JPH07306368A - デジタルマイクロミラーデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高い信頼性と長い寿命を有するデジタルマイク
ロミラーデバイスを提供する。 【構成】デジタルマイクロミラーデバイスは、（イ）１
つのマイクロミラー部４３，４２と、（ロ）１つのマイ
クロミラー部に対応して設けられた、マイクロミラー部
の位置を制御するための１つの位置制御手段３０，３
２，３５と、（ハ）位置制御手段を制御するための１つ
のトランジスタ素子１５，１６、から構成されたマイク
ロミラー素子を複数配列して成り、そして、マイクロミ
ラー部は位置制御手段に対して移動自在に取り付けられ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、映像投影装置で用いら
れるデジタルマイクロミラーデバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、テレビ放送等の高品質化に伴いテ
レビの大画面化が進行し、２９インチ以上の大画面ブラ
ウン管を搭載したテレビ受像機が主流になりつつある。
ところが、テレビ受像機が大画面化すると共にその重量
が増大し、例えば、２９インチのテレビ受像機では総重
量が６０ｋｇ以上にもなり、移動が困難となっている。
ＨＤＶＳの一般放送も間近になってきているが、ＨＤＶ
Ｓ用のブラウン管を用いた受像機は更に大型化が進み、
９０ｋｇ以上の大重量になっている。最早、このような
重量になると、一度設置された受像機を後で移動させる
ことが極めて困難となる。

【０００３】これに対して、近年、液晶デバイスを用い
た投影方式の表示装置が考案されている。かかる表示装
置においては、光を液晶デバイスを透過させることで、
液晶デバイス上に形成された画像が映像スクリーン上に
投影される。このような表示装置においては重いブラウ
ン管が必要なくなり、表示装置は照明用の光源と液晶デ
バイスから構成されるだけであり、表示装置は非常に軽
くなる。この種の表示装置においては液晶デバイス内を
光を透過させる必要がある。然るに、液晶デバイスの光
透過率は数％と低く、スクリーン上に投影された映像が
暗いという問題を有する。

【０００４】近年、新しい投影装置として、テキサスイ
ンスツルメンツ社からデジタルマイクロミラーデバイス
（Digital Mirror Device）を用いた投影装置が提案さ
れている。例えば、J.P. Sampsell, "An Overview of t
he Didital Micromirror Device (DMD) and Its Applic
ation to Projection Display", 1993 Society for Imf
ormation Display International Symposium (SID '93)
Digest of TechnicalPapers, pp 1012-1015, May 1993
を参照のこと。この投影装置は、多数のＳＲＡＭの各
々の上に鏡（マイクロミラー）を整列させた構造を有す
る。そして、これらの鏡にＲＧＢの光源からの光を入射
する。そして、ＳＲＡＭからの信号に基づきそれぞれの
鏡を動かし（回転させ）、鏡から射出される光の方向を
変化させる。適切な方向にスクリーンを配置しておくこ
とによって、鏡で反射された光をスクリーン上に投影さ
せることができる。即ち、ＳＲＡＭに画像制御信号を入
力することによって、スクリーン上に画像を映し出すこ
とができる。この状態を模式的に図１２の（Ａ）に示
す。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】デジタルマイクロミラ
ーデバイスにおける各々の鏡の平面形状は矩形である。
そして、鏡の四隅の内、一方の対角線上の２つの隅（便
宜上、固定部分と呼ぶ）で鏡はシリコン基板上に固定さ
れている。鏡の他の対角線上の２つの隅はフリーな状態
に置かれている。一方の対角線に沿った１つの鏡の模式
的な断面図を図１２の（Ｂ）に示す。各鏡はアルミニウ
ム膜上に形成されており、空中に浮いた状態で２つの支
柱によって支えられている。このデジタルマイクロミラ
ーデバイスにおける鏡を駆動する（即ち、鏡から射出さ
れる光の方向を変化させる）ために、アルミニウム膜に
或る電位を与え、一方、鏡に対向した対向電極をアルミ
ニウム膜と反対の電位にすることで、アルミニウム膜と
電極の間にクーロン力を働かせる。これによって、固定
部分を支点として鏡を回転させることができる。半導体
基板に形成されたＳＲＡＭに電気的に接続された対向電
極の電位を１，０（高，低）と変化させることでクーロ
ン力を変化させ、鏡の回転制御を行う。

【０００６】鏡が駆動されるときアルミニウム膜には応
力が加わる。即ち、アルミニウム膜から成る鏡の固定部
分にねじれ等の負荷が加わる。その結果、この部分に金
属疲労が発生し、鏡の固定部分を構成するアルミニウム
膜が破損する。従って、鏡の固定部分の信頼性がデジタ
ルマイクロミラーデバイスの信頼性を支配している。そ
れ故、この固定部分の信頼性を向上させることが、デジ
タルマイクロミラーデバイスを用いた投影装置の実用化
の鍵の１つである。また、微小な金属膜が空中に浮いた
構造となっているため、接触などの物理的刺激に弱いと
いう問題もある。

【０００７】従って、本発明の目的は、高い信頼性と長
い寿命を有し、駆動回路が簡素化されたデジタルマイク
ロミラーデバイスを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のデジタルマイクロミラーデバイスは、
（イ）１つのマイクロミラー部と、（ロ）該１つのマイ
クロミラー部に対応して設けられた、マイクロミラー部
の位置を制御するための１つの位置制御手段と、（ハ）
該位置制御手段を制御するための１つのトランジスタ素
子、から構成されたマイクロミラー素子を複数配列して
成り、そして、該マイクロミラー部は位置制御手段に対
して移動自在に取り付けられていることを特徴とする。

【０００９】マイクロミラー部の位置制御としては、位
置制御手段とマイクロミラー部との間の距離の制御、位
置制御手段に対するマイクロミラー部の角度の制御を挙
げることができる。マイクロミラー部は位置制御手段に
対して堅固に固定されてはいない。

【００１０】本発明のデジタルマイクロミラーデバイス
においては、マイクロミラー部には永久磁石が備えられ
ており、位置制御手段は電磁石から成りそしてトランジ
スタ素子に電気的に接続されており、トランジスタ素子
の制御により位置制御手段が発生する電磁力によってマ
イクロミラー部の位置を制御する構成とすることができ
る。

【００１１】この場合、マイクロミラー部の下部には一
体となった支柱が設けられており、該支柱は永久磁石か
ら成り、該支柱は位置制御手段の近傍に配置されている
第１の態様、あるいは、マイクロミラー部の下部には一
体となった支柱が設けられており、該支柱の少なくとも
底部に永久磁石層が設けられており、該支柱は位置制御
手段の近傍に配置されている第２の態様、更には又、マ
イクロミラー部の下部には一体となった支柱が設けられ
ており、該マイクロミラー部の底面及び支柱の外面に永
久磁石層が備えられており、該支柱は位置制御手段の近
傍に配置されている第３の態様を挙げることができる。
マイクロミラー部がマイクロミラー素子から脱落しない
ように、マイクロミラー素子にはガイド部を設けること
が望ましい。

【００１２】あるいは又、上記の目的を達成するための
本発明のデジタルマイクロミラーデバイスは、（イ）半
導体基板に形成されたトランジスタ素子と、（ロ）該ト
ランジスタ素子上に形成された絶縁層の上に設けられ、
トランジスタ素子に電気的に接続された位置制御手段
と、（ハ）マイクロミラー本体と支柱とから成り、位置
制御手段の上に形成されたガイド層の上にマイクロミラ
ー本体が配置され、ガイド層に設けられた穴部に支柱が
移動自在に収納されており、位置制御手段の動作によっ
て支柱の位置が制御されるところのマイクロミラー部、
から構成されたマイクロミラー素子を複数配列して成る
ことを特徴とする。

【００１３】マイクロミラー部の光反射面は、適切な量
の光を反射する材料ならば如何なる材料からも構成する
ことができ、しかも単層であっても複数層であってもよ
いが、中でも、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッ
ケル、クロム、銅、銀等を用いることが好ましい。マイ
クロミラー部に備えられた永久磁石（あるいは永久磁石
層）は、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性材料から構
成することができる。位置制御手段を電磁石から構成す
る場合、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性材料から成
る芯部（コア部）、及びこの芯部を取り囲むコイルから
電磁石を構成することができる。トランジスタ素子とし
ては、如何なる形式のトランジスタ素子をも用いること
ができるが、例えばＭＯＳ型トランジスタ素子やバイポ
ーラトランジスタ素子を挙げることができる。

【００１４】

【作用】本発明のデジタルマイクロミラーデバイスにお
いては、マイクロミラー部は位置制御手段に対して移動
自在に取り付けられており、従来の技術のようにマイク
ロミラー部が堅固に固定されていない。従って、マイク
ロミラー部にねじれ等の力が加わらず、高い信頼性をデ
ジタルマイクロミラーデバイスに付与することができ
る。また、マイクロミラー部の駆動を、従来技術のよう
にクーロン力で駆動するのではなく、磁力で駆動すれ
ば、駆動力が向上し且つ安定し、マイクロミラーデバイ
スの確実な動作を保証することができる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。尚、実施例１は、マイクロミラー部の下
部には一体となった支柱が設けられており、この支柱が
永久磁石から成り、支柱は位置制御手段の近傍に配置さ
れている第１の態様に関する。また、実施例２は、マイ
クロミラー部の下部には一体となった支柱が設けられて
おり、この支柱の少なくとも底部に永久磁石層が設けら
れており、支柱は位置制御手段の近傍に配置されている
第２の態様に関する。更に、実施例３は、マイクロミラ
ー部の下部には一体となった支柱が設けられており、マ
イクロミラーの底面及び支柱の外面に永久磁石層が備え
られており、この支柱は位置制御手段の近傍に配置され
ている第３の態様に関する。

【００１６】（実施例１）本発明のデジタルマイクロミ
ラーデバイスはマイクロミラー素子を複数配列して成
る。マイクロミラー素子の各々は、図１に模式的な一部
断面図を示すように、（イ）１つのマイクロミラー部４
３，４２と、（ロ）この１つのマイクロミラー部４３，
４２に対応して設けられた、マイクロミラー部の位置を
制御するための１つの位置制御手段３０，３５，３２
と、（ハ）この位置制御手段を制御するための１つのト
ランジスタ素子１５，１６、から成る。そして、マイク
ロミラー部４３，４２は位置制御手段３０，３５，３２
に対して移動自在に取り付けられている。

【００１７】マイクロミラー部４３，４２には永久磁石
４２が備えられている。一方、位置制御手段３０，３
５，３２は一種の電磁石から成り、そしてその一端はト
ランジスタ素子１５，１６に接続されている。トランジ
スタ素子１５，１６は、ＭＯＳ型トランジスタ素子であ
る。そして、トランジスタ素子１５，１６の制御により
位置制御手段３０，３５，３２に発生する電磁力によっ
てマイクロミラー部４３，４２の位置を制御する。具体
的には、トランジスタ素子１５，１６のオンオフ制御に
より位置制御手段３０，３５に電流を流し、これにより
位置制御手段３０，３５，３２で発生する電磁力によっ
てマイクロミラー部４３，４２に備えられた永久磁石４
２との間に生じる引力・斥力を利用して、マイクロミラ
ー部４３，４２の位置を制御する。

【００１８】実施例１においては、マイクロミラー部４
３，４２は、マイクロミラー本体４３と、マイクロミラ
ー本体４３の下部に一体となって設けられた支柱４２か
ら構成されており、この支柱４２は永久磁石から成る。
そして、支柱４２は、位置制御手段３０，３５，３２の
近傍に移動自在に配置されている。また、マイクロミラ
ー部の動きを制限するためのガイド部４４がマイクロミ
ラー本体４３の近傍に設けられている。

【００１９】実施例１においては、位置制御手段に対す
るマイクロミラー部の上下動によって、マイクロミラー
部の位置制御が行われる。図１には、マイクロミラー部
が位置制御手段から最も離れた位置にある状態を図示し
た。

【００２０】あるいは又、本発明のデジタルマイクロミ
ラーデバイスは、図１に模式的な一部断面図に示すよう
に（イ）半導体基板１０に形成されたトランジスタ素子
１５，１６と、（ロ）トランジスタ素子１５，１６上に
形成された絶縁層２０の上に設けられ、トランジスタ素
子に電気的に接続された位置制御手段３０，３５，３２
と、（ハ）マイクロミラー本体４３と支柱４２とから成
り、位置制御手段の上に形成されたガイド層４０の上に
マイクロミラー本体４３が配置され、ガイド層４０に設
けられた穴部４０Ａに支柱４２が移動自在に収納されて
おり、位置制御手段の動作によって支柱４２の位置が制
御されるところのマイクロミラー部４３，４２、から構
成されたマイクロミラー素子を複数配列して成る。

【００２１】図２に、本発明のマイクロミラー素子の動
作原理を示す。図２の（Ａ）に示すように、トランジス
タ素子１５，１６がオフの状態にあっては、トランジス
タ素子に接続された位置制御手段には電流が流れていな
い。従って、位置制御手段３０，３２，３５には電磁力
が発生せず、マイクロミラー部に備えられた永久磁石４
２とこの位置制御手段との間に働く引力によって、マイ
クロミラー部と位置制御手段とは一定の距離に置かれ
る。その結果、マイクロミラー部に入射した光は所定の
方向に射出される。マイクロミラー部から射出された光
は、デジタルマイクロミラーデバイスとスクリーンとの
間に設けられた開口部を有する遮蔽板によって遮られ、
スクリーンに到達しない。

【００２２】図２の（Ｂ）に示すように、トランジスタ
素子をオン状態にすると、トランジスタ素子１５，１６
に接続された位置制御手段には電流が流れ、位置制御手
段３０，３２，３５に電磁力が発生する。マイクロミラ
ー部に備えられた永久磁石４２とこの位置制御手段との
間に働く斥力によって、マイクロミラー部は位置制御手
段から離れる方向に移動する。その結果、マイクロミラ
ー部に入射した光の射出方向は、位置制御手段の動作前
の射出方向から変化する。マイクロミラー部から射出さ
れた光は、デジタルマイクロミラーデバイスとスクリー
ンとの間に設けられた遮蔽板の開口部を通過し、スクリ
ーンに到達する。尚、トランジスタ素子のオンオフ状態
における光のスクリーンへの到達状態を上記の説明と逆
にしてもよい。

【００２３】スクリーン上に映像を投影する場合には、
光源から射出された光を例えば３６００ｒｐｍの回転速
度で回転する円盤型のＲＧＢのカラーフィルタを通し、
本発明のデジタルマイクロミラーデバイスに入射させ
る。円盤型のカラーフィルタを回転させることによっ
て、白色の光をＲＧＢの３色に変換する。このＲＧＢの
光がデジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラー
部で反射される。そして、トランジスタ素子がオン状態
（構成によってはオフ状態）にあるマイクロミラー素子
のマイクロミラー部で反射された光のみが、投影レンズ
を介してスクリーンに到達する。ＲＧＢの表示時間を時
分割することによって、階調を制御することが可能であ
る。

【００２４】以下、図１に示した実施例１のデジタルマ
イクロミラーデバイスの作製方法を、半導体基板等の模
式的な一部断面図である図３〜図６を参照して説明す
る。

【００２５】［工程−１００］先ず、シリコン半導体基
板１０に従来の方法に基づきＭＯＳ型トランジスタ素子
を作製する（図３の（Ａ）参照）。そのために、先ず、
従来の方法でシリコン半導体基板１０にＳｉＯ₂から成
る素子分離領域１１を形成した後、シリコン半導体基板
１０の表面を酸化してゲート酸化膜１２を形成する。次
いで、例えばＣＶＤ法で全面にポリシリコン層を堆積さ
せた後、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング
技術によって、ポリシリコン層を選択的に除去し、ゲー
ト電極１３を形成する。その後、従来の方法でＬＤＤ構
造を形成するための不純物イオン注入を行い、次いで、
ゲート電極の側壁にＳｉＯ₂から成るゲートサイドウオ
ール１４を設ける。こうして、ゲート酸化膜１２、ポリ
シリコンから成るゲート電極１３及びゲートサイドウオ
ール１４から構成されたゲート電極部１５を形成するこ
とができる。その後、不純物イオン注入を行い、シリコ
ン半導体基板１０にソース・ドレイン領域１６を形成す
る。これらの各工程は公知の方法に基づき実行すること
ができる。

【００２６】［工程−１１０］その後、ＭＯＳ型トラン
ジスタ素子に電気的に接続された位置制御手段をＭＯＳ
型トランジスタ素子の上方に絶縁層を介して形成する。

【００２７】［工程−１１０Ａ］そのために、先ず、全
面に例えばＳｉＯ₂から成り厚さ０．５μｍの絶縁層２
０をＣＶＤ法にて形成する。ＣＶＤ法の条件を以下に例
示する。 使用ガス： ＴＥＯＳ＝５０sccm 基板温度： ７２０゜Ｃ 圧力 ： ４０Ｐａ

【００２８】尚、絶縁層２０を構成する材料はＳｉＯ₂
に限定されず、他の公知の絶縁材料、例えばＢＰＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｂＳＧ、ＳＯ
Ｇ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮあるいはこれらの絶縁膜を積層し
たものを挙げることができる。

【００２９】［工程−１１０Ｂ］次に、ソース・ドレイ
ン領域１６の上方の絶縁層２０にフォトリソグラフィ技
術及びドライエッチング技術を用いて開口部２１を形成
する。ドライエッチングの条件を、例えば以下のとおり
とすることができる。 使用ガス ： Ｃ₄Ｆ₈＝５０sccm ＲＦパワー： １２００Ｗ 圧力 ： ２Ｐａ

【００３０】［工程−１１０Ｃ］その後、開口部２１内
を金属配線材料で埋め込む。そのために、先ず、スパッ
タ法を用いて、開口部２１内を含む絶縁層２０上に、下
から例えばＴｉ及びＴｉＮ層２２を堆積させる。このＴ
ｉＮ／Ｔｉ層は所謂バリアメタル層及びコンタクト抵抗
低減層としての機能を果たす。次いで、例えば所謂ブラ
ンケットタングステンＣＶＤ法を用いて、開口部２１内
を含むＴｉＮ／Ｔｉ層２２上にタングステン（Ｗ）層２
３を堆積させる。その後、絶縁層２０上のタングステン
層及びＴｉＮ／Ｔｉ層を除去し、開口部２１内のみを、
ＴｉＮ／Ｔｉ層２２及びタングステン層２３で埋め込む
（図３の（Ｂ）参照）。Ｔｉ層及びＴｉＮ層の成膜条
件、ブランケットタングステンＣＶＤ法によるタングス
テン層の成膜条件、並びにタングステン層とＴｉＮ／Ｔ
ｉ層のエッチバック条件を、以下に例示する。 Ｔｉ層の成膜条件 使用ガス ： Ａｒ＝１００sccm パワー ： ４ｋＷ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 膜厚 ： ３０ｎｍ ＴｉＮ層の成膜条件 使用ガス ： Ａｒ／Ｎ₂＝４０／７０sccm パワー ： ５ｋＷ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 膜厚 ： ７０ｎｍ ブランケットタングステンＣＶＤ法によるＷ層の成膜条
件 使用ガス ： ＷＦ₆／Ｈ₂＝９５／５５０sccm 成膜温度 ： ４５０゜Ｃ 圧力 ： １．１×１０⁴Ｐａ 膜厚 ： ０．４μｍ エッチバックの条件 使用ガス ： ＳＦ₆＝５０sccm マイクロ波パワー ： ８５０Ｗ ＲＦパワー ： １５０Ｗ 圧力 ： １．３３Ｐａ

【００３１】［工程−１１０Ｄ］その後、絶縁層２０の
上に位置制御手段を形成する。そのために、先ず、全面
に例えばアルミニウムあるいはアルミニウム系合金（以
下、総称してＡｌ系合金と呼ぶ場合もある）から成る第
１の導電層３０を、例えばスパッタ法で形成する。第１
の導電層３０の形成条件を以下に例示する。 使用ガス ： Ａｒ＝４０sccm パワー ： ２２．５ｋＷ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 膜厚 ： ０．３μｍ、 Ａｌ系合金として、純アルミニウム、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ
−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｇｅ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｇｅ等の種々のアルミニウム合金を例示することができ
る。

【００３２】［工程−１１０Ｅ］その後、フォトリソグ
ラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、第１の
導電層３０を所望の平面形状にパターニングする。ドラ
イエッチング条件を例えば以下のとおりとすることがで
きる。 使用ガス ： ＢＣｌ₃／Ｃｌ₂＝６０／９０sc
cm マイクロ波パワー ： １０００Ｗ ＲＦパワー ： ５０Ｗ 圧力 ： ０．０１６Ｐａ

【００３３】尚、ブランケットタングステンＣＶＤ法に
よりタングステン層２３で開口部２１を埋め込む工程を
省略し、ＴｉＮ層／Ｔｉ層２２の上にＡｌ系合金層をス
パッタ法にて堆積させた後、絶縁層２０の上のＡｌ系合
金層とＴｉＮ／Ｔｉ層２２を選択的に除去することによ
って、開口部２１内をＡｌ系合金で埋め込み、併せてパ
ターニングされた第１の導電層３０を得ることもでき
る。

【００３４】第１の導電層３０を構成するＡｌ系合金の
代わりに、Ｗ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属配線材料を用いるこ
とができる。また、これらの金属配線材料の形成方法は
スパッタ法に限定されず、例えばＣＶＤ法を用いること
もできる。

【００３５】［工程−１１０Ｆ］次に、バイアスＥＣＲ
ＣＶＤ法にて全面に例えばＳｉＮから成る平坦な第１
の層間絶縁層３１を全面に形成する（図３の（Ｃ）参
照）。第１の層間絶縁層３１の形成条件を以下に例示す
る。 使用ガス ： ＳｉＨ₄／Ｎ₂Ｏ＝２１／３５sc
cm マイクロ波パワー ： １０００Ｗ ＲＦパワー ： ３００Ｗ 成膜温度 ： ４５０゜Ｃ 圧力 ： ０．０１Ｐａ

【００３６】［工程−１１０Ｇ］その後、第１の層間絶
縁層３１の上にスパッタ法で例えば鉄から成る芯（コ
ア）層３２を形成する。芯層３２の成膜条件を以下に例
示する。 使用ガス ： Ａｒ＝１００sccm パワー ： ４ｋＷ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 膜厚 ： ７０ｎｍ

【００３７】尚、鉄の代わりに、Ｃｏ、Ｎｉ等、あるい
はこれらの材料の合金や酸化物等の強磁性材料から芯層
３２を構成することもできる。

【００３８】［工程−１１０Ｈ］次に、フォトリソグラ
フィ技術及びドライエッチング技術を用いて、芯層３２
を所望の平面形状（例えば、矩形）にパターニングする
（図４の（Ａ）参照）。ドライエッチング条件を、例え
ば以下のとおりとすることができる。 使用ガス ： ＢＣｌ₃／Ｃｌ₂＝６０／９０sc
cm マイクロ波パワー ： １０００Ｗ ＲＦパワー ： ５０Ｗ 圧力 ： ０．０１６Ｐａ 基板温度 ： ３５０゜Ｃ

【００３９】［工程−１１０Ｉ］その後、バイアスＥＣ
Ｒ ＣＶＤ法にて全面に例えばＳｉＮから成る平坦な第
２の層間絶縁層３３を全面に形成する。第２の層間絶縁
層３３の形成条件を、第１の層間絶縁層３１の形成条件
と同様とすることができる。次いで、フォトリソグラフ
ィ技術及びドライエッチング技術を用いて、第２の層間
絶縁層３３に開口部３４を形成する。ドライエッチング
条件を以下に例示する。 使用ガス ： Ｃ₄Ｆ₈＝５０sccm ＲＦパワー ： １２００Ｗ 圧力 ： ２Ｐａ

【００４０】尚、第１の層間絶縁層３１あるいは第２の
層間絶縁層３３を構成する材料はＳｉＮに限定されず、
他の公知の絶縁材料、例えばＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｂＳＧ、ＳＯＧ、
ＳｉＯＮ、あるいはこれらの絶縁膜を積層したものを挙
げることができる。

【００４１】こうして、図４の（Ｂ）に示す構造を得る
ことができる。尚、図４の（Ｂ）において、芯層３２に
も開口部が形成されているかのように図示されている
が、実際には、芯層３２には開口部は形成されていな
い。開口部３４は、第２の層間絶縁層３３にのみ形成さ
れている。また、図４の（Ｂ）においては、パターニン
グされた第１の導電層３０の領域の各々の右側の部分に
開口部３４が形成された状態を示したが、実際には、パ
ターニングされた第１の導電層３０の各々の左側の部分
にも開口部（図示せず）が形成されている。

【００４２】［工程−１１０Ｊ］次に、スパッタ法にて
開口部３４内を含む第２の層間絶縁層３３上に例えばＴ
ｉＮ層（図示せず）を成膜し、更に、その上に例えばブ
ランケットタングステンＣＶＤ法でタングステンから成
る第２の導電層３５を形成する。ＴｉＮ層の成膜条件
は、［工程−１１Ｃ］のＴｉＮ層の成膜条件と同様とす
ることができる。第２の導電層の成膜条件 使用ガス ： ＷＦ₆／Ｈ₂＝９５／５５０sccm 成膜温度 ： ４５０゜Ｃ 圧力 ： １．１×１０⁴Ｐａ 膜厚 ： ０．３μｍ

【００４３】［工程−１１０Ｋ］その後、フォトリソグ
ラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、第２の
導電層３５及びＴｉＮ層のパターニングを、［工程−１
１０Ｃ］のエッチバック条件と同様の条件で行なう。

【００４４】尚、ブランケットタングステンＣＶＤ法に
よる第２の導電層３５の形成の代わりに、スパッタ法や
ＣＶＤ法で他の金属配線材料を開口部３４内を含む第２
の層間絶縁層３３上に成膜することで第２の導電層３５
を形成することもできる。

【００４５】［工程−１１０Ｌ］更に、例えばＢＰＳＧ
から成る第３の層間絶縁層３６を全面に堆積させた後、
加熱による第３の層間絶縁層３６の平坦化処理を行う。
こうして、図５の（Ａ）に示す構造を得ることができ
る。第３の層間絶縁層３６の成膜条件を以下に例示す
る。 使用ガス ： ＳｉＨ₄／ＰＨ₃／Ｂ₂Ｈ₆／Ｏ₂／Ｎ₂＝８
０／７／７／１０００／３２０００sccm 成膜温度 ： ４００゜Ｃ 圧力 ： １．０×１０⁵Ｐａ 膜厚 ： ０．１５μｍ

【００４６】尚、第３の層間絶縁層３６を構成する材料
はＢＰＳＧに限定されず、後に形成する犠牲層をエッチ
ングする際に同時にエッチングされない材料であれば、
如何なる公知の絶縁材料をも用いることができる。

【００４７】こうして、例えば鉄からなり電磁石の芯部
（コア部）に相当する芯層３２、並びに、コイルに相当
する第１の導電層３０と第２の導電層３５（これらの層
３０，３５は開口部３４及び図示していない開口部を介
して順次電気的に接続されている）から構成された一種
の電磁石である位置制御手段が完成する。コイルの一端
（パターニングされた第１の導電層３０の一部分）は、
開口部２１内に埋め込まれたＴｉＮ／Ｔｉ層２２及びタ
ングステン層２３を介してＭＯＳ型トランジスタ素子の
ソース・ドレイン領域１６と電気的に接続されている。
一方、コイルの他端である第２の導電層３５の端部（あ
るいは、場合によっては第１の導電層３０の他の端部）
は、例えば接地されている（図示せず）。これによっ
て、ＭＯＳ型トランジスタ素子がオン状態になると、第
１の導電層３０と第２の導電層３５から構成されたコイ
ルに電流が流れ、磁界が発生する。

【００４８】［工程−１２０］次に、マイクロミラー部
４３，４２を位置制御手段３０，３５，３２の上方に形
成する。

【００４９】［工程−１２０Ａ］そのために、先ず、全
面に例えばポリシリコンから成るガイド層４０を形成す
る。ガイド層４０のＣＶＤ形成条件を以下に例示する。 使用ガス ： ＳｉＨ₄／Ｈｅ＝５００／５０sccm 圧力 ： ８０Ｐａ 成膜温度 ： ４００゜Ｃ 膜厚 ： ０．８μｍ

【００５０】尚、ガイド層を構成する材料として、ポリ
シリコンの代わりに、後に形成する犠牲層をエッチング
する際に同時にエッチングされない材料であって光を反
射しない材料であれば、如何なる公知の材料をも用いる
ことができる。

【００５１】［工程−１２０Ｂ］その後、フォトリソグ
ラフィ技術及びドライエッチング技術によってポリシリ
コンから成るガイド層４０に穴部４０Ａを形成する。
尚、この穴部４０Ａに、後に形成する支柱が収納され
る。ドライエッチングの条件を、例えば［工程−１１０
Ｉ］と同様とすることができる。

【００５２】［工程−１２０Ｃ］次いで、穴部４０Ａを
含むガイド層４０の全面に例えばＳｉＯ₂から成る犠牲
層（分離層）４１を、例えば以下に例示する条件のＣＶ
Ｄ法にて形成する（図５の（Ｂ）参照）。 使用ガス ： ＳｉＨ₄／Ｏ₂／Ｎ₂＝８０／１０００／
３２０００sccm 成膜温度 ： ４００゜Ｃ 圧力 ： １．０×１０⁵Ｐａ 膜厚 ： ５０ｎｍ

【００５３】［工程−１２０Ｄ］その後、例えば以下の
条件のスパッタ法にて、全面に鉄層を堆積させる。 使用ガス ： Ａｒ＝１００sccm パワー ： ４ｋＷ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 膜厚 ： １．０μｍ

【００５４】［工程−１２０Ｅ］そして、この状態で、
別に準備した磁石を鉄層に近づけ、鉄層を磁化させる。
その後、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング
技術を用いて、鉄層をパターニングし、穴部４０Ａの中
に鉄層を残す。ドライエッチング条件は、［工程−１１
０Ｈ］と同様とすることができる。こうして、図６の
（Ａ）に示す構造を得ることができる。穴部４０Ａの中
に残された鉄層が支柱４２に相当する。また、鉄層から
成る支柱４２は永久磁石化される。

【００５５】［工程−１２０Ｆ］次に、犠牲層４１上及
び支柱４２上に例えばＡｌ系合金層をスパッタ法で形成
する。Ａｌ系合金層の形成条件を以下に例示する。 使用ガス ： Ａｒ＝４０sccm パワー ： ２２．５ｋＷ 成膜温度 ： ５００゜Ｃ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 膜厚 ： ０．３μｍ

【００５６】［工程−１２０Ｇ］その後、フォトリソグ
ラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、Ａｌ系
合金層をパターニングし、Ａｌ系合金層から成るマイク
ロミラー本体４３を形成する。ドライエッチングの条件
は［工程−１１０Ｅ］と同様とすることができる。こう
して、図６の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。

【００５７】［工程−１２０Ｈ］次に、マイクロミラー
本体４３近傍の犠牲層４１に開口部を形成した後、全面
に例えばポリシリコン層を堆積させる。そして、ポリシ
リコン層を選択的に除去し、ガイド部を構成する垂直壁
４４Ａをポリシリコン層から形成する。次に、例えばＳ
ｉＯ₂から成る犠牲層４５を全面に堆積させる（図７の
（Ａ）参照）。その後、全面に再びポリシリコン層を堆
積させ、かかるポリシリコン層を選択的に除去して、ガ
イド部を構成する水平方向の突起部４４Ｂを形成する
（図７の（Ｂ）参照）。

【００５８】［工程−１２０Ｉ］最後に、ドライエッチ
ング法にて、ＳｉＯ₂から成る犠牲層４５，４１を除去
する。ドライエッチングの条件を以下に例示する。 使用ガス ： ＣＦ₄＝１００sccm ＲＦパワー： ５０Ｗ 圧力 ： ６Ｐａ

【００５９】こうして、図１に示した構造のマイクロミ
ラー素子を作製することができる。

【００６０】（実施例２）実施例２は実施例１の変形で
あり、マイクロミラー部の構造が実施例１と相違する。
即ち、実施例２は、マイクロミラー部の下部には一体と
なった支柱が設けられており、このポリシリコンから成
る支柱の底部（実施例２においては支柱の外面の全面）
に永久磁石層５０が設けられており、支柱は位置制御手
段の近傍に移動自在に配置されている第２の態様に関す
る。また、マイクロミラー部におけるマイクロミラー本
体は、Ａｌ系合金層５２及びタングステン層５３の２層
構造であり、タングステン層５３によって光が反射され
る。

【００６１】実施例２のデジタルマイクロミラーデバイ
スの作製においては、位置制御手段の形成まで、即ち、
第３の層間絶縁層３６の形成工程までは、実施例１と同
様とすることができる。それ故、マイクロミラー部の形
成方法のみを、以下、図８及び図９を参照して説明す
る。

【００６２】［工程−２００Ａ］第３の層間絶縁層３６
の上に、実施例１の［工程−１２０Ａ］〜［工程−１２
０Ｃ］と同様に、例えばポリシリコンから成るガイド層
４０を形成した後、ガイド層４０に穴部４０Ａを形成す
る。次いで、穴部４０Ａを含むガイド層４０の全面にＳ
ｉＯ₂から成る犠牲層（分離層）４１をＣＶＤ法にて形
成する（図８の（Ａ）参照）。

【００６３】［工程−２００Ｂ］その後、例えば以下の
条件のスパッタ法にて、全面に鉄層を堆積させる。鉄層
の厚さは、穴部４０Ａが鉄層で埋め込まれない厚さとす
る。 使用ガス ： Ａｒ＝１００sccm パワー ： ４ｋＷ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 膜厚 ： ７０ｎｍ

【００６４】［工程−２００Ｃ］そして、この状態で、
別に準備した磁石を鉄層に近づけ、鉄層を磁化し、鉄層
を永久磁石化する。

【００６５】［工程−２００Ｄ］その後、フォトリソグ
ラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、鉄層を
パターニングし、穴部４０Ａの中に鉄層を残す。ドライ
エッチング条件は、実施例１の［工程−１１０Ｈ］と同
様とすることができる。こうして、永久磁石層５０を穴
部４０Ａの底部及び側壁部に形成することができる。

【００６６】［工程−２００Ｅ］次いで、全面にポリシ
リコン層５１を形成する。ポリシリコン層５１のＣＶＤ
形成条件を、実施例１の［工程−１２０Ａ］と同様とす
ることができる。

【００６７】［工程−２００Ｆ］その後、ポリシリコン
層５１を全面エッチバックし、穴部４０Ａの内に形成さ
れた永久磁石層５０の凹部内にのみポリシリコン層５１
を残す。こうして、図８の（Ｂ）に示す構造を得ること
ができる。穴部４０Ａの中に残された永久磁石層５０及
びポリシリコン層５１が支柱に相当する。言い換えれ
ば、支柱の少なくとも底部（実施例２においては支柱の
外面の全て）に永久磁石層５０が設けられる。ポリシリ
コン層のエッチバック条件を以下に例示する。 使用ガス ： Ｃ₂Ｃｌ₃Ｆ₃／ＳＦ₆＝６５／５sc
cm マイクロ波パワー： ８５０Ｗ ＲＦパワー ： １５０Ｗ 圧力 ： １．３３Ｐａ

【００６８】［工程−２００Ｇ］その後、実施例１の
［工程−１２０Ｆ］と同様の条件で、Ａｌ系合金層５２
を全面に成膜する。次に、以下に例示するＣＶＤ法でＡ
ｌ系合金層５２の上にタングステン層５３を成膜する。 使用ガス ： ＷＦ₆／Ｈ₂＝９５／５５０sccm 成膜温度 ： ４５０゜Ｃ 圧力 ： １．１×１０⁴Ｐａ 膜厚 ： ３０ｎｍ

【００６９】［工程−２００Ｈ］次に、フォトリソグラ
フィ技術及びドライエッチング技術を用いて、タングス
テン層５３及びＡｌ系合金層５２を所望のパターンにエ
ッチングする（図８の（Ｃ）参照）。エッチング条件を
以下に例示する。 使用ガス ： ＢＣｌ₃／Ｃｌ₂＝６０／９０sc
cm マイクロ波パワー ： １０００Ｗ ＲＦパワー ： ５０Ｗ 圧力 ： ０．０１６Ｐａ

【００７０】［工程−２００Ｉ］その後、再び全面に厚
さ１００ｎｍのタングステン層５４を［工程−２００
Ｇ］と同様の条件のＣＶＤ法にて堆積させる。そして、
タングステン層５４を、実施例１の［工程−１１０Ｃ］
と同様の条件でエッチバックする。こうして、図９の
（Ａ）に示す構造を得ることができる。Ａｌ系合金層５
２は、頂面及び側面がタングステン層５３，５４で被覆
されており、マイクロミラー本体に高い信頼性を付与す
ることができる。

【００７１】［工程−２００Ｊ］その後、実施例１の
［工程−１２０Ｈ］と同様の方法でマイクロミラー本体
４３の近傍にガイド部（図示せず）を形成した後、希釈
フッ酸溶液（ＨＦ：Ｈ₂Ｏ＝５：１００）に例えば５分
間浸漬することで犠牲層４１等を除去する。こうして、
図９の（Ｂ）に示す構造のマイクロミラー部を作製する
ことができる。尚、最後にＡｌ系合金層５２上及び側壁
のタングステン層５３，５４を以下に例示するプラズマ
エッチング法にて除去してもよい。 使用ガス ： ＣＦ₄＝１００sccm ＲＦパワー： ５０Ｗ 圧力 ： ６Ｐａ

【００７２】（実施例３）実施例３も実施例１の変形で
あり、マイクロミラー部の構造が実施例１と相違する。
即ち、実施例３は、マイクロミラー部の下部には一体と
なった支柱が設けられており、マイクロミラー部の底面
（より具体的には、マイクロミラー本体の底面）及び支
柱の外面に永久磁石層が備えられており、この支柱は位
置制御手段の近傍に移動自在に配置されている第３の態
様に関する。また、マイクロミラー部におけるマイクロ
ミラー本体は、ポリシリコン層６２及びＡｌ系合金層６
３の２層構造であり、Ａｌ系合金層６３によって光が反
射される。実施例１においては犠牲層をＳｉＯ₂から形
成したが、実施例３においては有機レジスト材料から犠
牲層を形成した。また、永久磁石層はコバルト（Ｃｏ）
から成る。

【００７３】実施例３のデジタルマイクロミラーデバイ
スの作製においては、位置制御手段の形成まで、即ち、
第３の層間絶縁層３６の形成工程までは、実施例１と同
様とすることができる。それ故、マイクロミラー部の形
成方法のみを、以下、図１０及び図１１を参照して説明
する。

【００７４】［工程−３００Ａ］第３の層間絶縁層３６
の上に、実施例１の［工程−１２０Ａ］〜［工程−１２
０Ｂ］と同様に、ポリシリコンから成るガイド層４０を
形成した後、ガイド層に穴部４０Ａを形成する。次い
で、穴部４０Ａを含むガイド層４０の全面に有機レジス
ト材料から成る犠牲層（分離層）６０をスピンコートに
て形成する（図１０の（Ａ）参照）。犠牲層６０の形成
条件を以下に例示する。 使用レジスト材料 ： ＯＦＰＲ ３０ｃｐ 塗布コーター回転数 ： ２０００rpm 塗布後のベーキング ： １００゜Ｃ

【００７５】［工程−３００Ｂ］その後、例えば以下の
条件のスパッタ法にて、穴部４０Ａの中を含む犠牲層６
０の上全面にＣｏ層６１を堆積させる。 使用ガス ： Ａｒ＝１００sccm パワー ： ４ｋＷ 圧力 ： ０．４７Ｐａ 成膜温度 ： １５０゜Ｃ 膜厚 ： ０．３μｍ

【００７６】［工程−３００Ｃ］そして、この状態で、
別に準備した磁石をＣｏ層６１に近づけ、Ｃｏ層６１を
磁化し、Ｃｏ層６１を永久磁石化する。即ち、Ｃｏ層６
１が永久磁石層となる。

【００７７】［工程−３００Ｄ］その後、全面に厚さ
０．５μｍのポリシリコン層６２を形成する。ポリシリ
コン層６２のＣＶＤ形成条件は、例えば実施例１の［工
程−１２０Ａ］と略同様とすることができる。尚、ポリ
シリコン層６２は、穴部４０Ａ内に堆積したＣｏ層６１
の凹部内にも堆積し、かかるポリシリコン層が支柱に相
当する。

【００７８】［工程−３００Ｅ］その後、実施例１の
［工程−１２０Ｆ］と同様の条件で、Ａｌ系合金層６３
を全面に成膜する。こうして、図１０の（Ｂ）に示す構
造を得ることができる。マイクロミラー部６２，６３の
底面及び支柱の外面にＣｏ層６１から成る永久磁石層が
備えられる。

【００７９】［工程−３００Ｆ］次に、フォトリソグラ
フィ技術及びドライエッチング技術を用いて、Ａｌ系合
金層６３、ポリシリコン層６２及びＣｏ層６１を、以下
に例示する条件でパターニングする。 Ａｌ系合金層のパターニング 使用ガス ： ＢＣｌ₃／Ｃｌ₂＝６０／９０sccm マイクロ波パワー： １０００Ｗ ＲＦパワー ： ５０Ｗ 圧力 ： ０．０１６Ｐａ ポリシリコン層のパターニング 使用ガス ： Ｃ₄Ｆ₈／Ａｒ＝５０／１０sccm ＲＦパワー ： １２００Ｗ 圧力 ： ２Ｐａ 尚、Ｃｏ層６１は、ポリシリコン層６２のドライエッチ
ング後のオーバーエッチングでパターニングすることが
できる。

【００８０】［工程−３００Ｇ］その後、例えば以下の
条件の酸素プラズマアッシャー処理を行い、有機レジス
ト材料から成る犠牲層６０を除去する。 使用ガス ： Ｏ₂＝２０sccm ＲＦプラズマ ： ２００Ｖ 圧力 ： １ａｔｍ 酸素プラズマアッシャー処理の後、発煙硝酸で犠牲層６
０を完全に除去する。

【００８１】以上、本発明のデジタルマイクロミラーデ
バイスを好ましい実施例に基づき説明したが、本発明は
これらの実施例に限定されるものではない。各実施例に
て説明した各種成膜条件は例示であり、適宜変更するこ
とができる。成膜方法もスパッタ法とＣＶＤ法とを適宜
置き換えることが可能である。

【００８２】実施例においては、マイクロミラー部の位
置制御は、専ら位置制御手段に対する上下動によった
が、マイクロミラー部を回動させる（角度変位させる）
ことで位置制御手段に対するマイクロミラー部の位置制
御（角度制御）を行ってもよい。この場合には、例え
ば、ガイド部４４を構成する水平方向の突起部４４Ｂと
ガイド層４０との間の隙間を、図１のマイクロミラー部
の左側と右側とで相違させればよいし、マイクロミラー
部の１つの辺の近傍にガイド部４４を設けてもよい。。
あるいは又、支柱の側壁に１つの突起部又はピン部を設
け、穴部４０Ａの側壁にかかる突起部又はピン部と緩や
かに係合する孔を形成すればよい。位置制御手段の構造
は例示であり、適宜構造を変更することができる。

【００８３】

【発明の効果】従来のデジタルマイクロミラーデバイス
においては、鏡の固定部分が捻れることによって鏡が回
転させられていたために、固定部分が損傷し易く、耐久
性が悪かった。然るに、本発明のデジタルマイクロミラ
ーデバイスにおいては、支柱とマイクロミラー本体が一
体となっており、しかも、マイクロミラー部は位置制御
手段に固定されておらず、移動自在に配置されている。
従って、マイクロミラー部を駆動しても、マイクロミラ
ー部に不所望の力が加わらず、従来のマイクロミラーデ
バイスより耐久性が格段に向上する。また、トランジス
タ素子１つでマイクロミラー部を駆動することができる
ため、マイクロミラー部の集積度が向上する。

【００８４】しかも、金属材料からマイクロミラー部の
光反射面を構成しているので、光の反射率はほぼ１００
％が得られ、デジタルマイクロミラーデバイスから投影
される映像の輝度は極めて高く、且つ投影装置も軽量化
が図られる。これに対して、従来の液晶デバイスを用い
た表示装置は光の透過率が数％と非常に悪いため、輝度
が低い。特に、ＨＤ用モニターの高画質、軽量化、低価
格化を実現することが可能になる。

【００８５】更には、従来のクーロン力を用いたデジタ
ルマイクロミラーデバイスよりも、本発明のデジタルマ
イクロミラーデバイスの駆動力は格段に向上するので、
安定した映像の投影を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のデジタルマイクロミラーデバイスに
おけるマイクロミラー素子の模式的な断面図である。

【図２】本発明のデジタルマイクロミラーデバイスの動
作原理を説明する概要図である。

【図３】実施例１のデジタルマイクロミラーデバイスに
おけるマイクロミラー素子の作製方法を説明するための
模式的な断面図である。

【図４】図３に引き続き、実施例１のデジタルマイクロ
ミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の作製方法
を説明するための模式的な断面図である。

【図５】図４に引き続き、実施例１のデジタルマイクロ
ミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の作製方法
を説明するための模式的な断面図である。

【図６】図５に引き続き、実施例１のデジタルマイクロ
ミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の作製方法
を説明するための模式的な断面図である。

【図７】図６に引き続き、実施例１のデジタルマイクロ
ミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の作製方法
を説明するための模式的な断面図である。

【図８】実施例２のデジタルマイクロミラーデバイスに
おけるマイクロミラー素子の作製方法を説明するための
模式的な断面図である。

【図９】図８に引き続き、実施例２のデジタルマイクロ
ミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の作製方法
を説明するための模式的な断面図である。

【図１０】実施例３のデジタルマイクロミラーデバイス
におけるマイクロミラー素子の作製方法を説明するため
の模式的な断面図である。

【図１１】図１０に引き続き、実施例２のデジタルマイ
クロミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の作製
方法を説明するための模式的な断面図である。

【図１２】従来のデジタルマイクロミラーデバイスの動
作原理を説明する概要図、及び、従来のデジタルマイク
ロミラーデバイスにおけるマイクロミラー素子の模式的
な断面図である。

【符号の説明】

１０ シリコン半導体基板 １１ 素子分離領域 １２ ゲート酸化膜 １３ ゲート電極 １４ ゲートサイドウオール １５ ゲート電極部 １６ ソース・ドレイン領域 ２０ 絶縁層 ２１ 開口部 ２２ ＴｉＮ／Ｔｉ層 ２３ タングステン層 ３０，３５ 導電層 ３１，３３，３６ 層間絶縁層 ３２ 芯（コア）層 ３４ 開口部 ４０ ガイド層 ４０Ａ 穴部 ４１，６０ 犠牲層（分離層） ４２ 支柱 ４３ マイクロミラー本体 ４４ ガイド部 ５０ 永久磁石層 ５１ ポリシリコン層 ５２ Ａｌ系合金層 ５３，５４ タングステン層 ６１ Ｃｏ層 ６２ ポリシリコン層 ６３ Ａｌ系合金層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（イ）１つのマイクロミラー部と、 （ロ）該１つのマイクロミラー部に対応して設けられ
   た、マイクロミラー部の位置を制御するための１つの位
   置制御手段と、 （ハ）該位置制御手段を制御するための１つのトランジ
   スタ素子、 から構成されたマイクロミラー素子を複数配列して成
   り、そして、該マイクロミラー部は位置制御手段に対し
   て移動自在に取り付けられていることを特徴とするデジ
   タルマイクロミラーデバイス。
2. 【請求項２】マイクロミラー部には永久磁石が備えられ
   ており、位置制御手段は電磁石から成りそしてトランジ
   スタ素子に電気的に接続されており、トランジスタ素子
   の制御により位置制御手段が発生する電磁力によってマ
   イクロミラー部の位置を制御することを特徴とする請求
   項１に記載のデジタルマイクロミラーデバイス。
3. 【請求項３】マイクロミラー部の下部には一体となった
   支柱が設けられており、該支柱は永久磁石から成り、該
   支柱は位置制御手段の近傍に配置されていることを特徴
   とする請求項２に記載のデジタルマイクロミラーデバイ
   ス。
4. 【請求項４】マイクロミラー部の下部には一体となった
   支柱が設けられており、該支柱の少なくとも底部に永久
   磁石層が設けられており、該支柱は位置制御手段の近傍
   に配置されていることを特徴とする請求項２に記載のデ
   ジタルマイクロミラーデバイス。
5. 【請求項５】マイクロミラー部の下部には一体となった
   支柱が設けられており、該マイクロミラー部の底面及び
   支柱の外面に永久磁石層が備えられており、該支柱は位
   置制御手段の近傍に配置されていることを特徴とする請
   求項２に記載のデジタルマイクロミラーデバイス。
6. 【請求項６】（イ）半導体基板に形成されたトランジス
   タ素子と、 （ロ）該トランジスタ素子上に形成された絶縁層の上に
   設けられ、トランジスタ素子に電気的に接続された位置
   制御手段と、 （ハ）マイクロミラー本体と支柱とから成り、位置制御
   手段の上に形成されたガイド層の上にマイクロミラー本
   体が配置され、ガイド層に設けられた穴部に支柱が移動
   自在に収納されており、位置制御手段の動作によって支
   柱の位置が制御されるところのマイクロミラー部、 から構成されたマイクロミラー素子を複数配列して成る
   ことを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。