JPH07300301A - 水素ガス製造装置 - Google Patents
水素ガス製造装置Info
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- JPH07300301A JPH07300301A JP9611194A JP9611194A JPH07300301A JP H07300301 A JPH07300301 A JP H07300301A JP 9611194 A JP9611194 A JP 9611194A JP 9611194 A JP9611194 A JP 9611194A JP H07300301 A JPH07300301 A JP H07300301A
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- Japan
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- hydrogen
- gas
- hydrogen gas
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
Landscapes
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】水とＧａを２９.８ ℃以上１００℃以下に保温
しながら、機械的に撹拌することで、水素ガスを連続的
に発生させることが可能であり、また撹拌速度により水
素ガス生成量の制御及び還元ガスによるＧａの再生を可
能とする水素ガス製造装置。 【効果】大気圧下、室温程度で液体Ｇａと水を接触させ
ることにより、水素ガスを製造できるため、省スペース
及びエネルギが可能である。
しながら、機械的に撹拌することで、水素ガスを連続的
に発生させることが可能であり、また撹拌速度により水
素ガス生成量の制御及び還元ガスによるＧａの再生を可
能とする水素ガス製造装置。 【効果】大気圧下、室温程度で液体Ｇａと水を接触させ
ることにより、水素ガスを製造できるため、省スペース
及びエネルギが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体ガリウムと水を反
応させることにより水素を製造する装置に関する。
応させることにより水素を製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】水素を製造する方法は、これまでいくつ
か検討されている。例えば、（１）メタンの水蒸気改質
法、（２）水の電気分解、（３）金属と酸または塩基水
溶液とを反応させる方法、（４）金属と水とを反応させ
る方法が有名である。また、（５）Ｇａ−Ａｌ合金と水
とを接触させることにより水素ガスを得る方法もある
（特開昭50−89296 号公報）。
か検討されている。例えば、（１）メタンの水蒸気改質
法、（２）水の電気分解、（３）金属と酸または塩基水
溶液とを反応させる方法、（４）金属と水とを反応させ
る方法が有名である。また、（５）Ｇａ−Ａｌ合金と水
とを接触させることにより水素ガスを得る方法もある
（特開昭50−89296 号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の方法に
は以下の問題点が有る。すなわち、（１）では未反応の
メタンと水蒸気をまた、副生成物である一酸化炭素や二
酸化炭素を水素と分離する処理装置が必要となる。
（２）では電気分解に大電力を必要とする。（３）では
酸または塩基水溶液の保管及び廃液処理等を行わなけれ
ばならない。（４）については上記の課題を低減してい
るが、なお、以下の課題を有している。金属はＮａ，
Ｋ，Ｆｅなどが主である。Ｎａ，Ｋは室温程度で水素を
製造できることから、エネルギ効率が良いことが最大の
利点である。しかし、反応性の強いＮａ，Ｋを大気中に
保管することではできず、厳重な保管設備が必要となる
ことが欠点である。Ｆｅは、室温では反応は進行せず、
赤熱状態で水蒸気と接触させる必要があり、加熱エネル
ギを要する。（５）ではＧａはＡｌの反応性を維持する
ための媒体に過ぎず、またＧａ中にＡｌが固溶すること
が指摘されている。
は以下の問題点が有る。すなわち、（１）では未反応の
メタンと水蒸気をまた、副生成物である一酸化炭素や二
酸化炭素を水素と分離する処理装置が必要となる。
（２）では電気分解に大電力を必要とする。（３）では
酸または塩基水溶液の保管及び廃液処理等を行わなけれ
ばならない。（４）については上記の課題を低減してい
るが、なお、以下の課題を有している。金属はＮａ，
Ｋ，Ｆｅなどが主である。Ｎａ，Ｋは室温程度で水素を
製造できることから、エネルギ効率が良いことが最大の
利点である。しかし、反応性の強いＮａ，Ｋを大気中に
保管することではできず、厳重な保管設備が必要となる
ことが欠点である。Ｆｅは、室温では反応は進行せず、
赤熱状態で水蒸気と接触させる必要があり、加熱エネル
ギを要する。（５）ではＧａはＡｌの反応性を維持する
ための媒体に過ぎず、またＧａ中にＡｌが固溶すること
が指摘されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は大気圧下、室
温程度で水素製造を行う方法が最善であると考え、鋭意
検討した結果、室温程度で液体となる金属と水との反応
から水素を得る、新規な水素製造方法を見出した。
温程度で水素製造を行う方法が最善であると考え、鋭意
検討した結果、室温程度で液体となる金属と水との反応
から水素を得る、新規な水素製造方法を見出した。
【０００５】一般に金属（Ｍ）と水とは次式に従って水
素を製造する。
素を製造する。
【０００６】
【化１】 Ｍ＋ｎＨ2Ｏ→ＭＯｘ＋ｍＨ2 …（化１） （ｎ，ｘ，ｍは任意数） 固体金属を用いた場合、表面に酸化膜（ＭＯｘ）を生成
するため、水との反応が妨げられ、または極度に反応性
が低下する。
するため、水との反応が妨げられ、または極度に反応性
が低下する。
【０００７】水中での液体金属は次の特性をもつ。
【０００８】 一般に液体金属の表面エネルギは水よ
り高いことから、水中では液体粒子として分散するし、
水と混合しない。
り高いことから、水中では液体粒子として分散するし、
水と混合しない。
【０００９】 液体であり、かつ、の性質を利用す
ることで、機械的に撹拌することで液体金属を液体粒子
として分散させることが可能である。
ることで、機械的に撹拌することで液体金属を液体粒子
として分散させることが可能である。
【００１０】 において、撹拌エネルギ強度により
粒子分散度（粒径と粒子数）を制御することができる。
粒子分散度（粒径と粒子数）を制御することができる。
【００１１】この特性を利用し、図１に示す水素製造装
置を発明するに至った。液体金属を撹拌することで、液
体金属の微粒化が進行し、液体金属表面は新規清浄面が
露出（表面更新）するため、新たな水との反応場が得ら
れる。
置を発明するに至った。液体金属を撹拌することで、液
体金属の微粒化が進行し、液体金属表面は新規清浄面が
露出（表面更新）するため、新たな水との反応場が得ら
れる。
【００１２】室温程度で空気と激しく反応せずに液体状
態である金属は、Ｈｇ（融点−38.9℃）とＧａ（融点２
９.８℃）である。液体Ｈｇの表面張力は４８３.４dyn
／cm（Ｈ2 中）であり、液体Ｇａは７３５dyn／cm（Ｈ
2 中)である。水の表面張力は約７６dyn／cm であり、
液体Ｈｇ及びＧａに比べはるかに小さいため、Ｈｇ及び
Ｇａは水中で液体粒子を形成することができる可能性が
ある。しかし、本発明者は３０℃程度の水中ではＨｇは
液体粒子として分散せず大きな塊として存在すること、
また水素ガスの生成も認められないことを確認した。一
方、液体Ｇａを用いた場合は、水中で微粒子への分散と
水素ガスの生成が確認できた。従って、液体Ｇａのみが
水中で３０℃程度に保つことにより、微粒子への分散と
水素ガス生成が可能であることを発見した。本発明では
この液体Ｇａの性質を利用した、水素ガス製造制御と表
面酸化ＧａのＧａへの再生を組み込んだことを特徴とす
る装置（図１）を発明した。本発明装置の特徴を次に示
す。
態である金属は、Ｈｇ（融点−38.9℃）とＧａ（融点２
９.８℃）である。液体Ｈｇの表面張力は４８３.４dyn
／cm（Ｈ2 中）であり、液体Ｇａは７３５dyn／cm（Ｈ
2 中)である。水の表面張力は約７６dyn／cm であり、
液体Ｈｇ及びＧａに比べはるかに小さいため、Ｈｇ及び
Ｇａは水中で液体粒子を形成することができる可能性が
ある。しかし、本発明者は３０℃程度の水中ではＨｇは
液体粒子として分散せず大きな塊として存在すること、
また水素ガスの生成も認められないことを確認した。一
方、液体Ｇａを用いた場合は、水中で微粒子への分散と
水素ガスの生成が確認できた。従って、液体Ｇａのみが
水中で３０℃程度に保つことにより、微粒子への分散と
水素ガス生成が可能であることを発見した。本発明では
この液体Ｇａの性質を利用した、水素ガス製造制御と表
面酸化ＧａのＧａへの再生を組み込んだことを特徴とす
る装置（図１）を発明した。本発明装置の特徴を次に示
す。
【００１３】（ａ）液体Ｇａ分散用の撹拌子を有する。
【００１４】（ｂ）容器底が円錐型となっている。
【００１５】（ｃ）容器底部に水供給及び排出装置を有
する。
する。
【００１６】（ｄ）容器底部に酸化Ｇａ還元ガス供給装
置を有する。
置を有する。
【００１７】（ｅ）容器上部にガス排出装置を有する。
【００１８】（ｆ）水素発生温度は、２９.８ ℃以上１
００℃以下とする。
００℃以下とする。
【００１９】（ａ）により液体Ｇａは水中で分散され
る。撹拌子の形状はプロペラ型，棒状，容器底部と同様
の型でもよく、機械的にＧａを粉砕する能力を有するも
のであれば良い。また撹拌子の数は一つでも複数個でも
良い。また、撹拌子は容器の上下方向に動く方式とし、
撹拌効率を向上させても良い。撹拌子の回転速度は可変
であり、撹拌を停止することで分散を停止させることが
できる。このとき、液体Ｇａの比重は６ｇ／ｃｃと水よ
り重いため容器底部に沈降する。容器底部が円錐型とな
っていることで、沈降Ｇａは容器の一ヶ所に集めること
ができる。生成水素は容器の上部に設けた水素排出装置
から取り出す。必要とする水素純度に応じて水素排出装
置の後段に水蒸気吸着剤または冷却装置を設置して乾燥
水素を得ることができる。水素生成の停止方法は、撹拌
子の回転を止める方法と液体Ｇａを冷却して固体にする
方法がある。液体Ｇａの冷却は、水温またはＧａ周囲の
温度を下げれば良い。水温調整方法は、容器を加熱また
は冷却するか、温水または冷水を供給することでも可能
である。冷却温度は、０℃以上２０℃以下が望ましい。
酸化Ｇａの再生は容器底部に集めた後、水を水排出装置
から除き、還元ガスを供給して行う。このとき、Ｇａ粒
子が容器外で排出されないようフィルタを設けても良い
し、（ｃ）の装置を容器底部ではなく、底部より上部に
することで、沈降後に水排出を行えば容器外へのＧａ排
出を防げる。還元ガスとして、ＣＯ，アルコール類（メ
タノール，エタノール等）がある。還元ガスの温度は２
００℃以上６００℃以下であり、４００℃程度が望まし
い。このように、Ｇａの液化，水素生成，酸化Ｇａの再
生を繰り返すことで効率良く水素を製造することが可能
となる。
る。撹拌子の形状はプロペラ型，棒状，容器底部と同様
の型でもよく、機械的にＧａを粉砕する能力を有するも
のであれば良い。また撹拌子の数は一つでも複数個でも
良い。また、撹拌子は容器の上下方向に動く方式とし、
撹拌効率を向上させても良い。撹拌子の回転速度は可変
であり、撹拌を停止することで分散を停止させることが
できる。このとき、液体Ｇａの比重は６ｇ／ｃｃと水よ
り重いため容器底部に沈降する。容器底部が円錐型とな
っていることで、沈降Ｇａは容器の一ヶ所に集めること
ができる。生成水素は容器の上部に設けた水素排出装置
から取り出す。必要とする水素純度に応じて水素排出装
置の後段に水蒸気吸着剤または冷却装置を設置して乾燥
水素を得ることができる。水素生成の停止方法は、撹拌
子の回転を止める方法と液体Ｇａを冷却して固体にする
方法がある。液体Ｇａの冷却は、水温またはＧａ周囲の
温度を下げれば良い。水温調整方法は、容器を加熱また
は冷却するか、温水または冷水を供給することでも可能
である。冷却温度は、０℃以上２０℃以下が望ましい。
酸化Ｇａの再生は容器底部に集めた後、水を水排出装置
から除き、還元ガスを供給して行う。このとき、Ｇａ粒
子が容器外で排出されないようフィルタを設けても良い
し、（ｃ）の装置を容器底部ではなく、底部より上部に
することで、沈降後に水排出を行えば容器外へのＧａ排
出を防げる。還元ガスとして、ＣＯ，アルコール類（メ
タノール，エタノール等）がある。還元ガスの温度は２
００℃以上６００℃以下であり、４００℃程度が望まし
い。このように、Ｇａの液化，水素生成，酸化Ｇａの再
生を繰り返すことで効率良く水素を製造することが可能
となる。
【００２０】この他の製造装置として、図２に示すよう
に液体Ｇａ中へ水蒸気をバブリングする装置がある。バ
ブリングにより液体Ｇａの表面の更新が行われる。酸化
Ｇａの再生は、還元ガスを水蒸気と同様にバブリングす
ることで行うことが可能である。
に液体Ｇａ中へ水蒸気をバブリングする装置がある。バ
ブリングにより液体Ｇａの表面の更新が行われる。酸化
Ｇａの再生は、還元ガスを水蒸気と同様にバブリングす
ることで行うことが可能である。
【００２１】本発明の応用システムとして、図３に炭化
水素類及び含酸素炭化水素類製造システムを示す。本シ
ステムは水素製造装置（１１と１２は同一装置）を複数
基必要とする。水素製造装置１１で水素ガスを製造し、
ＣＯｘ（０≦ｘ≦２）−水素反応装置１５へ水素ガスを
導く。水素製造装置１２は酸化ＧａをＧａに還元する工
程である。還元ガスであるＣＯを１２に供給すること
で、酸化ＧａはＧａに還元再生することで再び水素ガス
製造が可能となる。このとき、ＣＯガスはＣＯ2ガスへ
と酸化する。ＣＯ2 ガスを１５に供給し、前述の水素ガ
スと接触反応させることで、炭化水素類及び含酸素炭化
水素類を製造する。この反応として、フィッシャートロ
プシュ反応，高圧メタノール合成等のＣＯ水素化反応が
ある。このシステムは、１１で水素ガス製造効率がＧａ
の酸化により低下したときに、１２でＧａの再生が行わ
れており、１２を水素ガス製造に１１をＧａ還元に切り
替える、１１と１２のサイクルシステムとすることで、
炭化水素類及び含酸素炭化水素類製造を連続的に行うこ
とが可能となる。炭化水素類及び含酸素炭化水素類は化
学工業の原料として、また燃料として利用することがで
きる。また、燃料として利用した場合、燃焼排気ガスを
ＣＯガスとして取り出すことができればＣＯ供給装置１
３にリサイクルすることも可能である。
水素類及び含酸素炭化水素類製造システムを示す。本シ
ステムは水素製造装置（１１と１２は同一装置）を複数
基必要とする。水素製造装置１１で水素ガスを製造し、
ＣＯｘ（０≦ｘ≦２）−水素反応装置１５へ水素ガスを
導く。水素製造装置１２は酸化ＧａをＧａに還元する工
程である。還元ガスであるＣＯを１２に供給すること
で、酸化ＧａはＧａに還元再生することで再び水素ガス
製造が可能となる。このとき、ＣＯガスはＣＯ2ガスへ
と酸化する。ＣＯ2 ガスを１５に供給し、前述の水素ガ
スと接触反応させることで、炭化水素類及び含酸素炭化
水素類を製造する。この反応として、フィッシャートロ
プシュ反応，高圧メタノール合成等のＣＯ水素化反応が
ある。このシステムは、１１で水素ガス製造効率がＧａ
の酸化により低下したときに、１２でＧａの再生が行わ
れており、１２を水素ガス製造に１１をＧａ還元に切り
替える、１１と１２のサイクルシステムとすることで、
炭化水素類及び含酸素炭化水素類製造を連続的に行うこ
とが可能となる。炭化水素類及び含酸素炭化水素類は化
学工業の原料として、また燃料として利用することがで
きる。また、燃料として利用した場合、燃焼排気ガスを
ＣＯガスとして取り出すことができればＣＯ供給装置１
３にリサイクルすることも可能である。
【００２２】還元用ＣＯガスは火力発電所や自動車等の
内燃機関からの燃焼排ガス中に含まれるＣＯガスを利用
することもできる。また、フロン分解プロセスにおい
て、分解したフロンはＣＯ及びＣＯ2 ガスとなるため、
プロセスに本炭化水素類及び含酸素炭化水素類製造シス
テムを組み込むことが可能である。
内燃機関からの燃焼排ガス中に含まれるＣＯガスを利用
することもできる。また、フロン分解プロセスにおい
て、分解したフロンはＣＯ及びＣＯ2 ガスとなるため、
プロセスに本炭化水素類及び含酸素炭化水素類製造シス
テムを組み込むことが可能である。
【００２３】
【作用】一般に、金属の酸化反応で水から水素を得る方
法では、金属表面に生成する酸化膜が水素生成反応の妨
げとなる。本発明による液体金属であれば、機械的に撹
拌することで清浄金属表面を露出させることができるた
め、酸化膜による反応妨害を回避することが可能とな
る。
法では、金属表面に生成する酸化膜が水素生成反応の妨
げとなる。本発明による液体金属であれば、機械的に撹
拌することで清浄金属表面を露出させることができるた
め、酸化膜による反応妨害を回避することが可能とな
る。
【００２４】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２５】（実施例１）外径３０mmのパイレックス製
ガラス管にＧａを１ｇ，３２℃に保たれた水（２０cc）
及びテフロンでコートされた撹拌子（長さ２５mm）を入
れた後、管内を乾燥窒素で充分に置換し、シリコン栓で
密栓する。その管を３２℃の恒温槽に浸し、マグネック
スターラで撹拌した。撹拌速度は３５０rpm とした。撹
拌開始から６０時間後には水素約５００ccが得られた。
ガラス管にＧａを１ｇ，３２℃に保たれた水（２０cc）
及びテフロンでコートされた撹拌子（長さ２５mm）を入
れた後、管内を乾燥窒素で充分に置換し、シリコン栓で
密栓する。その管を３２℃の恒温槽に浸し、マグネック
スターラで撹拌した。撹拌速度は３５０rpm とした。撹
拌開始から６０時間後には水素約５００ccが得られた。
【００２６】（比較例１）ＧａをＨｇに変えた以外は実
施例１と同様の試験を行った。撹拌開始から６０時間後
にも、Ｈｇは分散せず、水素は得られなかった。
施例１と同様の試験を行った。撹拌開始から６０時間後
にも、Ｈｇは分散せず、水素は得られなかった。
【００２７】（実施例２）図１に示す装置を用いて、実
施例１と同様の条件で６０時間撹拌したところ、実施例
１と同様の結果が得られた。
施例１と同様の条件で６０時間撹拌したところ、実施例
１と同様の結果が得られた。
【００２８】（実施例３）実施例２の後、水を抜き、Ｇ
ａ還元ガスとしてＣＯガスを約４００℃で流通させたと
ころ、液体Ｇａを再生することができた。回収Ｇａの重
量は０.１ｇ 程度減少したが、これは容器壁面に付着し
た損失であるが、繰り返し試験に支障はなかった。
ａ還元ガスとしてＣＯガスを約４００℃で流通させたと
ころ、液体Ｇａを再生することができた。回収Ｇａの重
量は０.１ｇ 程度減少したが、これは容器壁面に付着し
た損失であるが、繰り返し試験に支障はなかった。
【００２９】（実施例４）実験２において得られた水素
ガスを室温でモレキュラシーブ５Ａに流通させたとこ
ろ、乾燥水素ガスを得ることができた。
ガスを室温でモレキュラシーブ５Ａに流通させたとこ
ろ、乾燥水素ガスを得ることができた。
【００３０】（実施例５）図２に示す装置を用い、Ｇａ
を６ｇ入れて、水蒸気を装置下部から流通させた。直ぐ
にＧａは液化し、水蒸気によるバブリングと水素生成が
認められた。反応終了後に４００℃のＣＯを流通させる
と、ＣＯによるバブリングとＧａの再生が起きた。
を６ｇ入れて、水蒸気を装置下部から流通させた。直ぐ
にＧａは液化し、水蒸気によるバブリングと水素生成が
認められた。反応終了後に４００℃のＣＯを流通させる
と、ＣＯによるバブリングとＧａの再生が起きた。
【００３１】（実施例６）実施例１により製造した水素
ガスと実施例３により製造したＣＯ2 を、大気圧下３０
０℃に加熱した２ｗｔ％Ｒｈ含有酸化アルミニウム触媒
に空間速度20,000［１／ｈ］で流通させたところ、ＣＯ
2 の５０％がメタンに転換した。また、Ｃｕ／Ｚｎ／Ａ
ｌ2Ｏ3（Ｃｕ：Ｚｎ＝３０ｗｔ％：７０ｗｔ％）に５０
気圧，１５０℃で空間速度５,０００［１／ｈ］で流通
させたところ、ＣＯ2の１０％がメタノールへ転換し
た。
ガスと実施例３により製造したＣＯ2 を、大気圧下３０
０℃に加熱した２ｗｔ％Ｒｈ含有酸化アルミニウム触媒
に空間速度20,000［１／ｈ］で流通させたところ、ＣＯ
2 の５０％がメタンに転換した。また、Ｃｕ／Ｚｎ／Ａ
ｌ2Ｏ3（Ｃｕ：Ｚｎ＝３０ｗｔ％：７０ｗｔ％）に５０
気圧，１５０℃で空間速度５,０００［１／ｈ］で流通
させたところ、ＣＯ2の１０％がメタノールへ転換し
た。
【００３２】（実施例７）実施例３において、還元ガス
としてＡ／Ｆ＝１４.７ 相当の自動車排ガスを用いたと
ころ、酸化ＧａのＧａへ還元できた。
としてＡ／Ｆ＝１４.７ 相当の自動車排ガスを用いたと
ころ、酸化ＧａのＧａへ還元できた。
【００３３】（実施例８）実施例３において、フロン１
１３をＦｅＣｌ3 ／活性炭にエタール存在下300℃で流
通させ、塩化エチル及び塩化水素を回収したガスをＧａ
還元ガスとしたところ、酸化ＧａのＧａへ還元できた。
１３をＦｅＣｌ3 ／活性炭にエタール存在下300℃で流
通させ、塩化エチル及び塩化水素を回収したガスをＧａ
還元ガスとしたところ、酸化ＧａのＧａへ還元できた。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、Ｇａと水から室温程度
で水素を製造することができる。
で水素を製造することができる。
【００３５】また、本製造装置は水素製造とＧａ再生を
同一装置で行うことが可能であるので、コンパクト性に
優れている。さらに、反応温度は室温程度であるため、
主として熱エネルギを消費するのは酸化Ｇａの再生時、
運動エネルギは撹拌動力であり、エネルギ的にも効率が
良いと考えられる。
同一装置で行うことが可能であるので、コンパクト性に
優れている。さらに、反応温度は室温程度であるため、
主として熱エネルギを消費するのは酸化Ｇａの再生時、
運動エネルギは撹拌動力であり、エネルギ的にも効率が
良いと考えられる。
【図１】撹拌式水素製造装置の説明図。
【図２】バブリング式水素製造装置のブロック図。
【図３】炭化水素類及び含酸素炭化水素類製造システム
のブロック図。
のブロック図。
１…容器、２…撹拌装置、３…撹拌子、４…水供給排出
装置、５…還元剤供給装置、６…水素ガス排出装置、７
…液体Ｇａ粒子、８…水、９…水素ガス乾燥装置。
装置、５…還元剤供給装置、６…水素ガス排出装置、７
…液体Ｇａ粒子、８…水、９…水素ガス乾燥装置。
フロントページの続き (72)発明者 宮寺 博 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (12)
- 【請求項１】容器内に水とガリウムを入れ、２９.８ ℃
以上１００℃以下に保温しながら撹拌装置により機械的
に撹拌することにより水素ガスを得て、前記容器の上部
に水素排出装置を有することを特徴とする水素ガス製造
装置。 - 【請求項２】請求項１において、撹拌速度を制御するこ
とで水素発生量を制御する水素ガス製造装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記容器の底部が円錐
型となっている水素ガス製造装置。 - 【請求項４】請求項１において、前記容器の底部に酸化
Ｇａを還元するための還元ガス供給装置を有する水素ガ
ス製造装置。 - 【請求項５】請求項１において、前記水素排出装置の後
段に水素ガスと水との分離装置として、ゼオライトやシ
リカゲルなどの水吸着剤を用いる水素ガス製造装置。 - 【請求項６】請求項１において、前記水素排出装置の後
段に水素ガスと水との分離装置として、水の凝固点以下
に保たれた恒温槽を用いる水素ガス製造装置。 - 【請求項７】請求項１において、前記容器に水供給排出
装置を有する水素ガス製造装置。 - 【請求項８】水とＧａを内容物とする底部が円錐形であ
る容器内部を２９.８ ℃から１００℃に保温し、前記内
容物を撹拌することで水素ガスを発生させ、水素ガスを
外部に取り出すための水素ガス排出装置、及び酸化Ｇａ
を還元するための還元ガスを供給するための還元ガス供
給装置を有することを特徴とする水素ガス製造装置。 - 【請求項９】液体Ｇａ中へ水蒸気をバブリングすること
を特徴とする水素ガス製造装置。 - 【請求項１０】液体Ｇａと水とを接触させることにより
水素ガスを得る水素製造装置から得られた水素ガスと、
酸化Ｇａと還元ガスＣＯを接触させることによりＣＯ2
ガスとＧａを得る酸化Ｇａ還元装置から得られるＣＯ2
ガスとを接触反応させることにより、メタン及びエタン
等の炭化水素類及びアルコール及びアルデヒド等の含酸
素炭化水素類を得ることを特徴とするＧａリサイクルシ
ステム。 - 【請求項１１】請求項１０において、燃焼排ガス中に含
まれるＣＯガスを還元ガスとする炭化水素類及び含酸素
炭化水素類製造システム。 - 【請求項１２】請求項１０において、フロン分解プロセ
スにおいて生成するＣＯガスを還元ガスとする炭化水素
類及び含酸素炭化水素類製造システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9611194A JPH07300301A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 水素ガス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9611194A JPH07300301A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 水素ガス製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300301A true JPH07300301A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14156285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9611194A Pending JPH07300301A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 水素ガス製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07300301A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002137903A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Toyota Motor Corp | 水素ガス生成装置 |
| JP2003012301A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Ulvac Japan Ltd | 水素ガス生成用組成物、水素ガス生成方法、水素ガス生成装置及び発電機 |
| JP2009215114A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Kobelco Kaken:Kk | 水素発生用カートリッジ |
| JP2014019590A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 硝酸ガリウム水溶液の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP9611194A patent/JPH07300301A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002137903A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Toyota Motor Corp | 水素ガス生成装置 |
| JP2003012301A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Ulvac Japan Ltd | 水素ガス生成用組成物、水素ガス生成方法、水素ガス生成装置及び発電機 |
| JP2009215114A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Kobelco Kaken:Kk | 水素発生用カートリッジ |
| JP2014019590A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 硝酸ガリウム水溶液の製造方法 |
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