JPH0730363A - Ｓａｗ共振子フィルタ - Google Patents
Ｓａｗ共振子フィルタInfo
- Publication number
- JPH0730363A JPH0730363A JP16696493A JP16696493A JPH0730363A JP H0730363 A JPH0730363 A JP H0730363A JP 16696493 A JP16696493 A JP 16696493A JP 16696493 A JP16696493 A JP 16696493A JP H0730363 A JPH0730363 A JP H0730363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- idt
- saw resonator
- finger width
- ratio
- relative attenuation
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＩＦ中心周波数ｆ0 の高域側イメ
ージ周波数の相対減衰量を、例えば、７２〜７５ｄＢ以
上確保できるＳＡＷ共振子フィルタを提供することを目
的とする。 【構成】 横結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタにお
いて、前記ＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極のメタライゼーシ
ョン・レシオ（フィンガー幅／（フィンガー幅＋ギャッ
プ幅））が０．６８よりも大きな値であることを特徴と
するＳＡＷ共振子フィルタ。
ージ周波数の相対減衰量を、例えば、７２〜７５ｄＢ以
上確保できるＳＡＷ共振子フィルタを提供することを目
的とする。 【構成】 横結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタにお
いて、前記ＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極のメタライゼーシ
ョン・レシオ（フィンガー幅／（フィンガー幅＋ギャッ
プ幅））が０．６８よりも大きな値であることを特徴と
するＳＡＷ共振子フィルタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＤＴ電極のフィンガ
ー幅とギャップ（フィンガー間幅）との関係に関するＳ
ＡＷ共振子フィルタに関する。
ー幅とギャップ（フィンガー間幅）との関係に関するＳ
ＡＷ共振子フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＡＷ共振子フィルタを設計する
際、ＩＤＴ電極のメタライゼーション・レシオ（フィン
ガー幅／（フィンガー幅＋ギャップ幅））は、通常０．
５にするのが一般的である。ところで、次世代セルラ
ー、特に、国内ディジタルセルラー（ＪＤＣ）の１ｓｔ
ＩＦ用ＳＡＷ共振子フィルタは、そのＩＦ中心周波数
ｆ0 が一般的に１３０．０ＭＨｚ付近に選ばれる。その
受信回路の第２局部発振周波数を、１ｓｔ ＩＦより高
い周波数に設定した場合には、周波数変換に伴うイメー
ジ周波数は、Ｉｓｔ ＩＦより高くなる。一般に、２ｎ
ｄ ＩＦは約４５０ｋＨｚを選ぶ場合が多く、この場
合、イメージ周波数（以下、イメージ点という。）は、
１ｓｔ ＩＦより約９００ＭＨｚ高い周波数となる。
際、ＩＤＴ電極のメタライゼーション・レシオ（フィン
ガー幅／（フィンガー幅＋ギャップ幅））は、通常０．
５にするのが一般的である。ところで、次世代セルラ
ー、特に、国内ディジタルセルラー（ＪＤＣ）の１ｓｔ
ＩＦ用ＳＡＷ共振子フィルタは、そのＩＦ中心周波数
ｆ0 が一般的に１３０．０ＭＨｚ付近に選ばれる。その
受信回路の第２局部発振周波数を、１ｓｔ ＩＦより高
い周波数に設定した場合には、周波数変換に伴うイメー
ジ周波数は、Ｉｓｔ ＩＦより高くなる。一般に、２ｎ
ｄ ＩＦは約４５０ｋＨｚを選ぶ場合が多く、この場
合、イメージ周波数（以下、イメージ点という。）は、
１ｓｔ ＩＦより約９００ＭＨｚ高い周波数となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な場合において、水晶基板使用のＳＡＷ共振子のＩＤＴ
電極のメタライゼーション・レシオを、通常のように、
０．５にすると、高周波側イメージ点の減衰量が６８ｄ
Ｂくらいとなり、不足していた。
な場合において、水晶基板使用のＳＡＷ共振子のＩＤＴ
電極のメタライゼーション・レシオを、通常のように、
０．５にすると、高周波側イメージ点の減衰量が６８ｄ
Ｂくらいとなり、不足していた。
【０００４】したがって、本発明は、ＩＦ中心周波数ｆ
0 の高域側イメージ点の相対減衰量を、例えば、７２〜
７５ｄＢ以上確保できるＳＡＷ共振子フィルタを提供す
ることを目的とする。
0 の高域側イメージ点の相対減衰量を、例えば、７２〜
７５ｄＢ以上確保できるＳＡＷ共振子フィルタを提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、横結合２重モ
ードＳＡＷ共振子フィルタにおいて、前記ＳＡＷ共振子
のＩＤＴ電極のメタライゼーション・レシオが０．６８
よりも大きな値であることを特徴とするＳＡＷ共振子フ
ィルタとしたものである。
ードＳＡＷ共振子フィルタにおいて、前記ＳＡＷ共振子
のＩＤＴ電極のメタライゼーション・レシオが０．６８
よりも大きな値であることを特徴とするＳＡＷ共振子フ
ィルタとしたものである。
【０００６】
【作用】本発明においては、ＳＡＷ共振子のＩＤＴフィ
ンガーのメタライゼーション・レシオが０．６８よりも
大きな値になるようにして、即ち、相対的にギャップ幅
を小さくして、フィンガ幅を大きくして、ＩＦ中心周波
数ｆ0 の高域側イメージ点での相対減衰量を、例えば、
７２〜７５ｄＢ以上確保することができる。
ンガーのメタライゼーション・レシオが０．６８よりも
大きな値になるようにして、即ち、相対的にギャップ幅
を小さくして、フィンガ幅を大きくして、ＩＦ中心周波
数ｆ0 の高域側イメージ点での相対減衰量を、例えば、
７２〜７５ｄＢ以上確保することができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明を図面を参照して説明する。図
１において、１０は水晶基板に設けられたＩＤＴフィン
ガーである。ここに、Ｌ1 をＩＤＴフィンガー幅、Ｌを
λ／２、ギャップ２０をＬ−Ｌ1 とすると、本発明にお
いては、メタライゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ（フィン
ガー幅＋ギャップ幅）≧０．６８とするものである。
１において、１０は水晶基板に設けられたＩＤＴフィン
ガーである。ここに、Ｌ1 をＩＤＴフィンガー幅、Ｌを
λ／２、ギャップ２０をＬ−Ｌ1 とすると、本発明にお
いては、メタライゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ（フィン
ガー幅＋ギャップ幅）≧０．６８とするものである。
【０００８】国内ディジタルセルラー（ＪＤＣ）の１ｓ
ｔ ＩＦ用横結合２重モードＳＡＷ共振子の２段縦続接
続のＳＡＷ共振子フィルタを表１の条件にて、試作し
て、フィンガー幅に対するイメージ点（ｆ0 ＋９００ｋ
Ｈｚ点）の相対減衰量（ピーク＝０ｄＢ）について調べ
たところ、図２のような結果を得た。この図２の補足説
明を表２に示す。
ｔ ＩＦ用横結合２重モードＳＡＷ共振子の２段縦続接
続のＳＡＷ共振子フィルタを表１の条件にて、試作し
て、フィンガー幅に対するイメージ点（ｆ0 ＋９００ｋ
Ｈｚ点）の相対減衰量（ピーク＝０ｄＢ）について調べ
たところ、図２のような結果を得た。この図２の補足説
明を表２に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】この図２より、ＩＤＴのフィンガー幅が大
きい方が、イメージ点の相対減衰量が大きくなる関係に
あることが理解される。このときの相関係数は、サンプ
ル数１２個トータルで、０．７５２であるが、膜厚範囲
を限定すると、０．８５以上となる。
きい方が、イメージ点の相対減衰量が大きくなる関係に
あることが理解される。このときの相関係数は、サンプ
ル数１２個トータルで、０．７５２であるが、膜厚範囲
を限定すると、０．８５以上となる。
【００１２】ＳＡＷ共振子フィルタに要求されるイメー
ジ点の相対減衰量は、セットメーカーによりまちまちだ
が、７２〜７５ｄＢが一般的である。図２より、イメー
ジ点の相対減衰量を７５ｄＢ以上とするには、フィンガ
ー幅Ｌ1 ≧８．２μｍ（メタライゼーション・レシオＬ
1 ／Ｌ≧０．６８に相当する。）とすればよい。
ジ点の相対減衰量は、セットメーカーによりまちまちだ
が、７２〜７５ｄＢが一般的である。図２より、イメー
ジ点の相対減衰量を７５ｄＢ以上とするには、フィンガ
ー幅Ｌ1 ≧８．２μｍ（メタライゼーション・レシオＬ
1 ／Ｌ≧０．６８に相当する。）とすればよい。
【００１３】なお、メタライゼーション・レシオＬ1 ／
Ｌの上限は、フォトリソグラフィーの精度との関連で、
フィンガー同志がショートしないところまで、可能であ
る。次に、国内ディジタルセルラー（ＪＤＣ）の１ｓｔ
ＩＦ（１３０ＭＨｚ）用横結合２重モードＳＡＷ共振
子の２段縦続接続のＳＡＷ共振子フィルタにおいて、そ
のＩＤＴフィンガー幅、即ち、メタライゼーション・レ
シオＬ1 ／Ｌを、変えた場合の相対減衰量特性につい
て、図面を用いて説明する。
Ｌの上限は、フォトリソグラフィーの精度との関連で、
フィンガー同志がショートしないところまで、可能であ
る。次に、国内ディジタルセルラー（ＪＤＣ）の１ｓｔ
ＩＦ（１３０ＭＨｚ）用横結合２重モードＳＡＷ共振
子の２段縦続接続のＳＡＷ共振子フィルタにおいて、そ
のＩＤＴフィンガー幅、即ち、メタライゼーション・レ
シオＬ1 ／Ｌを、変えた場合の相対減衰量特性につい
て、図面を用いて説明する。
【００１４】図３は、ＩＤＴフィンガー幅（Ｌ1 ＝７．
４５μｍｍ）、メタライゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ＝
０．６３の場合を示すものである。 ここに、１は、ｆ0 −９８０ＫＨｚ点 ２は、ｆ0 −
９００ＫＨｚ点 ３は、ｆ0 ＋９００ＫＨｚ点 ４は、ｆ0 ＋９８０Ｋ
Ｈｚ点 の減衰量を示す。図４および図５でも同じ。図４は、Ｉ
ＤＴフィンガー幅（Ｌ1 ＝８．１６μｍｍ）、メタライ
ゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ＝０．６８の場合を示すも
のである。図５は、ＩＤＴフィンガー幅（Ｌ1 ＝８．８
１μｍｍ）、メタライゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ＝
０．７２の場合を示すものである。この図３、図４およ
び図５によって、ＩＤＴフィンガー幅、即ち、メタライ
ゼーション・レシオを大きくすると、イメージ点３およ
びイメージ付近４での相対減衰量が大きくなっているこ
とが理解される。
４５μｍｍ）、メタライゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ＝
０．６３の場合を示すものである。 ここに、１は、ｆ0 −９８０ＫＨｚ点 ２は、ｆ0 −
９００ＫＨｚ点 ３は、ｆ0 ＋９００ＫＨｚ点 ４は、ｆ0 ＋９８０Ｋ
Ｈｚ点 の減衰量を示す。図４および図５でも同じ。図４は、Ｉ
ＤＴフィンガー幅（Ｌ1 ＝８．１６μｍｍ）、メタライ
ゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ＝０．６８の場合を示すも
のである。図５は、ＩＤＴフィンガー幅（Ｌ1 ＝８．８
１μｍｍ）、メタライゼーション・レシオＬ1 ／Ｌ＝
０．７２の場合を示すものである。この図３、図４およ
び図５によって、ＩＤＴフィンガー幅、即ち、メタライ
ゼーション・レシオを大きくすると、イメージ点３およ
びイメージ付近４での相対減衰量が大きくなっているこ
とが理解される。
【００１５】
【発明の効果】本発明においては、ＳＡＷ共振子のＩＤ
Ｔフィンガーのメタライゼーション・レシオが０．６８
よりも大きな値になるようにして、即ち、フィンガー幅
を大きく、ギャップ幅を小さくすることによって、ＩＦ
中心周波数ｆ0 の高域側イメージ点での相対減衰量を、
例えば、７２〜７５ｄＢ以上確保できるので、このメタ
ライゼーション・レシオを変えて、いろいろな市場のニ
ーズに対応することができる。
Ｔフィンガーのメタライゼーション・レシオが０．６８
よりも大きな値になるようにして、即ち、フィンガー幅
を大きく、ギャップ幅を小さくすることによって、ＩＦ
中心周波数ｆ0 の高域側イメージ点での相対減衰量を、
例えば、７２〜７５ｄＢ以上確保できるので、このメタ
ライゼーション・レシオを変えて、いろいろな市場のニ
ーズに対応することができる。
【図１】 本発明に関するメタライゼーション・レシオ
の説明図
の説明図
【図２】 ＩＤＴフィンガー幅に対する減衰量特性図
【図３】 ＩＤＴフィンガー幅をパラメーターとする周
波数減衰特性図
波数減衰特性図
【図４】 ＩＤＴフィンガー幅をパラメーターとする周
波数減衰特性図
波数減衰特性図
【図５】 ＩＤＴフィンガー幅をパラメーターとする周
波数減衰特性図
波数減衰特性図
１ ｆ0 −９８０ＫＨｚ点 ２ ｆ0 −９００ＫＨｚ点 ３ ｆ0 ＋９００ＫＨｚ点 ４ ｆ0 ＋９８０ＫＨｚ点 １０ ＩＤＴフィンガー ２０ ギャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 横結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
において、 前記ＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極のメタライゼーション・
レシオ（フィンガー幅／（フィンガー幅＋ギャップ
幅））が０．６８よりも大きな値であることを特徴とす
るＳＡＷ共振子フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16696493A JPH0730363A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | Ｓａｗ共振子フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16696493A JPH0730363A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | Ｓａｗ共振子フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730363A true JPH0730363A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15840888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16696493A Pending JPH0730363A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | Ｓａｗ共振子フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730363A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19513937A1 (de) * | 1994-04-13 | 1995-10-26 | Murata Manufacturing Co | Akustisches Oberflächenwellenfilter |
| DE19548045A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Siemens Matsushita Components | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Filter -OFW-Filter |
| EP1061646A1 (en) * | 1999-05-07 | 2000-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave device, and communication device |
| KR20020095121A (ko) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 및 그것을 사용한통신기 장치 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP16696493A patent/JPH0730363A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19513937A1 (de) * | 1994-04-13 | 1995-10-26 | Murata Manufacturing Co | Akustisches Oberflächenwellenfilter |
| USRE37102E1 (en) | 1994-04-13 | 2001-03-20 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Saw filter with specified electrode dimensions |
| DE19548045A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Siemens Matsushita Components | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Filter -OFW-Filter |
| EP1061646A1 (en) * | 1999-05-07 | 2000-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave device, and communication device |
| KR20020095121A (ko) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 및 그것을 사용한통신기 장치 |
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