僅かではあるが余分に
削られ、図５（ａ）のＡ−Ａ´断面を示した図（ｂ）に
示す様に、加工領域の右側エッジ部に加工だれＤが発生
する。尚、加工領域Ｒの左側エッジ部については該エッ
ジ部の内側が僅かに削られるが、次の走査で該削られた
部分を含んで本格的に削られるので問題無い。
工領域Ｒの右側エッジ部の外側が僅かではあるが余分に
削られ、図５（ａ）のＡ−Ａ´断面を示した図（ｂ）に
示す様に、加工領域の右側エッジ部に加工だれＤが発生
する。尚、加工領域Ｒの左側エッジ部については該エッ
ジ部の内側が僅かに削られるが、次の走査で該削られた
部分を含んで本格的に削られるので問題無い。
【０００９】本発明はこの様な問題を解決する為の新規
な荷電粒子ビーム加工方法を提供する事を目的とする。
な荷電粒子ビーム加工方法を提供する事を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】 本発明の荷電粒子ビー
ム加工方法は、荷電粒子ビームによりターゲット上の所
定領域内を一方方向へ，該方向に対して逆方向へ順次繰
返して走査するようにし、その際、各走査毎に走査開始
点を走査方向に垂直な方向に少しずらすようにして前記
所定領域に加工を施す荷電粒子ビーム加工方法におい
て、各走査間のブランキング時、次の走査方向と同一方
向にブランキングを掛ける様にした。
ム加工方法は、荷電粒子ビームによりターゲット上の所
定領域内を一方方向へ，該方向に対して逆方向へ順次繰
返して走査するようにし、その際、各走査毎に走査開始
点を走査方向に垂直な方向に少しずらすようにして前記
所定領域に加工を施す荷電粒子ビーム加工方法におい
て、各走査間のブランキング時、次の走査方向と同一方
向にブランキングを掛ける様にした。
【００１１】
【作用】 加工領域内を左から右に走査した後、次に右
から左への走査に入る間は、ビームを右から左へ大きく
偏向し、右から左に走査した後、次に左から右への走査
に入る間は、ビームは左から右へ大きく偏向してブラン
キングを掛ける。従って、該各ブランキング時に加工領
域の右側エッジ部も左側のエッジ部も共に該エッジ部の
内側が僅かに削られるが、次の走査で該削られた部分を
含んで本格的に削られる事になる。その為、加工領域の
エッジ部の外側に加工だれが発生する事がない。
から左への走査に入る間は、ビームを右から左へ大きく
偏向し、右から左に走査した後、次に左から右への走査
に入る間は、ビームは左から右へ大きく偏向してブラン
キングを掛ける。従って、該各ブランキング時に加工領
域の右側エッジ部も左側のエッジ部も共に該エッジ部の
内側が僅かに削られるが、次の走査で該削られた部分を
含んで本格的に削られる事になる。その為、加工領域の
エッジ部の外側に加工だれが発生する事がない。
【００１２】
【実施例】 図１は本発明の一実施例を示したもので、
ＩＣパターンが形成された材料の所定領域を削って穴を
形成する為のイオンビーム加工装置の概略図である。
尚、図中前記図４と同じ符号の付されたものは同一構成
要素である。
ＩＣパターンが形成された材料の所定領域を削って穴を
形成する為のイオンビーム加工装置の概略図である。
尚、図中前記図４と同じ符号の付されたものは同一構成
要素である。
【００１３】前記図４と異なる所は、ブランキング電圧
信号発生回路１１ａ，１１ｂとブランキング電極８ａ，
８ｂの間にブランキング極性コントロール回路１２を設
け、制御装置６からの指令に基づいて作動するブランキ
ング極性コントロール信号発生回路１３からの信号によ
りコントロールする様になした点である。前記ブランキ
ング極性コントロール回路１２は実質的にはスイッチン
グ回路を成しており、前記プラスブランキング電圧信号
発生回路１１ａに繋がった端子ａ0 、前記マイナスブラ
ンキング電圧信号発生回路１１ｂに繋がった端子ｂ0 、
前記端子ａ0 に繋がったスイッチＳ1 、前記端子ｂ0 に
繋がったスイッチＳ2 、ブランキング電極８ａに繋がっ
た端子ａ1 、ａ2 、ブランキング電極８ｂに繋がった端
子ｂ1 、ｂ2 から成り、前記スイッチＳ1 及びＳ2 が前
記ブランキング極性コントロール信号発生回路１３から
のブランキング極性コントロール信号により連動してス
イッチングする様に構成されている。
信号発生回路１１ａ，１１ｂとブランキング電極８ａ，
８ｂの間にブランキング極性コントロール回路１２を設
け、制御装置６からの指令に基づいて作動するブランキ
ング極性コントロール信号発生回路１３からの信号によ
りコントロールする様になした点である。前記ブランキ
ング極性コントロール回路１２は実質的にはスイッチン
グ回路を成しており、前記プラスブランキング電圧信号
発生回路１１ａに繋がった端子ａ0 、前記マイナスブラ
ンキング電圧信号発生回路１１ｂに繋がった端子ｂ0 、
前記端子ａ0 に繋がったスイッチＳ1 、前記端子ｂ0 に
繋がったスイッチＳ2 、ブランキング電極８ａに繋がっ
た端子ａ1 、ａ2 、ブランキング電極８ｂに繋がった端
子ｂ1 、ｂ2 から成り、前記スイッチＳ1 及びＳ2 が前
記ブランキング極性コントロール信号発生回路１３から
のブランキング極性コントロール信号により連動してス
イッチングする様に構成されている。
【００１４】この様な構成のイオンビーム加工装置の動
作は次の通りである。
作は次の通りである。
【００１５】イオン銃１からのイオンビームは集束レン
ズ２及び対物レンズ４により材料上に集束する。この
時、制御装置６の指令に基づいてショット位置信号発生
回路７は図２（ａ）に示す如きＸ方向ショット位置信号
を発生してＸ方向偏向電極５Ｘに、（ｂ）に示す如きＹ
方向ショット位置信号を発生してＹ方向偏向電極５Ｙに
夫々供給し、これと同期して前記制御装置６からの指令
に基づいてブランキングタイミング信号発生回路１０は
ブランキングタイミング信号をプラスブランキング電圧
信号発生回路１１ａとマイナスブランキング電圧信号発
生回路１１ｂに送り、図２（ｃ）、（ｄ）に示す如きプ
ラスブランキング電圧信号、マイナスブランキング電圧
信号を発生させる。又、同様にこれと同期して前記制御
装置６からの指令に基づいてブランキング極性コントロ
ール信号発生回路１３からのブランキング極性コントロ
ール信号により、スイッチＳ1 ，Ｓ2 が夫々ｂ1 ，
ａ2 、ａ1 ，ｂ2 、ｂ1 ，ａ2 、ａ1 ，ｂ2 ………とス
イッチングする。従って、ブランキング用偏向電極８
ａ，８ｂには、夫々図２（ｅ），（ｆ）に示す如きマイ
ナスとプラスの電圧，プラスとマイナスの電圧が交互に
現れるブランキング電圧信号が供給される。この様な信
号の供給により、材料３上で集束されたイオンビームは
材料上の所定領域、例えば、図３（ａ）に示した領域Ｒ
内を左から右に、右から左に順次繰返してＸ方向に走査
し、該各走査の都度、該走査方向に垂直な方向（例えば
Ｙ方向）に僅かずつずれるので、該領域内の物質がイオ
ンビームによるショットで飛ばされ該領域に適宜深さの
穴が形成される。この各走査間にブランキングが掛る
が、左から右に走査した後、次に右から左への走査に入
る間は、ビームは右から左へ大きく偏向され、右から左
に走査した後、次に左から右への走査に入る間は、ビー
ムは左から右へ大きく偏向されて、ブランキング用アパ
ーチャプレート９を通過出来ない。従って、該各ブラン
キング時に加工領域Ｒの右側エッジ部も左側のエッジ部
も共に該エッジ部の内側が僅かに削られるが、次の走査
で該削られた部分を含んで本格的に削られる事になる。
その為、図３（ａ）のＡ−Ａ´断面を示した図３（ｂ）
に示す様に、加工領域Ｒのエッジ部の外側に加工だれが
発生する事がなく、エッジ部がシャープに削られる。
ズ２及び対物レンズ４により材料上に集束する。この
時、制御装置６の指令に基づいてショット位置信号発生
回路７は図２（ａ）に示す如きＸ方向ショット位置信号
を発生してＸ方向偏向電極５Ｘに、（ｂ）に示す如きＹ
方向ショット位置信号を発生してＹ方向偏向電極５Ｙに
夫々供給し、これと同期して前記制御装置６からの指令
に基づいてブランキングタイミング信号発生回路１０は
ブランキングタイミング信号をプラスブランキング電圧
信号発生回路１１ａとマイナスブランキング電圧信号発
生回路１１ｂに送り、図２（ｃ）、（ｄ）に示す如きプ
ラスブランキング電圧信号、マイナスブランキング電圧
信号を発生させる。又、同様にこれと同期して前記制御
装置６からの指令に基づいてブランキング極性コントロ
ール信号発生回路１３からのブランキング極性コントロ
ール信号により、スイッチＳ1 ，Ｓ2 が夫々ｂ1 ，
ａ2 、ａ1 ，ｂ2 、ｂ1 ，ａ2 、ａ1 ，ｂ2 ………とス
イッチングする。従って、ブランキング用偏向電極８
ａ，８ｂには、夫々図２（ｅ），（ｆ）に示す如きマイ
ナスとプラスの電圧，プラスとマイナスの電圧が交互に
現れるブランキング電圧信号が供給される。この様な信
号の供給により、材料３上で集束されたイオンビームは
材料上の所定領域、例えば、図３（ａ）に示した領域Ｒ
内を左から右に、右から左に順次繰返してＸ方向に走査
し、該各走査の都度、該走査方向に垂直な方向（例えば
Ｙ方向）に僅かずつずれるので、該領域内の物質がイオ
ンビームによるショットで飛ばされ該領域に適宜深さの
穴が形成される。この各走査間にブランキングが掛る
が、左から右に走査した後、次に右から左への走査に入
る間は、ビームは右から左へ大きく偏向され、右から左
に走査した後、次に左から右への走査に入る間は、ビー
ムは左から右へ大きく偏向されて、ブランキング用アパ
ーチャプレート９を通過出来ない。従って、該各ブラン
キング時に加工領域Ｒの右側エッジ部も左側のエッジ部
も共に該エッジ部の内側が僅かに削られるが、次の走査
で該削られた部分を含んで本格的に削られる事になる。
その為、図３（ａ）のＡ−Ａ´断面を示した図３（ｂ）
に示す様に、加工領域Ｒのエッジ部の外側に加工だれが
発生する事がなく、エッジ部がシャープに削られる。
【００１６】尚、前記実施例ではイオンビームによる加
工について説明したが、電子ビームによる加工について
も応用可能である。
工について説明したが、電子ビームによる加工について
も応用可能である。
【００１７】又、ブランキング電極をＸ，Ｙ方向に夫々
１対設け、任意の方向にビームをブランキング出来る様
にした場合についても、各走査間のブランキング時、次
の走査方向と同一方向にブランキングを掛ける様にす
る。
１対設け、任意の方向にビームをブランキング出来る様
にした場合についても、各走査間のブランキング時、次
の走査方向と同一方向にブランキングを掛ける様にす
る。
【００１８】
【発明の効果】 本発明は、荷電粒子ビームによりター
ゲット上の所定領域内を一方方向へ，該方向に対して逆
方向へ順次繰返して走査するようにし、その際、各走査
毎に走査開始点を走査方向に垂直な方向に少しずらすよ
うにして前記所定領域に加工を施す荷電粒子ビーム加工
方法において、各走査間のブランキング時、次の走査方
向と同一方向にブランキングを掛ける様にしているの
で、加工領域のエッジ部に加工だれが発生せず、該シャ
ープな加工断面が得られる。
ゲット上の所定領域内を一方方向へ，該方向に対して逆
方向へ順次繰返して走査するようにし、その際、各走査
毎に走査開始点を走査方向に垂直な方向に少しずらすよ
うにして前記所定領域に加工を施す荷電粒子ビーム加工
方法において、各走査間のブランキング時、次の走査方
向と同一方向にブランキングを掛ける様にしているの
で、加工領域のエッジ部に加工だれが発生せず、該シャ
ープな加工断面が得られる。
【図１】 本発明の一実施例を示したもので、ＩＣパタ
ーンが形成された材料の所定領域を加工する為のイオン
ビーム加工装置の概略図である。
ーンが形成された材料の所定領域を加工する為のイオン
ビーム加工装置の概略図である。
【図２】 信号波形図である。
【図３】 本発明による方法での加工領域，ブランキン
グ方向及び加工断面を示したものである。
グ方向及び加工断面を示したものである。
【図４】 従来例を示したもので、ＩＣパターンが形成
された材料の所定領域を加工する為のイオンビーム加工
装置の概略図である。
された材料の所定領域を加工する為のイオンビーム加工
装置の概略図である。
【図５】 従来方法での加工領域，ブランキング方向及
び加工部の断面を示したものである。
び加工部の断面を示したものである。
【図６】 ブランキング電圧信号の波形を示したもので
ある。
ある。
１ イオン銃 ２ 集束レンズ ３ 材料 ４ 対物レンズ ５ 偏向電極 ６ 制御装置 ７ ショット位置信号発生回路 ８ａ，８ｂ ブランキング用偏向電極 ９ ブランキング用アパーチャプレート １０ ブランキングタイミング信号発生回路 １１ａ プラスブランキング電圧信号発生回路 １１ｂ マイナスブランキング電圧信号発生回路 １２ ブランキング極性コントロール回路 １３ ブランキング極性コントロール信号発生回路
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームによりターゲット上の所
定領域内を一方方向へ，該方向に対して逆方向へ順次繰
返して走査するようにし、その際、各走査毎に走査開始
点を走査方向に垂直な方向に少しずらすようにして前記
所定領域に加工を施す荷電粒子ビーム加工方法におい
て、各走査間のブランキング時、次の走査方向と同一方
向にブランキングを掛ける様にした荷電粒子ビーム加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10885894A JPH07320676A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 荷電粒子ビーム加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10885894A JPH07320676A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 荷電粒子ビーム加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320676A true JPH07320676A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14495387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10885894A Withdrawn JPH07320676A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 荷電粒子ビーム加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320676A (ja) |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10885894A patent/JPH07320676A/ja not_active Withdrawn
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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