JPH0730820A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH0730820A
JPH0730820A JP5194316A JP19431693A JPH0730820A JP H0730820 A JPH0730820 A JP H0730820A JP 5194316 A JP5194316 A JP 5194316A JP 19431693 A JP19431693 A JP 19431693A JP H0730820 A JPH0730820 A JP H0730820A
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哲朗 後藤
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忠雄 高木
Hiroyuki Iwasaki
宏之 岩崎
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ａ／Ｄコンバータに対して悪影響を及ぼすこ
となく、ダークレベルの検出を可能にした固体撮像装置
を提供する。 【構成】 ＣＣＤ固体撮像素子の信号処理系において、
電荷転送部の空送り部の信号及びセンサ部のＯＰＢ（オ
プティカルブラック）部の信号をそれぞれ一画素相当分
だけクランプするクランプパルスφＣＬＰ１，φＣＬＰ
２を生成するとともに、クランプパルスφＣＬＰ１を空
送り部の信号のうちの最初の一画素相当分の信号のクラ
ンプタイミングに、クランプパルスφＣＬＰ２をＯＰＢ
部の信号のうちの２画素目以降の信号のクランプタイミ
ングにそれぞれ設定する一方、後段のＡ／Ｄコンバータ
のＡ／Ｄタイミングを空送り部の最初の一画素相当分の
信号をクランプしないタイミングに設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エリアセンサやリニア
センサと称される固体撮像素子を用いた固体撮像装置に
関し、特に固体撮像素子の出力信号を基準電位にクラン
プするクランプ回路を具備した固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像素子、例えば図２に示す
如きリニアセンサを用いた固体撮像装置において、セン
サ列２１から読み出された信号電荷を転送するＣＣＤシ
フトレジスタ（電荷転送部）２３での光透過に伴うオフ
セット分を補正したり、ダーク成分をキャンセルするた
めに、後段の信号処理部２５（図３に、その具体的な回
路構成例を示す）にて、黒レベルをクランプ或いはサン
プルホールドして差動をとることが行われる。この黒レ
ベルは、センサ列２１におけるオプティカルブラック
（ＯＰＢ）と称される遮光部（ＯＰＢ部）２１ａの画素
信号の信号レベルである。
【０００３】図５に、このリニアセンサを用いた固体撮
像装置における各部の信号のタイミングチャートを示
す。このタイミングチャートにおいて、φＲＯＧはセン
サ列２１から信号電荷を読み出すためのシフトゲート２
２に印加される読出しゲートパルス、φＨ１，φＨ２は
ＣＣＤシフトレジスタ２３の転送クロック、φＲＳは電
荷検出部２４をリセットするリセットパルス、φＳＨは
信号処理部２５におけるサンプルホールド回路３１のサ
ンプルホールドパルス、Ｖａはサンプルホールド回路３
１のサンプルホールド出力、φＣＬＰはクランプ回路３
２のクランプパルス、Ｖｏｕｔはクランプ回路３２のク
ランプ出力である信号出力である。
【０００４】ところで、信号出力Ｖｏｕｔをディジタル
的に処理するには、信号処理部２５の後段にＡ／Ｄコン
バータ２６を接続し、このＡ／Ｄコンバータ２６にてク
ランプ回路３２のクランプ出力をディジタル化すること
になる。この場合、クランプ回路３２のクランプレベル
をＡ／Ｄコンバータ２６の基準電位Ｖｒｅｆに設定する
ことにより、Ａ／Ｄコンバータ２６の入力Ｄ（ダイナミ
ック）レンジを広く使えることになる。ここで、Ａ／Ｄ
コンバータ２６の基準電位Ｖｒｅｆは、入力Ｄレンジ内
の最大レベルに設定されるのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体撮像装置におけるクランプ回路３２では、図５のタ
イミングチャートから明らかなように、１ライン周期で
発せられるクランプパルスφＣＬＰにより、センサ列２
１のＯＰＢ部２１ａの画素信号のみをＡ／Ｄコンバータ
２６の基準電位Ｖｒｅｆにクランプしていた。このと
き、ＣＣＤシフトレジスタ２３での光透過やダーク成分
が大なる場合には、ＣＣＤシフトレジスタ２３の空送り
部２３ａの信号レベルがＯＰＢ部２１ａの画素信号の信
号レベルよりもダーク等の分だけ高くなる。
【０００６】これにより、センサ列２１のＯＰＢ部２１
ａの画素信号をＡ／Ｄコンバータ２６の基準電位Ｖｒｅ
ｆにクランプすることによって得られる信号出力Ｖｏｕ
ｔをそのままＡ／Ｄコンバータ２６に入力すると、Ａ／
Ｄコンバータ２６にはＤレンジ内の最大レベルに設定さ
れた基準電位Ｖｒｅｆよりも高い信号電圧が入力される
ことになる。その結果、Ａ／Ｄコンバータ２６が誤動作
したり、Ａ／Ｄ変換後のデータが破壊されたり、或いは
最悪の場合にはＡ／Ｄコンバータ２６そのものが破壊さ
れるという問題があった。
【０００７】また、ＣＣＤシフトレジスタ２３の空送り
部２３ａの信号をＡ／Ｄコンバータ２６の基準電位Ｖｒ
ｅｆにクランプすることも考えられるが、この場合に
は、信号に使えるＤレンジ（Ａ／Ｄコンバータ２６のＤ
レンジ）がダーク分だけ狭くなり、さらには温度変化等
でダーク分が変化すると、撮像画素信号もダーク分だけ
レベルシフトするため、ダーク分の引き算を行う等の信
号処理が必要になり、その分回路構成が複雑になってし
まう。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、Ａ／Ｄコンバータに対し
て悪影響を及ぼすことなく、ダークレベルの検出を可能
にした固体撮像装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による固体撮像装置においては、少なくとも
１列分のセンサ列からなりかつ複数画素分が遮光された
センサ部、このセンサ部から画素単位で読み出された信
号電荷を転送する電荷転送部及びこの電荷転送部によっ
て転送された信号電荷を検出しかつ電気信号に変換して
出力する電荷検出部を有する固体撮像素子と、この固体
撮像素子の出力信号を基準電位にクランプするクランプ
回路と、センサ部から信号電荷を読み出すための読出し
ゲートパルス、電荷転送部を駆動するための転送クロッ
ク及びクランプ回路のクランプパルスを発生するタイミ
ングジェネレータと、クランプ回路を経た固体撮像素子
の出力信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバー
タとを具備し、タイミングジェネレータが、固体撮像素
子の出力信号中の遮光画素部分の信号及び電荷転送部の
空送り部の信号をそれぞれ少なくとも一画素相当分だけ
クランプするためのクランプパルスを発生する構成とな
っている。
【０００９】
【作用】リニアセンサやエリアセンサを用いた固体撮像
装置において、クランプ回路のクランプパルスが、セン
サ出力信号中のセンサ部のＯＰＢ部の信号と電荷転送部
の空送り部の信号とをそれぞれ少なくとも一画素相当分
だけクランプするタイミングで生成されることで、クラ
ンプ回路では、ＯＰＢ部の信号のみならず、電荷転送部
の空送り部の信号もクランプされる。これにより、クラ
ンプ回路のクランプレベルを後段のＡ／Ｄコンバータの
基準電位Ｖｒｅｆに設定した場合であっても、Ａ／Ｄコ
ンバータにはその基準電位Ｖｒｅｆよりも高い信号電圧
が空送り期間に亘って入力されることはない。したがっ
て、Ａ／Ｄコンバータがその基準電位Ｖｒｅｆよりも高
い信号電圧が長期間に亘って入力されることによって誤
動作したり、Ａ／Ｄ変換後のデータが破壊されたり、或
いはＡ／Ｄコンバータそのものが破壊されたりすること
はない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図２は、本発明が適用される例えばリニア
センサを用いた固体撮像装置の一例を示す構成図であ
る。図２において、入射光を光電変換して信号電荷を蓄
えるフォトセンサＰＳが一列に複数個配列されてセンサ
列（センサ部）２１を構成している。このセンサ列２１
の両端部には、複数画素分が遮光されたＯＰＢ部（図に
編み目で示す部分）２１ａが設けられている。センサ列
２１に画素単位で蓄えられた信号電荷は、シフトゲート
２２を介してＣＣＤシフトレジスタ（電荷転送部）２３
に読み出される。
【００１１】この読み出された信号電荷は、ＣＣＤシフ
トレジスタ２３によって水平方向に順次転送されて電荷
検出部２４に供給される。なお、ＣＣＤシフトレジスタ
２３には、図２から明らかなように、センサ列２１の各
画素に対応した転送領域の他に、信号電荷を単に空送り
するための空送り部２３ａが電荷検出部２４との間に設
けられている。電荷検出部２４は、例えばフローティン
グ・ディフュージョン（ＦＤ）によって構成され、ＣＣ
Ｄシフトレジスタ２３によって転送されてきた信号電荷
を検出し、これを信号電圧に変換して後段の信号処理部
２５に供給する。
【００１２】信号処理部２５の具体的な回路構成の一例
を図３に示す。この信号処理部２５は、電荷検出部２４
からバッファ３３を介して供給される信号電圧をサンプ
ルホールドするサンプルホールド回路３１と、このサン
プルホールド回路３１からバッファ３４及び交流結合コ
ンデンサＣを介して供給されるサンプルホールド出力を
クランプし、このクランプレベルをバッファ３５を介し
てＡ／Ｄコンバータ２６に供給するクランプ回路３２と
を有し、ＣＣＤチップと同一基板上に作られている。ク
ランプ回路３２のクランプレベルは、Ａ／Ｄコンバータ
２６の基準レベルＶｒｅｆに設定されている。なお、本
例では、クランプ回路３２をサンプルホールド回路３１
の後段に配置してサンプルホールド出力をクランプする
回路構成となっているが、クランプ回路３２をサンプル
ホールド回路３１の前段に配置して電荷検出部２４の検
出出力を直接クランプする回路構成であっても良い。
【００１３】また、ＣＣＤチップと同一基板上に、各種
のタイミング信号を発生するタイミングジェネレータ２
７が作られている。このタイミングジェネレータ２７
は、センサ列２１からＣＣＤシフトレジスタ２３に信号
電荷を読み出すためのシフトゲート２２に印加する読出
しゲートパルスφＲＯＧ、ＣＣＤシフトレジスタ２３を
２相駆動する転送クロックφＨ１，φＨ２、電荷検出部
２４のＦＤをリセットするリセットパルスφＲＳ、信号
処理部２５におけるサンプルホールド回路３１のサンプ
ルホールドパルスφＳＨ、クランプ回路３２のクランプ
パルスφＣＬＰを、外部から入力されるマスタークロッ
クφｃｌｋ及び読出しゲートパルスφｒｏｇに基づいて
生成する。
【００１４】このタイミングジェネレータ２７におい
て、本発明では、クランプパルスφＣＬＰの生成タイミ
ングを特徴としている。以下、本発明の特徴部分につ
き、本発明の動作説明のための図１のタイミングチャー
トに基づいて説明する。なお、図１のタイミングチャー
トは、一例として、読出しパルスφＲＯＧの立下がり時
点から考えると、空送り部２３ａが３画素相当分、ＯＰ
Ｂ部２１ａが４画素、撮像画素が例えば２０４８画素、
ＯＰＢ部２１ａが２画素、空送り部２３ａが３画素相当
分の画素シーケンスの場合を示している。また、このタ
イミングチャートには、上記の各種タイミング信号（φ
ＲＯＧ，φＨ１，φＨ２，φＲＳ，φＳＨ，φＣＬＰ）
に加え、サンプルホールド回路３１のサンプルホールド
出力Ｖａ、クランプ回路３２のクランプ出力である信号
出力Ｖｏｕｔ及びＡ／Ｄコンバータ２６のＡ／Ｄタイミ
ングパルスがそれぞれ示されている。
【００１５】本実施例では、タイミングジェネレータ２
７において、リニアセンサの出力信号のうち、センサ列
２１のＯＰＢ部２１ａの信号と、ＣＣＤシフトレジスタ
２３の空送り部２３ａの信号とをそれぞれ一画素相当分
だけクランプするためのクランプパルスφＣＬＰが生成
される。特に、ＣＣＤシフトレジスタ２３の空送り部２
３ａの信号をクランプするためのクランプパルスφＣＬ
Ｐ１は、空送り部２３ａの信号のうちの最初の一画素相
当分の信号をクランプするタイミングで生成される。一
方、センサ列２１のＯＰＢ部２１ａの信号をクランプす
るためのクランプパルスφＣＬＰ２は、ＯＰＢ部２１ａ
の信号のうちの２画素目以降の信号をクランプするタイ
ミングで生成される。
【００１６】これにより、信号処理部２５のクランプ回
路３２では、クランプパルスφＣＬＰ１に応答して空送
り部２３ａの最初の一画素相当分のサンプルホールド出
力ＶａがクランプレベルＶｒｅｆにクランプされ、さら
にクランプパルスφＣＬＰ２に応答してＯＰＢ部２１ａ
の２画素目以降のサンプルホールド出力Ｖａがクランプ
レベルＶｒｅｆにクランプされる。このように、ＯＰＢ
部２１ａのサンプルホールド出力Ｖａのみならず、空送
り部２３ａのサンプルホールド出力Ｖａをもクランプレ
ベルＶｒｅｆにクランプすることにより、Ａ／Ｄコンバ
ータ２６にその基準電位Ｖｒｅｆよりも高い信号電圧が
空送り部２３ａの最初の一画素相当の短い期間でしか入
力されなくなる。
【００１７】一方、Ａ／Ｄコンバータ２６において、Ａ
／Ｄタイミングパルスはマスタークロックφｃｌｋに基
づいて生成されるが、その生成タイミングが空送り部２
３ａの最初の一画素相当分のサンプルホールド出力Ｖａ
をクランプしないタイミングに設定されている。これに
より、空送り部２３ａの最初の一画素相当期間では、Ａ
／Ｄコンバータ２６にその基準電位Ｖｒｅｆよりも高い
信号電圧が入力されるものの、その高い信号電圧に対し
てはサンプリングが行われないことになる。
【００１８】その結果、等価的に、Ａ／Ｄコンバータ２
６にはその基準電圧Ｖｒｅｆよりも高い信号電圧が全く
入力されないことになるため、Ａ／Ｄコンバータ２６が
誤動作したり、Ａ／Ｄ変換後のデータが破壊されたり、
或いはＡ／Ｄコンバータ２６そのものが破壊されるのを
未然に防止できる。また、クランプパルスφＣＬＰ２に
応答してＯＰＢ部２１ａの２画素目以降のサンプルホー
ルド出力Ｖａをクランプするようにしたことにより、Ｏ
ＰＢ部２１ａの１画素目のサンプルホールド出力Ｖａに
基づいてダーク等のレベルを検出することができる。
【００１９】なお、上記実施例では、ＣＣＤ固体撮像素
子としてリニアセンサを用いた固体撮像装置に適用した
場合について説明したが、図４に示す如きエリアセンサ
を用いた固体撮像装置にも適用し得る。図４において、
マトリクス状に２次元配列された多数のフォトセンサＰ
Ｓと、これらフォトセンサＰＳの垂直列毎に配されかつ
読出しゲート４１を介して読み出された信号電荷を垂直
方向に転送する垂直ＣＣＤシフトレジスタ４２とによっ
て撮像部４３が構成されている。この撮像部４３におい
て、その両端部には複数列分の画素が遮光されたＯＰＢ
部（図に編み目で示す部分）４３ａが設けられている。
【００２０】垂直ＣＣＤシフトレジスタ４２に読み出さ
れた信号電荷は、１走査線に相当する部分ずつ順にシフ
トゲート４４を介して水平ＣＣＤシフトレジスタ４５へ
転送される。この１走査線分の信号電荷は、水平ＣＣＤ
シフトレジスタ４５によって水平方向に順次転送されて
電荷検出部４６に供給される。なお、水平ＣＣＤシフト
レジスタ４５には、図４から明らかなように、撮像部４
３の各画素に対応した転送領域の他に、信号電荷を単に
空送りするための空送り部４５ａが電荷検出部４６との
間に設けられている。
【００２１】電荷検出部４６は、例えばフローティング
・ディフュージョンによって構成され、ＣＣＤシフトレ
ジスタ２３によって転送されてきた信号電荷を検出し、
これを信号電圧に変換して後段の信号処理部４７に供給
する。信号処理部４７としては、図３と同じ回路構成の
ものが用いられる。この信号処理部４７はＣＣＤチップ
と同一基板上に作られている。同様に、各種のタイミン
グを発生するタイミングジェネレータ４８もＣＣＤチッ
プと同一基板上に作られている。
【００２２】このタイミングジェネレータ４８では、先
述したリセットパルスφＲＳ、サンプルホールドパルス
φＳＨ、クランプパルスφＣＬＰに加え、フォトセンサ
ＰＳから垂直ＣＣＤシフトレジスタ４２に信号電荷を読
み出すための読出しゲート４１に印加する読出しゲート
パルスφＲＯＧ１、垂直ＣＣＤシフトレジスタ４２を４
相駆動する垂直転送クロックφＶ１〜φＶ４、垂直ＣＣ
Ｄシフトレジスタ４２から水平ＣＣＤシフトレジスタ４
５に信号電荷を読み出すためのシフトゲート４４に印加
する読出しゲートパルスφＲＯＧ２、水平ＣＣＤシフト
レジスタ４５を２相駆動する水平転送クロックφＨ１，
φＨ２が生成される。
【００２３】上記構成のエリアセンサを用いた固体撮像
装置でも、水平ＣＣＤシフトレジスタ４５、電荷検出部
４６及び信号処理部４７における動作は、先述したリニ
アセンサを用いた固体撮像装置でのＣＣＤシフトレジス
タ２３、電荷検出部２４及び信号処理部２５における動
作と同じである。よって、タイミングジェネレータ４８
において、クランプパルスφＣＬＰとして、エリアセン
サの出力信号のうち、撮像部４３のＯＰＢ部４３ａの信
号と、水平ＣＣＤシフトレジスタ４５の空送り部４５ａ
の信号とをそれぞれ一画素相当分だけクランプするため
のクランプパルスを生成することで、上記実施例の場合
と同様の効果を得ることができる。
【００２４】すなわち、信号処理部４７のクランプ回路
３２（図３を参照）において、撮像部４３のＯＰＢ部４
３ａの信号のみならず、水平ＣＣＤシフトレジスタ４５
の空送り部４５ａの信号をも、信号処理部４７の後段に
接続されるＡ／Ｄコンバータ（図示せず）の基準電位Ｖ
ｒｅｆにクランプする一方、Ａ／ＤコンバータのＡ／Ｄ
タイミングを空送り部４５ａの最初の一画素相当分の信
号をクランプしないタイミングに設定することにより、
空送り部４５ａの最初の一画素相当期間では、Ａ／Ｄコ
ンバータ２６にその基準電位Ｖｒｅｆよりも高い信号電
圧が入力されるものの、その高い信号電圧に対してはサ
ンプリングが行われないので、Ａ／Ｄコンバータの誤動
作、Ａ／Ｄ変換後のデータの破壊、或いはＡ／Ｄコンバ
ータそのものの破壊などを未然に防止できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リニアセンサやエリアセンサを用いた固体撮像装置にお
いて、信号処理系のクランプ回路のクランプパルスを、
センサ出力信号中のＯＰＢ部の信号と電荷転送部の空送
り部の信号とをそれぞれ少なくとも一画素相当分だけク
ランプするタイミングで生成し、ＯＰＢ部の信号のみな
らず、電荷転送部の空送り部の信号をもクランプするよ
うにしたことにより、クランプ回路のクランプレベルを
後段のＡ／Ｄコンバータの基準電位Ｖｒｅｆに設定した
場合であっても、Ａ／Ｄコンバータにはその基準電位Ｖ
ｒｅｆよりも高い信号電圧が空送り全期間に亘って入力
されることはないので、Ａ／Ｄコンバータの誤動作、Ａ
／Ｄ変換後のデータの破壊、或いはＡ／Ｄコンバータそ
のものの破壊を未然に防止できることになる。
【００２６】また、空送り部の信号のうちの最初の一画
素相当分の信号をクランプするようにしたことにより、
Ａ／Ｄコンバータにその基準電位Ｖｒｅｆよりも高い信
号電圧が入力されるのを、空送り期間のうちの最小単位
期間だけで抑えることができることになる。さらに、Ａ
／ＤコンバータのＡ／Ｄタイミングを、空送り部の信号
中の最初の一画素相当分の信号をクランプしないタイミ
ングに設定するようにしたことにより、空送り期間のう
ち最小単位期間だけ入力される信号電圧がサンプリング
されることはないため、等価的に、Ａ／Ｄコンバータに
は基準電位Ｖｒｅｆよりも高い信号電圧が全く入力され
ないことになり、上記の効果はより確実なものとなる。
またさらに、ＯＰＢ部の２画素目以降の信号をクランプ
するようにしたことにより、ＯＰＢ部の１画素目の信号
レベルに基づいてダーク等のレベルを検出することがで
きることにもなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の動作説明のタイミ
ングチャートである。
【図２】本発明が適用されるリニアセンサを用いた固体
撮像装置の一例を示す構成図である。
【図３】信号処理部の具体的な構成の一例を示す回路図
である。
【図４】本発明が適用されるエリアセンサを用いた固体
撮像装置の一例を示す構成図である。
【図５】従来例の動作説明のタイミングチャートであ
る。
【符号の説明】
２１ センサ列 ２１ａ，４３ａ ＯＰＢ部 ２３ ＣＣＤシフトレジスタ ２３ａ，４５ａ 空送り部 ２４，４６ 電荷検出部 ２５，４７ 信号処理部 ２６ Ａ／Ｄコンバータ ２７，４８ タイミングジェネレータ ３１ サンプルホールド回路 ３２ クランプ回路 ４２ 垂直ＣＣＤシフトレジスタ ４３ 撮像部 ４５ 水平ＣＣＤシフトレジスタ
フロントページの続き (72)発明者 高木 忠雄 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号 株 式会社ニコン内 (72)発明者 岩崎 宏之 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号 株 式会社ニコン内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１列分のセンサ列からなりか
    つ複数画素分が遮光されたセンサ部、このセンサ部から
    画素単位で読み出された信号電荷を転送する電荷転送部
    及びこの電荷転送部によって転送された信号電荷を検出
    しかつ電気信号に変換して出力する電荷検出部を有する
    固体撮像素子と、 前記固体撮像素子の出力信号を基準電位にクランプする
    クランプ回路と、 前記センサ部から信号電荷を読み出すための読出しゲー
    トパルス、前記電荷転送部を駆動するための転送クロッ
    ク及び前記クランプ回路のクランプパルスを発生するタ
    イミングジェネレータと、 前記クランプ回路を経た前記固体撮像素子の出力信号を
    ディジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータとを具備
    し、 前記タイミングジェネレータは、前記固体撮像素子の出
    力信号中の遮光画素部分の信号及び前記電荷転送部の空
    送り部の信号をそれぞれ少なくとも一画素相当分だけク
    ランプするためのクランプパルスを発生することを特徴
    とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 前記タイミングジェネレータは、前記空
    送り部の信号のうちの最初の一画素相当分の信号をクラ
    ンプするタイミングでクランプパルスを発生することを
    特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 前記Ａ／ＤコンバータのＡ／Ｄタイミン
    グは、前記空送り部の信号をクランプするクランプパル
    ス発生以前の前記空送り部の信号をサンプリングしない
    タイミングに設定されていることを特徴とする請求項１
    又は２記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 前記タイミングジェネレータは、前記遮
    光画素部分の信号のうちの２画素目以降の信号をクラン
    プするタイミングでクランプパルスを発生することを特
    徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
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