JPH07312429A

JPH07312429A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH07312429A
Application number: JP1538795A
Authority: JP
Inventors: Muneyoshi Yamamoto; 宗是山本
Original assignee: Toyoda Automatic Loom Works Ltd
Current assignee: Toyota Industries Corp
Priority date: 1994-03-23
Filing date: 1995-02-01
Publication date: 1995-11-28

Abstract

(57)【要約】【目的】耐圧値を精度良く設定することができる半導体
装置を提供する。【構成】Ｎ⁺シリコン基板１１の表面にはＮ^--のエピタ
キシャル層１２が形成されている。そのエピタキシャル
層１２の表面には、周囲をＰ⁺のベース領域１３に囲ま
れたＮ⁺のエミッタ領域１４が形成されている。そし
て、ベース領域１３の最外周の接合湾曲部を含むととも
に、そのベース領域１３を囲むようにしてＮ ^-フィール
ド領域１５が形成されている。Ｎ^-フィールド領域１５
はベース領域１３より拡散深さが深く、エピタキシャル
層１２より不純物濃度が高く形成されている。Ｎ^-フィ
ールド領域１５上の外周部にはＮ⁺からなるＥＱＲ１６
が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特にコレク
タ−ベース間にツェナーダイオードを内蔵する半導体装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体装置、例えばバイポーラト
ランジスタにおいては、素子を逆電圧から保護するため
に、図６に示すようなコレクタ−ベース間にツェナーダ
イオードを内蔵するタイプのものがある。

【０００３】バイポーラトランジスタ４０は、図６に示
すように、高濃度のＮ型（Ｎ⁺）シリコン基板４１の表
面には低濃度のＮ型（Ｎ^-）のエピタキシャル層４２が
形成されている。そのエピタキシャル層４２の表面には
周囲が高濃度のＰ型（Ｐ⁺）のベース領域４３に囲まれ
た高濃度のＮ型（Ｎ⁺）のエミッタ領域４４が形成され
ている。前記エピタキシャル層４２の表面周縁部には前
記ベース領域４３を囲むようにして、高濃度のＮ型（Ｎ
⁺）の等電位リング（以下、ＥＱＲという）４５が形成
されている。

【０００４】前記エピタキシャル層４２、ベース領域４
３、エミッタ領域４４及びＥＱＲ４５の表面にはシリコ
ン酸化膜４６が形成され、該シリコン酸化膜４６にはベ
ース領域４３、エミッタ領域４４及びＥＱＲ４５に対応
する位置にそれぞれコンタクトホール４７、４８、４９
が形成されている。そして、それぞれのコンタクトホー
ル４７、４８、４９においてベース領域４３、エミッタ
領域４４及びＥＱＲ４５に接合する状態でベース電極５
０、エミッタ電極５１及びＥＱＲ電極５２がそれぞれ形
成されている。

【０００５】又、シリコン基板４１の裏面にはコレクタ
電極５３が形成されている。そして、ベース−エミッタ
間の順方向に電流を流すことによってコレクタ−エミッ
タ間に主電流が流れるようになっている。ここで、ＥＱ
Ｒ４５はＥＱＲ電極５２とコレクタ電極５３とを同電位
にすることにより、リーク電流を低減するようになって
いる。

【０００６】又、上記構成において、前記ベース領域４
３とエピタキシャル層４２とによりツェナーダイオード
が形成されている。従って、コレクタ−ベース間、ある
いはコレクタ−エミッタ間に逆方向の電圧がかかると図
６に示すように空乏層５４が延び、空乏層５４がＥＱＲ
４５に到達するとパンチスルー現象が起きる。そして、
このパンチスルー現象が起きる逆方向の電圧値が、この
ツェナーダイオードの降伏電圧であり、バイポーラトラ
ンジスタ４０の耐圧値である。そして、このツェナーダ
イオードによってバイポーラトランジスタ４０を破壊か
ら防止する。

【０００７】なお、この逆方向の電圧はエピタキシャル
層４２の不純物濃度、又は前記ベース領域４３とＥＱＲ
４５との距離Ｌにより決定されるようになっている。図
６に示した場合には、耐圧値はベース領域４３とＥＱＲ
４５との距離Ｌにより制御されている。そして、距離Ｌ
はベース領域４３とＥＱＲ４５をそれぞれ形成する際
に、不純物の横方向の拡散を考慮に入れて制御されるよ
うになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、不純物の拡
散長、特に横方向の拡散長を精度良く制御することは大
変困難であるため、バイポーラトランジスタ４０の製造
過程において距離Ｌにばらつきが生じてしまい、精度良
く耐圧値を設定することができなかった。又、エピタキ
シャル層４２の不純物濃度により耐圧値を制御する場合
にも、その不純物濃度が約１０¹⁴〜１０¹⁵cm^-3程度と低
いため、その不純物濃度を精度良く制御することが難し
く、これにより耐圧値を精度良く設定することは困難で
あるという問題点が生じていた。

【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は耐圧値を精度良く設定す
ることができる半導体装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、低濃度の第１導電型の半導
体領域を有する半導体基板上に対し、その低濃度の第１
導電型の半導体領域上に第２導電型の半導体領域が形成
されるとともに、その第２導電型の半導体領域上に高濃
度の第１導電型の半導体領域が形成され、また低濃度の
第１導電型の半導体領域の表面周縁部に第２導電型の半
導体領域を包囲するように高濃度の第１導電型の半導体
領域からなる等電位リングが形成された半導体装置にお
いて、第２導電型の半導体領域外側の等電位リングによ
り包囲された領域の少なくとも一部に、低濃度の第１導
電型の半導体領域より高い不純物濃度の第１導電型の半
導体領域からなるフィールド領域が形成されたことをそ
の要旨とする。

【００１１】請求項２記載の発明は、低濃度の第１導電
型の半導体領域を有する半導体基板上に対し、その低濃
度の第１導電型の半導体領域上に第２導電型の半導体領
域が形成されるとともに、その第２導電型の半導体領域
上に高濃度の第１導電型の半導体領域が形成され、また
低濃度の第１導電型の半導体領域の表面周縁部に第２導
電型の半導体領域を包囲するように高濃度の第１導電型
の半導体領域からなる等電位リングが形成された半導体
装置において、第２導電型の半導体領域と低濃度の第１
導電型の半導体領域とにより形成される接合部表面を含
むとともに、第２導電型の半導体領域の外周部の少なく
とも一部に沿って低濃度の第１導電型の半導体領域より
高い不純物濃度の第１導電型の半導体領域からなるフィ
ールド領域が形成されたことをその要旨とする。

【００１２】請求項３記載の発明によれば、低濃度の第
１導電型の半導体領域を有する半導体基板上に対し、そ
の低濃度の第１導電型の半導体領域上に第２導電型の半
導体領域が形成されるとともに、その第２導電型の半導
体領域上に高濃度の第１導電型の半導体領域が形成さ
れ、また低濃度の第１導電型の半導体領域の表面周縁部
に第２導電型の半導体領域を包囲するように高濃度の第
１導電型の半導体領域からなる等電位リングが形成され
た半導体装置において、第２導電型の半導体領域外側の
等電位リングにより包囲された領域の少なくとも一部
に、低濃度の第１導電型の半導体領域より高い不純物濃
度の第１導電型の半導体領域からなるフィールド領域が
形成されるとともに、該フィールド領域と第２導電型の
半導体領域との間に分離領域が形成されたことをその要
旨とする。

【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
いずれか一つに記載の半導体装置において、フィールド
領域が等電位リング外周を含むように形成されたことを
その要旨とする。

【００１４】請求項５記載の発明は、請求項２記載の半
導体装置において、フィールド領域が第２導電型の半導
体領域の最外周の接合湾曲部を含むように形成されたこ
とをその要旨とする。

【００１５】

【作用】従って、請求項１記載の発明によれば、低濃度
の第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域あ
るいは高濃度の第１導電型の半導体領域との間に逆方向
の電圧が印加されると、第１導電型のフィールド領域及
び低濃度の第１導電型の半導体領域に空乏層が延びる。
このとき、第１導電型のフィールド領域の不純物濃度が
低濃度の第１導電型の半導体領域の不純物濃度より高い
ため、空乏層は第１導電型のフィールド領域内では低濃
度の第１導電型の半導体領域内に比べて延びが抑えられ
る。

【００１６】従って、第１導電型のフィールド領域に電
界集中が生じ、ブレイクダウンが起こる。そして、この
ブレイクダウンが起こる電圧は第１導電型のフィールド
領域の不純物濃度を変えることによって精度良く制御す
ることができる。

【００１７】請求項２記載の発明によれば、低濃度の第
１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域あるい
は高濃度の第１導電型の半導体領域との間に逆方向の電
圧が印加されると、第１導電型のフィールド領域及び低
濃度の第１導電型の半導体領域に空乏層が延びる。この
とき、第１導電型のフィールド領域の不純物濃度が低濃
度の第１導電型の半導体領域の不純物濃度より高いた
め、空乏層は第１導電型のフィールド領域内では低濃度
の第１導電型の半導体領域内に比べて延びが抑えられ
る。

【００１８】従って、第１導電型のフィールド領域に電
界集中が生じ、ブレイクダウンが起こる。そして、この
ブレイクダウンが起こる電圧は第１導電型のフィールド
領域内の空乏層の延びのみに影響されるので、第１導電
型のフィールド領域の不純物濃度を変えることによって
精度良く制御することができる。

【００１９】請求項３記載の発明によれば、低濃度の第
１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域あるい
は高濃度の第１導電型の半導体領域との間に逆方向の電
圧が印加されると、第１導電型のフィールド領域、分離
領域を含む低濃度の第１導電型の半導体領域に空乏層が
延びる。このとき、分離領域において耐圧値の一部が確
保されるとともに、第１導電型のフィールド領域におい
ても耐圧値の一部が設定される。

【００２０】また、第１導電型のフィールド領域の不純
物濃度が低濃度の第１導電型の半導体領域の不純物濃度
より高いため、空乏層は第１導電型のフィールド領域内
では低濃度の第１導電型の半導体領域内に比べて延びが
抑えられる。従って、第１導電型のフィールド領域に電
界集中が生じ、ブレイクダウンが起こる。そして、この
ブレイクダウンが起こる電圧は分離領域の幅と第１導電
型のフィールド領域の不純物濃度を変えることによって
精度良く制御することができる。

【００２１】請求項４記載の発明によれば、製造時等に
生成される表面電荷等の影響を受け易い第２導電型の半
導体領域と等電位リングとの間に、低濃度の第１導電型
の半導体領域より不純物濃度の高いフィールド領域が形
成されているので、このフィールド領域に反転層が形成
される虞が減少する。その結果、低濃度の第１導電型の
半導体領域と第２導電型の半導体領域との間に逆電圧が
印加されたときに、反転層が形成されることに起因する
パンチスルーが生じることによる耐圧値の低下が抑えら
れるようになる。

【００２２】請求項５記載の発明によれば、低濃度の第
１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域あるい
は高濃度の第１導電型の半導体領域との間に逆電圧が印
加されると、第１導電型のフィールド領域及び低濃度の
第１導電型の半導体領域に空乏層が延びる。このとき、
第１導電型のフィールド領域の不純物濃度が低濃度の第
１導電型の半導体領域の不純物濃度より高いため、空乏
層は第１導電型のフィールド領域内では、低濃度の第１
導電型の半導体領域内に比べて延びが抑えられる。特
に、第１導電型のフィールド領域内の空乏層は、前記第
２導電型の半導体領域の接合湾曲部に対応する湾曲部の
曲率が最も大きくなる。

【００２３】従って、その接合湾曲部に電界集中が生
じ、ブレイクダウンが起こる。このブレイクダウンが起
こる電圧は第１導電型のフィールド領域の不純物濃度を
変えることによって精度良く制御することができる。ま
た、第２導電型の半導体領域と第１導電型のフィールド
領域とにより形成される接合部が深く形成されているた
め、ブレイクダウン時の耐量を大きくすることができ
る。

【００２４】

【実施例】

（第１実施例）以下、本発明をバイポーラトランジスタ
に具体化した一実施例を図１に従って説明する。

【００２５】図１に示すように、高濃度の第１導電型と
してのＮ型（Ｎ⁺）シリコン基板（コレクタ領域）１１
の表面には低濃度のＮ型（Ｎ^--）のエピタキシャル層１
２が形成されている。そのエピタキシャル層１２の表面
には、周囲を高濃度の第２導電型としてのＰ型（Ｐ⁺）
のベース領域１３に囲まれた高濃度のＮ型（Ｎ⁺）のエ
ミッタ領域１４が形成されている。

【００２６】そして、ベース領域１３の最外周の接合湾
曲部を含むとともに、そのベース領域１３を囲むように
してＮ^-フィールド領域１５が形成されている。Ｎ^-フ
ィールド領域１５はベース領域１３より拡散深さが深
く、エピタキシャル層１２より不純物濃度が高く形成さ
れている。Ｎ^-フィールド領域１５上の外周部には高濃
度のＮ型（Ｎ⁺）からなる等電位リング（以下、ＥＱＲ
という）１６が形成されている。

【００２７】なお、このＥＱＲ１６とベース領域１３と
により形成されるツェナーダイオードの降伏電圧は、バ
イポーラトランジスタ１７の耐圧値より低くなるように
その両者の距離が設定されている。又、このＥＱＲ１６
は前記エミッタ領域１４と同時に形成される。

【００２８】前記エピタキシャル層１２、ベース領域１
３、エミッタ領域１４及びＥＱＲ１６の表面にはシリコ
ン酸化膜１８が形成され、該シリコン酸化膜１８にはベ
ース領域１３、エミッタ領域１４及びＥＱＲ１６に対応
する位置にそれぞれコンタクトホール１９、２０、２１
が形成されている。

【００２９】そして、それぞれのコンタクトホール１
９、２０、２１においてベース領域１３、エミッタ領域
１４及びＥＱＲ１６に接合する状態でベース電極２２、
エミッタ電極２３及びＥＱＲ電極２４がそれぞれ形成さ
れている。又、シリコン基板１１裏面にはコレクタ電極
２５が形成されている。

【００３０】そして、ベース−エミッタ間に順方向電流
を流すことによって、コレクタ−エミッタ間に主電流が
流れるようになっている。なお、ＥＱＲ１６はＥＱＲ電
極２４とコレクタ電極２５とを同電位にすることによ
り、リーク電流を低減するようになっている。

【００３１】上記のように構成されたバイポーラトラン
ジスタ１７はベース領域１３を形成する前後どちらかの
工程で、通常の不純物を拡散させる工程と同様に、Ｎ^-
フィールド領域１５に相当する箇所に拡散窓を設けたマ
スクを用いて容易に形成することができる。

【００３２】次に上記のように構成されたバイポーラト
ランジスタ１７において、逆方向の電圧が印加された場
合の作用について説明する。コレクタ−ベース間、ある
いはコレクタ−エミッタ間に逆方向の電圧が印加される
と、図１に示すようにベース領域１３からエピタキシャ
ル層１２及びＮ^-フィールド領域１５に向かって空乏層
２６が延びる。このとき、Ｎ^-フィールド領域１５の不
純物濃度がエピタキシャル層１２より高いので、空乏層
２６はエピタキシャル層１２に比べてＮ^-フィールド領
域１５内の延びが抑えられる。

【００３３】そして、Ｎ^-フィールド領域１５に延びる
空乏層２６のベース領域１３の最外周の接合湾曲部に対
応する部分２７に電界が集中するため、そこで電界強度
が臨界電界に達する。その結果、コレクタ−ベース間で
アバランシェブレイクダウンが起こり、ブレイクダウン
電流が流れる。そして、このときのブレイクダウン電流
はコレクタ領域１１からＮ^-フィールド領域１５を通っ
てベース領域１３へ流れる。

【００３４】このアバランシェブレイクダウンが起こる
逆方向の電圧値、すなわちバイポーラトランジスタ１７
の耐圧値は空乏層２６の延びが抑えられた領域により決
定される。すなわち、Ｎ^-フィールド領域１５の不純物
濃度により決定されることになる。従って、このＮ^-フ
ィールド領域１５の不純物濃度を制御することによって
バイポーラトランジスタ１７の耐圧値を設定することが
できる。

【００３５】本実施例では、Ｎ^-フィールド領域１５の
不純物濃度は１０¹⁶〜１０¹⁷cm^-3程度であるので、その
不純物濃度を精度良く制御することは比較的容易であ
る。その結果、バイポーラトランジスタ１７は製造過程
において耐圧値にばらつきが生じることがなく、耐圧値
を設定値通りにすることが容易となる。

【００３６】さらに、本実施例によれば、ベース領域１
３とＥＱＲ１６との間にエピタキシャル層１２より不純
物濃度の高いＮ^-フィールド領域１５を形成することに
より、酸化膜１８に接するフィールド部分において、製
造時等に発生する表面電荷の影響を受けて酸化膜１８下
に反転層が形成される虞が減少する。その結果、コレク
タ−ベース間に逆方向の電圧が印加された際に、反転層
の形成に起因するパンチスルーが生じることによる耐圧
値の低下が抑えられるようになる。

【００３７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、例
えば次のように変更してもよい。（１）上記実施例では、第１導電型のフィールド領域と
してのＮ^-フィールド領域１５はベース領域１３の最外
周の接合湾曲部を含むように形成されていたが、必ずし
も接合湾曲部を含んでいなくとも、図２に示すようにＮ
^-フィールド領域１５ａがベース領域１３とエミッタ領
域１４とにより形成されるＰＮ接合部表面を含むように
形成されていればよい。この場合も、空乏層２６の延び
が抑えられるＮ^-フィールド領域１５ａにおいて電界集
中が生じてブレイクダウンが起こる。

【００３８】そして、このブレイクダウンが起こる逆方
向の電圧はＮ^-フィールド領域１５ａの不純物濃度を変
えることによって精度良く制御することができる。ただ
し、ベース領域１３とＮ^-フィールド領域１５ａとによ
り形成されるＰＮ接合部の深さが上記実施例に比べて浅
いため、ブレイクダウン時の許容電流量は少なくなる。（第２実施例）次に、第２実施例のバイポーラトランジ
スタ３０を図３に従って説明する。なお、第１実施例と
同一構成には同一番号を付して説明を省略する。

【００３９】第２実施例において第１実施例と異なる構
成は、フィールド領域１５ｂとベース領域１３との間に
ベース領域１３を囲むようにして形成される幅ｍを有す
る分離領域３１である。

【００４０】第１実施例において耐圧値をさらに高める
ためには、フィールド領域１５の不純物濃度をさらに低
くする必要があるが、上述したように濃度を低くする
と、その濃度を精度良く制御することが困難であるた
め、耐圧値にばらつきを生じてしまう。しかし、第２実
施例においては上述したように分離領域３１を設けるこ
とにより、コレクタ−ベース間、あるいはコレクタ−エ
ミッタ間に逆方向の電圧が印加された際に、空乏層３２
がこの分離領域３１に延び、その後フィールド領域１５
ｂに達して延びるようになる。

【００４１】そして、空乏層３２の延びが抑えられるフ
ィールド領域１５ｂ内において、電界集中が発生し、ブ
レイクダウンが生じるとともに、ブレイクダウン電流が
コレクタ領域１１からＮ^-フィールド領域１５ｂ、分離
領域３１を通ってベース領域１３へ流れる。

【００４２】ここで、耐圧値は分離領域３１とフィール
ド領域１５ｂとに延びる空乏層３２により決定されるこ
とになるが、これは分離領域３１の幅ｍとフィールド領
域１５ｂの不純物濃度を制御することにより決定するこ
とができる。例えば１００Ｖの耐圧値を設定したい場合
には、分離領域３１に延びる空乏層により約３０Ｖの耐
圧値を確保するためにマスクの拡散窓の幅を５．５μｍ
（ｍはおよそ０．５μｍ）とし、残りの約７０Ｖをフィ
ールド領域１５ｂにおける空乏層により確保するため
に、フィールド領域１５ｂの不純物濃度を２×１０¹⁶ｃ
ｍ^-3程度、その拡散深さを２．４μｍとすればよい。

【００４３】従って、フィールド領域１５ｂの不純物濃
度を第１実施例と同程度としたまま精度良く高耐圧値を
設定することができる。また、上記の分離領域の幅ｍお
よびフィールド領域１５ｂの不純物濃度を適宜変更させ
ることにより、上記耐圧値を所望の値に変更させること
ができる。

【００４４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、例
えば次のように変更してもよい。（１）上記実施例では、本発明をコレクタ領域１１、ベ
ース領域１３、エミッタ領域１４及び等電位リング１６
からなるバイポーラトランジスタ１７、３０に適用した
場合を示したが、ベース領域及びエミッタ領域を複数有
するタイプのバイポーラトランジスタに適用してもよ
い。この場合隣接するベース領域間にはＮ ^-フィールド
領域を設ける必要はなく、ベース領域全てを囲むように
設けるようにすればよい。

【００４５】（２）上記実施例では、Ｎ^-フィールド領
域１５，１５ｂおよび分離領域３１はベース領域１３を
囲むようにして形成されているが、ベース領域１３の外
周部の少なくとも一部に沿って形成されていればよい。
このとき、ベース領域１３と等電位リング１６との間で
ブレイクダウンが生じる逆方向の電圧よりも低い電圧で
Ｎ^-フィールド領域１５，１５ｂにおいてブレイクダウ
ンが生じるようにＮ^-フィールド領域１５，１５ｂの不
純物濃度、又はベース領域１３と等電位リング１６との
距離が設定されていれば上記実施例と同様な効果が得ら
れる。

【００４６】（３）上記実施例では、第１導電型のフィ
ールド領域としてのＮ^-フィールド領域１５，１５ｂは
等電位リング１６を含むように形成されていたが、図４
に示すように形成されていてもよい。すなわち、逆電圧
が印加されたときに空乏層２６，３２が延び、電界集中
が生じてブレイクダウンが起きるが、このブレイクダウ
ンがＮ^-フィールド領域１５ｃ内で確実に起きるだけの
距離が確保されて形成されていればよい。この場合もＮ
^-フィールド領域１５ｃの比較的高い不純物濃度を調整
することによってバイポーラトランジスタの耐圧値を精
度良く制御することができる。

【００４７】（４）上記実施例では、半導体装置の具体
例としてＮＰＮ型のバイポーラトランジスタ１７，３０
に具体化した場合を示したが、ＰＮＰ型のバイポーラト
ランジスタの場合に適用してもよい。この場合、ベース
領域とＥＱＲとの間に形成されるフィールド領域はＰ型
となる。

【００４８】（５）上記実施例では、バイポーラトラン
ジスタ１７、３０に具体化した場合を示したが、他にも
図５に示すようなノーマリオフ型のＳＩＴ２８等の電流
駆動型半導体装置に適用してもよい。この場合、上記実
施例におけるベース、エミッタ及びコレクタにはゲー
ト、ソース及びドレインに相当し、さらに、ソース領域
１４ａ下にはゲート領域１３ａに連通するようにチャネ
ル領域２９が形成されている。

【００４９】本実施例ではこのゲート領域１３ａとチャ
ンネル領域２９が第２導電型の半導体領域に相当する。
そして、ゲート領域１３ａの最外周の接合湾曲部を含む
とともに、そのゲート領域１３ａを囲むようにしてＮ^-
フィールド領域１５ｄが形成されている。従って、上記
実施例と同様な作用によりＳＩＴ２８の耐圧値を精度良
く設定することができる。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載の発明
によれば、第１導電型のフィールド領域の不純物濃度に
より半導体装置の耐圧値を制御することができるので、
耐圧値を精度良く設定することができる優れた効果があ
る。

【００５１】請求項２記載の発明によれば、第１導電型
のフィールド領域の不純物濃度のみにより半導体装置の
耐圧値を制御することができるので、耐圧値を精度良く
設定することができる優れた効果がある。

【００５２】請求項３記載の発明によれば、分離領域の
幅および第１導電型のフィールド領域の不純物濃度によ
り半導体装置の耐圧値を制御することができるので、耐
圧値を精度良く設定することができるとともに、高い耐
圧値を設定することができるという優れた効果がある。

【００５３】請求項４記載の発明によれば、表面電荷等
の影響を受けて耐圧値が低下する虞が減少するという優
れた効果がある。請求項５記載の発明によれば、空乏層
の第２導電型の半導体領域の接合湾曲部に相当する箇所
で確実にブレイクダウンを生じさせることができるの
で、耐圧値を精度良く設定することができるとともに、
第２導電型の半導体領域と第１導電型のフィールド領域
とにより形成される接合部が深く形成されているので、
ブレイクダウン時の許容電流量が大きくすることができ
るという優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明をＮＰＮ型のバイポーラトランジスタに
具体化した第１実施例を示す断面図である。

【図２】第１実施例の別の実施例を示す断面図である。

【図３】第２実施例を示す断面図である。

【図４】本発明の別の実施例を示す断面図である。

【図５】本発明をＳＩＴに具体化した実施例を示す断面
図である。

【図６】従来のコレクタ−ベース間にツェナーダイオー
ドを内蔵するタイプのバイポーラトランジスタを示す断
面図である。

【符号の説明】

１１…半導体基板としてのＮ⁺シリコン基板、１２…低
濃度の第１導電型の半導体領域としてのＮ^-のエピタキ
シャル層、１３，１３ａ…第２導電型の半導体領域とし
てのＰ⁺のベース領域、１４，１４ａ…高濃度の第１導
電型の半導体領域としてのＮ⁺のエミッタ領域、１５，
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…第１導電型のフィー
ルド領域としてのＮ^-フィールド領域、１６…高濃度の
第１導電型の半導体領域からなる等電位リングとしての
Ｎ⁺ＥＱＲ、１７，３０…半導体装置としてのバイポー
ラトランジスタ、２８…半導体装置としてのノーマリオ
フ型のＳＩＴ、３１…分離領域。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】低濃度の第１導電型の半導体領域を有す
る半導体基板上に対し、その低濃度の第１導電型の半導
体領域上に第２導電型の半導体領域が形成されるととも
に、その第２導電型の半導体領域上に高濃度の第１導電
型の半導体領域が形成され、前記低濃度の第１導電型の
半導体領域の表面周縁部に前記第２導電型の半導体領域
を包囲するように高濃度の第１導電型の半導体領域から
なる等電位リングが形成された半導体装置において、前記第２導電型の半導体領域外側の前記等電位リングに
より包囲された領域の少なくとも一部に、前記低濃度の
第１導電型の半導体領域より高い不純物濃度の第１導電
型の半導体領域からなるフィールド領域が形成された半
導体装置。
【請求項２】低濃度の第１導電型の半導体領域を有す
る半導体基板上に対し、その低濃度の第１導電型の半導
体領域上に第２導電型の半導体領域が形成されるととも
に、その第２導電型の半導体領域上に高濃度の第１導電
型の半導体領域が形成され、前記低濃度の第１導電型の
半導体領域の表面周縁部に前記第２導電型の半導体領域
を包囲するように高濃度の第１導電型の半導体領域から
なる等電位リングが形成された半導体装置において、前記第２導電型の半導体領域と低濃度の第１導電型の半
導体領域とにより形成される接合部表面を含むととも
に、第２導電型の半導体領域の外周部の少なくとも一部
に沿って前記低濃度の第１導電型の半導体領域より高い
不純物濃度の第１導電型の半導体領域からなるフィール
ド領域が形成された半導体装置。
【請求項３】低濃度の第１導電型の半導体領域を有す
る半導体基板上に対し、その低濃度の第１導電型の半導
体領域上に第２導電型の半導体領域が形成されるととも
に、その第２導電型の半導体領域上に高濃度の第１導電
型の半導体領域が形成され、前記低濃度の第１導電型の
半導体領域の表面周縁部に前記第２導電型の半導体領域
を包囲するように高濃度の第１導電型の半導体領域から
なる等電位リングが形成された半導体装置において、前記第２導電型の半導体領域外側の前記等電位リングに
より包囲された領域の少なくとも一部に、前記低濃度の
第１導電型の半導体領域より高い不純物濃度の第１導電
型の半導体領域からなるフィールド領域が形成されると
ともに、該フィールド領域と第２導電型の半導体領域と
の間に分離領域が形成された半導体装置。
【請求項４】請求項１乃至３いずれか一つに記載の半
導体装置において、前記フィールド領域が前記等電位リング外周まで含むよ
うに形成された半導体装置。
【請求項５】請求項２記載の半導体装置において、前記フィールド領域が前記第２導電型の半導体領域の最
外周の接合湾曲部を含むように形成された半導体装置。