JPH07297156A - 水素ラジカル発生装置 - Google Patents
水素ラジカル発生装置Info
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- JPH07297156A JPH07297156A JP6088581A JP8858194A JPH07297156A JP H07297156 A JPH07297156 A JP H07297156A JP 6088581 A JP6088581 A JP 6088581A JP 8858194 A JP8858194 A JP 8858194A JP H07297156 A JPH07297156 A JP H07297156A
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- hydrogen
- filament
- conical pipe
- hydrogen radical
- substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高ラジカル発生効率で、かつ不純物汚染の問
題を少なくすることのできる、水素ラジカル発生装置を
提供する。 【構成】 高融点金属よりなる円錐パイプ１の内側にフ
ィラメント２が配置される。円錐パイプ１はＰＢＮリン
グ３により保持され、周囲とは電気的に絶縁されてい
る。水素ラジカル発生装置に導入された水素４は円錐パ
イプ１により、フィラメント２の近傍に集められ、フィ
ラメント２と接触した水素分子は、解離して水素ラジカ
ル５となり、基板６に照射される。又、脱ガス防止カバ
ー７を、水素ラジカル発生装置の高温部を覆うように上
からかぶせ、その開口部８をフィラメント２からの輻
射、および発生した水素ラジカル５のうち、基板６以外
の方向成分をすべて遮断するように設計することも効果
的である。
題を少なくすることのできる、水素ラジカル発生装置を
提供する。 【構成】 高融点金属よりなる円錐パイプ１の内側にフ
ィラメント２が配置される。円錐パイプ１はＰＢＮリン
グ３により保持され、周囲とは電気的に絶縁されてい
る。水素ラジカル発生装置に導入された水素４は円錐パ
イプ１により、フィラメント２の近傍に集められ、フィ
ラメント２と接触した水素分子は、解離して水素ラジカ
ル５となり、基板６に照射される。又、脱ガス防止カバ
ー７を、水素ラジカル発生装置の高温部を覆うように上
からかぶせ、その開口部８をフィラメント２からの輻
射、および発生した水素ラジカル５のうち、基板６以外
の方向成分をすべて遮断するように設計することも効果
的である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水素ラジカル発生装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ホットフィラメントにより水素ラジカル
を発生させる装置として、水素クラッキングセルがある
（ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、３０巻、Ｌ４０２
頁、１９９１年）。その構造を図２に示す。このセルで
は、長さ１００mmのタングステンによるフィラメント２
が、内径４mmφのＢＮパイプ（窒化ホウ素パイプ）９の
中に配置される。フィラメント２に電流を流して高温に
し、ＢＮパイプ９に水素４を流すと水素分子が解離して
原子状水素、すなわち水素ラジカル５が発生する。
を発生させる装置として、水素クラッキングセルがある
（ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、３０巻、Ｌ４０２
頁、１９９１年）。その構造を図２に示す。このセルで
は、長さ１００mmのタングステンによるフィラメント２
が、内径４mmφのＢＮパイプ（窒化ホウ素パイプ）９の
中に配置される。フィラメント２に電流を流して高温に
し、ＢＮパイプ９に水素４を流すと水素分子が解離して
原子状水素、すなわち水素ラジカル５が発生する。
【０００３】水素ラジカルを発生させる装置として、ホ
ットフィラメントを用いずに熱キャピラリーを用いる方
法もある（特開平５−８９０号公報等）。この方法によ
れば、高融点金属よりなる多数の細管中に水素を通すこ
とで高いラジカル発生効率が得られる。
ットフィラメントを用いずに熱キャピラリーを用いる方
法もある（特開平５−８９０号公報等）。この方法によ
れば、高融点金属よりなる多数の細管中に水素を通すこ
とで高いラジカル発生効率が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】水素ラジカルを発生さ
せるための温度は１５００〜２０００℃と、非常に高温
である。半導体製造装置内で、基板の清浄化プロセスで
水素ラジカルを用いる場合、水素ラジカル発生装置周辺
からの脱ガスが問題となる。特に蒸気圧の高いＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体材料などを使用する場合は深刻である。した
がって、温度に対して発生熱量が小さくて済むホットフ
ィラメントによるラジカル発生が不可欠である。それで
も蒸気圧の高い材料を使用している場合、フィラメント
の熱による周囲からの脱ガスによりかえって基板を汚染
させてしまう場合があった。
せるための温度は１５００〜２０００℃と、非常に高温
である。半導体製造装置内で、基板の清浄化プロセスで
水素ラジカルを用いる場合、水素ラジカル発生装置周辺
からの脱ガスが問題となる。特に蒸気圧の高いＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体材料などを使用する場合は深刻である。した
がって、温度に対して発生熱量が小さくて済むホットフ
ィラメントによるラジカル発生が不可欠である。それで
も蒸気圧の高い材料を使用している場合、フィラメント
の熱による周囲からの脱ガスによりかえって基板を汚染
させてしまう場合があった。
【０００５】ところで、フィラメントは細いほど温度に
対して発生熱量は小さくなるが、水素がフィラメントと
衝突する断面積が減少し、ラジカル発生効率が低下す
る。ホットフィラメントを用いた従来例ではこの問題を
回避するために、窒化ホウ素のパイプ中にフィラメント
を配置しているが、今度は窒化ホウ素からの脱ガスが問
題となる。フィラメント温度は前述のように、１５００
〜２０００℃と非常に高温であるため、ホウ素汚染の問
題が発生する。
対して発生熱量は小さくなるが、水素がフィラメントと
衝突する断面積が減少し、ラジカル発生効率が低下す
る。ホットフィラメントを用いた従来例ではこの問題を
回避するために、窒化ホウ素のパイプ中にフィラメント
を配置しているが、今度は窒化ホウ素からの脱ガスが問
題となる。フィラメント温度は前述のように、１５００
〜２０００℃と非常に高温であるため、ホウ素汚染の問
題が発生する。
【０００６】この問題を解決するために、例えば窒化ホ
ウ素のパイプを高融点金属のパイプに置き換えたとする
と、電気的絶縁の問題が発生する。高融点金属からなる
パイプにフィラメントが接触すると、電流がリークして
所望の温度までフィラメント全体を加熱することは不可
能になる。この問題を回避するためには、フィラメント
の経時変化による変形も考慮した上で、パイプ径をフィ
ラメントに対して十分大きく取る必要がある。そうする
と、先ほどのラジカル発生効率の低下の問題が現れる。
ウ素のパイプを高融点金属のパイプに置き換えたとする
と、電気的絶縁の問題が発生する。高融点金属からなる
パイプにフィラメントが接触すると、電流がリークして
所望の温度までフィラメント全体を加熱することは不可
能になる。この問題を回避するためには、フィラメント
の経時変化による変形も考慮した上で、パイプ径をフィ
ラメントに対して十分大きく取る必要がある。そうする
と、先ほどのラジカル発生効率の低下の問題が現れる。
【０００７】また、水素ラジカルは活性であるため、基
板以外の領域に照射されたラジカルが装置内壁に付着し
た材料と反応して水素化物を生成し、それが汚染の原因
となることがあった。例えば、Ｔｅを含む材料が付着し
た半導体製造装置内で水素ラジカルをＳｉ基板上に照射
したとき、Ｓｉ表面にＴｅの汚染がＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）により観測された（図３）。
板以外の領域に照射されたラジカルが装置内壁に付着し
た材料と反応して水素化物を生成し、それが汚染の原因
となることがあった。例えば、Ｔｅを含む材料が付着し
た半導体製造装置内で水素ラジカルをＳｉ基板上に照射
したとき、Ｓｉ表面にＴｅの汚染がＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）により観測された（図３）。
【０００８】本発明はこのような従来の事情に鑑みてな
されたもので、高ラジカル発生効率で、かつ不純物汚染
の問題を少なくすることのできる、水素ラジカル発生装
置を提供することを目的とする。
されたもので、高ラジカル発生効率で、かつ不純物汚染
の問題を少なくすることのできる、水素ラジカル発生装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明の水素ラジカル発生装置においては、ホ
ットフィラメントにより水素ラジカルを発生する装置に
おいて、高融点金属よりなる円錐パイプと、該円錐パイ
プの内部に配置されたタングステン等よりなるフィラメ
ントとを備え、かつ円錐パイプは、フィラメントやその
他の周囲物とは電気的に絶縁されていることを特徴とし
ている。絶縁方法としては、高融点金属よりなる円錐パ
イプ中に絶縁材料を塗布することも可能であるが、ＰＢ
Ｎ、窒化アルミ、アルミナ等の絶縁材料よりなるリング
を用い円錐パイプを固定することによって絶縁すること
が好ましい。又円錐パイプの先端部の径をフィラメント
のサイズ近くまで絞るとさらに高効率に水素ラジカルの
発生が可能となる。又、タングステン、タンタル、また
はレニウム等の高融点金属は蒸気圧が低いため、さらに
効果的である。
め、第１の発明の水素ラジカル発生装置においては、ホ
ットフィラメントにより水素ラジカルを発生する装置に
おいて、高融点金属よりなる円錐パイプと、該円錐パイ
プの内部に配置されたタングステン等よりなるフィラメ
ントとを備え、かつ円錐パイプは、フィラメントやその
他の周囲物とは電気的に絶縁されていることを特徴とし
ている。絶縁方法としては、高融点金属よりなる円錐パ
イプ中に絶縁材料を塗布することも可能であるが、ＰＢ
Ｎ、窒化アルミ、アルミナ等の絶縁材料よりなるリング
を用い円錐パイプを固定することによって絶縁すること
が好ましい。又円錐パイプの先端部の径をフィラメント
のサイズ近くまで絞るとさらに高効率に水素ラジカルの
発生が可能となる。又、タングステン、タンタル、また
はレニウム等の高融点金属は蒸気圧が低いため、さらに
効果的である。
【００１０】又、第２の発明における水素ラジカル発生
装置においては、ラジカル照射が必要な方向のみに開口
部を設けた脱ガス抑止カバーを有することを特徴とする
ものである。
装置においては、ラジカル照射が必要な方向のみに開口
部を設けた脱ガス抑止カバーを有することを特徴とする
ものである。
【００１１】
【作用】このような構造を持った第１の発明における水
素ラジカル発生装置においては、原料となる水素は円錐
パイプにより強制的にフィラメントの周りに集められ
る。そのため、水素分子がフィラメントと接触する確率
が高められ、ラジカル発生効率が向上する。また、フィ
ラメントと基板との間に遮蔽物は無いので、発生した水
素ラジカルが基板に到達するまでに他の元素と反応して
しまう可能性が極めて低くなる。なお、フィラメントが
経時変化により変形すると、円錐パイプの先端部とフィ
ラメントが接触する可能性があるが、円錐パイプを周り
とは電気的に絶縁すれば、電流がそこでリークすること
はない。また、接触により円錐パイプの温度が上がる可
能性があるが、円錐パイプは高融点金属からなり、その
蒸気圧は極めて小さく脱ガスの問題はない。もし、円錐
パイプとフィラメントとの接触部の温度が局所的に高く
なって、フィラメント温度に近づいたとしても、そこで
水素ラジカル発生が起こり、ラジカル発生効率の向上に
寄与するだけである。
素ラジカル発生装置においては、原料となる水素は円錐
パイプにより強制的にフィラメントの周りに集められ
る。そのため、水素分子がフィラメントと接触する確率
が高められ、ラジカル発生効率が向上する。また、フィ
ラメントと基板との間に遮蔽物は無いので、発生した水
素ラジカルが基板に到達するまでに他の元素と反応して
しまう可能性が極めて低くなる。なお、フィラメントが
経時変化により変形すると、円錐パイプの先端部とフィ
ラメントが接触する可能性があるが、円錐パイプを周り
とは電気的に絶縁すれば、電流がそこでリークすること
はない。また、接触により円錐パイプの温度が上がる可
能性があるが、円錐パイプは高融点金属からなり、その
蒸気圧は極めて小さく脱ガスの問題はない。もし、円錐
パイプとフィラメントとの接触部の温度が局所的に高く
なって、フィラメント温度に近づいたとしても、そこで
水素ラジカル発生が起こり、ラジカル発生効率の向上に
寄与するだけである。
【００１２】第２の発明における水素ラジカル発生装置
における脱ガス抑止カバーは、基板方向に開けられた開
口部を除いて、水素ラジカル発生装置の高温部を覆う構
造になっている。そのため、基板方向以外のフィラメン
トからの輻射は、すべてこれにより遮断され、周辺部か
らの脱ガスを防止する。
における脱ガス抑止カバーは、基板方向に開けられた開
口部を除いて、水素ラジカル発生装置の高温部を覆う構
造になっている。そのため、基板方向以外のフィラメン
トからの輻射は、すべてこれにより遮断され、周辺部か
らの脱ガスを防止する。
【００１３】また、水素ラジカルも基板方向以外は遮断
され、装置内壁に付着した材料との反応を極力減らすこ
とができる。脱ガス防止カバーにより遮断された水素ラ
ジカルは、脱ガス防止カバーの内面に吸着するか、反応
性の少ない水素分子となって再放出される。ただし、脱
ガス防止カバーの材料としては、水素ラジカルと反応し
て水素化物を生成しないものである必要がある。このよ
うなものとしてタングステン、タンタル、レニウム、Ｐ
ＢＮ等が使用できる。
され、装置内壁に付着した材料との反応を極力減らすこ
とができる。脱ガス防止カバーにより遮断された水素ラ
ジカルは、脱ガス防止カバーの内面に吸着するか、反応
性の少ない水素分子となって再放出される。ただし、脱
ガス防止カバーの材料としては、水素ラジカルと反応し
て水素化物を生成しないものである必要がある。このよ
うなものとしてタングステン、タンタル、レニウム、Ｐ
ＢＮ等が使用できる。
【００１４】なお、この脱ガス防止カバーは第１の発明
によるラジカル発生装置とあわせて用いると効果的であ
ることはもちろんだが、従来例によるラジカル発生装置
とあわせても優れた効果が得られることはいうまでもな
い。
によるラジカル発生装置とあわせて用いると効果的であ
ることはもちろんだが、従来例によるラジカル発生装置
とあわせても優れた効果が得られることはいうまでもな
い。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１６】第１の発明における水素ラジカル発生装置
において、タングステンよりなる円錐パイプ１の内側
に、やはりタングステンよりなるフィラメント２が配置
される（図１）。フィラメント２のらせんの太さは２m
m、円錐パイプ１の先端部の内径は５mmである。円錐パ
イプ１はＰＢＮリング３により保持され、周囲とは電気
的に絶縁されている。水素ラジカル発生装置に導入され
た水素４は円錐パイプ１により、フィラメント２の近傍
に集められる。このうち、フィラメント２と接触した水
素分子は、解離して水素ラジカル５となり、基板６に照
射される。
において、タングステンよりなる円錐パイプ１の内側
に、やはりタングステンよりなるフィラメント２が配置
される（図１）。フィラメント２のらせんの太さは２m
m、円錐パイプ１の先端部の内径は５mmである。円錐パ
イプ１はＰＢＮリング３により保持され、周囲とは電気
的に絶縁されている。水素ラジカル発生装置に導入され
た水素４は円錐パイプ１により、フィラメント２の近傍
に集められる。このうち、フィラメント２と接触した水
素分子は、解離して水素ラジカル５となり、基板６に照
射される。
【００１７】本実施例では、分子線エピタキシー成長装
置内で、Ｓｉ（００１）基板に対して水素ラジカル照射
を行った。Ｓｉ（００１）清浄面を反射高速電子線回折
（ＲＨＥＥＤ）により＜１１０＞方向から観察すると２
倍構造のパターンが観察される。水素ラジカルが照射さ
れるとＳｉ表面のダングリングボンドが水素により終端
され、ＲＨＥＥＤパターンは１倍構造に変化する。水素
分子だけが照射された場合はこのような変化はみられな
い。
置内で、Ｓｉ（００１）基板に対して水素ラジカル照射
を行った。Ｓｉ（００１）清浄面を反射高速電子線回折
（ＲＨＥＥＤ）により＜１１０＞方向から観察すると２
倍構造のパターンが観察される。水素ラジカルが照射さ
れるとＳｉ表面のダングリングボンドが水素により終端
され、ＲＨＥＥＤパターンは１倍構造に変化する。水素
分子だけが照射された場合はこのような変化はみられな
い。
【００１８】本実験では、基板温度は室温、水素照射量
はクライオポンプで排気したときの背圧が１×１０-6Ｔ
ｏｒｒとなるように設定した。照射実験の結果、照射開
始ら数秒以内でＲＨＥＥＤパターンは２倍から１倍に変
化し、高いラジカル発生効率を確認することができた。
はクライオポンプで排気したときの背圧が１×１０-6Ｔ
ｏｒｒとなるように設定した。照射実験の結果、照射開
始ら数秒以内でＲＨＥＥＤパターンは２倍から１倍に変
化し、高いラジカル発生効率を確認することができた。
【００１９】第２の発明における脱ガス防止カバー７
は、タングステンよりなる。また、水素ラジカル発生装
置の高温部を覆うように上からかぶせられる。開口部８
は、フィラメントからの輻射、および発生した水素ラジ
カル５のうち、基板６以外の方向成分をすべて遮断する
ようにそのサイズを決定した。
は、タングステンよりなる。また、水素ラジカル発生装
置の高温部を覆うように上からかぶせられる。開口部８
は、フィラメントからの輻射、および発生した水素ラジ
カル５のうち、基板６以外の方向成分をすべて遮断する
ようにそのサイズを決定した。
【００２０】本実施例では、内壁がＴｅ、ＨｇおよびＣ
ｄで覆われた分子線エピタキシー成長装置を用いてラジ
カル照射実験が行われた。基板はＳｉ（００１）であ
る。水素照射量はクライオポンプで排気したときの背圧
が１×１０-6Ｔｏｒｒである。
ｄで覆われた分子線エピタキシー成長装置を用いてラジ
カル照射実験が行われた。基板はＳｉ（００１）であ
る。水素照射量はクライオポンプで排気したときの背圧
が１×１０-6Ｔｏｒｒである。
【００２１】まず、Ｓｉ基板に約１０オングストローム
の保護酸化膜を付けた状態で導入し、成長室内で７００
℃に保持した。次に水素ラジカルを照射し、Ｓｉ表面の
酸化膜を除去し、清浄化を行った。その後、水素ラジカ
ル照射を終了し、室温まで降温してＸＰＳにて表面不純
物分析を行った。
の保護酸化膜を付けた状態で導入し、成長室内で７００
℃に保持した。次に水素ラジカルを照射し、Ｓｉ表面の
酸化膜を除去し、清浄化を行った。その後、水素ラジカ
ル照射を終了し、室温まで降温してＸＰＳにて表面不純
物分析を行った。
【００２２】その結果、脱ガス防止カバーが無い場合
は、Ｓｉ表面にＴｅが検出されたのに対して（図３）、
脱ガス防止カバー７を用いた場合はＳｉ以外の元素は全
く検出されなかった（図４）。これにより脱ガス防止カ
バーの効果が実証された。
は、Ｓｉ表面にＴｅが検出されたのに対して（図３）、
脱ガス防止カバー７を用いた場合はＳｉ以外の元素は全
く検出されなかった（図４）。これにより脱ガス防止カ
バーの効果が実証された。
【００２３】
【発明の効果】第１の発明では、高いラジカル発生効率
が得られる。また、高温部が高融点金属のみで構成され
るため、その部分からの脱ガス等による不純物汚染の心
配が無い。さらに第２の発明では、蒸気圧の高い材料や
水素化物を生成しやすい材料を用いた装置内において
も、周囲からの脱ガスや水素化物生成等による不純物汚
染を極めて少なくすることができる。
が得られる。また、高温部が高融点金属のみで構成され
るため、その部分からの脱ガス等による不純物汚染の心
配が無い。さらに第２の発明では、蒸気圧の高い材料や
水素化物を生成しやすい材料を用いた装置内において
も、周囲からの脱ガスや水素化物生成等による不純物汚
染を極めて少なくすることができる。
【図１】本発明における水素ラジカル発生装置とその脱
ガス防止カバーを示す図である。
ガス防止カバーを示す図である。
【図２】ホットフィラメントを用いた水素ラジカル発生
装置の従来例を示す図である。
装置の従来例を示す図である。
【図３】脱ガス防止カバーを用いない場合の基板表面の
ＸＰＳスペクトルを示す図である。
ＸＰＳスペクトルを示す図である。
【図４】脱ガス防止カバーを用いた場合の基板表面のＸ
ＰＳスペクトルを示す図である。
ＰＳスペクトルを示す図である。
１ 円錐パイプ ２ フィラメント ３ ＰＢＮリング ４ 水素 ５ 水素ラジカル ６ 基板 ７ 脱ガス防止カバー ８ 開口部 ９ ＢＮパイプ
Claims (4)
- 【請求項１】ホットフィラメントにより水素ラジカルを
発生する装置において、高融点金属よりなる円錐パイプ
と、該円錐パイプの内部に配置されたフィラメントとを
備え、かつ該円錐パイプが、該フィラメントやその他の
周囲物とは電気的に絶縁されていることを特徴とする水
素ラジカル発生装置。 - 【請求項２】円錐パイプがタングステン、タンタル、レ
ニウムから選ばれた金属よりなることを特徴とする請求
項１記載の水素ラジカル発生装置。 - 【請求項３】円錐パイプが、絶縁材料よりなるリングに
よって保持されていることを特徴とする請求項１記載の
水素ラジカル発生装置。 - 【請求項４】ラジカル照射が必要な方向のみに開口部を
有し、かつ水素ラジカルと反応して水素化物を生成しな
い材料よりなる脱ガス抑止カバーを有することを特徴と
する水素ラジカル発生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088581A JP2595894B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 水素ラジカル発生装置 |
| US08/428,350 US5574958A (en) | 1994-04-26 | 1995-04-25 | Hydrogen radical producing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088581A JP2595894B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 水素ラジカル発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297156A true JPH07297156A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2595894B2 JP2595894B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=13946817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6088581A Expired - Lifetime JP2595894B2 (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 水素ラジカル発生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5574958A (ja) |
| JP (1) | JP2595894B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0784337A3 (en) * | 1996-01-10 | 1998-06-03 | Nec Corporation | Method of removing a carbon-contaminated layer from a silicon substrate surface for subsequent selective silicon epitaxial growth thereon and apparatus for selective silicon epitaxial growth |
| JP2010034421A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Fujikura Ltd | 酸化物基板の清浄化方法と酸化物薄膜の製造方法 |
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