JPH0731484B2 - 表示装置 - Google Patents
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- JPH0731484B2 JPH0731484B2 JP61233125A JP23312586A JPH0731484B2 JP H0731484 B2 JPH0731484 B2 JP H0731484B2 JP 61233125 A JP61233125 A JP 61233125A JP 23312586 A JP23312586 A JP 23312586A JP H0731484 B2 JPH0731484 B2 JP H0731484B2
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/088—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element
- G09G2300/0895—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element having more than one selection line for a two-terminal active matrix LCD, e.g. Lechner and D2R circuits
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、２つの支持板間に介挿される電気光学表示媒
体と、行列配置される画素系にあって、各画素が互いに
対向して前記支持板の表面上に設けられる２つの画素電
極によって構成される画素系と、行電極が前記支持板の
一方に設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設け
られる画素駆動用の行列電極系と、スイッチング素子系
とを具え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイッチ
ング素子を第１行電極と列電極との間にて各画素に直列
に配置し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線形ス
イッチング素子を第１行電極と第２行電極との間にて前
記第１非対称非線形スイッチング素子に直列に配置し、
前記追加のスイッチング素子を画素と第２行電極との間
に前記第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方向に
接続した表示装置に関するものである。
体と、行列配置される画素系にあって、各画素が互いに
対向して前記支持板の表面上に設けられる２つの画素電
極によって構成される画素系と、行電極が前記支持板の
一方に設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設け
られる画素駆動用の行列電極系と、スイッチング素子系
とを具え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイッチ
ング素子を第１行電極と列電極との間にて各画素に直列
に配置し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線形ス
イッチング素子を第１行電極と第２行電極との間にて前
記第１非対称非線形スイッチング素子に直列に配置し、
前記追加のスイッチング素子を画素と第２行電極との間
に前記第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方向に
接続した表示装置に関するものである。
なお、本明細書中にて用いている「行電極」及び「列電
極」は互いに入れ換えることができるため、行電極に関
連する個所は列電極についても言え、また同時に列電極
を行電極に変えることができる。「非対称非線形スイッ
チング素子」とは本明細書では先ず、単結晶、多結晶又
はアモルファスシリコン、CdSe或いは他の半導体材料製
の例えばpnダイオード、ショットキーダイオード又はPI
Nダイオードの如き前記表示装置を製造するための技術
にとっては通例のダイオードのことを意味するものとす
るが、例えばベース−コレクタ接合を短絡したバイポー
ラトランジスタ又はゲートをドレインに接続したMOSト
ランジスタの如き他の種類の非線形スイッチング素子も
含むものとする。
極」は互いに入れ換えることができるため、行電極に関
連する個所は列電極についても言え、また同時に列電極
を行電極に変えることができる。「非対称非線形スイッ
チング素子」とは本明細書では先ず、単結晶、多結晶又
はアモルファスシリコン、CdSe或いは他の半導体材料製
の例えばpnダイオード、ショットキーダイオード又はPI
Nダイオードの如き前記表示装置を製造するための技術
にとっては通例のダイオードのことを意味するものとす
るが、例えばベース−コレクタ接合を短絡したバイポー
ラトランジスタ又はゲートをドレインに接続したMOSト
ランジスタの如き他の種類の非線形スイッチング素子も
含むものとする。
斯種の表示装置は液晶、電気泳動懸濁液及び電気クロム
材料の如き不活性の電気光学表示媒体によって英数字や
ビデオ情報を表示させるのに好適である。
材料の如き不活性の電気光学表示媒体によって英数字や
ビデオ情報を表示させるのに好適である。
従来の不活性光学表示媒体は一般に供給電圧に対して峻
度が不充分なスレッショールド電圧を有し、しかも真性
メモリが不充分である。これらの特性からして、多重化
マトリックス表示装置では充分なコントラストを得るた
めに、駆動さすべきライン数を制限している。また、メ
モリ作用が充分でないために列電極を介して選択行電極
に供給する情報を幾度も書込む必要がある。さらに、列
電極に供給する電圧は駆動させる行電極の画素間だけで
なく、他の行電極すべての画像素子間にも供給される。
従って、これら残りの行電極が駆動されない等分の間は
画素に実効電圧がかかり、この実効電圧は画素をオン状
態にしないように十分小さくする必要がある。さらに、
行電極の数が増えるにつれて、画素にオン及びオフ状態
にてそれぞれかかる電圧に対する実効電圧の比率が低下
する。スレッショールド電極の峻度が不充分な場合に
は、オン及びオフ状態における画素間のコントラストが
低下する。
度が不充分なスレッショールド電圧を有し、しかも真性
メモリが不充分である。これらの特性からして、多重化
マトリックス表示装置では充分なコントラストを得るた
めに、駆動さすべきライン数を制限している。また、メ
モリ作用が充分でないために列電極を介して選択行電極
に供給する情報を幾度も書込む必要がある。さらに、列
電極に供給する電圧は駆動させる行電極の画素間だけで
なく、他の行電極すべての画像素子間にも供給される。
従って、これら残りの行電極が駆動されない等分の間は
画素に実効電圧がかかり、この実効電圧は画素をオン状
態にしないように十分小さくする必要がある。さらに、
行電極の数が増えるにつれて、画素にオン及びオフ状態
にてそれぞれかかる電圧に対する実効電圧の比率が低下
する。スレッショールド電極の峻度が不充分な場合に
は、オン及びオフ状態における画素間のコントラストが
低下する。
駆動すべき行電国の数は画素毎に追加のスイッチング素
子を設けることによって増やせることは既知である。こ
のスイッチング素子は供給電圧に対してスレショールド
電圧を充分に急峻なものとし、しかも駆動させた行電極
に供給された情報が、残りの行電極が駆動される当分の
間画素間に維持されるようにする。スイッチング素子
は、同じ列における他の画素に対し、その列電極が駆動
されない当分の間は画素が有効電圧を受けないようにも
する。
子を設けることによって増やせることは既知である。こ
のスイッチング素子は供給電圧に対してスレショールド
電圧を充分に急峻なものとし、しかも駆動させた行電極
に供給された情報が、残りの行電極が駆動される当分の
間画素間に維持されるようにする。スイッチング素子
は、同じ列における他の画素に対し、その列電極が駆動
されない当分の間は画素が有効電圧を受けないようにも
する。
冒頭にて述べた種類の表示装置は“プロシーディングス
アイ・イー・イー・イー”（Proc.IEEE）（Vol.59,N
o.11,1971年11月第1566〜1579頁、特に第1574頁）にお
けるビー・ジェー・レヒナー（B.J.Lechner）外１名に
よる論文「液晶マトリックス ディスプレイ」に開示さ
れている。これに図示されており、かつこれに関連する
acD2C法と称される駆動方法によれば、単方向性の非線
形スイッチング素子（ダイオード）によるにも拘らず、
画素間に交流電圧が得られると言う利点がある。しかし
このことは第２行電極を犠牲にし、この第２電極には追
加の回路によって所望電圧を供給しなければならない。
アイ・イー・イー・イー”（Proc.IEEE）（Vol.59,N
o.11,1971年11月第1566〜1579頁、特に第1574頁）にお
けるビー・ジェー・レヒナー（B.J.Lechner）外１名に
よる論文「液晶マトリックス ディスプレイ」に開示さ
れている。これに図示されており、かつこれに関連する
acD2C法と称される駆動方法によれば、単方向性の非線
形スイッチング素子（ダイオード）によるにも拘らず、
画素間に交流電圧が得られると言う利点がある。しかし
このことは第２行電極を犠牲にし、この第２電極には追
加の回路によって所望電圧を供給しなければならない。
本発明の目的は上述したような追加の回路をなくす手段
をとって、前述した論文に開示されているacD2C駆動法
による表示装置の場合に較べて駆動点の数を実際上半分
にし得るように適切に構成配置した表示装置を提供する
ことにある。
をとって、前述した論文に開示されているacD2C駆動法
による表示装置の場合に較べて駆動点の数を実際上半分
にし得るように適切に構成配置した表示装置を提供する
ことにある。
本発明は冒頭にて述べた種類の表示装置において、前記
第１行電極を前記第１非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第１個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して共通点に接続すると共に、前記第
２行電極を前記追加の非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第２個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して前記共通点に接続したことを特徴
とする。
第１行電極を前記第１非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第１個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して共通点に接続すると共に、前記第
２行電極を前記追加の非対称非線形スイッチング素子に
直列に同一極性で接続した第２個数の非対称非線形スイ
ッチング素子を介して前記共通点に接続したことを特徴
とする。
本発明は特に、第１又は追加のスイッチング素子と、共
通接続点との間に行電極毎に斯かる第１又は追加のスイ
ッチング素子に直列に１個以上のスイッチング素子を接
続することによって画素間に大きな電圧差（従って、例
えば液晶の如き、使用すべき電気工学材料の広い選択
性）を達成することができると言う事実の認識に基づい
て成したものである。
通接続点との間に行電極毎に斯かる第１又は追加のスイ
ッチング素子に直列に１個以上のスイッチング素子を接
続することによって画素間に大きな電圧差（従って、例
えば液晶の如き、使用すべき電気工学材料の広い選択
性）を達成することができると言う事実の認識に基づい
て成したものである。
本発明による表示装置の斯かる第１例のものは、画素数
が少なくない場合には極めて好ましいけれども、多数の
画素を用いると、容量性のクロストークのために行電極
が、それに接続した画素が誤った情報を表示するような
電圧値にまで充電されたり、放電したりし得ることを確
かめた。
が少なくない場合には極めて好ましいけれども、多数の
画素を用いると、容量性のクロストークのために行電極
が、それに接続した画素が誤った情報を表示するような
電圧値にまで充電されたり、放電したりし得ることを確
かめた。
このようなことをなくすために、本発明による表示装置
の好適例によれば、前記第１及び第２個数の非対称非線
形スイッチング素子の双方にそれぞれ少なくとも１個の
非対称非線形スイッチング素子を逆極性で並列に接続す
る。
の好適例によれば、前記第１及び第２個数の非対称非線
形スイッチング素子の双方にそれぞれ少なくとも１個の
非対称非線形スイッチング素子を逆極性で並列に接続す
る。
第１スイッチング素子が導通している期間及び追加のス
イッチング素子が導通している期間の双方の期間中多数
の同一の非対称非線形スイッチング素子によって電流を
搬送させることもできる。
イッチング素子が導通している期間の双方の期間中多数
の同一の非対称非線形スイッチング素子によって電流を
搬送させることもできる。
これがため、本発明はさらに前記各行電極を少なくとも
１個の反対極性の非対称非線形スイッチング素子を介し
て共通接続点に接続すると共に、各々同一極性に配置し
た第３個数の非対称非線形スイッチング素子から成る少
なくとも１つの直列回路を前記第１と追加の非対称非線
形スイッチング素子との直列回路に反対極性で逆並列に
接続したことを特徴とする。
１個の反対極性の非対称非線形スイッチング素子を介し
て共通接続点に接続すると共に、各々同一極性に配置し
た第３個数の非対称非線形スイッチング素子から成る少
なくとも１つの直列回路を前記第１と追加の非対称非線
形スイッチング素子との直列回路に反対極性で逆並列に
接続したことを特徴とする。
以下図面につき本発明を説明する。
第１図は、２枚の支持板２及び３を具え、これらの支持
板間に液晶４を介在させた表示装置１の一部を示す断面
図である。支持板２及び３の内側面には電気的及び化学
的に絶縁性の層５を被着する。それぞれ行及び列に配列
ささる多数の画像電極６及び７を支持板２及び３上に設
ける。対向して配置する画像電極６及び７は表示装置の
画素を構成する。列画像電極７間にはストリップ状の列
電極11を配置する。列電極11及び画像電極７は一体化し
てストリップ状電極を形成するようにするのが有利であ
る。行画像電極６間にはストリップ状行電極8a,8bを設
ける。各画素電極６をダイオード9a,9b第１図には図示
せず）によって２つの行電極８に接続する。ダイオード
９は供給電圧に対して充分急峻なスレッショールド電圧
を液晶４に与えると共に液晶４に対するメモリを形成す
る。支持板２及び３の内側面には液晶配向層10も設け
る。既知の如く、液晶分子の他の配向状態、従って光学
的に異なる状態は液晶層４間に電圧をかけることによっ
て得ることができる。表示装置は透過式及び反射式のい
ずれの装置としても実現することができる。
板間に液晶４を介在させた表示装置１の一部を示す断面
図である。支持板２及び３の内側面には電気的及び化学
的に絶縁性の層５を被着する。それぞれ行及び列に配列
ささる多数の画像電極６及び７を支持板２及び３上に設
ける。対向して配置する画像電極６及び７は表示装置の
画素を構成する。列画像電極７間にはストリップ状の列
電極11を配置する。列電極11及び画像電極７は一体化し
てストリップ状電極を形成するようにするのが有利であ
る。行画像電極６間にはストリップ状行電極8a,8bを設
ける。各画素電極６をダイオード9a,9b第１図には図示
せず）によって２つの行電極８に接続する。ダイオード
９は供給電圧に対して充分急峻なスレッショールド電圧
を液晶４に与えると共に液晶４に対するメモリを形成す
る。支持板２及び３の内側面には液晶配向層10も設け
る。既知の如く、液晶分子の他の配向状態、従って光学
的に異なる状態は液晶層４間に電圧をかけることによっ
て得ることができる。表示装置は透過式及び反射式のい
ずれの装置としても実現することができる。
第２図は第１図の表示装置に用いられるような表示セル
の透過率／電圧特性を示したものである。所定のスレッ
ショールド電圧（V1又はVTH）以下ではセルは実際上光
をいずれも透過せず、また所定の飽和電圧（V2又は
VSAT）以上ではセルは実際上完全に半透明となる。な
お、斯種のセルは一般に交流電圧で作動させるため、横
座標には交流電圧の絶対値をプロットしてある。
の透過率／電圧特性を示したものである。所定のスレッ
ショールド電圧（V1又はVTH）以下ではセルは実際上光
をいずれも透過せず、また所定の飽和電圧（V2又は
VSAT）以上ではセルは実際上完全に半透明となる。な
お、斯種のセルは一般に交流電圧で作動させるため、横
座標には交流電圧の絶対値をプロットしてある。
第３図は本発明による表示装置の第１例の一部、特に制
御部の部分を線図的に示したものである。上述したよう
に、例えばマトリックスの一部を形成する各画素12は一
方では画像電極７を介して列電極11に接続し、かつ他方
では画像電極６及び２個のダイオード9a,9b又は他の一
方向性の非対称非線形スイッチング素子を介して２つの
行電極8a,8bに接続する。冒頭にて既に述べたように、
表示装置をac−D2C方法に従って制御する斯種の回路で
は行電極の接続点の数が２倍となる。このようなことを
なくすために本発明にれば、行電極8a,8bの制御ライン1
3に多数の追加のダイオート14a,14bを設け、これらのダ
イオードをダイオード9a及び9bにそれぞれ直列に接続す
る。これらダイオードによる２つの直列回路を画像電極
６に対応する点（これはスイッチング技法の観点からし
て共通の点）15と駆動点16との間にそれぞれ並列に接続
する。
御部の部分を線図的に示したものである。上述したよう
に、例えばマトリックスの一部を形成する各画素12は一
方では画像電極７を介して列電極11に接続し、かつ他方
では画像電極６及び２個のダイオード9a,9b又は他の一
方向性の非対称非線形スイッチング素子を介して２つの
行電極8a,8bに接続する。冒頭にて既に述べたように、
表示装置をac−D2C方法に従って制御する斯種の回路で
は行電極の接続点の数が２倍となる。このようなことを
なくすために本発明にれば、行電極8a,8bの制御ライン1
3に多数の追加のダイオート14a,14bを設け、これらのダ
イオードをダイオード9a及び9bにそれぞれ直列に接続す
る。これらダイオードによる２つの直列回路を画像電極
６に対応する点（これはスイッチング技法の観点からし
て共通の点）15と駆動点16との間にそれぞれ並列に接続
する。
ダイオード14はダイオード９を製造する方法とは別の方
法で製造することができるが、以後これらのダイオード
9,14は同じオン及びオフ電圧を有するものとする。オン
電圧VONとはダイオードに流れる電流が画素に関連する
キャパシタンスを迅速に充電するのに充分な大きさであ
る電圧のことであり、またオフ電圧VOFFとはダイオード
に流れる電流が前記キャパシタンスを実際上放電させな
い程に小さい電圧のことである。
法で製造することができるが、以後これらのダイオード
9,14は同じオン及びオフ電圧を有するものとする。オン
電圧VONとはダイオードに流れる電流が画素に関連する
キャパシタンスを迅速に充電するのに充分な大きさであ
る電圧のことであり、またオフ電圧VOFFとはダイオード
に流れる電流が前記キャパシタンスを実際上放電させな
い程に小さい電圧のことである。
選択ライン13a,13bにおけるダイオードの個数は等し
く、その数はｋに相当するものとする。画素の選択時
に、駆動点16と接続点15との間の電圧降下は少なくとも
（ｋ＋１）VONとなるようにする。選択セル（画素）に
は、その列電極11にデータ電圧|VD|が供給され、ここに
０≦VD≦VDMAXとして、画素12間の電圧差がVDとなり、
かつ（ｋ＋１）個のダイオード14,9間のVONが（ｋ＋
１）VONとなるようにする。しかし、データ電圧には制
限が課せられる。その理由は１フィールド期間後には画
素が一般に反転電圧で作動されるからである。これがた
め、データ電圧は−VDMAxとVDMAXとの間の値を有する。
画像電極７と６との間の容量性結合により、電極６には
最大電圧VDMAX及び最小電圧−VDMAxが発生し得る。駆動
点16を負電圧で作動させるフレーム期間には、非選択ラ
インが駆動点16にて電圧０を受電する。この場合に電極
６が放電しないようにするためには、VDMAX≦（ｋ＋
１）VOFFとする必要がある。従前通り書込まなければな
らない非選択行ラインは駆動点16にて電圧（ｋ＋１）V
OFFを受電する。このような行ラインでは、電極６にお
ける最大電圧が2VDMAxとなり、最小電圧が０となるた
め、VDMAx≦（ｋ＋１）VOFFが再び成立する。
く、その数はｋに相当するものとする。画素の選択時
に、駆動点16と接続点15との間の電圧降下は少なくとも
（ｋ＋１）VONとなるようにする。選択セル（画素）に
は、その列電極11にデータ電圧|VD|が供給され、ここに
０≦VD≦VDMAXとして、画素12間の電圧差がVDとなり、
かつ（ｋ＋１）個のダイオード14,9間のVONが（ｋ＋
１）VONとなるようにする。しかし、データ電圧には制
限が課せられる。その理由は１フィールド期間後には画
素が一般に反転電圧で作動されるからである。これがた
め、データ電圧は−VDMAxとVDMAXとの間の値を有する。
画像電極７と６との間の容量性結合により、電極６には
最大電圧VDMAX及び最小電圧−VDMAxが発生し得る。駆動
点16を負電圧で作動させるフレーム期間には、非選択ラ
インが駆動点16にて電圧０を受電する。この場合に電極
６が放電しないようにするためには、VDMAX≦（ｋ＋
１）VOFFとする必要がある。従前通り書込まなければな
らない非選択行ラインは駆動点16にて電圧（ｋ＋１）V
OFFを受電する。このような行ラインでは、電極６にお
ける最大電圧が2VDMAxとなり、最小電圧が０となるた
め、VDMAx≦（ｋ＋１）VOFFが再び成立する。
駆動点16が正電圧で作動し、かつデータ電圧の範囲が−
VDMAXと０との間となるづきのフィールド期間には、こ
れらの電圧の極性が変化する。従って|VD|≦（ｋ＋１）
VOFFが成立する。
VDMAXと０との間となるづきのフィールド期間には、こ
れらの電圧の極性が変化する。従って|VD|≦（ｋ＋１）
VOFFが成立する。
上述したように、画素間の最大電圧はＯ≦VD≦（ｋ＋
１）VOFFのVDとなる。このようにすれば特に、使用すべ
きLCD用の液体の種類の選択性を広げることができる。
その理由は、ダイオード14の個数をそれぞれ増減させる
ことにより、画素12間に使用すべき最大電圧がそれぞれ
増減されるからである。
１）VOFFのVDとなる。このようにすれば特に、使用すべ
きLCD用の液体の種類の選択性を広げることができる。
その理由は、ダイオード14の個数をそれぞれ増減させる
ことにより、画素12間に使用すべき最大電圧がそれぞれ
増減されるからである。
従って図示の配置構成では使用すべき光電子材料の選択
性が広くなるが、特に画素のマトリックスが大きくなる
場合に容量性のクロストークが不都合な影響を及ぼすこ
とを確かめた。これは特に画素間の平均電圧として の値を選定する制御法を用いる場合に言える。この方法
では実際上画素12間の電圧の絶対値はVTHとVSATとの間
の範囲に制限される。なお，この点については“SID84,
Digest"第324〜325頁におけるS.Togashi外１名による論
文“A LCTV Display Controlled by a−Si Diode Ring
s"（Siダイオードリングにより制御される液晶テレビデ
ィスプレイ）に詳細に記載されている。上記容量性のク
ロストークの影響により、所定の状態下にてダイオード
14を経て不所望な充電又は放電を起こし得るような信号
変化が電極にて発生し得ることになる。
性が広くなるが、特に画素のマトリックスが大きくなる
場合に容量性のクロストークが不都合な影響を及ぼすこ
とを確かめた。これは特に画素間の平均電圧として の値を選定する制御法を用いる場合に言える。この方法
では実際上画素12間の電圧の絶対値はVTHとVSATとの間
の範囲に制限される。なお，この点については“SID84,
Digest"第324〜325頁におけるS.Togashi外１名による論
文“A LCTV Display Controlled by a−Si Diode Ring
s"（Siダイオードリングにより制御される液晶テレビデ
ィスプレイ）に詳細に記載されている。上記容量性のク
ロストークの影響により、所定の状態下にてダイオード
14を経て不所望な充電又は放電を起こし得るような信号
変化が電極にて発生し得ることになる。
第４図は上述したような欠点をダイオード14にダイオー
ド17を逆並列に接続することによってなくす制御装置の
一部を線図的に示したものである。ダイオード14がスイ
ッチオフされると、行電極８はばく然とした電圧値とな
るのではなく、これらの行電極の電圧は追加のダイオー
ド17を介して、駆動点16おける電圧よりもダイオード17
の順方向電圧に等しい量だけ高いか、又は低い電圧値と
なる。
ド17を逆並列に接続することによってなくす制御装置の
一部を線図的に示したものである。ダイオード14がスイ
ッチオフされると、行電極８はばく然とした電圧値とな
るのではなく、これらの行電極の電圧は追加のダイオー
ド17を介して、駆動点16おける電圧よりもダイオード17
の順方向電圧に等しい量だけ高いか、又は低い電圧値と
なる。
ダイオード17を流れる斯かる電流はダイオード14を流れ
る電流よりも数倍大きくして、ダイオード17には他のオ
ン及びオフ電圧を保有させることができる。完全を期す
ために以後ダイオード14にも他のオン及びオフ電圧を与
えるようにする。
る電流よりも数倍大きくして、ダイオード17には他のオ
ン及びオフ電圧を保有させることができる。完全を期す
ために以後ダイオード14にも他のオン及びオフ電圧を与
えるようにする。
VCについての前述した制御の場合で、しかもオン及びオ
フ電圧、つまり ダイオード９に対するVON及びVOFF, ダイオード14（個数でｋ個）に対するＶ′ON及びＶ′
OFF, ダイオード17に対するＶ″ON及びＶ″OFF, に対してはつぎのような基準を適用する（第2,4図参
照）。即ち、 ２（VSAT−VTH）＝KV′OFF＋2VOFF−Ｖ″ON （ａ） VSELECT及びVNON−SELECTは駆動点16における制御電圧
である。） これらの基準はつぎのように確かめることができる。前
記文献“SID84,Digest"に記載されている方法により駆
動する場合には画素の選択時に点15における電圧が に達すようにしなければならない。行電極11における情
報に応じて、画像電極により構成されるキャパシタンス
がVC＋VDMAX＝VSAT又はVC−VDMAX＝VTHに充電される場
合に満足な作動が行われる。この関係からVCを除去する
と、 の関係式が得られる。他の画素の選択時には列電極11に
−VDMAXと＋VDMAXとの間の電圧が発生し得る。この場
合、接続点15における最大及び最小電圧は容量性結合を
経てVMAX＝VDMAX−VTH及びVMIN＝VDMAX−VSATとなる。
画素が選択されない場合には、接続点15はそれぞれ充放
電されなくなり、換言するに接続点15の電圧はそれぞ
れ、 VNONSEL−KV′OFF＝VMIN及び VNONSEL−Ｖ″ON＋VOFF＝VMAX （１） となる。これにより、 KV′OFF−Ｖ″ON＋2VOFF＝VMAX−VMIN＝2VDMAX＋（VSAT
−VTH）又は、 ２（VSAT−VTH）＝KV′OFF＋2VOFF−Ｖ″ON （ａ） となる。式（１）から（VMAX＝VDMAX−VTHの場合、 となり、また画素が選択される場合に、電圧VSEL＋KV′
ON＋VONは少なくともVSAT−VCに等しくするか、又は とする必要がある。
フ電圧、つまり ダイオード９に対するVON及びVOFF, ダイオード14（個数でｋ個）に対するＶ′ON及びＶ′
OFF, ダイオード17に対するＶ″ON及びＶ″OFF, に対してはつぎのような基準を適用する（第2,4図参
照）。即ち、 ２（VSAT−VTH）＝KV′OFF＋2VOFF−Ｖ″ON （ａ） VSELECT及びVNON−SELECTは駆動点16における制御電圧
である。） これらの基準はつぎのように確かめることができる。前
記文献“SID84,Digest"に記載されている方法により駆
動する場合には画素の選択時に点15における電圧が に達すようにしなければならない。行電極11における情
報に応じて、画像電極により構成されるキャパシタンス
がVC＋VDMAX＝VSAT又はVC−VDMAX＝VTHに充電される場
合に満足な作動が行われる。この関係からVCを除去する
と、 の関係式が得られる。他の画素の選択時には列電極11に
−VDMAXと＋VDMAXとの間の電圧が発生し得る。この場
合、接続点15における最大及び最小電圧は容量性結合を
経てVMAX＝VDMAX−VTH及びVMIN＝VDMAX−VSATとなる。
画素が選択されない場合には、接続点15はそれぞれ充放
電されなくなり、換言するに接続点15の電圧はそれぞ
れ、 VNONSEL−KV′OFF＝VMIN及び VNONSEL−Ｖ″ON＋VOFF＝VMAX （１） となる。これにより、 KV′OFF−Ｖ″ON＋2VOFF＝VMAX−VMIN＝2VDMAX＋（VSAT
−VTH）又は、 ２（VSAT−VTH）＝KV′OFF＋2VOFF−Ｖ″ON （ａ） となる。式（１）から（VMAX＝VDMAX−VTHの場合、 となり、また画素が選択される場合に、電圧VSEL＋KV′
ON＋VONは少なくともVSAT−VCに等しくするか、又は とする必要がある。
第５図は画素12に関連するキャパシタンスの充電電流及
び放電電流が同じ電流通路、即ちｋ個直列に配置したダ
イオード14（この場合にはｋ＝３）を部分的に流れるよ
うにした例を示す。前述した第４図の場合と同様に、こ
の例の場合にもつぎのような規準が成立することを導出
することができる。即ち、 ２（VSAT＋VTH）＝KV′OFF＋2VOFF （ｅ） また、画素選択時には接続点15が電圧 を受電すると共に VC＋VDMAX＝VSAT及びVC−VDMAX＝VTHも満足させる必要
がある。この場合、接続点15に対しては再び VMIN＝−VDMAX＋VSAT及び VMAX＝VDMAX−VTH が成立する。
び放電電流が同じ電流通路、即ちｋ個直列に配置したダ
イオード14（この場合にはｋ＝３）を部分的に流れるよ
うにした例を示す。前述した第４図の場合と同様に、こ
の例の場合にもつぎのような規準が成立することを導出
することができる。即ち、 ２（VSAT＋VTH）＝KV′OFF＋2VOFF （ｅ） また、画素選択時には接続点15が電圧 を受電すると共に VC＋VDMAX＝VSAT及びVC−VDMAX＝VTHも満足させる必要
がある。この場合、接続点15に対しては再び VMIN＝−VDMAX＋VSAT及び VMAX＝VDMAX−VTH が成立する。
画素が選択されない非選択の場合には、斯かる接続点15
は依然充電も、放電もされないため、その接続点の電位
はつぎのようになる。即ち、 VNONSEL−Ｖ″ON＋VOFF＝VMAX VNONSEL−Ｖ″ON−KV′OFF−VOFF＝VMIN これにより、 KV′OFF＋2VOFF＝VMAX−VMIN＝2VDMAX＋（VSAT-VTH） または、 ２（VSAT−VTH）＝KV′OFF＋2VOFF （ｅ） となる。上式（ｆ），（ｇ）及び（ｈ）は前記基準式
（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）と同様にして導出することが
できる。
は依然充電も、放電もされないため、その接続点の電位
はつぎのようになる。即ち、 VNONSEL−Ｖ″ON＋VOFF＝VMAX VNONSEL−Ｖ″ON−KV′OFF−VOFF＝VMIN これにより、 KV′OFF＋2VOFF＝VMAX−VMIN＝2VDMAX＋（VSAT-VTH） または、 ２（VSAT−VTH）＝KV′OFF＋2VOFF （ｅ） となる。上式（ｆ），（ｇ）及び（ｈ）は前記基準式
（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）と同様にして導出することが
できる。
このようにして周辺電気回路におけるダイオードの個数
は著しく低減させることができ、本例の場合、画素間の
制御電圧の範囲を実際上同じ範囲に維持して、ダイオー
ドの個数を第４図の構成の場合に較べてほぼ半分に減ら
すことができる。
は著しく低減させることができ、本例の場合、画素間の
制御電圧の範囲を実際上同じ範囲に維持して、ダイオー
ドの個数を第４図の構成の場合に較べてほぼ半分に減ら
すことができる。
第６図は例えば酸化スズインジウム製の画像電極６の一
例を示す平面図である。この画像電極は線図的に図示し
たダイオード9a,9bを介してアルミニウム製の行電極8a,
8bに接続する。ダイオード9a,9bは例えばアモルファス
シリコン製とし、このシリコンの上側及び下側を電極8
a,8bにより（場合によっては中間層を介することもでき
る）接続して、画像電極６に対して所望な極性が得られ
るようにする。信頼性を向上させるために、画像電極６
を幾つものサブ電極に細分割して、これらのサブ電極を
別々のダイオード9a,9bを介して行電極8a,8bに接続する
ようにするか、又は追加のダイオード9a,9bを設けるよ
うにすることができることは勿論である。
例を示す平面図である。この画像電極は線図的に図示し
たダイオード9a,9bを介してアルミニウム製の行電極8a,
8bに接続する。ダイオード9a,9bは例えばアモルファス
シリコン製とし、このシリコンの上側及び下側を電極8
a,8bにより（場合によっては中間層を介することもでき
る）接続して、画像電極６に対して所望な極性が得られ
るようにする。信頼性を向上させるために、画像電極６
を幾つものサブ電極に細分割して、これらのサブ電極を
別々のダイオード9a,9bを介して行電極8a,8bに接続する
ようにするか、又は追加のダイオード9a,9bを設けるよ
うにすることができることは勿論である。
本発明は上述した例のみに限定されるものではなく、幾
多の変更を加え得ること勿論である。例えば、第４及び
５図の構成では作動の信頼度を向上させるためにダイオ
ード17に並列に複数個のダイオードを接続することがで
きる。このような並列配置によっても単方向性の非線形
スイッチング素子は満足に機能する。さらに、第４図の
配置では１個のダイオード17の代わりに２個のダイオー
ドを直列に接続することができ、またダイオード14の回
路への共通接続点を所要に応じそれに逆並列に接続され
るダイオード14の回路における或る点に接続することが
できる。さらに、例えば第５図のダイオード14の回路は
二重構成とすることもできる。上述したようなスイッチ
ングマトリックスは液晶表示装置以外に、例えば電気泳
動及びエレクトロクロミック表示媒体の如き他の表示媒
体を用いることもできる。
多の変更を加え得ること勿論である。例えば、第４及び
５図の構成では作動の信頼度を向上させるためにダイオ
ード17に並列に複数個のダイオードを接続することがで
きる。このような並列配置によっても単方向性の非線形
スイッチング素子は満足に機能する。さらに、第４図の
配置では１個のダイオード17の代わりに２個のダイオー
ドを直列に接続することができ、またダイオード14の回
路への共通接続点を所要に応じそれに逆並列に接続され
るダイオード14の回路における或る点に接続することが
できる。さらに、例えば第５図のダイオード14の回路は
二重構成とすることもできる。上述したようなスイッチ
ングマトリックスは液晶表示装置以外に、例えば電気泳
動及びエレクトロクロミック表示媒体の如き他の表示媒
体を用いることもできる。
第１図は本発明に関連するタイプの表示装置の一部分を
示す断面図； 第２図は第１図のような表示装置における表示セルの透
過率／電圧特性図； 第３図は本発明による表示装置の制御部の一部を示す回
路図； 第４図は３図の変形例を示す回路図； 第５図は本発明による表示装置の他の例の制御部の一部
を示す回路図； 第６図は電極構成の一部を示す平面図である。 １……表示装置、2,3……支持板 ４……液晶、５……絶縁層 6,7……画像電極、8a,8b……行電極 9a,9b……非線形スイッチング素子（ダイオード） 10……液晶配向層、11……列電極 12……画素、13……行電極制御ライン 14,14a,14b,17……非線形スイッチング素子 15,16……共通接続点
示す断面図； 第２図は第１図のような表示装置における表示セルの透
過率／電圧特性図； 第３図は本発明による表示装置の制御部の一部を示す回
路図； 第４図は３図の変形例を示す回路図； 第５図は本発明による表示装置の他の例の制御部の一部
を示す回路図； 第６図は電極構成の一部を示す平面図である。 １……表示装置、2,3……支持板 ４……液晶、５……絶縁層 6,7……画像電極、8a,8b……行電極 9a,9b……非線形スイッチング素子（ダイオード） 10……液晶配向層、11……列電極 12……画素、13……行電極制御ライン 14,14a,14b,17……非線形スイッチング素子 15,16……共通接続点
Claims (7)
- 【請求項１】２つの支持板間に介挿される電気光学表示
媒体と、行列配置される画素系にあって、各画素が互い
に対向して前記支持板の表面上に設けられる２つの画像
電極によって構成される画素系と、行電極が前記支持板
の一方に設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設
けられる画素駆動用の行列電極系と、スイッチング素子
系とを具え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイッ
チング素子を第１行電極と列電極との間にて各画素に直
列に配置し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線形
スイッチング素子を第１行電極と第２行電極との間にて
前記第１非対称非線形スイッチング素子に直列に配置
し、前記追加のスイッチング素子を画素と第２行電極と
の間に前記第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方
向に接続した表示装置において、前記第１行電極を前記
第１非対称非線形スイッチング素子に直列に同一極性で
接続した第１個数の非対称非線形スイッチング素子を介
して共通点に接続すると共に、前記第２行電極を前記追
加の非対称非線形スイッチング素子に直列に同一極性で
接続した第２個数の非対称非線形スイッチング素子を介
して前記共通点に接続したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】前記非対称非線形スイッチング素子の第１
個数を前記非対称非線形スイッチング素子の第２個数を
等しくしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の表示装置。 - 【請求項３】前記第１及び第２個数の非対称非線形スイ
ッチング素子の双方にそれぞれ少なくとも１個の非対称
非線形スイッチング素子を逆極性で並列に接続したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は２項のいずれか
一項に記載の表示装置。 - 【請求項４】２つの支持板間に介挿される電気光学表示
媒体と、行列配置される画素系にあって、各画素が互い
に対向して前記支持板の表面上に設けられる２つの画像
電極によって構成される画素系と、行電極が前記支持板
の一方に設けられ、かつ列電極が前記支持板の他方に設
けられる画素駆動用の行列電極系と、スイッチング素子
系とを具え、少なくとも１個の第１非対称非線形スイッ
チング素子を第１行電極と列電極との間にて各画素に直
列に配置し、かつ少なくとも１個の追加の非対称非線形
スイッチング素子を第１行電極と第２行電極との間にて
前記第１非対称非線形スイッチング素子に直列に配置
し、前記追加のスイッチング素子を画素と第２行電極と
の間に前記第１非対称非線形スイッチング素子と同じ方
向に接続した表示装置において、前記各行電極を少なく
とも１個の反対極性の非対称非線形スイッチング素子を
介して共通接続点に接続すると共に、各々同一極性に配
置した第３個数の非対称非線形スイッチング素子から成
る少くとも１つの直列回路を前記第１と追加の非対称非
線形スイッチング素子との直列回路に反対極性で逆並列
に接続したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】前記電気光学表示媒体を液晶としたことを
特徴とする特許請求の範囲第1,2,3又は４項のいずれか
一項に記載の表示装置。 - 【請求項６】前記電気光学表示媒体を電気泳動懸濁液と
したことを特徴とする特許請求の範囲第1,2,3又は４項
のいずれか一項に記載の表示装置。 - 【請求項７】前記電気光学表示媒体を電気クロム材料と
したことを特徴とする特許請求の範囲第1,2,3又は４項
のいずれか一項に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8502662 | 1985-09-30 | ||
| NL8502662A NL8502662A (nl) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Weergeefinrichting met verbeterde aansturing. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290694A JPS6290694A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0731484B2 true JPH0731484B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=19846640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233125A Expired - Lifetime JPH0731484B2 (ja) | 1985-09-30 | 1986-09-30 | 表示装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794385A (ja) |
| EP (1) | EP0217469B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0731484B2 (ja) |
| KR (1) | KR940005236B1 (ja) |
| CA (1) | CA1273138A (ja) |
| DE (1) | DE3676614D1 (ja) |
| NL (1) | NL8502662A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0296663B1 (en) * | 1987-06-18 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
| NL8701420A (nl) * | 1987-06-18 | 1989-01-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting en werkwijze voor het besturen van een dergelijke weergeefinrichting. |
| DE3871622T2 (de) * | 1987-06-18 | 1993-01-21 | Philips Nv | Wiedergabeanordnung und verfahren zum steuern einer derartigen wiedergabeanordnung. |
| GB2215506A (en) * | 1988-02-24 | 1989-09-20 | Philips Electronic Associated | Matrix display devices |
| GB2219682A (en) * | 1988-06-10 | 1989-12-13 | Philips Electronic Associated | Matrix display device |
| NL8802155A (nl) * | 1988-09-01 | 1990-04-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| NL8802436A (nl) * | 1988-10-05 | 1990-05-01 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het besturen van een weergeefinrichting. |
| NL8802997A (nl) * | 1988-12-07 | 1990-07-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| NL8902922A (nl) * | 1989-11-27 | 1991-06-17 | Philips Nv | Actieve weergeefinrichting. |
| EP0479291B1 (en) * | 1990-10-05 | 1994-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for driving liquid crystal display device |
| US5483085A (en) * | 1994-05-09 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Electro-optic integrated circuit with diode decoder |
| WO2006085241A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices |
| CN101379541A (zh) * | 2005-11-16 | 2009-03-04 | 聚合物视象有限公司 | 用于寻址具有基于铁电薄膜晶体管的像素的有源矩阵显示器的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3654606A (en) * | 1969-11-06 | 1972-04-04 | Rca Corp | Alternating voltage excitation of liquid crystal display matrix |
| US4251136A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-17 | Northern Telecom Limited | LCDs (Liquid crystal displays) controlled by thin film diode switches |
| NL8103376A (nl) * | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| US4554537A (en) * | 1982-10-27 | 1985-11-19 | At&T Bell Laboratories | Gas plasma display |
-
1985
- 1985-09-30 NL NL8502662A patent/NL8502662A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-09-22 US US06/910,103 patent/US4794385A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-24 DE DE8686201660T patent/DE3676614D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-24 EP EP86201660A patent/EP0217469B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-30 KR KR1019860008208A patent/KR940005236B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-09-30 JP JP61233125A patent/JPH0731484B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-15 CA CA000520563A patent/CA1273138A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0217469B1 (en) | 1990-12-27 |
| NL8502662A (nl) | 1987-04-16 |
| JPS6290694A (ja) | 1987-04-25 |
| CA1273138A (en) | 1990-08-21 |
| EP0217469A1 (en) | 1987-04-08 |
| KR870003460A (ko) | 1987-04-17 |
| DE3676614D1 (de) | 1991-02-07 |
| KR940005236B1 (ko) | 1994-06-15 |
| US4794385A (en) | 1988-12-27 |
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