JPH07319149A - フォトマスクおよびフォトマスクブランク - Google Patents
フォトマスクおよびフォトマスクブランクInfo
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- JPH07319149A JPH07319149A JP10531994A JP10531994A JPH07319149A JP H07319149 A JPH07319149 A JP H07319149A JP 10531994 A JP10531994 A JP 10531994A JP 10531994 A JP10531994 A JP 10531994A JP H07319149 A JPH07319149 A JP H07319149A
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- JP
- Japan
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- photomask
- light
- substrate
- exposure
- alkali metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】露光光の波長が短波長化した場合であっても、
光源の輝度を敢えて高める必要がなく、しかも従来の通
常の露光方法によっても良好なパターンの形成が可能と
なるフォトマスクおよびフォトマスクブランクとを提供
する。 【構成】遮光膜を形成する基板がアルカリ金属元素とハ
ロゲン元素との化合物よりなることを特徴とする。
光源の輝度を敢えて高める必要がなく、しかも従来の通
常の露光方法によっても良好なパターンの形成が可能と
なるフォトマスクおよびフォトマスクブランクとを提供
する。 【構成】遮光膜を形成する基板がアルカリ金属元素とハ
ロゲン元素との化合物よりなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、Ｕ
ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造用としては言うに及ば
ず、マイクロマシン等のような極めて微細なパターンを
フォトリソグラフィ法を応用して形成しようとする際
に、その複製用原画として使用されるいわゆるフォトマ
スクおよびそれに用いるフォトマスクブランクに関し、
特には露光光として短波長の紫外線を用いるフォトリソ
グラフィ法で好適に利用できるものである。
ＬＳＩ等の半導体集積回路の製造用としては言うに及ば
ず、マイクロマシン等のような極めて微細なパターンを
フォトリソグラフィ法を応用して形成しようとする際
に、その複製用原画として使用されるいわゆるフォトマ
スクおよびそれに用いるフォトマスクブランクに関し、
特には露光光として短波長の紫外線を用いるフォトリソ
グラフィ法で好適に利用できるものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造においては、フォ
トリソグラフィ技術の進歩による素子の微細化に伴な
い、フォトマスクに対する解像力向上の要求がますます
高まっており、デバイス寸法が原理的な解像限界に近づ
いている。一般に、解像度を示す式はｋλ／ＮＡで与え
られるが、このことから、解像限界を上げる為には回析
光の影響が小さくなる短波長の光を用いる方法が望まれ
ることが判る。ここで、λは光の波長、ＮＡはレンズの
開口数、ｋは定数を示している。しかしながら、露光波
長を短波長化すると、露光装置に用いる光学系に使用し
ているレンズ等の光学素子も光吸収が大きくなってく
る。フォトマスクは露光による転写に用いる複製用原画
であり、やはり露光光の光路上に入れて使用するために
前記光学素子と同様の問題が発生する。
トリソグラフィ技術の進歩による素子の微細化に伴な
い、フォトマスクに対する解像力向上の要求がますます
高まっており、デバイス寸法が原理的な解像限界に近づ
いている。一般に、解像度を示す式はｋλ／ＮＡで与え
られるが、このことから、解像限界を上げる為には回析
光の影響が小さくなる短波長の光を用いる方法が望まれ
ることが判る。ここで、λは光の波長、ＮＡはレンズの
開口数、ｋは定数を示している。しかしながら、露光波
長を短波長化すると、露光装置に用いる光学系に使用し
ているレンズ等の光学素子も光吸収が大きくなってく
る。フォトマスクは露光による転写に用いる複製用原画
であり、やはり露光光の光路上に入れて使用するために
前記光学素子と同様の問題が発生する。
【０００３】以下に、従来のフォトマスクの代表的な一
例を（図７）を参照にしつつ説明する。（図７）では、
従来の透明基板６上に成膜した遮光層２をパターニング
して半導体製造用原画パターンである遮光層パターン２
１を形成したものを示している。基板上に遮光層パター
ンを形成したものをフォトマスクと称する。従来のフォ
トマスクでは、支持体である従来の透明基板６が、低膨
張ガラス、合成石英等の酸化ケイ素を主成分にしたガラ
スによって構成されていた。ところが、露光光の短波長
化に伴って、露光光に対する基板の透明性が低下してく
る。このために、短波長の露光光を光源に用いる場合に
は、光源の輝度を上げるとか、感光体であるレジストの
感度を上げる等の工夫が必要であった。
例を（図７）を参照にしつつ説明する。（図７）では、
従来の透明基板６上に成膜した遮光層２をパターニング
して半導体製造用原画パターンである遮光層パターン２
１を形成したものを示している。基板上に遮光層パター
ンを形成したものをフォトマスクと称する。従来のフォ
トマスクでは、支持体である従来の透明基板６が、低膨
張ガラス、合成石英等の酸化ケイ素を主成分にしたガラ
スによって構成されていた。ところが、露光光の短波長
化に伴って、露光光に対する基板の透明性が低下してく
る。このために、短波長の露光光を光源に用いる場合に
は、光源の輝度を上げるとか、感光体であるレジストの
感度を上げる等の工夫が必要であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点に
鑑みなされたものであり、その目的とするところは、露
光光の波長が短波長化した場合であっても、光源の輝度
を敢えて高める必要がなく、しかも従来の通常の露光方
法によっても良好なパターンの形成が可能となるフォト
マスクおよびフォトマスクブランクとを提供することに
ある。
鑑みなされたものであり、その目的とするところは、露
光光の波長が短波長化した場合であっても、光源の輝度
を敢えて高める必要がなく、しかも従来の通常の露光方
法によっても良好なパターンの形成が可能となるフォト
マスクおよびフォトマスクブランクとを提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、すなわち、請求項１に示
すように、遮光膜を形成する基板がアルカリ金属元素と
ハロゲン元素との化合物よりなることを特徴とするフォ
トマスクである。
に本発明が提供する手段とは、すなわち、請求項１に示
すように、遮光膜を形成する基板がアルカリ金属元素と
ハロゲン元素との化合物よりなることを特徴とするフォ
トマスクである。
【０００６】好ましくは、請求項２に示すように、アル
カリ金属が、リチウム、ナトリウム、あるいはカリウム
のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１に記
載のフォトマスクである。
カリ金属が、リチウム、ナトリウム、あるいはカリウム
のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１に記
載のフォトマスクである。
【０００７】あるいは、請求項３に示すように、遮光膜
を形成する基板が、アルカリ土類金属元素とハロゲン元
素との化合物よりなることを特徴とするフォトマスクで
ある。
を形成する基板が、アルカリ土類金属元素とハロゲン元
素との化合物よりなることを特徴とするフォトマスクで
ある。
【０００８】好ましくは、請求項４に示すように、アル
カリ土類金属がマグネシウムあるいは、カルシウムある
いは、ストロンチウム、あるいはバリウムであることを
特徴とする請求項３に記載のフォトマスクである。
カリ土類金属がマグネシウムあるいは、カルシウムある
いは、ストロンチウム、あるいはバリウムであることを
特徴とする請求項３に記載のフォトマスクである。
【０００９】より好ましくは、請求項５に示すように、
ハロゲン元素が、フッ素、塩素、あるいは臭素のうちの
いずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載のフォトマスクである。
ハロゲン元素が、フッ素、塩素、あるいは臭素のうちの
いずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載のフォトマスクである。
【００１０】また好ましくは、請求項６に示すように、
遮光膜パターンを支持する基板がアルカリ金属元素とハ
ロゲン元素との化合物よりなり、該基板の面に保護層を
成膜したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載のフォトマスクである。
遮光膜パターンを支持する基板がアルカリ金属元素とハ
ロゲン元素との化合物よりなり、該基板の面に保護層を
成膜したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載のフォトマスクである。
【００１１】あるいは、請求項６に示すように、アルカ
リ金属元素とハロゲン元素との化合物よりなる基板上に
遮光層が形成されたことを特徴とするフォトマスクブラ
ンクである。
リ金属元素とハロゲン元素との化合物よりなる基板上に
遮光層が形成されたことを特徴とするフォトマスクブラ
ンクである。
【００１２】好ましくは、請求項８に示すように、アル
カリ金属がリチウム、ナトリウム、あるいはカリウムの
うちのいずれかであることを特徴とする請求項７に記載
のフォトマスクブランクである。
カリ金属がリチウム、ナトリウム、あるいはカリウムの
うちのいずれかであることを特徴とする請求項７に記載
のフォトマスクブランクである。
【００１３】あるいは、請求項９に示すように、アルカ
リ土類金属元素とハロゲン元素との化合物よりなる基板
上に遮光層が形成されたことを特徴とするフォトマスク
ブランクである。
リ土類金属元素とハロゲン元素との化合物よりなる基板
上に遮光層が形成されたことを特徴とするフォトマスク
ブランクである。
【００１４】好ましくは、請求項１０に示すように、ア
ルカリ土類金属が、マグネシウム、カルシウム、ストロ
ンチウム、あるいはバリウムのうちのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項９に記載のフォトマスクブランク
である。
ルカリ土類金属が、マグネシウム、カルシウム、ストロ
ンチウム、あるいはバリウムのうちのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項９に記載のフォトマスクブランク
である。
【００１５】より好ましくは、請求項１１に示すよう
に、ハロゲン元素が、フッ素、塩素、あるいは臭素のう
ちのいずれかであることを特徴とする請求項７乃至１０
のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。
に、ハロゲン元素が、フッ素、塩素、あるいは臭素のう
ちのいずれかであることを特徴とする請求項７乃至１０
のいずれかに記載のフォトマスクブランクである。
【００１６】より好ましくは、請求項１１に示すよう
に、遮光膜パターンを支持する基板がアルカリ金属元素
とハロゲン元素との化合物よりなり、前記基板の面に保
護層を成膜したことを特徴とする請求項７から１１のい
ずれかに記載のフォトマスクブランクである。
に、遮光膜パターンを支持する基板がアルカリ金属元素
とハロゲン元素との化合物よりなり、前記基板の面に保
護層を成膜したことを特徴とする請求項７から１１のい
ずれかに記載のフォトマスクブランクである。
【００１７】以下に、本発明に係わるフォトマスクにつ
いて図面を参照しつつ製造方法を含めてさらに詳細に述
べる。ここで、（図１）から（図４）は、断面図を用い
て本発明のフォトマスクの製造方法を示すとともにフォ
トマスクブランクおよびフォトマスクの概要を示したも
のである。
いて図面を参照しつつ製造方法を含めてさらに詳細に述
べる。ここで、（図１）から（図４）は、断面図を用い
て本発明のフォトマスクの製造方法を示すとともにフォ
トマスクブランクおよびフォトマスクの概要を示したも
のである。
【００１８】次に（図５）から（図６）は、断面図を用
いて本発明のフォトマスクとブランクの第２の構造を示
したものである。（図１）は透明基板１上に遮光層２を
形成したブランクを示す。透明基板１は短波長光にも充
分な透明性を有するアルカリ金属、あるいはアルカリ土
類金属とハロゲン元素の化合物からなる。
いて本発明のフォトマスクとブランクの第２の構造を示
したものである。（図１）は透明基板１上に遮光層２を
形成したブランクを示す。透明基板１は短波長光にも充
分な透明性を有するアルカリ金属、あるいはアルカリ土
類金属とハロゲン元素の化合物からなる。
【００１９】より具体的には、フッ化リチウム、フッ化
ナトリウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化カリ
ウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化
バリウム、あるいはフッ化ストロンチウム等が挙げられ
る。次に、（図１）のブランク上にレジスト３をコート
し、パターニング用の露光を行う。（図２）ではポジ型
の電子線レジストを用いて電子線４による描画を行った
場合を示している。続いて現像工程を経てレジストパタ
ーン３１が形成される（図３）。このレジストパターン
３１をマスクにして遮光層２をエッチングによりパター
ニングして遮光層２１を得た後、レジスト層パターン３
１を除去して図４のフォトマスクが完成する。
ナトリウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化カリ
ウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化
バリウム、あるいはフッ化ストロンチウム等が挙げられ
る。次に、（図１）のブランク上にレジスト３をコート
し、パターニング用の露光を行う。（図２）ではポジ型
の電子線レジストを用いて電子線４による描画を行った
場合を示している。続いて現像工程を経てレジストパタ
ーン３１が形成される（図３）。このレジストパターン
３１をマスクにして遮光層２をエッチングによりパター
ニングして遮光層２１を得た後、レジスト層パターン３
１を除去して図４のフォトマスクが完成する。
【００２０】（図５）は本発明に係わる第２のマスクブ
ランクを示す。（図１）と同様の透明基板１に対して、
その両側に保護層５を形成している。この保護層はフォ
トマスク作製工程あるいはフォトマスク使用時に透明基
板１を保護するために設けたものである。保護層５の材
質としては、酸化ケイ素のような短波長で透明性が低下
するものであっても保護層５の膜厚が薄いために使用可
能であるが、出来る限り透明性の高い物が望ましい。さ
らに保護層５は必要に応じて設ければよい。（図５）で
は透明基板１の両側に形成しているが、片側だけに形成
する場合もある。（図５）のブランクを用いて（図１）
から（図４）と同様の工程によってフォトマスク（図
６）が完成する。
ランクを示す。（図１）と同様の透明基板１に対して、
その両側に保護層５を形成している。この保護層はフォ
トマスク作製工程あるいはフォトマスク使用時に透明基
板１を保護するために設けたものである。保護層５の材
質としては、酸化ケイ素のような短波長で透明性が低下
するものであっても保護層５の膜厚が薄いために使用可
能であるが、出来る限り透明性の高い物が望ましい。さ
らに保護層５は必要に応じて設ければよい。（図５）で
は透明基板１の両側に形成しているが、片側だけに形成
する場合もある。（図５）のブランクを用いて（図１）
から（図４）と同様の工程によってフォトマスク（図
６）が完成する。
【００２１】
【作用】本発明に係わるフォトマスクおよびそれに用い
るマスクブランクによると、例えば半導体製造のよう
に、露光工程において使用する露光光が短波長化した場
合（ｉ線域の波長の露光光はもとより、ＫｒＦエキシマ
レーザーやＡｒＦエキシマレーザー等のように波長が更
に短い光の場合）であっても、合成石英ガラス等に代表
される基材からなる従来のフォトマスクと比較してフォ
トマスクによる光吸収が極めて少ないことから、露光時
の実効の露光光強度が低下してしまうことが無く、コン
トラストの高い良好な露光を実施できる。このため、光
源の輝度を増大させて対応する等の手段を敢えて用いる
こともなく、設備自体の導入や設備稼働の為のコストが
高くなることを防ぐことが出来る。また、露光の感光材
料であるレジストの感度等も大きな工夫を必要とせず使
用できる。
るマスクブランクによると、例えば半導体製造のよう
に、露光工程において使用する露光光が短波長化した場
合（ｉ線域の波長の露光光はもとより、ＫｒＦエキシマ
レーザーやＡｒＦエキシマレーザー等のように波長が更
に短い光の場合）であっても、合成石英ガラス等に代表
される基材からなる従来のフォトマスクと比較してフォ
トマスクによる光吸収が極めて少ないことから、露光時
の実効の露光光強度が低下してしまうことが無く、コン
トラストの高い良好な露光を実施できる。このため、光
源の輝度を増大させて対応する等の手段を敢えて用いる
こともなく、設備自体の導入や設備稼働の為のコストが
高くなることを防ぐことが出来る。また、露光の感光材
料であるレジストの感度等も大きな工夫を必要とせず使
用できる。
【００２２】さらに、Ｆ2 エキシマレーザーのような、
より短波長の露光光の場合では、合成石英ガラス等の基
材からなる従来のフォトマスクでは、従来どおりの通常
の方法ではもはや充分な光を透過させることが難しくな
る。この際にも、本発明の基材を用いることで、従来の
工程と同様に露光することが可能となる。
より短波長の露光光の場合では、合成石英ガラス等の基
材からなる従来のフォトマスクでは、従来どおりの通常
の方法ではもはや充分な光を透過させることが難しくな
る。この際にも、本発明の基材を用いることで、従来の
工程と同様に露光することが可能となる。
【００２３】
＜実施例１＞両面研磨した２０ｍｍ径のフッ化カルシウ
ム板に、スパッタリング法によってクロム膜を約１００
ｎｍの厚さに成膜した。次に電子線レジスト（東レ製、
商品名：ＥＢＲ−９）を約５００ｎｍの厚さにコート
し、加速電圧１０ｋＶ、ドーズ量約２μＣ／ｃｍ2 の条
件で電子線描画を行った。続いて、所定の現像液を用い
て現像し、レジストパターンを得た。遮光層であるクロ
ム層のパターニングは四塩化炭素を主成分とするガスを
導入し、平行平板型エッチング装置を用いて反応性イオ
ンエッチングによって行った。このフォトマスクの分光
透過率を測定したところ、２００ｎｍの波長で、透過部
分は透過率９８％という高い透過率を示し、またクロム
の遮光層パターン部分については透過率０．１％以下と
いう低い値であった。この結果、本実施例により充分な
コントラストを呈するフォトマスクを得られることが確
認出来た。
ム板に、スパッタリング法によってクロム膜を約１００
ｎｍの厚さに成膜した。次に電子線レジスト（東レ製、
商品名：ＥＢＲ−９）を約５００ｎｍの厚さにコート
し、加速電圧１０ｋＶ、ドーズ量約２μＣ／ｃｍ2 の条
件で電子線描画を行った。続いて、所定の現像液を用い
て現像し、レジストパターンを得た。遮光層であるクロ
ム層のパターニングは四塩化炭素を主成分とするガスを
導入し、平行平板型エッチング装置を用いて反応性イオ
ンエッチングによって行った。このフォトマスクの分光
透過率を測定したところ、２００ｎｍの波長で、透過部
分は透過率９８％という高い透過率を示し、またクロム
の遮光層パターン部分については透過率０．１％以下と
いう低い値であった。この結果、本実施例により充分な
コントラストを呈するフォトマスクを得られることが確
認出来た。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係わるフォトマスクによると、
半導体製造時のフォトリソグラフィの際の露光工程にお
いて、短波長の露光光を使用した場合であってもフォト
マスクによる多大な光吸収のために生じていた実効の露
光光強度が低下がなく、効率のよい良好な露光を実施で
きる。この結果、光源の輝度の増強等の措置を敢えて講
ずる必要がなくフォトリソグラフィ工程を行なうことが
出来るようになった。
半導体製造時のフォトリソグラフィの際の露光工程にお
いて、短波長の露光光を使用した場合であってもフォト
マスクによる多大な光吸収のために生じていた実効の露
光光強度が低下がなく、効率のよい良好な露光を実施で
きる。この結果、光源の輝度の増強等の措置を敢えて講
ずる必要がなくフォトリソグラフィ工程を行なうことが
出来るようになった。
【図１】本発明に係わるフォトマスクのブランクの一実
施例について、断面図を用いてその概要を示す説明図で
ある。
施例について、断面図を用いてその概要を示す説明図で
ある。
【図２】本発明に係わるフォトマスクの一実施例につい
て、その断面図を用いて製造工程の概要を示す説明図で
ある。（図１〜図４）
て、その断面図を用いて製造工程の概要を示す説明図で
ある。（図１〜図４）
【図３】本発明に係わるフォトマスクの一実施例につい
て、その断面図を用いて製造工程の概要を示す説明図で
ある。（図１〜図４）
て、その断面図を用いて製造工程の概要を示す説明図で
ある。（図１〜図４）
【図４】本発明に係わるフォトマスクの一実施例につい
て、その断面図を用いて製造工程の概要を示す説明図で
ある。（図１〜図４）
て、その断面図を用いて製造工程の概要を示す説明図で
ある。（図１〜図４）
【図５】本発明に係わるフォトマスクのブランクの他の
一実施例について、断面図を用いてその概要を示す説明
図である。
一実施例について、断面図を用いてその概要を示す説明
図である。
【図６】本発明に係わるフォトマスクの他の一実施例に
ついて、断面図を用いてその概要を示す説明図である。
ついて、断面図を用いてその概要を示す説明図である。
【図７】従来のフォトマスクの一例について、断面図を
用いてその概要を示す説明図である。
用いてその概要を示す説明図である。
【図８】一例としてＣａＦ2 基板（厚さ５ｍｍ）に対す
る露光波長と透過率との関係の様子を示す参考図であ
る。
る露光波長と透過率との関係の様子を示す参考図であ
る。
１・・・透明基板 ２・・・遮光層 ３・・・レジスト層 ４・・・電子線 ５・・・保護層 ６・・・従来の透明基板 ２１・・・遮光層パターン ３１・・・レジスト層パターン
Claims (12)
- 【請求項１】遮光膜を形成する基板がアルカリ金属元素
とハロゲン元素との化合物よりなることを特徴とするフ
ォトマスク。 - 【請求項２】アルカリ金属が、リチウム、ナトリウム、
あるいはカリウムのうちのいずれかであることを特徴と
する請求項１に記載のフォトマスク。 - 【請求項３】遮光膜を形成する基板が、アルカリ土類金
属元素とハロゲン元素との化合物よりなることを特徴と
するフォトマスク。 - 【請求項４】アルカリ土類金属がマグネシウムあるい
は、カルシウムあるいは、ストロンチウム、あるいはバ
リウムであることを特徴とする請求項３に記載のフォト
マスク。 - 【請求項５】ハロゲン元素が、フッ素、塩素、あるいは
臭素のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１
乃至４のいずれかに記載のフォトマスク。 - 【請求項６】遮光膜パターンを支持する基板がアルカリ
金属元素とハロゲン元素との化合物よりなり、該基板の
面に保護層を成膜したことを特徴とする請求項１乃至５
のいずれかに記載のフォトマスク。 - 【請求項７】アルカリ金属元素とハロゲン元素との化合
物よりなる基板上に遮光層が形成されたことを特徴とす
るフォトマスクブランク。 - 【請求項８】アルカリ金属がリチウム、ナトリウム、あ
るいはカリウムのうちのいずれかであることを特徴とす
る請求項７に記載のフォトマスクブランク。 - 【請求項９】アルカリ土類金属元素とハロゲン元素との
化合物よりなる基板上に遮光層が形成されたことを特徴
とするフォトマスクブランク。 - 【請求項１０】アルカリ土類金属が、マグネシウム、カ
ルシウム、ストロンチウム、あるいはバリウムのうちの
いずれかであることを特徴とする請求項９に記載のフォ
トマスクブランク。 - 【請求項１１】ハロゲン元素が、フッ素、塩素、あるい
は臭素のうちのいずれかであることを特徴とする請求項
７乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 【請求項１２】遮光膜パターンを支持する基板がアルカ
リ金属元素とハロゲン元素との化合物よりなり、前記基
板の面に保護層を成膜したことを特徴とする請求項７か
ら１１のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10531994A JPH07319149A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | フォトマスクおよびフォトマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10531994A JPH07319149A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | フォトマスクおよびフォトマスクブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07319149A true JPH07319149A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14404397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10531994A Pending JPH07319149A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | フォトマスクおよびフォトマスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07319149A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999024869A1 (fr) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomasque plaque de correction d'aberration, dispositif d'exposition et procede de fabrication de micro-dispositif |
| WO2000019271A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomasque et procede d'exposition |
-
1994
- 1994-05-19 JP JP10531994A patent/JPH07319149A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999024869A1 (fr) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomasque plaque de correction d'aberration, dispositif d'exposition et procede de fabrication de micro-dispositif |
| US6653024B1 (en) | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| WO2000019271A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomasque et procede d'exposition |
| US6727025B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-04-27 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
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