JPH073093A - 塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法 - Google Patents
塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法Info
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- JPH073093A JPH073093A JP1816394A JP1816394A JPH073093A JP H073093 A JPH073093 A JP H073093A JP 1816394 A JP1816394 A JP 1816394A JP 1816394 A JP1816394 A JP 1816394A JP H073093 A JPH073093 A JP H073093A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 重量部で（ａ）塩素化ポリエチレン１００
部，（ｂ）メルカプトトリアジン類０．１〜５部，
（ｃ）約沸点１１０℃以上のアミン，その有機酸塩又は
その付加物，ジアリールグアニジン，アニリンとアルデ
ヒドとの縮合生成物，１級又は２級アミンの２−ベンジ
ルスルフェンアミドの少なくとも１種を（ｂ）に対し
０．５〜３モル，（ｄ）生石灰１〜３０部，（ｅ）一般
式Ｒ2 ＳｎＹ又はＲ 2 ＳｎＺ2 （ＲはＣ1 〜Ｃ20のアル
キル，Ｙは酸素又はＣ3 〜Ｃ20の脂肪族ジカルボン酸残
基，ＺはＣ1 〜Ｃ20の脂肪族カルボン酸残基）で表され
る有機錫化合物０．１〜２部を含む組成物をマイクロ波
架橋する。 【効果】 マイクロ波架橋時の発泡を大幅に抑制し、ス
コーチを防止する。
部，（ｂ）メルカプトトリアジン類０．１〜５部，
（ｃ）約沸点１１０℃以上のアミン，その有機酸塩又は
その付加物，ジアリールグアニジン，アニリンとアルデ
ヒドとの縮合生成物，１級又は２級アミンの２−ベンジ
ルスルフェンアミドの少なくとも１種を（ｂ）に対し
０．５〜３モル，（ｄ）生石灰１〜３０部，（ｅ）一般
式Ｒ2 ＳｎＹ又はＲ 2 ＳｎＺ2 （ＲはＣ1 〜Ｃ20のアル
キル，Ｙは酸素又はＣ3 〜Ｃ20の脂肪族ジカルボン酸残
基，ＺはＣ1 〜Ｃ20の脂肪族カルボン酸残基）で表され
る有機錫化合物０．１〜２部を含む組成物をマイクロ波
架橋する。 【効果】 マイクロ波架橋時の発泡を大幅に抑制し、ス
コーチを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、塩素化ポリエチレン系
架橋組成物の製法に関する。
架橋組成物の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】塩素化ポリエチレンは十分に架橋される
ことにより、各種高分子材料の中でも特に優れた機械的
特性，耐熱性，耐油性，耐薬品性，耐候性を有するポリ
マーとして知られ、中でもポリエチレンの融点付近の温
度での塩素化工程を含む方法で製造された塩素化ポリエ
チレンは、エラストマー材料として注目されつつある材
料である。近年、ゴム業界では、マイクロ波架橋（以下
ＵＨＦ架橋という）による連続架橋法が盛んに行われて
いる。ＵＨＦ架橋については例えば「架橋設備ハンドブ
ック」（大成社（株）発行，昭和５８年３月１５日初
版）第１２２〜第１３４頁に記載がある。この架橋法
は、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ），エチレン−
プロピレンゴム（ＥＰＤＭ）等についてはゴム業界では
広く行われているが、塩素化ポリエチレンゴムについて
は未だ行われていない。
ことにより、各種高分子材料の中でも特に優れた機械的
特性，耐熱性，耐油性，耐薬品性，耐候性を有するポリ
マーとして知られ、中でもポリエチレンの融点付近の温
度での塩素化工程を含む方法で製造された塩素化ポリエ
チレンは、エラストマー材料として注目されつつある材
料である。近年、ゴム業界では、マイクロ波架橋（以下
ＵＨＦ架橋という）による連続架橋法が盛んに行われて
いる。ＵＨＦ架橋については例えば「架橋設備ハンドブ
ック」（大成社（株）発行，昭和５８年３月１５日初
版）第１２２〜第１３４頁に記載がある。この架橋法
は、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ），エチレン−
プロピレンゴム（ＥＰＤＭ）等についてはゴム業界では
広く行われているが、塩素化ポリエチレンゴムについて
は未だ行われていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、塩素化
ポリエチレンの公知の架橋組成物についてＵＨＦ架橋を
実際に行ったところ、架橋後のゴムが発泡する現象、す
なわち大小の気泡がゴム中に無数に生ずる現象があり、
実用上使用し得ないことが判明した。したがって本発明
の目的は他の物性の低下をもたらすことなく上記の発泡
現象を抑制し優れたＵＨＦ架橋性を有する塩素化ポリエ
チレン組成物を提供することにある。
ポリエチレンの公知の架橋組成物についてＵＨＦ架橋を
実際に行ったところ、架橋後のゴムが発泡する現象、す
なわち大小の気泡がゴム中に無数に生ずる現象があり、
実用上使用し得ないことが判明した。したがって本発明
の目的は他の物性の低下をもたらすことなく上記の発泡
現象を抑制し優れたＵＨＦ架橋性を有する塩素化ポリエ
チレン組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決するために鋭意検討を進めた結果、上記架橋用塩
素化ポリエチレン組成物に生石灰又は生石灰と有機錫化
合物とを配合することにより、ＵＨＦ架橋時の発泡の問
題を解決すると共に優れた架橋物性を与えることを見出
し、本発明を完成した。
を解決するために鋭意検討を進めた結果、上記架橋用塩
素化ポリエチレン組成物に生石灰又は生石灰と有機錫化
合物とを配合することにより、ＵＨＦ架橋時の発泡の問
題を解決すると共に優れた架橋物性を与えることを見出
し、本発明を完成した。
【０００５】すなわち本発明は（ａ）塩素化ポリエチレ
ン１００重量部，（ｂ）メルカプトトリアジン類０．１
〜５重量部，（ｃ）約１１０℃以上の沸点を有するアミ
ン，該アミンの有機酸塩もしくはその付加物，ジアリー
ルグアニジン，アニリンとアルデヒドとの縮合生成物及
び１級もしくは２級アミンの２−ベンゾチアジルスルフ
ェンアミドから選ばれる１種又は２種以上の化合物を
（ｂ）成分１モルに対し０．５〜３モル，（ｄ）生石灰
１〜３０重量部，（ｅ）後述する有機錫化合物０．１〜
２重量部を含む組成物をマイクロ波により架橋すること
を特徴とする塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法で
ある。
ン１００重量部，（ｂ）メルカプトトリアジン類０．１
〜５重量部，（ｃ）約１１０℃以上の沸点を有するアミ
ン，該アミンの有機酸塩もしくはその付加物，ジアリー
ルグアニジン，アニリンとアルデヒドとの縮合生成物及
び１級もしくは２級アミンの２−ベンゾチアジルスルフ
ェンアミドから選ばれる１種又は２種以上の化合物を
（ｂ）成分１モルに対し０．５〜３モル，（ｄ）生石灰
１〜３０重量部，（ｅ）後述する有機錫化合物０．１〜
２重量部を含む組成物をマイクロ波により架橋すること
を特徴とする塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法で
ある。
【０００６】本発明に用いられる（ａ）成分の塩素化ポ
リエチレンとしては任意の塩素含量，結晶度，分子量分
布を有する塩素化ポリエチレンが対象となるが、特にメ
ルトインデックス０．０１〜１００のポリエチレンを用
いて塩素化した塩素含量２０〜５０重量％の非晶質もし
くは実質的に非晶質のものが本発明の効果が顕著に発揮
できるので好ましい。
リエチレンとしては任意の塩素含量，結晶度，分子量分
布を有する塩素化ポリエチレンが対象となるが、特にメ
ルトインデックス０．０１〜１００のポリエチレンを用
いて塩素化した塩素含量２０〜５０重量％の非晶質もし
くは実質的に非晶質のものが本発明の効果が顕著に発揮
できるので好ましい。
【０００７】本発明に使用される（ｂ）成分のメルカプ
トトリアジン類は下記の一般式（Ｉ）で表わされる。
トトリアジン類は下記の一般式（Ｉ）で表わされる。
【０００８】
【化１】 （但しＲ3 は、メルカプト基，アルコキシ基，アルキル
アミノ基，ジアルキルアミノ基，シクロアルキルアミノ
基，ジシクロアルキルアミノ基，アリールアミノ基から
なる群より選ばれる。）
アミノ基，ジアルキルアミノ基，シクロアルキルアミノ
基，ジシクロアルキルアミノ基，アリールアミノ基から
なる群より選ばれる。）
【０００９】上記一般式（Ｉ）の具体例としては、１，
３，５−トリチオシアヌル酸，１−メトシキ−３，５−
ジメルカプトトリアジン，１−ヘキシルアミノ−３，５
−ジメルカプトトリアジン，１−ジエチルアミノ−３，
５−ジメルカプトトリアジン，１−ジブチルアミノ−
３，５−ジメルカプトトリアジン，１−シクロヘキシル
アミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン，１−フェニ
ルアミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン等をあげる
ことができる。
３，５−トリチオシアヌル酸，１−メトシキ−３，５−
ジメルカプトトリアジン，１−ヘキシルアミノ−３，５
−ジメルカプトトリアジン，１−ジエチルアミノ−３，
５−ジメルカプトトリアジン，１−ジブチルアミノ−
３，５−ジメルカプトトリアジン，１−シクロヘキシル
アミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン，１−フェニ
ルアミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン等をあげる
ことができる。
【００１０】本発明に使用される（ｃ）成分の塩基性ア
ミン化合物すなわち約１１０℃以上の沸点を有するアミ
ンとしては特に炭素数５〜２０の脂肪族または環式脂肪
族第１、第２もしくは第３アミンであってｐｋ値約４．
５以下のものがよい。このようなアミンの代表的な例と
しては、ｎ−ヘキシルアミン，オクチルアミン，ジブチ
ルアミン，トリブチルアミン，トリオクチルアミン，ジ
（２−エチルヘキシル）アミン，ジシクロヘキシルアミ
ン，ヘキサメチレンジアミンなどがある。
ミン化合物すなわち約１１０℃以上の沸点を有するアミ
ンとしては特に炭素数５〜２０の脂肪族または環式脂肪
族第１、第２もしくは第３アミンであってｐｋ値約４．
５以下のものがよい。このようなアミンの代表的な例と
しては、ｎ−ヘキシルアミン，オクチルアミン，ジブチ
ルアミン，トリブチルアミン，トリオクチルアミン，ジ
（２−エチルヘキシル）アミン，ジシクロヘキシルアミ
ン，ヘキサメチレンジアミンなどがある。
【００１１】また、アミンの有機酸塩もしくは付加物と
してはｐｋ値が約４．５以下のアミンとｐｋ値が約２．
０以上の有機酸との塩もしくは付加物がよい。このよう
なアミンの有機酸塩の代表的な例としては、ｎ−ブチル
アミン酢酸塩，ジブチルアミンオレイン酸塩，ヘキサメ
チレンジアミンカルバミン酸塩，２−メルカプトベンゾ
チアゾールのジシクロヘキシルアミン塩などがある。ま
た塩基性アミン化合物におけるジアリールグアニジンの
例としては、ジフェニルグアニジン，ジトリルグアニジ
ンなどがある。また、アニリンとアルデヒドの縮合生成
物としては、アニリンと少なくとも１種の炭素数１〜７
のアルデヒドとの縮合生成物が好ましい。具体例として
は、アニリンとブチルアルデヒドの縮合物，アニリンと
ヘプタアルデヒドの縮合物，アニリンとアセトアルデヒ
ドおよびブチルアルデヒドの縮合物などがある。また１
級もしくは２級アミンの２−ベンゾチアジルスルフェン
アミドは次の一般式（II）で示されるものである。
してはｐｋ値が約４．５以下のアミンとｐｋ値が約２．
０以上の有機酸との塩もしくは付加物がよい。このよう
なアミンの有機酸塩の代表的な例としては、ｎ−ブチル
アミン酢酸塩，ジブチルアミンオレイン酸塩，ヘキサメ
チレンジアミンカルバミン酸塩，２−メルカプトベンゾ
チアゾールのジシクロヘキシルアミン塩などがある。ま
た塩基性アミン化合物におけるジアリールグアニジンの
例としては、ジフェニルグアニジン，ジトリルグアニジ
ンなどがある。また、アニリンとアルデヒドの縮合生成
物としては、アニリンと少なくとも１種の炭素数１〜７
のアルデヒドとの縮合生成物が好ましい。具体例として
は、アニリンとブチルアルデヒドの縮合物，アニリンと
ヘプタアルデヒドの縮合物，アニリンとアセトアルデヒ
ドおよびブチルアルデヒドの縮合物などがある。また１
級もしくは２級アミンの２−ベンゾチアジルスルフェン
アミドは次の一般式（II）で示されるものである。
【００１２】
【化２】 （但しＲ4 ，Ｒ5 は同一でも異なっていてもよく、水
素，アルキル基，シクロアルキル基，アラルキル基より
選ばれる炭素数１〜１２であり、かつヘテロ原子を含む
置換基を有しない基であり、またＲ4 ，Ｒ5 が共に水素
であることはない）
素，アルキル基，シクロアルキル基，アラルキル基より
選ばれる炭素数１〜１２であり、かつヘテロ原子を含む
置換基を有しない基であり、またＲ4 ，Ｒ5 が共に水素
であることはない）
【００１３】上記スルフェンアミドを形成する１級また
は２級アミンとしては約４．５以下のｐｋ値を有するも
のがよく、具体例としてはシクロヘキシルアミン，ブチ
ルアミン類，ジエチルアミン類，ジプロピルアミン類，
ジブチルアミン類，ジヘキシルアミン類，ジオクチルア
ミン類，ジラウリルアミン類，ジシクロヘキシルアミ
ン，ピペリジン，ピペリコン，モルホリン，ピペラジン
などがある。
は２級アミンとしては約４．５以下のｐｋ値を有するも
のがよく、具体例としてはシクロヘキシルアミン，ブチ
ルアミン類，ジエチルアミン類，ジプロピルアミン類，
ジブチルアミン類，ジヘキシルアミン類，ジオクチルア
ミン類，ジラウリルアミン類，ジシクロヘキシルアミ
ン，ピペリジン，ピペリコン，モルホリン，ピペラジン
などがある。
【００１４】本発明に使用される（ｄ）成分の生石灰は
化学式ＣａＯで示され、ゴム中における生石灰の分散
上、また架橋物性上微細に粉砕したものが好ましい。さ
らに分散性を改善するためにゴム可塑剤を予め混合した
ものも用いうる。この様な目的で使用される生石灰とし
ては近江化学（株）社の商品名「ＣＭＬ＃２１」等が市
販されている。生石灰はＵＨＦ架橋時の発泡を防止する
ほか、架橋の際の受酸剤としての作用をも有するが、通
常他の受酸剤となる金属化合物を併用するのが有利であ
る。
化学式ＣａＯで示され、ゴム中における生石灰の分散
上、また架橋物性上微細に粉砕したものが好ましい。さ
らに分散性を改善するためにゴム可塑剤を予め混合した
ものも用いうる。この様な目的で使用される生石灰とし
ては近江化学（株）社の商品名「ＣＭＬ＃２１」等が市
販されている。生石灰はＵＨＦ架橋時の発泡を防止する
ほか、架橋の際の受酸剤としての作用をも有するが、通
常他の受酸剤となる金属化合物を併用するのが有利であ
る。
【００１５】この様な受酸剤は架橋物の安定性及び適切
な架橋速度を与えるものであり、具体的には周期律表第
II族金属の酸化物（ＣａＯを除く），水酸化物，カルボ
ン酸塩，ケイ酸塩，炭酸塩，亜燐酸塩，ホウ酸塩，周期
律表第IVＡ族金属の酸化物，塩基性亜燐酸塩，塩基性炭
酸塩，塩基性カルボン酸塩，塩基性亜硫酸塩，三塩基性
硫酸塩などが挙げられる。具体例としては、マグネシ
ア，水酸化マグネシウム，水酸化バリウム，炭酸マグネ
シウム，炭酸バリウム，消石灰，炭酸カルシウム，ケイ
酸カルシウム，ステアリン酸カルシウム，ステアリン酸
亜鉛，フタル酸カルシウム，亜燐酸マグネシウム，亜燐
酸カルシウム，亜鉛華，酸化錫，リサージ，鉛丹，鉛
白，二塩基性フタル酸鉛，二塩基性炭酸鉛，ステアリン
酸錫，塩基性亜燐酸鉛，塩基性亜燐酸錫，塩基性亜硫酸
鉛，三塩基性硫酸鉛などを挙げることができる。
な架橋速度を与えるものであり、具体的には周期律表第
II族金属の酸化物（ＣａＯを除く），水酸化物，カルボ
ン酸塩，ケイ酸塩，炭酸塩，亜燐酸塩，ホウ酸塩，周期
律表第IVＡ族金属の酸化物，塩基性亜燐酸塩，塩基性炭
酸塩，塩基性カルボン酸塩，塩基性亜硫酸塩，三塩基性
硫酸塩などが挙げられる。具体例としては、マグネシ
ア，水酸化マグネシウム，水酸化バリウム，炭酸マグネ
シウム，炭酸バリウム，消石灰，炭酸カルシウム，ケイ
酸カルシウム，ステアリン酸カルシウム，ステアリン酸
亜鉛，フタル酸カルシウム，亜燐酸マグネシウム，亜燐
酸カルシウム，亜鉛華，酸化錫，リサージ，鉛丹，鉛
白，二塩基性フタル酸鉛，二塩基性炭酸鉛，ステアリン
酸錫，塩基性亜燐酸鉛，塩基性亜燐酸錫，塩基性亜硫酸
鉛，三塩基性硫酸鉛などを挙げることができる。
【００１６】上記各成分の配合量は（ａ）塩素化ポリエ
チレン１００重量部に対し、（ｂ）成分は０．１〜５重
量部、好ましくは０．５〜３重量部，（ｃ）成分は
（ｂ）成分１モルに対し０．５〜３モル，（ｄ）成分は
１〜３０重量部である。（ｄ）成分が１重量部未満であ
ると発泡を抑制することができず、３０重量部より多け
れば架橋後の物性の低下をもたらす。（ｄ）成分と併用
される受酸剤となる金属化合物は０．５〜２０重量部の
範囲が適当である。
チレン１００重量部に対し、（ｂ）成分は０．１〜５重
量部、好ましくは０．５〜３重量部，（ｃ）成分は
（ｂ）成分１モルに対し０．５〜３モル，（ｄ）成分は
１〜３０重量部である。（ｄ）成分が１重量部未満であ
ると発泡を抑制することができず、３０重量部より多け
れば架橋後の物性の低下をもたらす。（ｄ）成分と併用
される受酸剤となる金属化合物は０．５〜２０重量部の
範囲が適当である。
【００１７】本発明に使用される有機錫化合物（ｅ）と
は次の一般式(III) で示されるものである。 Ｒ2 ＳｎＹ又はＲ2 ＳｎＺ2 (III) （但しＲはＣ1 〜Ｃ20のアルキル基，Ｙは酸素又はＣ3
〜Ｃ20の脂肪族ジカルボン酸残基，ＺはＣ1 〜Ｃ20の脂
肪族カルボン酸残基） 具体的にはマレイン酸ジ−ｎ−ブチル錫，マレイン酸ジ
−ｎ−オクチル錫，コハク酸ジ−ｎ−ブチル錫，酸化ジ
−ｎ−ブチル錫等が挙げられる。このような有機錫化合
物はポリ塩化ビニール等の安定剤として知られている
が、架橋組成物に対しては未だ検討されたことはない。
すなわち架橋組成物には、早期架橋を防止するためのス
コーチ防止剤の添加が極めて有用であるが、本発明のよ
うなＵＨＦ架橋を行う場合は、通常の架橋の際には考え
られなかったような高温度にさらされるので公知のスコ
ーチ防止剤、例えば無水フタル酸等の有機酸，Ｎ−（シ
クロヘキシルチオ）−フタルイミド等は熱安定性に乏し
く、スコーチ防止剤としての効果がない。本発明者らは
種々のポリ塩化ビニール安定剤が熱安定性の点で良好で
あるので種々検討を重ねた結果、上記有機錫化合物のみ
がスコーチ防止効果を有し、組成物の加工安定性が増す
とともに、ＵＨＦ架橋時の発泡をも抑制する作用のある
ことを見出したものである。
は次の一般式(III) で示されるものである。 Ｒ2 ＳｎＹ又はＲ2 ＳｎＺ2 (III) （但しＲはＣ1 〜Ｃ20のアルキル基，Ｙは酸素又はＣ3
〜Ｃ20の脂肪族ジカルボン酸残基，ＺはＣ1 〜Ｃ20の脂
肪族カルボン酸残基） 具体的にはマレイン酸ジ−ｎ−ブチル錫，マレイン酸ジ
−ｎ−オクチル錫，コハク酸ジ−ｎ−ブチル錫，酸化ジ
−ｎ−ブチル錫等が挙げられる。このような有機錫化合
物はポリ塩化ビニール等の安定剤として知られている
が、架橋組成物に対しては未だ検討されたことはない。
すなわち架橋組成物には、早期架橋を防止するためのス
コーチ防止剤の添加が極めて有用であるが、本発明のよ
うなＵＨＦ架橋を行う場合は、通常の架橋の際には考え
られなかったような高温度にさらされるので公知のスコ
ーチ防止剤、例えば無水フタル酸等の有機酸，Ｎ−（シ
クロヘキシルチオ）−フタルイミド等は熱安定性に乏し
く、スコーチ防止剤としての効果がない。本発明者らは
種々のポリ塩化ビニール安定剤が熱安定性の点で良好で
あるので種々検討を重ねた結果、上記有機錫化合物のみ
がスコーチ防止効果を有し、組成物の加工安定性が増す
とともに、ＵＨＦ架橋時の発泡をも抑制する作用のある
ことを見出したものである。
【００１８】本発明における有機錫化合物（ｅ）の配合
量は塩素化ポリエチレン１００重量部に対し０．１〜２
重量部であり、０．１重量部未満ではスコーチ防止効
果，熱安定性の向上及び発泡防止の効果はなく、２重量
部をこえると架橋速度が大幅に遅くなるので好ましくな
い。
量は塩素化ポリエチレン１００重量部に対し０．１〜２
重量部であり、０．１重量部未満ではスコーチ防止効
果，熱安定性の向上及び発泡防止の効果はなく、２重量
部をこえると架橋速度が大幅に遅くなるので好ましくな
い。
【００１９】本発明に使用される組成物には、当該技術
分野において通常行われているような各種の配合剤、例
えば充填剤，補強剤，可塑剤，安定剤，老化防止剤，滑
剤，粘性賦与剤，顔料，難燃剤などを添加することは自
由である。
分野において通常行われているような各種の配合剤、例
えば充填剤，補強剤，可塑剤，安定剤，老化防止剤，滑
剤，粘性賦与剤，顔料，難燃剤などを添加することは自
由である。
【００２０】本発明に使用される組成物の混合方法とし
ては、予めポリマー成分を混合しておき、これに架橋系
成分を混入すればよい。混合機としてはヘンシエルミキ
サー，オープンロール，ニーダー，バンバリミキサー等
の通常のものが使用できる。このような混合を行うに際
し塩素化ポリエチレンにメルカプトトリアジン類及び生
石灰以外の各成分を１５０〜２２０℃で混合し、その後
メルカプトトリアジン類及び生石灰を１５０℃以下、好
ましくは１２０〜５０℃で混合するのが好ましい。上記
第１段目の混合を１５０℃より低い温度で行うと、発泡
が大きくなり易くその原因は明らかではないが組成物中
の水分が揮散するためと思われる。また２２０℃より高
い混合温度では、ポリマー成分の熱分解を起すおそれが
ある。本発明に使用される塩素化ポリエチレン組成物の
ＵＨＦ架橋は前記「架橋設備ハンドブック」第１２２〜
第１３４頁に記載されている架橋法を用いることができ
る。
ては、予めポリマー成分を混合しておき、これに架橋系
成分を混入すればよい。混合機としてはヘンシエルミキ
サー，オープンロール，ニーダー，バンバリミキサー等
の通常のものが使用できる。このような混合を行うに際
し塩素化ポリエチレンにメルカプトトリアジン類及び生
石灰以外の各成分を１５０〜２２０℃で混合し、その後
メルカプトトリアジン類及び生石灰を１５０℃以下、好
ましくは１２０〜５０℃で混合するのが好ましい。上記
第１段目の混合を１５０℃より低い温度で行うと、発泡
が大きくなり易くその原因は明らかではないが組成物中
の水分が揮散するためと思われる。また２２０℃より高
い混合温度では、ポリマー成分の熱分解を起すおそれが
ある。本発明に使用される塩素化ポリエチレン組成物の
ＵＨＦ架橋は前記「架橋設備ハンドブック」第１２２〜
第１３４頁に記載されている架橋法を用いることができ
る。
【００２１】
【実施例】以下実施例，参考例，比較例を示すが、例中
組成の部，％は何れも重量基準である。 参考例１〜１１，比較例１〜４，実施例１〜８ 第１表に示す各組成物のうち、ポリマー成分をニーダー
で予め混合した後、他の成分を添加混合し、混合終了時
に組成物が１９０℃になる様にニーダーのジャケット温
度を調整し、次いで７０℃のロールでメルカプトトリア
ジン及び生石灰を１０分間混練して厚さ２ｍｍのシート
状とした。
組成の部，％は何れも重量基準である。 参考例１〜１１，比較例１〜４，実施例１〜８ 第１表に示す各組成物のうち、ポリマー成分をニーダー
で予め混合した後、他の成分を添加混合し、混合終了時
に組成物が１９０℃になる様にニーダーのジャケット温
度を調整し、次いで７０℃のロールでメルカプトトリア
ジン及び生石灰を１０分間混練して厚さ２ｍｍのシート
状とした。
【００２２】なお組成物中の塩素化ポリエチレンはメル
トインデックス０．８の高密度ポリエチレンを水性懸濁
下に高温塩素化して製造された塩素含有量４０％のゴム
状ポリマーである。上記のシートを径４．５ｍｍベント
式押出機で内径８ｍｍ，外径１４ｍｍのチューブに毎分
３ｍの速度で押し出し、直ちにベント式押出機に接続さ
れている、周波数２４５０ＭＨＺを有し加熱部長さが１
ｍであるＵＨＦ加熱実験装置でＵＨＦ出力５０ｋｗで加
熱し、チューブ温度を１９０℃に上昇後、直ちに２２０
℃のギヤオーブンに５分間入れて架橋加熱を行った。
トインデックス０．８の高密度ポリエチレンを水性懸濁
下に高温塩素化して製造された塩素含有量４０％のゴム
状ポリマーである。上記のシートを径４．５ｍｍベント
式押出機で内径８ｍｍ，外径１４ｍｍのチューブに毎分
３ｍの速度で押し出し、直ちにベント式押出機に接続さ
れている、周波数２４５０ＭＨＺを有し加熱部長さが１
ｍであるＵＨＦ加熱実験装置でＵＨＦ出力５０ｋｗで加
熱し、チューブ温度を１９０℃に上昇後、直ちに２２０
℃のギヤオーブンに５分間入れて架橋加熱を行った。
【００２３】発泡倍率は次のように測定した。すなわち
上記シート及びＵＨＦ架橋後のチューブを約２ｃｍ×２
ｃｍ角に切って、比重を測定し、下記の式により発泡倍
率を計算した。 発泡倍率（％）＝（１−ＵＨＦ架橋後チューブ比重／シ
ート比重）×１００
上記シート及びＵＨＦ架橋後のチューブを約２ｃｍ×２
ｃｍ角に切って、比重を測定し、下記の式により発泡倍
率を計算した。 発泡倍率（％）＝（１−ＵＨＦ架橋後チューブ比重／シ
ート比重）×１００
【００２４】また発泡倍率５％以下の架橋物についてＪ
ＩＳＫ−６３０１に従って引張試験及び硬度測定を行っ
た。その結果を第１表に示す。次に有機錫化合物を配合
してＵＨＦ架橋を行った実施例を第２表に示し、これを
配合しない例を参考例として対比させた。
ＩＳＫ−６３０１に従って引張試験及び硬度測定を行っ
た。その結果を第１表に示す。次に有機錫化合物を配合
してＵＨＦ架橋を行った実施例を第２表に示し、これを
配合しない例を参考例として対比させた。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【表４】
【００２９】
【表５】
【００３０】
【表６】
【００３１】第１表、参考例１〜６，比較例１〜３にお
いて、受酸剤の種類にかかわらず、生石灰の添加によ
り、物性の低下なく発泡倍率が大幅に低下していること
がわかる。また比較例４において生石灰の添加量が３０
重量部より多いと、物性の低下をもたらすことがわか
る。第２表、実施例１〜８，参考例７〜１１においてさ
らに有機錫化合物の配合により、スコーチ防止効果が十
分に表われ、発泡倍率も低下していることがわかる。参
考例７〜９ではスコーチ防止効果が認められず参考例１
０ではスコーチ防止効果も発泡倍率低下も十分でない。
参考例１１は公知のスコーチ防止剤を配合したものでス
コーチ防止効果はあるが発泡倍率の低下は十分でない。
いて、受酸剤の種類にかかわらず、生石灰の添加によ
り、物性の低下なく発泡倍率が大幅に低下していること
がわかる。また比較例４において生石灰の添加量が３０
重量部より多いと、物性の低下をもたらすことがわか
る。第２表、実施例１〜８，参考例７〜１１においてさ
らに有機錫化合物の配合により、スコーチ防止効果が十
分に表われ、発泡倍率も低下していることがわかる。参
考例７〜９ではスコーチ防止効果が認められず参考例１
０ではスコーチ防止効果も発泡倍率低下も十分でない。
参考例１１は公知のスコーチ防止剤を配合したものでス
コーチ防止効果はあるが発泡倍率の低下は十分でない。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば従来の塩素化ポリエチレ
ン架橋用成分に適量の生石灰を配合することにより、Ｕ
ＨＦ架橋時における発泡現象を大幅に抑制することが可
能になり、有機錫化合物を配合することによりスコーチ
を防止し得られる。したがってＵＨＦ架橋法により優れ
た架橋物性と高度な連続生産性を保持することができ
る。
ン架橋用成分に適量の生石灰を配合することにより、Ｕ
ＨＦ架橋時における発泡現象を大幅に抑制することが可
能になり、有機錫化合物を配合することによりスコーチ
を防止し得られる。したがってＵＨＦ架橋法により優れ
た架橋物性と高度な連続生産性を保持することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 5/31 ＫＥＺ 5/37 ＫＦＥ 5/47 ＫＦＪ 5/57 ＫＦＲ //(Ｃ０８Ｌ 23/28 61:22）
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ）塩素化ポリエチレン
１００重量部 （ｂ）メルカプトトリアジン類 ０．１〜５重量部 （ｃ）約１１０℃以上の沸点を有するアミン，該アミンの有機酸塩、もしくは その付加物，ジアリールグアニジン，アニリンとアルデヒドとの縮合生成物及び １級もしくは２級アミンの２−ベンゾチアジルスルフェンアミドから選ばれる１ 種又は２種以上の化合物を（ｂ）成分１モルに対し０．５〜３モル （ｄ）生石灰 １〜３０重量部 （ｅ）下記一般式で表わされる有機錫化合物 ０．１〜２重量部 Ｒ2 ＳｎＹ又はＲ2 ＳｎＺ2 （但しＲはＣ1 〜Ｃ20のアルキル基、Ｙは酸素又はＣ3
〜Ｃ20の脂肪族ジカルボン酸残基、ＺはＣ1 〜Ｃ20の脂
肪族カルボン酸残基）を含む組成物をマイクロ波により
架橋することを特徴とする塩素化ポリエチレン系架橋組
成物の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1816394A JP2556284B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1816394A JP2556284B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18633187A Division JPH0653834B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH073093A true JPH073093A (ja) | 1995-01-06 |
| JP2556284B2 JP2556284B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11963946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1816394A Expired - Lifetime JP2556284B2 (ja) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | 塩素化ポリエチレン系架橋組成物の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556284B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103012981A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-04-03 | 福建永悦科技有限公司 | 一种橡胶发泡鞋用材料及其制备方法 |
| CN114000201A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-02-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | K4(hc3n3s3)2·h2o化合物、晶体及其制法和用途 |
-
1994
- 1994-02-15 JP JP1816394A patent/JP2556284B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103012981A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-04-03 | 福建永悦科技有限公司 | 一种橡胶发泡鞋用材料及其制备方法 |
| CN114000201A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-02-01 | 中国科学院福建物质结构研究所 | K4(hc3n3s3)2·h2o化合物、晶体及其制法和用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2556284B2 (ja) | 1996-11-20 |
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