JPH07296371A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH07296371A JPH07296371A JP8634494A JP8634494A JPH07296371A JP H07296371 A JPH07296371 A JP H07296371A JP 8634494 A JP8634494 A JP 8634494A JP 8634494 A JP8634494 A JP 8634494A JP H07296371 A JPH07296371 A JP H07296371A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板を使用した、高保磁力、高記録密
度の磁気記録媒体を提供する。 【構成】 ガラス基板上に非磁性金属被覆層、クロム合
金下地層、コバルト合金磁性層および保護膜が順次形成
されてなる磁気記録媒体において、非磁性金属被覆層の
上層部が該金属の酸化物であることを特徴とする磁気記
録媒体であって、ガラス基板上に形成された非磁性金属
被覆層上層部の酸化物層によって、ガラス基板からクロ
ム合金下地層およびコバルト合金磁性層への影響が遮断
され、保磁力の高い高記録密度の磁気記録媒体を得るこ
とができる。
度の磁気記録媒体を提供する。 【構成】 ガラス基板上に非磁性金属被覆層、クロム合
金下地層、コバルト合金磁性層および保護膜が順次形成
されてなる磁気記録媒体において、非磁性金属被覆層の
上層部が該金属の酸化物であることを特徴とする磁気記
録媒体であって、ガラス基板上に形成された非磁性金属
被覆層上層部の酸化物層によって、ガラス基板からクロ
ム合金下地層およびコバルト合金磁性層への影響が遮断
され、保磁力の高い高記録密度の磁気記録媒体を得るこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板を使用した
高保磁力の磁気記録媒体に関する。
高保磁力の磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板を使用した磁気記録媒体は、
特公昭４３−４６２１に開示されているように従来から
知られているが、工業的に製造される磁気記録媒体には
殆どがアルミニウム基板が使用されている。しかしなが
ら、近年の磁気ディスクの高密度化、磁気ディスク装置
の小型化、携帯性の要求から、磁気ディスク基板の平滑
性および耐衝撃性が求められるようになり、ガラス基板
を使用した磁気記録媒体の開発が盛んに行われている。
特公昭４３−４６２１に開示されているように従来から
知られているが、工業的に製造される磁気記録媒体には
殆どがアルミニウム基板が使用されている。しかしなが
ら、近年の磁気ディスクの高密度化、磁気ディスク装置
の小型化、携帯性の要求から、磁気ディスク基板の平滑
性および耐衝撃性が求められるようになり、ガラス基板
を使用した磁気記録媒体の開発が盛んに行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ガラス基板上にクロム
下地層およびコバルト合金磁性層を、アルミニウム基板
を使用する場合と同様に連続的にスパッタ成膜すること
により製造される磁気記録媒体は、アルミニウム基板を
使用した場合とは異なり、非常に低い保磁力しか得られ
ない。この理由としては、ガラス基板の付着水分の影響
により、クロム下地層の結晶性あるいは結晶形状の劣化
が生じるためであると推測されている。
下地層およびコバルト合金磁性層を、アルミニウム基板
を使用する場合と同様に連続的にスパッタ成膜すること
により製造される磁気記録媒体は、アルミニウム基板を
使用した場合とは異なり、非常に低い保磁力しか得られ
ない。この理由としては、ガラス基板の付着水分の影響
により、クロム下地層の結晶性あるいは結晶形状の劣化
が生じるためであると推測されている。
【０００４】ガラス基板に起因するこのような影響を除
くために特開昭６１−２２２０２１においては酸化ジル
コニウム層をガラス基板とクロム下地層の間に設けるこ
とが提案されている。酸化物をスパッタリングする場合
には、酸化物に導電性がないために高周波スパッタリン
グ法が必要であるが、工業的に使用されているインライ
ンスパッタリング装置は直流スパッタリング方式である
ため、特定の層のみを高周波スパッタリング方式とする
ことには技術的に問題が多い。また、上記公報に開示さ
れている保磁力は１６００Ｏｅないし１８００Ｏｅ以上
という現在の要求水準よりもかなり低い。
くために特開昭６１−２２２０２１においては酸化ジル
コニウム層をガラス基板とクロム下地層の間に設けるこ
とが提案されている。酸化物をスパッタリングする場合
には、酸化物に導電性がないために高周波スパッタリン
グ法が必要であるが、工業的に使用されているインライ
ンスパッタリング装置は直流スパッタリング方式である
ため、特定の層のみを高周波スパッタリング方式とする
ことには技術的に問題が多い。また、上記公報に開示さ
れている保磁力は１６００Ｏｅないし１８００Ｏｅ以上
という現在の要求水準よりもかなり低い。
【０００５】また、特開平２−２９９２３には、ガラス
基板から放出されるガスを封じ込めるための非磁性中間
膜として、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉ等
の金属膜が開示されているが、その効果が必ずしも十分
ではなく、高い保磁力が得られていない。
基板から放出されるガスを封じ込めるための非磁性中間
膜として、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉ等
の金属膜が開示されているが、その効果が必ずしも十分
ではなく、高い保磁力が得られていない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラス基
板上の非磁性金属被覆層の上層部に該金属の酸化物を形
成することによって、ガラス基板からの影響を遮断し、
保磁力の高い磁気記録媒体が得られることを見い出し、
本発明に到達したものである。本発明の目的は、保磁力
の高い高記録密度の磁気記録媒体を提供することにあ
り、この目的は、ガラス基板上に非磁性金属被覆層、ク
ロム合金下地層、コバルト合金磁性層および保護膜が順
次形成されてなる磁気記録媒体において、非磁性金属被
覆層の上層部が該金属の酸化物であることを特徴とする
磁気記録媒体により達成される。
板上の非磁性金属被覆層の上層部に該金属の酸化物を形
成することによって、ガラス基板からの影響を遮断し、
保磁力の高い磁気記録媒体が得られることを見い出し、
本発明に到達したものである。本発明の目的は、保磁力
の高い高記録密度の磁気記録媒体を提供することにあ
り、この目的は、ガラス基板上に非磁性金属被覆層、ク
ロム合金下地層、コバルト合金磁性層および保護膜が順
次形成されてなる磁気記録媒体において、非磁性金属被
覆層の上層部が該金属の酸化物であることを特徴とする
磁気記録媒体により達成される。
【０００７】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明の磁気記録媒体に使用されるガラス基板としては、ソ
ーダライムガラスなどの非晶質ガラス基板、カナサイト
などの結晶性ガラス基板があげられる。ガラス基板上に
形成する非磁性金属被覆層としては、チタン、アルミニ
ウム、クロム、ニッケル−リンなどが使用されるが、磁
気特性および記録特性の点から、ニッケル−リン被覆層
が好ましい。これらの非磁性金属被覆層は、メッキ法に
より形成することもできるが、スパッタ成膜する方法を
採用すれば、すべての成膜をスパッタ法によって連続的
に実施することができる。磁性層のコバルト合金として
Ｃｏ−Ｃｒ系合金を使用する場合は、高い保磁力を得る
ことを目的として、スパッタ成膜時に基板を加熱するこ
とがあるので、ニッケル−リン被覆層を使用する際に
は、２８０℃程度の基板温度においても非磁性を維持す
るために、リンの含有量は１２ｗｔ％以上であることが
好ましい。
明の磁気記録媒体に使用されるガラス基板としては、ソ
ーダライムガラスなどの非晶質ガラス基板、カナサイト
などの結晶性ガラス基板があげられる。ガラス基板上に
形成する非磁性金属被覆層としては、チタン、アルミニ
ウム、クロム、ニッケル−リンなどが使用されるが、磁
気特性および記録特性の点から、ニッケル−リン被覆層
が好ましい。これらの非磁性金属被覆層は、メッキ法に
より形成することもできるが、スパッタ成膜する方法を
採用すれば、すべての成膜をスパッタ法によって連続的
に実施することができる。磁性層のコバルト合金として
Ｃｏ−Ｃｒ系合金を使用する場合は、高い保磁力を得る
ことを目的として、スパッタ成膜時に基板を加熱するこ
とがあるので、ニッケル−リン被覆層を使用する際に
は、２８０℃程度の基板温度においても非磁性を維持す
るために、リンの含有量は１２ｗｔ％以上であることが
好ましい。
【０００８】非磁性金属被覆層上に被覆される該非磁性
金属の酸化物の層は、非磁性金属被覆層のスパッタ成膜
の最終段階において、アルゴンガス雰囲気に酸素ガスま
たは空気を導入してスパッタ成膜する方法、または非磁
性金属被覆層の成膜終了後、酸素ガスを含有する雰囲気
に曝す方法などにより形成することができる。酸化物層
の厚みは、２０〜１００Åとすることが好ましく、２０
Å未満ではガラス基板からの影響の遮断効果が不十分で
あり、１００Åをこえると酸化物層による電気絶縁性が
高くなって、酸化物層上の層を直流でスパッタ成膜する
際に、基板にバイアス電圧を印加してスパッタリングす
ることが困難になる。
金属の酸化物の層は、非磁性金属被覆層のスパッタ成膜
の最終段階において、アルゴンガス雰囲気に酸素ガスま
たは空気を導入してスパッタ成膜する方法、または非磁
性金属被覆層の成膜終了後、酸素ガスを含有する雰囲気
に曝す方法などにより形成することができる。酸化物層
の厚みは、２０〜１００Åとすることが好ましく、２０
Å未満ではガラス基板からの影響の遮断効果が不十分で
あり、１００Åをこえると酸化物層による電気絶縁性が
高くなって、酸化物層上の層を直流でスパッタ成膜する
際に、基板にバイアス電圧を印加してスパッタリングす
ることが困難になる。
【０００９】薄膜磁気記録媒体には、ヘッドとの摩擦、
磨耗耐久性を良好にするために、通常、テキスチャ加工
が行われるる。本発明の磁気記録媒体に対するテキスチ
ャ加工は、ガラス基板に直接行うことができるが、酸化
物層形成後にアルミニウム、鉛等の低融点金属をスパッ
タ成膜することにより行うこともできる。テキスチャ加
工は、平均粗さ（Ｒａ）１５〜５０Åの表面状態が得ら
れる程度に行うことが好ましい。
磨耗耐久性を良好にするために、通常、テキスチャ加工
が行われるる。本発明の磁気記録媒体に対するテキスチ
ャ加工は、ガラス基板に直接行うことができるが、酸化
物層形成後にアルミニウム、鉛等の低融点金属をスパッ
タ成膜することにより行うこともできる。テキスチャ加
工は、平均粗さ（Ｒａ）１５〜５０Åの表面状態が得ら
れる程度に行うことが好ましい。
【００１０】酸化物層上に被覆されるクロム合金下地層
としては、クロムまたはクロムとタングステン、バナジ
ウム、珪素等との合金が使用され、通常、スパッタ成膜
により２００〜１４００Åの厚みに形成される。クロム
合金下地層上に被覆されるコバルト合金磁性層として
は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−
Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−
Ｐｔ等のコバルト合金が使用され、通常、スパッタ成膜
により２００〜８００Åの厚みに形成される。
としては、クロムまたはクロムとタングステン、バナジ
ウム、珪素等との合金が使用され、通常、スパッタ成膜
により２００〜１４００Åの厚みに形成される。クロム
合金下地層上に被覆されるコバルト合金磁性層として
は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−
Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−
Ｐｔ等のコバルト合金が使用され、通常、スパッタ成膜
により２００〜８００Åの厚みに形成される。
【００１１】近年の要求水準を満たすような高保磁力の
磁気記録媒体を得るためには、バイアス電圧を印加しな
がらクロム合金下地層およびコバルト合金磁性層をスパ
ッタ成膜することが好ましく、基板に負のバイアス電圧
を印加する場合には、５０〜５００Ｖ程度の負の電圧を
印加する。この場合、非磁性金属被覆層の厚みを１００
０Å以上、好ましくは１５００Å以上としておくことに
より、基板ホルダーとの良好な電気伝導性を確保するこ
とができる。
磁気記録媒体を得るためには、バイアス電圧を印加しな
がらクロム合金下地層およびコバルト合金磁性層をスパ
ッタ成膜することが好ましく、基板に負のバイアス電圧
を印加する場合には、５０〜５００Ｖ程度の負の電圧を
印加する。この場合、非磁性金属被覆層の厚みを１００
０Å以上、好ましくは１５００Å以上としておくことに
より、基板ホルダーとの良好な電気伝導性を確保するこ
とができる。
【００１２】コバルト合金磁性層上に被覆される保護膜
としては、炭素質膜、酸化物膜、窒化物膜、ホウ化物膜
等が使用され、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、プラズマ重合法等により形成される。保護膜とし
て好ましく用いられるのは、無定形炭素、水素化カーボ
ン等の炭素質膜であり、通常、１００〜３００Åの膜厚
で用いられる。保護膜上には、耐磨耗久性の向上のため
に、通常、パーフルオロポリエーテル系の潤滑層がもう
けられる。
としては、炭素質膜、酸化物膜、窒化物膜、ホウ化物膜
等が使用され、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、プラズマ重合法等により形成される。保護膜とし
て好ましく用いられるのは、無定形炭素、水素化カーボ
ン等の炭素質膜であり、通常、１００〜３００Åの膜厚
で用いられる。保護膜上には、耐磨耗久性の向上のため
に、通常、パーフルオロポリエーテル系の潤滑層がもう
けられる。
【００１３】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例１ 化学エッチングにより突起高さ約２００Åの島状凹凸テ
キスチャーを施したＲａ２０Åのソーダライムガラス基
板をＤＣマグネトロンスパッタリング装置にセットし、
５×１０-7ｔｏｒｒ以下に排気したのち、基板温度を２
８０℃に昇温し、アルゴン圧３×１０-3ｔｏｒｒでＮｉ
８５ｗｔ％、Ｐ１５ｗｔ％の非晶質被覆層を１６００Å
の厚みにスパッタ成膜した。次いで、雰囲気を２％の酸
素を含有するアルゴンに切り換えてさらに３０Åスパッ
タ成膜した。非磁性金属被覆層を形成した基板に−２０
０Ｖのバイアスを印加しながら、アルゴン圧３×１０-3
ｔｏｒｒでクロム下地層（８００Å）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｂ−Ｔａ合金の磁性層（４００Å）をスパッタリン
グにより形成し、次いで、炭素保護膜（２００Å）をバ
イアス印加なしで同様にスパッタリングにより形成して
磁気記録媒体を製造した。得られた磁気記録媒体から試
料を作成し、振動試料型磁力計により保磁力を測定し
た。結果を表１に示す。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例１ 化学エッチングにより突起高さ約２００Åの島状凹凸テ
キスチャーを施したＲａ２０Åのソーダライムガラス基
板をＤＣマグネトロンスパッタリング装置にセットし、
５×１０-7ｔｏｒｒ以下に排気したのち、基板温度を２
８０℃に昇温し、アルゴン圧３×１０-3ｔｏｒｒでＮｉ
８５ｗｔ％、Ｐ１５ｗｔ％の非晶質被覆層を１６００Å
の厚みにスパッタ成膜した。次いで、雰囲気を２％の酸
素を含有するアルゴンに切り換えてさらに３０Åスパッ
タ成膜した。非磁性金属被覆層を形成した基板に−２０
０Ｖのバイアスを印加しながら、アルゴン圧３×１０-3
ｔｏｒｒでクロム下地層（８００Å）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｂ−Ｔａ合金の磁性層（４００Å）をスパッタリン
グにより形成し、次いで、炭素保護膜（２００Å）をバ
イアス印加なしで同様にスパッタリングにより形成して
磁気記録媒体を製造した。得られた磁気記録媒体から試
料を作成し、振動試料型磁力計により保磁力を測定し
た。結果を表１に示す。
【００１４】比較例１ 酸素雰囲気におけるＮｉ−Ｐのスパッタ成膜を行わなか
ったこと以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を製造し
た。保磁力の測定結果を表１に示す。
ったこと以外は実施例１と同様に磁気記録媒体を製造し
た。保磁力の測定結果を表１に示す。
【００１５】実施例２，３ 非磁性金属被覆層をＡｌまたはＣｒに変更したこと以外
は実施例１と同様に磁気記録媒体を製造した。保磁力の
測定結果を表１に示す。 比較例２，３ 酸素雰囲気におけるＡｌまたはＣｒのスパッタ成膜を行
わなかったこと以外は実施例２および３と同様に磁気記
録媒体を製造した。保磁力の測定結果を表１に示す。
は実施例１と同様に磁気記録媒体を製造した。保磁力の
測定結果を表１に示す。 比較例２，３ 酸素雰囲気におけるＡｌまたはＣｒのスパッタ成膜を行
わなかったこと以外は実施例２および３と同様に磁気記
録媒体を製造した。保磁力の測定結果を表１に示す。
【００１６】実施例４ 実施例１と同様のガラス基板を使用して実施例１と同様
にＮｉ−Ｐ被覆層を１５００Åの厚みにスパッタ成膜し
た。次いで、Ｎｉ−Ｐ被覆層を成膜した基板を酸素ガス
分圧１×１０-4ｔｏｒｒの雰囲気に６０秒間曝したの
ち、実施例１と同様にクロム下地層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｂ−Ｔａ合金磁性層、および炭素保護膜をスパッタリ
ングにより形成して磁気記録媒体を製造した。保磁力の
測定結果を表１に示す。
にＮｉ−Ｐ被覆層を１５００Åの厚みにスパッタ成膜し
た。次いで、Ｎｉ−Ｐ被覆層を成膜した基板を酸素ガス
分圧１×１０-4ｔｏｒｒの雰囲気に６０秒間曝したの
ち、実施例１と同様にクロム下地層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｂ−Ｔａ合金磁性層、および炭素保護膜をスパッタリ
ングにより形成して磁気記録媒体を製造した。保磁力の
測定結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】また、実施例１および実施例３で製造した
磁気記録媒体について、記録ギャップ長０．２３μｍの
インダクティブ型ヘッドを用いて、周速５．０ｍ／ｓｅ
ｃ、浮上高さ０．０７５μｍで高記録密度特性の指標と
なる孤立波出力の半値幅（ＰＷ５０）を測定した。その
結果、Ｎｉ−Ｐ被覆層を形成した磁気記録媒体は８５ｎ
ｓｅｃ、Ｃｒ被覆層を形成した磁気記録媒体は９０ｎｓ
ｅｃで、値の小さいＮｉ−Ｐ被覆層を形成した磁気記録
媒体のほうが高記録密度特性が優れていた。
磁気記録媒体について、記録ギャップ長０．２３μｍの
インダクティブ型ヘッドを用いて、周速５．０ｍ／ｓｅ
ｃ、浮上高さ０．０７５μｍで高記録密度特性の指標と
なる孤立波出力の半値幅（ＰＷ５０）を測定した。その
結果、Ｎｉ−Ｐ被覆層を形成した磁気記録媒体は８５ｎ
ｓｅｃ、Ｃｒ被覆層を形成した磁気記録媒体は９０ｎｓ
ｅｃで、値の小さいＮｉ−Ｐ被覆層を形成した磁気記録
媒体のほうが高記録密度特性が優れていた。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板を使用した
磁気記録媒体において、非磁性金属被覆層の上層部に該
金属の酸化物層を形成することによって、ガラス基板か
らクロム合金下地層およびコバルト合金磁性層への影響
が遮断され、保磁力の高い高記録密度の磁気記録媒体を
得ることができる。
磁気記録媒体において、非磁性金属被覆層の上層部に該
金属の酸化物層を形成することによって、ガラス基板か
らクロム合金下地層およびコバルト合金磁性層への影響
が遮断され、保磁力の高い高記録密度の磁気記録媒体を
得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス基板上に非磁性金属被覆層、クロム
合金下地層、コバルト合金磁性層および保護膜が順次形
成されてなる磁気記録媒体において、非磁性金属被覆層
の上層部が該金属の酸化物であることを特徴とする磁気
記録媒体 - 【請求項２】非磁性金属被覆層がニッケル−リン合金、
クロムまたはアルミニウムである請求項１記載の磁気記
録媒体 - 【請求項３】非磁性金属被覆層の上層部に存在する金属
酸化物層の厚さが少なくとも２０Åである請求項１また
は２記載の磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8634494A JPH07296371A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8634494A JPH07296371A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296371A true JPH07296371A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13884251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8634494A Pending JPH07296371A (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296371A (ja) |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP8634494A patent/JPH07296371A/ja active Pending
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