JPS62108227A - デイスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は総括的に、液晶マトリックス・ディスプレイ
の分野に関するものである。詳細にいえば、各画素が独
立してアドレス可能な薄膜トランジスタスイッチング装
置によって作動（制御）されるこの種のディスプレイ装
置に関するものである。

薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ）アレイはマトリックス
・ディスプレイとしての用途に大きな可能性を有してい
る。これらの商業的に使用するにあたって大きな障害と
なるのは１歩留りが低いことである。実用的なディスプ
レイには百万個の薄膜トランジスタが必要なことがある
が、許容される絶縁不良の数は極く僅かであり、またペ
ルの列または行全体が作動しなくなるような不良はまっ
たく認められない。

１３を在の液晶／ｌ膜トランジスタ・マトリックス・デ
ィスプレイは、同じ原理に基づくさまざまな変形物に分
類することができる。この原理は単一の基板１０上に、
半導体材料を附着し、各画素に１個の３端子スイツチ（
ＴＦＴ）の規則的なアレイを形成することである。この
同一の基板上に、ＴＦＴと接触し、画素（ペル）を選択
的に作動させる導体の直交するアレイを附着させる。

この発明の分野において、画素、ペルおよびピクセルは
同等の意味を有するが、以下語ペルが用いて説明する。

第２図は典型的な従来技術の薄膜トランジスタ液晶（Ｔ
ＦＴ／ＬＣ）画素（ペル）９を断面で示すものである。

これらの端子のひとつ、多くの文献でソース１４と呼ば
れているものは導電性素子に接続しており、導電性素子
の大きさおよび形状がペルの大きさおよび形状になって
いるが、これはこの電極１４が同時に局所の液晶（ＬＣ
）セル９の電極（ペル電極）のひとつだからである。も
う一方の電極、すなわちＬＣセル９の対向電極が、液晶
媒体を通過している。これはすべてのペルに共通な一様
な面積の対向電極１８であり、典型的な場合、頂部ガラ
ス板２０の一方の側に附着された透明な導電性フィルム
（たとえば、インジウム−酸化スズ）である。頂部ガラ
ス板および基板は図示されていないスペーサによって、
一定間隔で保持されており、液晶流体がその内部に収め
られている。

ＴＦＴ１２の他の２つの端子はゲート２２およびドレン
１６と呼ばれる。ペルの列内のすべてのゲートは、たと
えばディスプレイを水平に横切つて延びる導体（導線）
によって電気的に接続されている。このようなゲート・
ライン２４の数はマトリックス・ディスプレイの列の数
と等しい。同様に、ただしゲート・ラインと直交する方
向に。

ドレン・ライン２６がペルの行内のすべてのドレンを電
気的に接続している。複数本のゲート・ラインが同一の
基板上の複数本のドレン・ラインと直交しているのであ
るから、これらを電気的に絶縁する何らかの手段を講じ
なければならない（これらは互いに重なって延びており
、対策を講じなければアレイ全体がショートすることに
なる）。

このことは第１組のラインの上に絶縁層を附着してから
、第２組を附着させることによって行われる。相互接続
はクロスオーバと呼ばれ、第３図で数字２１で示されて
いる。

基本的な従来技術の設計に対するさまざまな変形の中に
は、ＬＣペルと電気的に並列にコンデンサを追加するこ
とが含まれている（従来技術の断面参照）。このことは
さまざまな方法で行われるが、コンデンサも歩留りを大
幅に減じるものであるため、望ましくない。しかしなが
ら、この発明の原理も、同様にコンデンサを使用できる
ものである。

クロスオーバは極めてショートを生じやすいものであり
、これらがペルのすべての行または列を占めて、パネル
を使用できないようにするので、重大なこととなる。ペ
ルと同じ位の数（あらゆる実用的なディスプレイにおい
て＞１００，０００゜望ましいペルの数は百万個である
）のクロスオーバがあるので、クロスオーバを大幅に削
減すると歩留りが上り、他のことは変化しない。

従来技術にはＴＦＴの詳細、たとえば、製造工程、材料
、構造、接点、フォトリングラフィ工程の数などで多く
の変形がある。しかしながら１周知の従来技術はどれも
、基板上のクロスオーバの削減を直接扱うものではなく
、別個の工程としてか、あるいはゲート酸化物を沈積す
る際のいずれかにおいてクロスオーバ絶縁物層を附着す
ることを必要とするものである。

第３図に略示したＴＦＴ／ＬＣの各ペルを、第４Ａ図に
示した単純化した等価回路で表すことができる。液晶セ
ルは理想的なコンデンサとしてモデル化されているが、
損失のあるコンデンサで表す、つまり抵抗と理想コント
デンサを並列に組み合わせたものがより実情にあったも
のとなる。

正のデータ電圧＋ｖＤに対して、正のゲート電圧Ｖ。が
ＴＦＴのゲート端子１に印加されると、液晶ペル・キャ
パシタンス（ＣＬｏ）はほぼ＋ｖＤまで充電される。安
定させるため、ＬＣセルは通常交流の励起によって駆動
される。これはデータ電圧の極性を、ディスプレイのフ
レーム速度で交番させることによって達成される。負の
データ電圧の状態を第４Ｂ図に示す。第４Ｂ図において
、１．２お浜び３で示すＴＦＴの物理的な端子が回路の
他の部分に関して固定されているのに対し、ソースおよ
びドレンの表示が変わっていることに留意されたい。Ｔ
ＦＴが物理的に対称であり、電荷がＴＦＴを通っていず
れの方向へも流れることができるのであるから、端子の
命名規制ではほとんどの場合負になっている端子をソー
スと呼ぶことが、当分野の技術者に周知である。第４Ｂ
図の回路を第４Ａ図のように、ソースを下にして描き直
した結果を、第４Ｃ図に示す。ここで、第４Ａ図の場合
、回路がソース・フォロワとして作動し。

第４Ｂ図または第４Ｃ図の場合、回路がインバータとし
て作動することが明らかである。有効なゲート駆動機構
がこれら２つの場合で異なっている。

データの極性にかかわりなく、ＬＣペル・キャパシタン
スが充電されるのが、ｖｏ（ゲート信号）とＶＤ（ドレ
ンまたはソース信号）が同時に存在するときだけである
ということから、基本的な選択工程が導かれることを、
理解すにきである。信号が一方だけで、他の信号がなけ
れば、ペルの電気的（したがって、光学的）状態には何
の影響もない。問題は■　および■。信号を担持したラ
インのクロスオーバなしに、この作動を達成することで
ある。

Ｂ、従来技術及び発明が解決しようとする問題点この主
題に関しては極めて多くの刊行物がある。

最近の論評には「薄膜トランジスター遅咲きの花（Ｔｈ
ｅ　Ｔｈ１ｎ　　Ｆｉｌ＋＊　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−
Ａ　　Ｌａｔａ　ＦｌｏｗｅｒｉｎｇＢｌｏｏＩＩｌ）
Ｊ　Ｔ　、　Ｐ　、プロディ（Ｔ、Ｐ、　Ｂｒｏｄｙ）
、ＩＥＥＥｔ＃、子デバイス論文集（ＩＥＥＥ　Ｔｒａ
ｎｓ　ｏｎ　ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ）、１９８
４年１１月がある。

他の広範囲の検討を加えた刊行物には、ラカトス（Ｌａ
ｋａｔｏｓ）の「アクティブ・マトリックの薄膜法の見
通しおよび挑戦（Ｐｒｏｍｉｓｅ　ａｎｄ　Ｃｈａｌｌ
ｅｎｇｅｏｆＴｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ａｐｐｒｏａｃｈ　
ｔｏ　Ａｃｔｉｖｅ　Ｍａｔｒｉｃａｓ）Ｊ国際ディス
プレイ研究協議会１９８２年（Ｓ　Ｉ　Ｄ、ロサンゼル
ス）　ｒ　１８９２　Ｉｎｔ’ｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒ
ｅ５ｅａｒｃｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　（ＳＩＤ、　Ｌ
ｏｓ　Ａｎｇｅｌｅｓ）Ｊがある０刊行物のほとんどは
マトリックス・タイプのディスプレイを扱っているが、
中には単純なセグメント・ディスプレイを扱ったものも
ある。この発明は液晶および薄膜トランジスタを用いた
マトリックス・ディスプレイに適用されるものである。

従来技術におけるさまざまな研究はこの発明の広範にわ
たる概念を示していない。ノムラ他（Ｎｏｍｕｒａ　ｅ
ｔ　ａｌ）に対する米国特許第４３８５２９２号は従来
技術を例示するものであり、マトリックス・ディスプレ
イではなく、セグメント・タイプのディスプレイに関す
るものである。ノムラは（第１０欄、第１２−２６行で
）ＴＦＴおよび対向電極を、第１１図および第１２図の
両基板に置くことを開示している。しかしながら、ノム
ラのすべての例において、所定のＴＦＴの電気的な選択
は電極（たとえば、ゲートおよびソース電極）によって
行われ、これらの電極は両方とも問題のＴＦＴと同じ基
板上にある。それ故、両方の基板を使用するが、機能は
この発明のものと完全に異なっている。しかしながら、
この特許のディスプレイの特性は、マトリックスＴＦＴ
のスイッチングおよび行および列の選択ラインの付随的
な交差に関するものではない。

オオタ他（Ｏｔａ　ａｔ　ａｌ）の米国特許第４３３２
０７５号は薄膜トランジスタ・アレイを製造する方法を
開示しており、かつこの技術の典型的な例を示している
。特に、この特許はこのようなアレイに使用される個々
のＴＦＴを製造する方法を教示するものである。この特
許はこの発明が教示するＴＦＴ／ＬＣディスプレイ・マ
トリックス全体でクロスオーバを削除することに関する
ものではなく、またこれを教示するものでもない。

ノムラ他（Ｎｏｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ）の米国特許第４
３８６３５２号およびオオクボ他（Ｏｋｕｂｏ）の米国
特許第４４３１２７１号は両方とも、マトリックス・タ
イプの液晶ディスプレイ内の容量効果を強化することに
関するものであり、これは次いでＴＦＴスイッチング素
子の作動を強化するものである。

両特許はそれ故、ＴＦＴ／ＬＣディスプレイに関するも
のであり、また総括的にキャパシタンスを利用して１個
々のＴＦＴスイッチング素子の作動を強化することを記
載したものである。しかしながら、これらの特許はいず
れも、あらゆる点で、結果として得られるマトリックス
・ディスプレイ装置において、基板のクロスオーバを削
減する問題に関するものではない。

Ｃ０問題点を解決するための手段 したがって、この発明の土たる目的は改善されたＴＦＴ
／ＬＣ構造を与えることであり、この構造は製造歩留り
を大幅に高めるものである。

この発明の他の目的は、トランジスタ・スイッチング・
アレイのクロスオーバネ良を本質的に除去する構造を与
えることである。

この発明の他の目的は、行−列選択ライン・クロスオー
バがＴＦＴ基板に生じない構造を与えることである。

この発明の目的は一般に、液晶（ＬＣ）ディスプレイ用
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチング・アレイを
改善することによって達成される。

特に、この発明はＴＦＴアレイの構造を開示するもので
あって、この構造はＴＦＴ基板に隣接した、あるいはこ
の上にあるクロスオーバを除去することにより、クロス
オーバネ良を除去するものである。ゲートの行の選択は
金属線による周知の態様で行われる。ソースまたはドレ
ンに対する列の選択は、頂部ガラス板上に細分され、直
交配置された対向電極によって行われる。対向電極は基
板上のペル電極と整合される。ペルの選択は一方の基板
上の導体に印加される。データ信号に関連した他方の基
板上のＴＦＴゲートへの信号によって行われ、この効果
は液晶を介して、’ＴＦＴのソースないしドレンに結合
される。

Ｄ、実施例 「従来技術」の項で説明したように、従来技術のＴＦＴ
／ＬＣマトリックス・ディスプレイにおいては５行の電
極は基板上に附着された平行な金属線のセットで構成さ
れている。各行のラインはその行内のすべてのＴＦＴの
ゲートを接続している。第１のセットに対して直角に配
向された第２のセットの平行な金属線も、基板上に附着
されており、これらの列のラインは列内の各ＴＦＴのド
レンを接続している。２つのセットの金属線を電気的に
絶縁しなければならないので、絶縁体を第１セツトの金
属線上に附着してから、第２セツトを附着する。各ＴＦ
Ｔのソースはペル電極を接続しており、これは液晶（Ｌ
Ｃ）材料に対する接点の１つとして機能している。頂部
ガラス板下面の連続した透明電極は、マトリックス内の
ＬＣセルのすべてに対する共通な戻り電極として機能す
る。

これらの金属−金属クロスオーバが通常は絶縁体内のピ
ンホールのため、多くの大きな（ライン）不良の原因と
なるのであるから、これらの完全性を改善することが、
この技術の発展に必要ステップとなる。この発展上のス
テップがこの発明の原動力となったのである。

この明細書で使用する１行」および１列」という語は一
般に１周知の矩形のディスプレイの水平軸および垂直軸
のそれぞれを指すものとする。しかしながら、当業者に
理解される通り、行および列駆動ラインを逆にするのは
容易に行えることなので、これらの語は観察者に対する
軸の方向には関係なく、第１および第２直交軸を表すも
のである。

第１図および第６図に示した回路構成はクロスオーバを
削減することによって、クロスオーバネ良を除去する方
法を示すものである。留意しなければならないのは、第
２図で同じＴＦＴ／ＬＣセルの要素を指すのに使用した
のと同じ参照番号が第１図および第６図で使用されてい
ることである。

堤案されたＴＦＴ回路アレイは第２図に関連して上述し
た周知のアレイと同じ機能を果たすが、クロスオーバを
包含していない。アレイ内のすべてのＴＦＴソース１６
は電気的に共通なものであって、オフガラス・ライン６
０で接続され、かつ適当な電位に接続している。ゲート
２２は第１直交軸に沿って（行ごとに）適当なライン６
２によって、周知の態様で接続されている。頂部ガラス
板２０上の対向電極１８′をゲート・ライン６２に直交
する平行なうイン（たとえば、列）分割し、これを基板
上のペル電極６３と整合させ、かつ適当な電位を印加す
ることによって、列の選択を行う。デバイスの電気的な
作動は１周知のアレイと同様である。

このアレイの利点にはクロスオーバネ良の除去、および
必要な周辺回路（これも歩留りの向上を妨げる）を１枚
ではなく２枚のガラス板に分配することが含まれている
。この場合、各板体に必要なものは、全回路または結線
、あるいはその両方の半分となる。

この発明のキーとなる要素は、導線の組の１つ、たとえ
ばゲート・ラインをガラス基板上に置き、また直交する
心線の組を従来技術のように絶縁層で分離された基板上
にではなく、頂部ガラス板上に置（ことによって、ＴＦ
Ｔ／ＬＣセルを構成することである。

この発明のクロスオーバのないアレイの要素のひとつの
断面図を、第１図に示す。頂部ないし対向電極１８の細
分化を除けば、この図が第２図とほとんど違わないこと
に、留意されたい。しかしながら、第６図のセルの等角
図は、顕著な相違を示している。まず、基板１０上に電
気的なりロスオーバが存在しないことに、留意されたい
。次に、アレイ内のＴＦＴのそれぞれの電極の１つが、
基板上の共通バス６ｏに接続していることに、留意され
たい。

作動時に、クロスオーバにないセルは基板上のゲート・
バス・ライン６２に、時間列の信号を印加することによ
ってアドレスされる。これは従来技術とまったく同じで
あ幣。しかしながら、データ信号はこの場合、頂部ガラ
ス板上の細分された対向電極に印加される。従来技術に
おいては、データ信号はドレン（語の使い方によっては
「ソース」）バス・ラインに印加されており、このライ
ンも基板上にあった。最後に、無クロスオーバ手法にお
ける共通バスは、接地などの適当な電位に接続され、ま
た物理的には基板上に置かれる。従来技術において、対
向電極は頂部ガラス板上に配置された一様な面積の電極
であり、また接地に接続されていた。全マトリックスの
総括的な等価回路が、第９図に示されている。印加され
た信号を第５図に示す。

無クロスオーバ手法の等価回路を、正および負両方のデ
ータ信号について、第７図に示す、当分野の技術者には
、第４図および第７図の回路が同じ機能、すなわちゲー
ト信号が存在し、かつデータ信号が細分された対向電極
を介してソース（ドレン）に存在している場合にのみ、
液晶のキャパシタンスを電位十Ｖ　または電位−Ｖ。に
充電することを行うことが理解されよう。

４Ｘ４のマトリックス・ディスプレイの例の行および列
工ないし４に対する電気信号および結果として生じるＬ
Ｃペルの状態を第５図に示す。

第５図ないし第５Ｄ図は波形と配線図の助けを借りて、
このようなＴＦＴ／ＬＣマトリックス・みイブのディス
プレイの作動を説明したものである。理解しなければな
らないのは、この発明の詳細な説明が第２図に例示した
ような従来技術の装置にも同様に当て嵌まることである
にの場合も、下にあるＴＦＴ／ＬＣ装置の作動が本質的
にこの発明によって影響を受けるものではなく、むしろ
上述したように、関連するＴＦＴ配線およびスイッチン
グの特性だということを繰り返しておく。

第５Ａ図および第５Ｂ図は特に、第５Ｃ図に示す直交励
起ラインの組、すなわちＶ　　ないしＩ ■　　およびＶ　　ないしＶ。４に印加される４０４　
　　　　　　　Ｇ１ つの波形を示すものである。当分野の技術者に明らかな
ように、■　およびＶＤライン上でパルスが一致する場
合、この交点における液晶セルは付勢され、次いでペル
を作動させて、適切なイメージを形成する。それぞれの
付勢ラインの第５Ａ図および第５Ｂ図に示す個々のパル
ス入力は、第５Ｄ図に示す光学的効果を生じる。付勢す
べきライン■　　およびＶ　　の交点にペルをもたらす
たＤｉ　　　　　　　　　Ｇｌ め、適切なパルスがこれら２本のラインに現れる。

同様に、第５Ｄ図の点５２．５４および５６に活動ペル
をもたらすため、パルスがラインｖＧ２、ｖ　　、■　
　およびＶＤ２に同時に現れる。

Ｇ３　　　　　Ｇ４ Ｖ　　上のパルスがラインｖ　　　ｖ　　および０２　
　　　　　　　　　　Ｇ１１　Ｇ２ｖＧ３に現れる３つ
の時間列パルスの間継続することに、留意されたい。同
様に、ラインＶ。１゜■　　にパルスが発生し、かつラ
インｖＤ４に２つのパルスが発生することによって、第
５Ｄ図のペル５８および６０が付勢される。図示の特定
の実施例において、ラスタがラインｖＧ１ないしＶ　　
を介して上から下へ発生することに留意さＮ れたい。ラスタを水平に発生させることを希望する場合
には、走査しなければならないのがゲート信号なのであ
るから、ガラスを９０’回転させる必要がある。回転を
行わないと、ＴＦＴゲートが再度オンになり、かつドレ
ン・ラインが接地されている場合（走査信号がドレン・
ライン上にあり、走査信号がそのラインを通過済みの場
合のように）に、たとえば以前のラインによって充電さ
れたペルが、放電することになる。第５Ａ図から明らか
なように、４×４のマトリックスに対して３つの独立し
たラスタが実際に発生することが、示されている。ライ
ンＶ　　および”Ｇ４上の４つのパルスの３つのセット
は、３行の走査（水平ラスタ）を発生する。

第５Ｂ図において、交番ラスタ操作時に、パルスを付勢
するＶＤの極性が、上述のように、プラスからマイナス
に変化することに留意されたい。

このことは交流励起をもたらし、ＬＣセルの電気化学的
な品質低下を遅らせるが、これは他の場合には直流励起
によって得られるものである。

必要なラスタ走査パルスおよびイメージ情報を発生させ
る電気回路は、当分野の技術において周知のものであり
、この発明の一部を形成するものである。

第４図および第７図の機能的な等優性を比較するのを助
けるため、すべてのソース端子を下に向け、またすべて
の電位を大地電位により上に調節して、これらを第８図
に描き直しである。（たとえば、電位十ｖＤを回路内の
すべての端子に加えることは、デバイスの作動を変えな
い。このようにして、−■　という電位は排除される。

）Ｄ。

この無クロスオーバ手法の主な利点は歩留りが改害され
ることである。これは幾つかの方法で実現される。歩留
りの妨害物、クロスオーバを完全に排除することが、こ
の特徴を問題点として除去することは明らかである。ラ
インの半数を第２のガラス板に移すことによって、基板
上のラインで「開」となるものが少なくなるが、これは
ＴＦＴアレイを担持している基板がディスプレイの内で
最も複雑で費用のかさむ素子だからである。この技術に
おいて歩留りを上げることは、製造コストの削減に顕著
な効果を持っている６頂部ガラス板における開の数はは
るかに少なくなるが、これはライン幅が大幅に増加する
からであり、またこれらのラインの幅はペル全体の幅と
なり、ペルの幅の一部ではないので、ライン不良が無視
できるものとなる。

この発明はスイッチング速度の点で、従来技術を凌駕す
る利点も有している。駆動条件で最も弱いところは、ソ
ース・フオロウ・サイクルである。

コンデンサをＶＤに充電する場合、有効駆動電圧ケー、
　　　ツー８）減少し、充電速度は遅く（Ｖ　　　　　
　−Ｖ なる。無クロスオーバ手法において、有効ゲート電位は
大きくなり（Ｖ　に対して■。＋Ｖｏ）。

したがって所定の電位までの充電は早くなる。第８図参
照。インバータ構成において、従来技術の手法はゲート
電位が高いものであるが、ゲート−ソース間の電位が充
電中一定であり、しかも作動の正規領域においてはＴＦ
Ｔのオン抵抗がゲート電位のＶ。以上の増加に対して敏
感でないので、このことはほとんど取るに足らないもの
である。

理解しておかなければならないのは、この発明で教示さ
れる中心的なアイデアを単結晶シリコン基板上に製造さ
れ、従来型のＭＯＳＦＥＴのスイツチング素子を組み込
んだ液晶ディスプレイにも同様に適用できることである
。各ＦＥＴに対する共通結線は、強く、ドープした基板
によって、シリコン基板に注入ないし拡散された「ライ
ン」によって、あるいは基板上に沈積した金属線によっ
て行うことができる。

シリコンをベースとしたＬＣディスプレイを説明したが
、これは直視型ディスプレイまたは拡大（投射）型ディ
スプレイのいずれとしても作動可能である。

中心的なアイデアは透過型または反射型のＬＣディスプ
レイにも適用できるものであり、またツィステッド・ネ
マティックなどの各種の液晶効果およびゲスト−ホスト
・ディスプレイ効果に適用できるものである。

従来技術の手法に用いてＴＦＴアレイによってアドレス
可能な他のディスプレイ媒体にも適用できる。たとえば
、電気発色ないし電気泳動ディスプレイ効果などがある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の手法によって構成された単−ＴＦ
Ｔ／ＬＣディスプレイの断面図を示すものである。 第２図は、従来技術のＴＦＴ／ＬＣアレイの１実施例の
断面図である。 第３図は、第２図に示した型式の従来技術のマトリック
ス型のＴＦＴ／ＬＣディスプレイの数個の素子の上面図
を示すものである。 第４Ａ図、第４Ｂ図及び第４Ｃ図は、個々のＴＦＴ／Ｌ
Ｃ従来技術のペル素子に対する等価回路図を示すもので
ある。 第５Ａ図ないし第５Ｂ図は波形を示す図。第５Ｃ図はマ
トリックス・ディスプレイを示す図。第５Ｄ図は第５Ａ
図及び第５Ｂ図の波形を第５Ｃ図のマトリックス・ディ
スプレイに印加して得られる特定の光学効果を示す図で
ある。 第６図は、ディスプレイのマトリックス構造の頂部ガラ
ス板に固定された列に分割された対向電極、および底部
ガラス板上のソース電極の共通結線を明確に示す、この
発明によって構成された３Ｘ３のＴＦＴ／ＬＣディスプ
レイ・マトリックスの展開図である。 第７Ａ図および第７Ｂ図は、第６図に示したようなこの
発明の装置の等価電気回路を示すものである。 第８図は、この発明の教示するところにしたがって構成
されたＴＦＴスイッチング素子の電気特性を、同様な従
来技術の装置と対比した等価回路図を示すものである。 第９図は、この発明の教示するところにしたがって構成
された３Ｘ３の無りロスオーバＴＦＴ／ＬＣディスプレ
イ・マトリックス全体の等価回路図を゛示すものである
。 １・・・・ＴＦＴのゲート端子、１，２．３・・・・Ｔ
ＦＴの端子、９・・・・液晶（ＬＣ）セル、１０・・・
・基板、１２・・・・ＴＦＴ、１６・・・・ドレン、１
６・・・・ＴＦＴソース、１８・・・・対向電極、１８
′・・・・対向電極、２０・・・・頂部ガラス板、２１
・・・・クロスオーバ、２２・・・・ゲート、２４・・
・・ゲート・ライン、２６・・・・ドレン・ライン、６
０・・・・オフガラス・ライン、６２・・・・ゲート・
ライン、６３・・・・ペル電極。 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人　　弁理士　　岡　　１）　次　　生（外１名） 鮨 ８ｘ″ 戸 や■ 罐 倒 Ｖ０ 第５Ｃ図 附塾 ０″ｔフ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と近接配置されたガラス板の間に形成された
   薄膜トランジスタ／電気光学ディスプレイ・マトリック
   スにおいて、前記アレイ内の個々のペルを導体−導体間
   クロスオーバなしで電気的に作動させる相互接続手段が
   、 各々がソース電極、ゲート電極およびドレン電極を有し
   ているＴＦＴスイッチング素子と共に、前記アレイを構
   成し、基板上のすべてのドレンを第１共通点に接続する
   、基板上の第１組の共通導体と、 基板上のゲートの各行をこの各行に対する共通点に接続
   する第１組の直交導体と、 前記基板上の対応するペル電極と整合して頂部ガラス板
   上に配置された、第１組の直交導体と直交する第２組の
   導体とからなり、各ペル電極が関連するＴＦＴスイッチ
   ング素子のソース電極に接続され、前記基板上の前記ア
   レイのすべてのＴＦＴ素子のソースとの電気光学的に活
   性の媒体を介した結合をもたらし、 頂部ガラス板上の前記第２組の直交導体と基板上のペル
   電極が、これらの間に配置された電気光学的に活性の媒
   体用の作動電極を構成するディスプレイ装置。
2. （２）第２組の直交導体において、各導体がこれが作動
   させる電気光学ペルとほぼ同じ幅である、特許請求の範
   囲第（１）項記載のディスプレイ装置。
3. （３）導体が金属または導電性半導体材料である、特許
   請求の範囲第（２）項記載のディスプレイ装置。