JPH07320327A - 光学ヘッドおよび集積型光学ユニット装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型軽量で低コストにできると共に、フォー
カスサーボを安定にできる正確なＦＥＳを検出できる光
学ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザ101 と対物レンズ104 との間の
光磁気記録媒体105 からの戻り光の収束光路中に、第
１，第２の三角プリズム202,203 を貼り合わせてなり、
第１の三角プリズム202 は、戻り光をほぼ等しい強度の
常光および異常光に偏光分離するようにその光学軸を設
定すると共に、半導体レーザ101 からの光束および戻り
光が入射する面に偏光膜103 を設け、第２の三角プリズ
ム203 は、その光学軸を第１の三角プリズム202 の光学
軸と所定角度β異なるように設定した多像平行平面板20
1 を、非点収差の方向が、光磁気記録媒体105 の情報ト
ラック106 に対してほぼ４５°となるように配置し、こ
の多像平行平面板201 に、偏光ビームスプリッタ機能、
偏光分離機能および非点収差発生機能を持たせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光記録媒体、特に光
磁気記録媒体に対して情報の記録・再生を行う光記録媒
体装置に用いる光学ヘッドおよび集積型光学ユニット装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の光学ヘッドとして、例えば、図１
３に示すようなものが提案されている（第１の従来
例）。この光学ヘッドは、光磁気記録媒体に対して情報
の記録・再生を行うもので、半導体レーザ１０１からの
直線偏光の発散光束を偏光ビームスプリッタ１０２に入
射させ、その接合面に形成された偏光膜１０３で反射さ
れる光束を対物レンズ１０４を経て光磁気記録媒体１０
５の情報トラック１０６上に微小スポットとして照射し
ている。偏光ビームスプリッタ１０２の偏光膜１０３
は、紙面垂直方向の振動成分（ｓ偏光）は６０〜９０％
透過し、紙面内の振動成分（ｐ偏光＝信号成分）は、ほ
ぼ１００％透過する特性を有するように、誘電体多層膜
をもって構成され、半導体レーザ１０１からの直線偏光
は、ｓ偏光で偏光膜１０３に入射するようになってい
る。

【０００３】光磁気記録媒体１０５で反射され、その偏
光面が記録情報に応じて光軸回りに±θｋ回転された戻
り光は、対物レンズ１０４を経て収束ビームとして再び
偏光ビームスプリッタ１０２に入射し、その偏光膜１０
３を透過することによって、往路に対して空間的に分離
されて多像プリズム１０７に入射する。多像プリズム１
０７は、それぞれ複屈折性結晶からなる第１の三角プリ
ズム１０８および第２の三角プリズム１０９を接合して
構成され、戻り光が最初に入射する第１の三角プリズム
１０８の光学軸は、光磁気信号（以下、ＭＯ信号と言
う）を差動方式で検出するために、戻り光の光軸に対し
て垂直で、かつ紙面垂直方向に４５°傾いて設定され、
第２の三角プリズム１０９の光学軸は、第１の三角プリ
ズム１０８の光学軸に対して、例えばさらに光軸垂直方
向に４５°傾いて設定されている。したがって、多像プ
リズム１０７に入射した戻り光は、実質上３本の光束に
分離されて多像プリズム１０７から射出される。

【０００４】多像プリズム１０７から射出される３本の
ビームは、トーリックレンズ１１０を経て信号検出用光
検出器１１１に入射する。トーリックレンズ１１０は、
透過光の焦点距離を延ばす凹レンズ機能と、フォーカス
エラー信号（以下、ＦＥＳと言う）を検出するために非
点収差を発生する円柱レンズ機能とを有する。また、信
号検出用光検出器１１１は、図１４に示すように、非点
収差を有する３本の光束を分離して受光する３個の受光
部１１２，１１３および１１４を有し、中央の受光部１
１４は、４分割受光領域をもって構成され、受光部１１
２および１１３の出力の差に基づいてＭＯ信号を、受光
部１１４の対角の受光領域の出力の和の差に基づいてＦ
ＥＳをそれぞれ検出するようにしている。なお、トラッ
キングエラー信号（以下、ＴＥＳと言う）については、
図示しないが、例えばプッシュプル（以下、ＰＰと言
う）方式によって検出することができる。

【０００５】また、従来の他の光学ヘッドとして、例え
ば、特開平５−３１４５６３号公報には、光磁気記録媒
体からの戻り光の集光光束中に、光学異方性をもつ平行
平面板を配置して、この平行平面板に、往・復路分離機
能、ＭＯ信号を差動検出するための偏光分離機能および
ＦＥＳを検出するための非点収差発生機能をもたせ、こ
の平行平面板で偏光分離された常光および異常光を信号
検出用光検出器で分離して受光するようにしたものが提
案されている（第２の従来例）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１の従来例には、以下のような問題がある。 往路と復路とを分離する偏光ビームスプリッタ１０
２と、ＭＯ信号を差動検出するために戻り光を偏光分離
する多像プリズム１０７と、ＦＥＳを検出するための非
点収差発生機能を有するトーリックレンズ１１０とが、
別体に設けているため、小型軽量化および低コスト化が
困難になる。 光学的に共役な位置関係にある半導体レーザ１０１
と、信号検出用光検出器１１１とが空間的に大きく分離
されているため、温度変化や経年変化等に弱く、良好な
耐環境特性が得られにくい。また、この問題を解消しよ
うとすると、光学系を保持するハウジングが大型で高価
になる。 トーリックレンズ１１０の凹レンズ機能により検出
光学系の光路長を稼ぐようにしているので、信号検出用
光検出器１１１の調整作業が容易になる利点があるが、
光路長が長くなる分、小型化に限度が生じる。

【０００７】これに対し、第２の従来例においては、光
学異方性をもつ平行平面板に、往・復路分離機能、ＭＯ
信号を差動検出するための偏光分離機能およびＦＥＳを
検出するための非点収差発生機能をもたせるようにして
いるので、第１の従来例における上記のおよびの問
題を解決することができる。

【０００８】しかし、この第２の従来例にあっては、以
下のような問題がある。 ＦＥＳ検出のための非点収差発生方向が、情報トラ
ックと同方向および直交方向であるため、ＰＰ信号がＦ
ＥＳに漏れ込んでサーボ系が不安定になる。 偏光分離された一方の偏光成分のみからＦＥＳを検
出しているため、光磁気記録媒体の基板の複屈折により
ＦＥＳの振幅が揺らぎ、正確なフォーカスサーボが困難
になる。 信号検出用光検出器の位置決めが困難である。

【０００９】この発明の第１の目的は、小型軽量で低コ
ストにできると共に、フォーカスサーボを安定にできる
正確なＦＥＳを検出できるよう適切に構成した光学ヘッ
ドを提供しようとするものである。

【００１０】また、第２の目的は、耐環境特性に優れ、
容易に組み立てできるよう適切に構成した集積型光学ユ
ニット装置を提供しようとするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るため、この発明の光学ヘッドは、直線偏光光束を放射
する半導体レーザと、この半導体レーザからの光束を光
磁気記録媒体上にスポット状に集光させる対物レンズ
と、前記半導体レーザと前記対物レンズとの間で、前記
光磁気記録媒体で反射される戻り光の収束光路中に配置
され、前記半導体レーザからの直線偏光光束を反射させ
て前記対物レンズに導き、前記戻り光を屈折透過させて
非点収差を与えて偏光分離するそれぞれ複屈折性結晶か
らなる第１および第２の三角プリズムを貼り合わせてな
る多像平行平面板と、この多像平行平面板から射出され
る光束を受光し、互いに直交する偏光成分の出力に基づ
いてＭＯ信号を検出すると共に、ほぼ等しい常光および
異常光成分を含む出力に基づいてＦＥＳを検出する信号
検出用光検出器とを有し、前記多像平行平面板は、前記
非点収差の長軸および短軸方向が、前記光磁気記録媒体
の情報トラックに対してほぼ４５°となるように配置
し、前記第１の三角プリズムは、前記戻り光をほぼ等し
い強度の常光および異常光に偏光分離するようにその光
学軸を設定すると共に、前記半導体レーザからの直線偏
光光束および前記戻り光が入射する面に偏光膜を設け、
前記第２の三角プリズムは、その光学軸を前記第１の三
角プリズムの光学軸と所定角度異なるように設定したこ
とを特徴とするものである。

【００１２】前記対物レンズによる前記光磁気記録媒体
上でのスポット形状が、前記情報トラックに対してほぼ
４５°の方向に長軸を有する楕円状となるように前記半
導体レーザを配置すると共に、前記光磁気記録媒体上に
集光される前記半導体レーザからの直線偏光光束の偏光
方向が、前記情報トラックと平行となるように、前記偏
光膜と前記対物レンズとの間に１／２波長板を配置する
のが、ＰＰ信号の振幅を最大化する点で好ましい。

【００１３】前記対物レンズによる前記光磁気記録媒体
上でのスポット形状が、前記情報トラックに対してほぼ
直交する方向に長軸を有する楕円状となるように前記半
導体レーザを配置すると共に、前記光磁気記録媒体上に
集光される前記半導体レーザからの直線偏光光束の偏光
方向が、前記情報トラックと平行となるように、前記半
導体レーザと前記偏光膜との間および該偏光膜と前記対
物レンズとの間にそれぞれ１／２波長板を配置するの
が、分解能を高くする点、振幅の大きいＰＰ信号を得る
点および部品共通化の点で好ましい。

【００１４】前記第１の三角プリズムの光学軸と前記第
２の三角プリズムの光学軸とが、前記戻り光の光軸回り
になす角度βを、４５°≦β（≠９０°）≦１３５°と
して、前記多像平行平面板から常光および異常光成分が
ほぼ等しく含まれる１本の光束と、偏光方向が互いに直
交する２本の光束とをそれぞれ分離して射出させ、前記
信号検出用光検出器には、前記常光および異常光成分が
ほぼ等しく含まれる光束を受光する４分割受光領域と、
前記偏光方向が互いに直交する２本の光束を分離して受
光する２個の受光領域とを設けて、前記４分割受光領域
の対角和出力の差に基づいて前記ＦＥＳを、前記２個の
分離した受光領域の出力差に基づいて前記ＭＯ信号をそ
れぞれ検出するのが、Ｓ／Ｎの良好なＭＯ信号を得る点
および正確なＦＥＳを検出する点で好ましい。

【００１５】前記第１の三角プリズムの光学軸と前記第
２の三角プリズムの光学軸とが、前記戻り光の光軸回り
になす角度βをβ＝９０°として、前記多像平行平面板
から偏光方向が互いに直交する２本の光束を分離して射
出させ、前記信号検出用光検出器には、前記偏光方向が
互いに直交する２本の光束を分離して受光する２個の４
分割受光領域を設けて、各４分割受光領域の総和出力の
差に基づいて前記ＭＯ信号を、各４分割受光領域の対角
和出力の差の和に基づいて前記ＦＥＳをそれぞれ検出す
るのが、小型な信号検出用光検出器で、Ｓ／Ｎの良好な
ＭＯ信号を得ると共に、正確なＦＥＳを検出する点で好
ましい。

【００１６】また、第２の目的を達成するため、この発
明は、半導体レーザからの光束を光記録媒体に照射し、
その戻り光を信号検出用光検出器で受光して、前記光記
録媒体に対して情報の記録・再生を行う光記録媒体装置
に用いる集積型光学ユニット装置であって、前記半導体
レーザと、前記信号検出用光検出器と、前記半導体レー
ザからの光束を前記光記録媒体側に導くと共に、前記光
記録媒体からの戻り光を前記信号検出用光検出器側に導
く往・復路分離素子とを、フォトリソグラフィー工程に
より形成した位置決めガイドを有する基板上に位置決め
実装してなることを特徴とするものである。

【００１７】前記基板として、単結晶シリコンウエハを
用いるのが、高精度の位置決めガイドを得る点で好まし
い。

【００１８】前記基板の位置決めガイドに位置決めし
て、前記半導体レーザの出射光量をモニタする光量モニ
タ用光検出器を設けることが、半導体レーザの出射光量
を所望の光量に制御する点で好ましい。

【００１９】前記往・復路分離素子は、それぞれ複屈折
性結晶からなる第１および第２の三角プリズムを貼り合
わせてなる多像平行平面板で、前記第１の三角プリズム
は、前記戻り光をほぼ等しい強度の常光および異常光に
偏光分離するようにその光学軸を設定すると共に、前記
半導体レーザからの光束および前記戻り光が入射する面
に偏光膜を設け、前記第２の三角プリズムは、その光学
軸を前記第１の三角プリズムの光学軸と所定角度異なる
ように設定するのが、Ｓ／Ｎの良好なＭＯ信号を得ると
共に、正確なＦＥＳを検出する点で好ましい。

【００２０】前記基板は、それぞれ単結晶シリコンから
なる下基板と上基板とを有し、前記下基板には異方性エ
ッチングにより前記位置決めガイドを構成する溝部を形
成し、前記上基板には異方性エッチングにより前記溝部
と協働して前記位置決めガイドを構成する開口部を形成
して、これら下基板および上基板を接合することによ
り、前記溝部および前記開口部により異なる角度方向を
位置決めするよう構成するのが、所望の素子を容易かつ
確実に位置決めして装着する点で好ましい。

【００２１】

【作用】この発明の光ヘッドにおいて、半導体レーザか
らの直線偏光光束は、多像平行平面板の偏光膜で反射さ
れ、対物レンズを経て光磁気記録媒体上にスポット状に
集光される。この光磁気記録媒体で反射される戻り光
は、対物レンズを経て多像平行平面板に入射し、ここで
往路と分離され、さらに偏光分離されると共に、光磁気
記録媒体の情報トラックに対してほぼ４５°の長軸およ
び短軸方向の非点収差が与えられて信号検出用光検出器
で受光され、その互いに直交する偏光成分の出力に基づ
いてＭＯ信号が検出されると共に、ほぼ等しい常光およ
び異常光成分を含む出力に基づいてＦＥＳが検出され
る。

【００２２】また、この発明の集積型光学ユニット装置
においては、光記録媒体に照射するための光束を出射す
る半導体レーザと、光記録媒体で反射される戻り光を受
光する信号検出用光検出器と、前記半導体レーザからの
光束を前記光記録媒体側に導くと共に、前記光記録媒体
からの戻り光を前記信号検出用光検出器側に導く往・復
路分離素子とが、フォトリソグラフィー工程により形成
した位置決めガイドにより位置決めされて基板上に実装
される。

【００２３】

【実施例】図１は、この発明の第１実施例を示すもので
ある。この実施例では、半導体レーザ１０１からの直線
偏光した発散光束を、偏光膜１０３を有する多像平行平
面板２０１に入射させ、これら偏光膜１０３および多像
平行平面板２０１を透過する光束を光量モニタ用光検出
器２０４で受光して、その出力に基づいて半導体レーザ
１０１の出射光量を制御し、多像平行平面板２０１で反
射される光束を、４５°ローテータ２０５で偏光方向を
４５°回転させて、対物レンズ１０４により情報トラッ
ク１０６上に微小スポットとして照射する。また、光磁
気記録媒体１０５で反射される戻り光は、対物レンズ１
０４により収束して４５°ローテータ２０５を経て偏光
膜１０３に入射させ、この偏光膜１０３を透過させるこ
とにより往路と空間的に分離して多像平行平面板２０１
に入射させ、この多像平行平面板２０１を屈折透過させ
ることにより非点収差を与えて偏光分離し、その偏光分
離された光束を信号検出用光検出器２０６で受光して、
ＭＯ信号、ＦＥＳおよびＴＥＳを検出するようにする。

【００２４】半導体レーザ１０１は、その出射光の直線
偏光の方向が、偏光膜１０３にｓ偏光で入射するように
配置する。多像平行平面板２０１は、これにより戻り光
に発生させる非点収差の長軸および短軸方向が、光磁気
記録媒体１０５の情報トラック１０６に対してほぼ４５
°となるように配置する。この多像平行平面板２０１
は、それぞれ複屈折性結晶、この実施例ではニオブ酸リ
チウムからなる第１の三角プリズム２０２および第２の
三角プリズム２０３を貼り合わせて構成し、半導体レー
ザ１０１からの発散光束および光磁気記録媒体１０５か
らの戻り光が入射する第１の三角プリズム２０２の面に
偏光膜１０３を形成する。偏光膜１０３は、例えば、紙
面と直交方向の振動成分（ｓ偏光）は６０〜９０％反射
し、紙面内の振動成分（ｐ偏光＝信号成分）は１００％
透過する特性を有するように誘電体多層膜をもって構成
する。

【００２５】半導体レーザ１０１は、楕円ビームを発す
るので、ビーム整形を行わなければ光磁気記録媒体１０
５上でも楕円スポットとなる。この楕円スポットの長・
短軸方向は、多像平行平面板２０１が紙面垂直面内で４
５°傾いて配置されているので、情報トラック１０６に
対して４５°傾くことになる。したがって、そのままで
は、偏光方向も情報トラック１０６に対して４５°傾く
ことになる。この実施例では、光磁気記録媒体１０５に
照射する直線偏光の偏光方向を、情報トラック１０６と
平行となるように、４５°ローテータ２０５により４５
°回転させて、ＰＰ信号の振幅が最大になるようにす
る。

【００２６】４５°ローテータ２０５は、例えば、ｚ軸
を含むｘまたはｙ軸断面カットの水晶材を用い、常光線
と異常光線との間の位相差が１８０°となるような厚み
に研磨された、いわゆる１／２波長板をもって構成する
か、あるいはｚ軸断面カットの水晶材を用い、左廻り円
偏光と右廻り円偏光との間の位相差が９０°となるよう
な厚みに研磨された、入射直線偏光方向に依存しない４
５°ローテータをもって構成する。

【００２７】この実施例では、図２に示すように、多像
平行平面板２０１を構成する第１の三角プリズム２０２
および第２の三角プリズム２０３のそれぞれの頂角α
を、α＜４５°とし、第１の三角プリズム２０２の光学
軸は、戻り光をほぼ等しい強度の常光および異常光に偏
光分離するように、戻り光の光軸に対して垂直で、かつ
紙面垂直方向に４５°傾斜させ、第２の三角プリズム２
０３の光学軸は、第１の三角プリズム２０２の光学軸に
対して、さらに光軸垂直面内、すなわち光軸回りに角度
β、この実施例ではβ＝４５°傾斜させる。

【００２８】このように、第１および第２の三角プリズ
ム２０２および２０３の光学軸を設定すると、図３に示
すように、入射光（戻り光）の直線偏光は、第１の三角
プリズム２０２によって、ほぼ等しい強度の常光Ｏおよ
び異常光Ｅに偏光分離され、さらに第２の三角プリズム
２０３によって、各光線が常光ＯＯ，ＥＯと異常光Ｏ
Ｅ，ＥＥとに偏光分離されて、合計４本の光束となる。
ここで、光束ＯＯおよびＥＥは、ほぼ重なっており、光
束ＯＥおよびＥＯは、互いに逆方向に屈折透過するの
で、多像平行平面板２０１からは、実質上３本の光束が
分離されて出射されることになる。

【００２９】図１において、信号検出用光検出器２０６
は、その受光面が多像平行平面板２０１による非点収差
の最良像面に位置するように配置する。この検出器２０
６には、図４に平面図を示すように、多像平行平面板２
０１からの光束ＥＯを受光する受光領域２０７と、光束
ＯＥを受光する受光領域２０８と、光束ＯＯおよびＥＥ
を受光する４分割受光領域２０９とを設ける。

【００３０】このように構成すれば、互いに直交する偏
光成分を分離して受光する受光領域２０７および２０８
の出力の差に基づいてＭＯ信号を検出することができる
と共に、ほぼ等量の直交する偏光成分を受光する４分割
受光領域２０９の対角和出力の差に基づいてＦＥＳを検
出することができる。また、図１では、２点鎖線部分も
便宜上同一平面内に示しているが、実際には、ｚ軸回り
にｘ’，ｙ’方向に４５°傾いているので、図４に示す
ように、４分割受光領域２０９上での情報トラック１０
６の像は、ｘ方向分割線と一致している。したがって、
この４分割受光領域２０９のｘ方向分割線を境とする両
側の和出力の差に基づいて、ＰＰ方式によりＴＥＳを検
出することができる。

【００３１】この実施例によれば、４分割受光領域２０
９上での情報トラック１０６の像がｘ方向分割線と一致
しているので、ＰＰ信号がＦＥＳに悪影響を及ぼすのを
有効に防止することができると共に、この４分割受光領
域２０９には、ほぼ等しい強度の直交する偏光成分が入
射するので、光磁気記録媒体１０５の基板の複屈折の影
響を受け難い。したがって、ＦＥＳを高精度かつ高感度
で検出することができる。

【００３２】また、多像平行平面板２０１を構成する複
屈折性結晶としてニオブ酸リチウムを用いているので、
多像平行平面板２０１と信号検出用光検出器２０６との
間に凹レンズを配置することなく、これら間の距離を１
〜２ｍｍとして、偏光分離された光束を確実に分離して
受光することができる。したがって、光学ヘッドを小型
かつ薄型化することができる。すなわち、複屈折性結晶
として水晶を用いる場合には、その常光の屈折率ｎ_o と
異常光の屈折率ｎ_e との比の差が、０．６％程度である
ため、凹レンズを用いないと、分離に必要な距離を得ら
れないが、ニオブ酸リチウムの場合には、ｎ_o ＝２．２
８６、ｎ_e ＝２．２で、ｎ_o とｎ_e との比の差が４％程
度あるので、多像平行平面板２０１と信号検出用光検出
器２０６との間の距離が１〜２ｍｍで、偏光分離された
光束を確実に分離して受光することができる。

【００３３】なお、第１実施例では、有限光学系とした
が、多像平行平面板２０１が戻り光の収束光路中に位置
するように、多像平行平面板２０１と対物レンズ１０４
との間にコリメータレンズを配置して無限光学系として
も、同様の効果を得ることができる。また、上記の実施
例では、偏光膜１０３を第１の三角プリズム２０２の面
に直接設けるようにしたが、該面に結像性能に影響を及
ぼさない範囲の厚みを有する平行平面ガラス板を設け、
このガラス板に偏光膜１０３を設けることもできる。こ
のようにすれば、偏光膜１０３の設計を容易にできる利
点がある。

【００３４】さらに、第１，第２の三角プリズム２０
２，２０３の光学軸は、多像平行平面板２０１を構成す
る複屈折性材料に応じて、任意に設定することができ
る。第１実施例の場合、それぞれの光学軸を、戻り光の
光軸に対して垂直で、両者の光学軸の光軸回りになす角
度βが、β＝４５°となるように設定しているので、受
光領域２０７，２０８および４分割受光領域２０９に入
射する光束（ＥＯ）、（ＯＥ）および（ＯＯ＋ＥＥ）の
強度比は、（ＥＯ）：（ＯＥ）：（ＯＯ＋ＥＥ）＝１：
１：２となるが、例えば、４５°＜β（≠９０°）＜１
３５°の範囲に設定すれば、ＯＯ＝ＥＥ＜ＯＥ＝ＥＯと
なって、受光領域２０７，２０８への入射光量が増加
し、ＭＯ信号のＳ／Ｎを改善することができる。

【００３５】また、多像平行平面板２０１は、ニオブ酸
リチウムに限らず、他の複屈折性結晶、例えば、ＫＤＰ
やＡＤＰを用いて構成することもできる。これらの結晶
の屈折率は、ＫＤＰがｎ_o ＝１．５１、ｎ_e ＝１．４
７、ＡＤＰがｎ_o ＝１．５２、ｎ_e ＝１．４８で、ｎ_o
とｎ_e との比の差が２％以上あるので、ニオブ酸リチウ
ムを用いる場合と同様に、多像平行平面板２０１と信号
検出用光検出器２０６との間に凹レンズを配置すること
なく、これら間の距離を１〜２ｍｍとして、偏光分離さ
れた光束を確実に分離して受光することができ、光学ヘ
ッドを小型かつ薄型化することができる。

【００３６】この発明の第２実施例では、図１に示す構
成において、４５°ローテータ２０５を除去して、光磁
気記録媒体１０５に照射される楕円ビームの長・短軸方
向および直線偏光方向を、図５に示すように、情報トラ
ック１０６に対して４５°傾斜させる。この場合、ＰＰ
信号の振幅がやや低下するが、部品点数を削減できるの
で、より小型・軽量化できると共に、安価にできる利点
がある。

【００３７】この発明の第３実施例においては、図１に
示す構成において、半導体レーザ１０１を光軸廻りにさ
らに４５°回転して配置すると共に、半導体レーザ１０
１と多像平行平面板２０１との間に、半導体レーザ１０
１からの直線偏光が偏光膜１０３にｓ偏光で入射するよ
うに４５°ローテータを配置して、光磁気記録媒体１０
５に、図６に示すように、楕円ビームの短軸方向および
直線偏光方向が情報トラック１０６に対して平行となる
楕円ビームを照射する。

【００３８】この第３実施例によれば、第１実施例と同
様の効果が得られる他、情報トラック方向におけるスポ
ット径が短くなるので、分解能を高くできる利点があ
る。また、多像平行平面板２０１と対物レンズ１０４と
の間に配置する４５°ローテータ２０５と、半導体レー
ザ１０１と多像平行平面板２０１との間に配置する４５
°ローテータとを同一構成とすることができ、部品の共
通化が図れるという利点がある。

【００３９】この発明の第４実施例においては、図１に
示す構成において、多像平行平面板２０１を構成する第
１，第２の三角プリズム２０２，２０３の両光学軸間の
光軸回りになす角度βを、β＝９０°に設定すると共
に、信号検出用光検出器２０６を、図７に平面図を示す
ように、２個の４分割受光領域２０７’，２０８’をも
って構成する。このように、β＝９０°とすると、いわ
ゆるウォラストンプリズムとなり、図８に示すように、
ＯＯ＋ＥＥの強度はゼロとなって、多像平行平面板２０
１からは偏光方向が互いに直交する２本の光束ＯＥ，Ｅ
Ｏが分離して射出されることになる。

【００４０】この実施例では、多像平行平面板２０１か
らの光束ＥＯを４分割受光領域２０７’で受光し、光束
ＯＥを４分割受光領域２０８’で受光して、各４分割受
光領域２０７’，２０８’の総和出力の差に基づいてＭ
Ｏ信号を検出し、各４分割受光領域２０７’，２０８’
の対角和出力の差の和に基づいてＦＥＳを検出する。な
お、ＴＥＳについては、第１実施例におけると同様に、
ＰＰ方式により検出する。

【００４１】この発明の第５実施例においては、図１に
示す構成において、半導体レーザ１０１と多像平行平面
板２０１との間に、半導体レーザ１０１からの光束を１
本のメインビームと２本のサブビームとに分割する３ビ
ーム発生用のグレーティングを配置して、これら３本の
ビームを光磁気記録媒体１０５の情報トラック１０６に
公知の位置関係で照射する。また、信号検出用光検出器
２０６には、２本のサブビームの戻り光を受光する受光
領域を付加し、メインビームの戻り光を第１実施例と同
様に受光して、ＭＯ信号およびＦＥＳを検出し、２本の
サブビームの戻り光をサブビーム用の受光領域でそれぞ
れ検出して、３ビーム法によりＴＥＳを検出する。

【００４２】次に、この発明に係る集積型光学ユニット
装置について説明する。上述した光学ヘッドにおいて、
ビーム整形機能なしの場合の実用的な設計値としては、
無限系ではコリメータレンズ、有限系では対物レンズの
半導体レーザ側のＮＡが０．１５、対物レンズの記録媒
体側のＮＡが０．５５の約３．７倍率の光学系が考えら
れる。ビーム整形機能を有する場合には、コリメータレ
ンズのＮＡが小さくなるので、倍率はさらに高くなる。

【００４３】かかる光学系において、記録媒体面での焦
点深度を±１μｍとすると、記録媒体は反射系であるか
ら、信号検出用光検出器上での対応する光軸方向の像の
動きは、±１μｍ×２×３．７² ≒±２７μｍとなる。
この範囲内で、信号検出用光検出器を３軸方向に調整す
るのは困難であり、これがため従来は凹レンズを用いて
倍率を稼ぐことにより、位置決め精度を拡大して光軸方
向の調整を可能にしていた。しかしながら、上記の第１
〜５実施例に示したような光学系を実装する場合、凹レ
ンズの挿入は、小型・薄型化の点で好ましくない。

【００４４】また、信号検出用光検出器を、少なくとも
平面内の２軸方向の調整で済ませようとすれば、半導体
レーザの発光点の仮想共役位置に対する信号検出用光検
出器の光軸方向の位置決め精度が要求される。しかも、
この場合には、調整によって光軸方向の他の誤差を吸収
することができないので、光軸方向での半導体レーザ
の位置決め精度、多像平行平面板の厚み誤差、多像
平行平面板の位置決め精度、信号検出用光検出器の位
置決め精度、その他の誤差は、正規分布のばらつきを
考慮して、それぞれ±１０μｍ以下に抑えるのが望まれ
る。

【００４５】図９は、半導体レーザ１０１、信号検出用
光検出器２０６および往・復路分離素子、この場合は多
像平行平面板２０１との位置関係を示すものである。半
導体レーザ１０１から偏光膜１０３までの距離をａ、偏
光膜１０３から多像平行平面板２０１を経て信号検出用
光検出器２０６までの距離をｂ＋ｃ、多像平行平面板２
０１の屈折率をｎとすると、半導体レーザ１０１と、多
像平行平面板２０１を介した信号検出用光検出器２０６
との光学的共役点の位置関係は、ａ＝ｂ（２−１／ｎ）
＋ｃとなる。

【００４６】ここで、小型・薄型化を考慮した場合の実
用的数値として、ａ＝２．５ｍｍ、多像平行平面板２０
１の厚みｔをｔ＝２ｍｍ、ｎ＝２．２とすると、多像平
行平面板２０１の出射点から信号検出用光検出器２０６
までの距離ｃは、１．５ｍｍ程度となる。このため、通
常の機械加工されたハウジングに、上記の、および
の必要精度を確保して実装するのは難しくなると共
に、このスペース内で３軸調整を行う場合には、調整工
数の増加を招くことになる。

【００４７】なお、上記の多像平行平面板２０１の厚
み誤差については、厚みｔがΔｔの誤差を有すると、共
役点の位置ｂ（２−１／ｎ）＋ｃは、およそｂ・Δｔ／
ｔ変化する。したがって、Δｔを±１０μｍ以下に抑え
れば、の要求はほぼ満たすことができる。この多像平
行平面板２０１の厚みは、それぞれの三角プリズムを接
合する際に、接合面をスライドさせて調整することによ
り、必要精度を確保することができる。

【００４８】図１０は、この発明の第６実施例を示すも
のである。この実施例では、上記の光軸方向での半導
体レーザの位置決め精度、多像平行平面板の位置決め
精度および信号検出用光検出器の位置決め精度を確保
するために、これらを実装する基板７０１として、前工
程で光縮小法による写真製版技術を用い、後工程でエッ
チング等の除去加工や、メッキに代表される電鋳技術の
付加加工を利用したフォトリソグラフィー工程により形
成した突起状の位置決めガイド７０２を有するものを用
いる。図１０では、この基板７０１に、図１に示した光
学系と同様の光学系の一部、すなわち半導体レーザ１０
１、多像平行平面板２０１、信号検出用光検出器２０
６、光量モニタ用光検出器２０４および４５°ローテー
タ２０５を、位置決めガイド７０２により位置決めして
実装する。

【００４９】半導体レーザ１０１は、放熱を考慮したス
テム７０３に、発光点を端面に一致させて装着し、この
ステム７０３を位置決めガイド７０２により、光軸方向
と、光軸と直交する面内の２次元方向の一方の方向とを
それぞれ位置決めし、残りの一方向のみを位置調整して
実装する。信号検出用光検出器２０６、光量モニタ用光
検出器２０４および４５°ローテータ２０５は、それぞ
れ光軸方向のみを位置決めガイド７０２により位置決め
し、光軸と直交する面内の２次元方向の位置を調整して
実装する。また、多像平行平面板２０１は、第１の三角
プリズム２０２の偏光膜１０３を有する面の位置と、第
２の三角プリズム２０３の出射面の位置とを位置決めガ
イド７０２により位置決めし、これら各面内での第１，
第２の三角プリズム２０２，２０３の２次元方向の位置
を調整して実装する。なお、光学系の作用については、
前述した通りなので、ここでは説明を省略する。

【００５０】このように、基板７０１として、フォトリ
ソグラフィー工程によって形成した位置決めガイド７０
２を有するものを用いれば、通常の機械加工では得られ
ない加工精度を確保することができるので、所要の光学
部品を容易かつ精度良く実装することができる。また、
この実装法によれば、図１に２点鎖線で示す全ての光学
部品は、一辺が７ｍｍの四角形状の基板７０１に実装す
ることができるので、小型・軽量化することができる。

【００５１】なお、この実施例では、所要の光学部品を
位置決めガイド７０２に沿って挿入実装するため、特
に、半導体レーザ１０１、多像平行平面板２０１および
信号検出用光検出器２０６において、各部品の基板底面
から光軸までの距離をｈ、光軸に対する倒れ角をθとす
ると、θ・ｈのいわゆるアッベ誤差が、上記その他の
誤差として付加されることになる。このθ・ｈをそれぞ
れ±１０μｍ以下に抑えるには、ｈ＝１ｍｍとすると、
θは±０．５°以下に抑えれば良い。

【００５２】また、信号検出用光検出器２０６を２次元
方向、図１０ではｘ’およびｙ’方向に位置調整するに
あたっては、例えば、無限光学系を考えれば、コリメー
タレンズ７０４までを集積型光学ユニットと一体化し、
コーナーキューブプリズム、レンズおよびその焦点位置
に置かれたミラーを有するキャッツアイ光学系のよう
な、平行光をそのまま光源側に戻す光学系を使用するの
が好適である。この場合、コリメータレンズ７０４を２
点鎖線で示すように、基板７０１と一体化しておけば、
この集積型光学ユニットを分離光学系に使用する際に、
後工程を容易にできる利点がある。

【００５３】この実施例では、フォトリソグラフィー工
程により形成した位置決めガイド７０２を有する基板７
０１上に、所要の光学部品を位置決めして実装するた
め、基板７０１の加工精度が最も重要なファクタとな
る。この基板７０１の加工法としては、概念的にアンダ
ーカット（サイドエッチング）を伴う等方性加工と、ほ
とんど一方向にのみ加工が進む異方性加工とがある。

【００５４】等方性加工による場合には、精度を確保す
るために、除去加工にあってはアンダーカットされる部
分を見越したエッチングしろを、付加加工にあってはめ
っきしろを、それぞれ写真製版段階のサイズに予め含め
ておくのが好適である。同時に、モニタ用の基準パター
ンを用い、被加工材に形成される仕上がり寸法をモニタ
しながら、必要寸法に加工するのが良い。

【００５５】また、異方性加工による場合には、基板材
料として、例えば、単結晶シリコンを用い、そのエッチ
ング速度がエッチャントのＫＯＨ（水酸化カリウム）水
溶液等に対して大きな結晶方位依存性を持つのを利用す
る。この場合、シリコンの結晶面（１１１）のエッチレ
ートは、他の結晶面のそれに比べて極めて小さく、結晶
面（１１０）が最大値を示し、その両者のエッチレート
の比は、１：１８０にも及ぶ。この特性を利用すれば、
図１１に示すように、（１１０）ウエハ８０１の表面
に、＜１−１２＞あるいは＜−１１１＞方向にマスク開
口を設けてエッチングを行えば、｛１１１｝を側壁８０
２とするサイドエッチが少なく、開口から真下に削れた
深溝８０３を得ることができる。

【００５６】このように、基板７０１として、（１１
０）ウエハ８０１を用い、｛１１１｝面が垂直壁８０２
に、｛１１０｝面が底面となるようにエッチングを施せ
ば、例えば、溝深さ５００μｍの加工で、幅方向誤差を
３μｍ以下に抑えられる、高精度で高アスペクト比の深
溝加工を行うことができる。なお、このような単結晶シ
リコンの異方性エッチングについては、佐藤：「単結晶
シリコンの異方性エッチング技術」精密工学会誌５３巻
６号（１９８７年）、ｐｐ．８４９〜８５２に詳しく説
明されている。

【００５７】図１０に示す構成では、破線で囲んだ部分
でμｍオーダの精度が必要となり、全体としてｘ’ｚ平
面内で、ｘ’方向、ｚ方向および斜め４５°方向の３方
向で精度が必要となるので、必要精度方向に異方性エッ
チングを施せば良い。

【００５８】図１２（ａ）〜（ｃ）は、この発明の第７
実施例を示すものである。この実施例は、それぞれフォ
トリソグラフィー工程により作成した下基板９０１と上
基板９０６とを貼り合わせて、一枚の基板９１１を得る
ようにしたものである。下基板９０１は、図１２（ａ）
に示す方向に結晶面を有する厚さ１ｍｍ程度のシリコン
単結晶ウエハからなる。この下基板９０１には、異方性
エッチングにより所要の光学部品を位置決め実装するた
めの深さ５００μｍ程度の溝部を形成する。この実施例
は、図１０に示した光学系を実装するもので、半導体レ
ーザ１０１を実装するための溝部９０２、多像平行平面
板２０１を実装するための溝部９０３、信号検出用光検
出器２０６を実装するための溝部９０４および光量モニ
タ用光検出器２０４を実装するための溝部９０５を形成
する。したがって、溝部９０２、９０４および９０５
は、＜−１１１＞方向に必要精度が確保される。なお、
溝部９０３は、実装する多像平行平面板２０１よりも一
回り大きく形成する。

【００５９】上基板９０６は、図１２（ｂ）に示す方向
に結晶面を有する厚さ０．１〜０．３ｍｍ程度のシリコ
ン単結晶ウエハからなる。この上基板９０６には、異方
性エッチングにより上記の光学部品を位置決め実装する
ための貫通した開口部を形成する。すなわち、半導体レ
ーザ１０１を実装するための切り欠き開口部９０７、多
像平行平面板２０１を実装するための開口部９０８、信
号検出用光検出器２０６を実装するための開口部９０９
および光量モニタ用光検出器２０４を実装するための開
口部９１０を形成する。したがって、多像平行平面板２
０１を実装するための開口部９０８は、＜−１１１＞方
向に必要精度が確保される。なお、開口部９０７、９０
９および９１０は、それぞれ実装する光学部品よりも一
回り大きく形成する。

【００６０】上記の下基板９０１および上基板９０６
は、予め形成した位置合わせマークを用いて位置合わせ
し、その後、直接接合や陽極接合等の手法により貼り合
わせてから所要の寸法に切断して、図１２（ｃ）に示す
ように、一枚の基板９１１を得る。この実施例によれ
ば、２方向において必要精度を確保することができる。
なお、さらに基板を重ねることにより、３方向において
必要精度を確保するよう構成することもできる。

【００６１】この発明の第８実施例においては、図１０
に示す基板７０１として、異なる３方向に対して同時に
μｍオーダの精度を確保できる位置決めガイドを形成し
たものを用いる。このような基板は、例えば、リソグラ
フィー技術においてＬＩＧＡプロセスと呼ばれる加工法
によって形成する。このＬＩＧＡプロセスは、シンクロ
トロンから放射されるＳＯＲ光と呼ばれるＸ線が、直線
性・解像度・透過性に優れ、最終的に望む溝の深さとな
るレジスト厚さが１ｍｍ程度であっても、μｍ程度の精
度で露光が可能であるのを利用したもので、これにより
高アスペクト比・高精度の深溝加工が実現でき、所望の
基板を得ることができる。

【００６２】なお、この発明は上述した実施例にのみ限
定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能で
ある。例えば、上記の各実施例では、多像平行平面板２
０１を透過する半導体レーザ１０１からの光束を光量モ
ニタ用光検出器２０４で受光するようにしたが、偏光膜
１０３で反射される半導体レーザ１０１からの光束を受
光するように光量モニタ用光検出器２０４を配置するこ
ともできる。

【００６３】また、集積型光学ユニット装置の基板とし
て、（１１０）シリコン単結晶ウエハを用る場合には、
異方性エッチングを施すと、（１１１）面が２方向に現
れるので、これら２つの（１１１）面の垂直壁をそれぞ
れ位置決め用のサイドとすることもできる。ただし、こ
の場合の２つのサイドの成す角度は９０°とはならな
い。また、これを利用して、３方向の必要精度を確保し
た基板を形成することもできる。

【００６４】さらに、この発明に係る集積型光学ユニッ
ト装置は、光磁気記録媒体に対してのみでなく、光磁気
効果を利用しない光記録媒体に対して適合するよう構成
することもできる。また、上述した各実施例において、
半導体レーザからの断面楕円ビームを、断面円形となる
ように、ビーム整形機能を付加することもできる。

【００６５】

【発明の効果】この発明の光学ヘッドによれば、偏光膜
を有する多像平行平面板に、往路と復路とを分離する偏
光ビームスプリッタ機能、戻り光からＭＯ信号を差動検
出するための偏光分離機能およびＦＥＳを検出するため
の非点収差発生機能とを持たせると共に、非点収差の発
生方向を情報トラックに対して４５°の方向としたの
で、小型軽量で低コストにできると共に、ＰＰ信号のＦ
ＥＳへの漏れ込みを有効に防止でき、したがって正確な
ＦＥＳを検出でき、フォーカスサーボを安定にできる。

【００６６】また、この発明の集積型光学ユニット装置
によれば、フォトリソグラフィー工程により形成した位
置決めガイドを有する基板上に位置決めして、半導体レ
ーザ、信号検出用光検出器および往・復路分離素子を実
装するようにしたので、組み立てを容易にできると共
に、優れた耐環境特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例を示す図である。

【図２】図１に示す多像平行平面板の構成を示す図であ
る。

【図３】同じく、多像平行平面板の作用を説明するため
の図である。

【図４】同じく、信号検出用光検出器の構成を示す図で
ある。

【図５】この発明の第２実施例を説明するための図であ
る。

【図６】同じく、第３実施例を説明するための図であ
る。

【図７】同じく、第４実施例を説明するための図であ
る。

【図８】第４実施例における多像平行平面板の作用を説
明するための図である。

【図９】光学系の位置関係を説明するための図である。

【図１０】この発明の第６実施例を示す図である。

【図１１】第６実施例の基板を得るためのエッチング処
理を説明するための図である。

【図１２】この発明の第７実施例を説明するための図で
ある。

【図１３】従来の光学ヘッドを示す図である。

【図１４】図１３に示す信号検出用光検出器の構成を示
す図である。

【符号の説明】

１０１ 半導体レーザ １０３ 偏光膜 １０４ 対物レンズ １０５ 光磁気記録媒体 １０６ 情報トラック ２０１ 多像平行平面板 ２０２ 第１の三角プリズム ２０３ 第２の三角プリズム ２０４ 光量モニタ用光検出器 ２０５ ４５°ローテータ ２０６ 信号検出用光検出器 ７０１ 基板 ７０２ 位置決めガイド ９１１ 基板

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直線偏光光束を放射する半導体レーザ
   と、 この半導体レーザからの光束を光磁気記録媒体上にスポ
   ット状に集光させる対物レンズと、 前記半導体レーザと前記対物レンズとの間で、前記光磁
   気記録媒体で反射される戻り光の収束光路中に配置さ
   れ、前記半導体レーザからの直線偏光光束を反射させて
   前記対物レンズに導き、前記戻り光を屈折透過させて非
   点収差を与えて偏光分離するそれぞれ複屈折性結晶から
   なる第１および第２の三角プリズムを貼り合わせてなる
   多像平行平面板と、 この多像平行平面板から射出される光束を受光し、互い
   に直交する偏光成分の出力に基づいて光磁気信号を検出
   すると共に、ほぼ等しい常光および異常光成分を含む出
   力に基づいてフォーカスエラー信号を検出する信号検出
   用光検出器とを有し、 前記多像平行平面板は、前記非点収差の長軸および短軸
   方向が、前記光磁気記録媒体の情報トラックに対してほ
   ぼ４５°となるように配置し、前記第１の三角プリズム
   は、前記戻り光をほぼ等しい強度の常光および異常光に
   偏光分離するようにその光学軸を設定すると共に、前記
   半導体レーザからの直線偏光光束および前記戻り光が入
   射する面に偏光膜を設け、前記第２の三角プリズムは、
   その光学軸を前記第１の三角プリズムの光学軸と所定角
   度異なるように設定したことを特徴とする光学ヘッド。
2. 【請求項２】 前記対物レンズによる前記光磁気記録媒
   体上でのスポット形状が、前記情報トラックに対してほ
   ぼ４５°の方向に長軸を有する楕円状となるように前記
   半導体レーザを配置すると共に、前記光磁気記録媒体上
   に集光される前記半導体レーザからの直線偏光光束の偏
   光方向が、前記情報トラックと平行となるように、前記
   偏光膜と前記対物レンズとの間に１／２波長板を配置し
   たことを特徴とする請求項１記載の光学ヘッド。
3. 【請求項３】 前記対物レンズによる前記光磁気記録媒
   体上でのスポット形状が、前記情報トラックに対してほ
   ぼ直交する方向に長軸を有する楕円状となるように前記
   半導体レーザを配置すると共に、前記光磁気記録媒体上
   に集光される前記半導体レーザからの直線偏光光束の偏
   光方向が、前記情報トラックと平行となるように、前記
   半導体レーザと前記偏光膜との間および該偏光膜と前記
   対物レンズとの間にそれぞれ１／２波長板を配置したこ
   とを特徴とする請求項１記載の光学ヘッド。
4. 【請求項４】 前記第１の三角プリズムの光学軸と前記
   第２の三角プリズムの光学軸とが、前記戻り光の光軸回
   りになす角度βを、４５°≦β（≠９０°）≦１３５°
   として、前記多像平行平面板から常光および異常光成分
   がほぼ等しく含まれる１本の光束と、偏光方向が互いに
   直交する２本の光束とをそれぞれ分離して射出させ、 前記信号検出用光検出器には、前記常光および異常光成
   分がほぼ等しく含まれる光束を受光する４分割受光領域
   と、前記偏光方向が互いに直交する２本の光束を分離し
   て受光する２個の受光領域とを設けて、 前記４分割受光領域の対角和出力の差に基づいて前記フ
   ォーカスエラー信号を、前記２個の分離した受光領域の
   出力差に基づいて前記光磁気信号をそれぞれ検出するよ
   う構成したことを特徴とする請求項１記載の光学ヘッ
   ド。
5. 【請求項５】 前記第１の三角プリズムの光学軸と前記
   第２の三角プリズムの光学軸とが、前記戻り光の光軸回
   りになす角度βをβ＝９０°として、前記多像平行平面
   板から偏光方向が互いに直交する２本の光束を分離して
   射出させ、 前記信号検出用光検出器には、前記偏光方向が互いに直
   交する２本の光束を分離して受光する２個の４分割受光
   領域を設けて、 各４分割受光領域の総和出力の差に基づいて前記光磁気
   信号を、各４分割受光領域の対角和出力の差の和に基づ
   いて前記フォーカスエラー信号をそれぞれ検出するよう
   構成したことを特徴とする請求項１記載の光学ヘッド。
6. 【請求項６】 半導体レーザからの光束を光記録媒体に
   照射し、その戻り光を信号検出用光検出器で受光して、
   前記光記録媒体に対して情報の記録・再生を行う光記録
   媒体装置に用いる集積型光学ユニット装置であって、 前記半導体レーザと、前記信号検出用光検出器と、前記
   半導体レーザからの光束を前記光記録媒体側に導くと共
   に、前記光記録媒体からの戻り光を前記信号検出用光検
   出器側に導く往・復路分離素子とを、フォトリソグラフ
   ィー工程により形成した位置決めガイドを有する基板上
   に位置決め実装してなることを特徴とする集積型光学ユ
   ニット装置。
7. 【請求項７】 前記基板として、単結晶シリコンウエハ
   を用いることを特徴とする請求項６記載の集積型光学ユ
   ニット装置。
8. 【請求項８】 前記基板の位置決めガイドに位置決めし
   て、前記半導体レーザの出射光量をモニタする光量モニ
   タ用光検出器を設けたことを特徴とする請求項６または
   ７記載の集積型光学ユニット装置。
9. 【請求項９】 前記往・復路分離素子は、それぞれ複屈
   折性結晶からなる第１および第２の三角プリズムを貼り
   合わせてなる多像平行平面板で、前記第１の三角プリズ
   ムは、前記戻り光をほぼ等しい強度の常光および異常光
   に偏光分離するようにその光学軸を設定すると共に、前
   記半導体レーザからの光束および前記戻り光が入射する
   面に偏光膜を設け、前記第２の三角プリズムは、その光
   学軸を前記第１の三角プリズムの光学軸と所定角度異な
   るように設定したことを特徴とする請求項６，７または
   ８記載の集積型光学ユニット装置。
10. 【請求項１０】 前記基板は、それぞれ単結晶シリコン
    からなる下基板と上基板とを有し、前記下基板には異方
    性エッチングにより前記位置決めガイドを構成する溝部
    を形成し、前記上基板には異方性エッチングにより前記
    溝部と協働して前記位置決めガイドを構成する開口部を
    形成して、これら下基板および上基板を接合することに
    より、前記溝部および前記開口部により異なる角度方向
    を位置決めするよう構成したことを特徴とする請求項
    ６，７，８または９記載の集積型光学ユニット装置。