JPH0729532A - X線装置 - Google Patents
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Abstract
提供することを目的とする。 【構成】 フォーカス電極(15d)はグランド電位を
保持し変動することがないので、ターゲット(16a)
に衝突する電子の焦点径が一定になり、X線の出力が安
定する。また、カソード(15b)・ターゲット(16
a)間の電位比は常に一定なので、カソード(15b)
・ターゲット(16a)間の電界分布が安定し、X線の
出力が安定する。
Description
装置に関する。
米国特許5,077,771、米国特許4,646,3
38、米国特許4,694,480のものが知られてい
る。これらの文献には、X線管と、モールドされた高圧
電源及び制御回路とから構成された携帯用のX線装置が
開示されている。
への電圧の印加方法は、カソードアース、ターゲットア
ース、或いはフォーカス電圧を可変する方法が用いられ
ていた。しかし、いずれの方法も、マイクロフォーカス
X線装置の最も重要な要件である微小焦点X線を発生制
御する方法には適していなかった。
がPWM方式であり、制御パルスのパルス幅を変えて実
効電圧を制御する様になっているため、高電圧(二次側
コイル)側の追従性が悪く、X線出力のゆらぎが大きか
った。
の寿命特性の向上を図るため、米国特許5,077,7
71の文献では含浸型カソードを採用した従来例が記載
されているが、オスミウム(Os)のみを被覆した含浸
型カソードでは、まだ長寿命化には不十分で信頼性に欠
けた。
を目的とする。
に、本発明のX線装置は、ヒーターの加熱により電子を
放出するカソードと、カソードから放出された電子の衝
突によりX線を発生させるターゲットと、ターゲットに
電子が衝突するようにカソードから放出された電子を集
束させるグランド電位のフォーカス電極と、カソード、
ターゲット及びフォーカス電極が内部に配置され、ター
ゲットで発生したX線を外部に出射させる出射窓を有す
るグランド電位の外囲器とを備えたX線管と、ターゲッ
トへの印加電圧の変化に連動させて、一定の比率でカソ
ードへの印加電圧を変化させるように制御する制御回路
とを備える。
グランド電位とし、カソードとターゲットのそれぞれに
電圧が印加されている。フォーカス電極はグランド電位
を保持し変動することがないので、ターゲットに衝突す
る電子の焦点径が一定になる。このため、ターゲットか
ら放射されるX線の出力が安定する。また、カソードへ
の印加電圧とターゲットへの印加電圧とは、制御回路の
制御によって、一定の比率で連動して変化させている。
このため、カソード・ターゲット間の電位比が常に一定
になり、カソード・ターゲット間の電界分布が乱れるこ
とがない。さらに、外囲器はグランド電位を保持してい
るので、外部からの影響を受けてカソード・ターゲット
間の電界分布が乱れることはほとんどない。よって、カ
ソード・ターゲット間の電界分布の乱れによって、X線
の出力が変動することはない。
参照して説明する。
す斜視図、図2(a)(b)は本実施例に係るX線装置
の構成を示す断面図である。図1及び図2(a)(b)
より、本実施例のX線装置は、X線を放射するマイクロ
フォーカスX線管10と、マイクロフォーカスX線管1
0に高電圧を印加するコッククロフト回路20,30
と、マイクロフォーカスX線管10への印加電圧の制御
などを行う制御回路が内蔵されたコントロール装置40
とを備えている。
ロフト回路20,30は鉛板51によってX線漏洩防止
措置が施された筐体50に組み込まれており、コントロ
ール装置40は筐体50の外部に備えられている。
ールドブロック21でモールドされており、モールドブ
ロック21の前部側面に設けられた絶縁油槽21aには
マイクロフォーカスX線管10が取り付けられている。
コッククロフト回路20で生成された高電圧の電力は、
ターゲット高電圧供給端子22を介してマイクロフォー
カスX線管10に供給される。
ロフト回路20用のインバータ回路が備えられた基板2
3と、コッククロフト回路30が備えられた基板31が
設けられている。コッククロフト回路30はシリコン樹
脂でモールドされており、コッククロフト回路30で生
成された高電圧の電力は、ステム11を介してマイクロ
フォーカスX線管10に供給される。
と、コントロール装置40をケーブルで接続するための
コネクタ25が設けられており、冷却用ファン24はモ
ールドブロック21の後部側面に備えられたトランジス
タ(Q1 ,Q2 )の冷却を行う。
に示すサイドウィンドタイプのものと、図4に示すエン
ドウィンドタイプのものがある。図3および図4より、
マイクロフォーカスX線管10は、金属製の外囲器12
とガラス製の外囲器13とを組み合わせて構成されてい
る。外囲器12の一端にはセラミック製のステム11が
はめ込まれており、外囲器12の側面にはベリリウム製
のX線出射窓14が形成されている。
側に電子銃15が配置され、外囲器13側に無酸素銅の
ターゲット基体16が配置されている。電子銃15は、
ヒーター電極15a、カソード15b、グリッド電極1
5c、フォーカス電極15dから構成されている。ま
た、ターゲット基体16の先端には、タングステンのタ
ーゲット16aが銀でろう付けされている。
が加熱されると、一定の温度でカソード15bの表面か
ら電子が放出される。放出された電子は、グリッド電極
15cで加速され、フォーカス電極15dで集束され
て、ターゲット16aに衝突する。衝突により、電子は
X線と熱に変換され、発生したX線はX線出射窓14か
ら外部に出射する。また、発生した熱は熱伝導性の高い
ターゲット基体16を通って外部に放出される。
直な面に対して、ターゲット16aは25°傾けて配置
されている。このようにターゲット16aが傾けて配置
されているので、発生したX線の多くはX線出射窓14
に到達し、X線出射窓14から外部に出射する。
ある。同図より、ヒーター電極15a、カソード15
b、グリッド電極15c、フォーカス電極15dは、ア
ルミナまたはサファイヤの支柱15eに取り付けられて
いる。グリッド電極15cとフォーカス電極15dの材
質は、耐熱性及び放熱性の優れたモリブテン(Mo)が
使用されている。グリッド電極15cとフォーカス電極
15dの支柱への接着は、非結晶性ガラスまたは銀によ
るろう付けにより行われている。特に、非結晶性ガラス
を用いた場合には、銀を用いた場合よりも加工温度が低
いため、加工の際の電極等の変形が少なく、高精度の電
子銃15が形成できる。
れている。含浸型カソードは多孔質タングステンにBa
O,CaO,Al2 O3 を含浸させたもので、その電子
放射面がOs(オスミウム),Ir(イリジウム),O
s/Ru(ルテニウム)などで被覆されている。この被
覆により、動作温度を100°CB 下げることができ、
カソード15bがより長寿命となる。
いられている。ニッケル・銅合金は熱伝導性、加工性
(特に溶接性)に優れ、ガス放出の少ない金属である。
特に熱伝導が良いことはマイクロフォーカスX線管10
の内部で発生する熱を素早く外部に運び去ることがで
き、マイクロフォーカスX線管10の熱によるダメージ
を軽減させ、寿命を延ばす効果がある。
電位を保持している。フォーカス電極15dはこの外囲
器12と接続されているので、フォーカス電極15dも
常にグランド電位を保持している。このため、ターゲッ
ト16aの電位が変化しても、フォーカス電極15dの
周囲に形成される電子レンズの形状は常に一定となり、
安定した微小X線焦点を保つことができる。さらに、グ
ランド電位の外囲器12によって、電子銃15及びター
ゲット16aが取り囲まれているので、外部の影響を受
けて外囲器12内部の電界分布が乱れることはない。
モールドブロック21がパネル52に固定された状態を
示す断面図である。同図より、パネル52のモールドブ
ロック21側の面にはX線シールド用の鉛板51が接着
されている。モールドブロック21の絶縁油槽21aに
はマイクロフォーカスX線管10が挿入されており、絶
縁油槽21aとマイクロフォーカスX線管10との間に
は絶縁用の高圧絶縁油が封入されている。パネル52に
はモールドブロック21が接着固定されており、モール
ドブロック21が接着されたパネル52の面の反対の面
から、モールドブロック21に挿入されたマイクロフォ
ーカスX線管10の一部が突出している。ここで、パネ
ル52にモールドブロック21が接着固定されているの
は、パネル52とモールドブロック21を一体として作
ることは材質の違いにより不可能だからである。
封入された高圧絶縁油の一部は、X線発生時の発熱によ
って蒸発する。特に、パネル52、鉛板51及びモール
ドブロック21の接着に、熱特性の優れたシリコーン系
接着剤を使用した場合、全体の絶縁油の蒸発量の90%
前後がこの接着層から蒸発してしまう。絶縁油の蒸発に
より、モールドブロック21内に貯蔵された絶縁油が減
少する。減少する割合は通年使用(8760時間)した
場合、貯蔵量の6%前後にもなる。この蒸発によって、
絶縁油槽21aに空洞が生じ、絶縁油は空気に触れ易く
なる。このため酸化される絶縁油の割合が高くなって、
絶縁耐力が低下する。さらに絶縁油の蒸発が進めば、マ
イクロフォーカスX線管10の表面が空気に露出してし
まい、耐圧不良が生じる。
ルドブロック21の接着層でX線管10が装着されてい
る周辺或いは接着層全体を蒸発防止カバー53で覆い、
絶縁油の蒸発を防いでいるのである。例えば、蒸発防止
カバー53としてエポキシ樹脂を用いた場合、蒸発量を
3%以下に落すことができる。これにより絶縁油の寿命
が延び、安定した動作を続けることができる。
射部分の構造を示す断面図である。同図を用いて本実施
例に係るX線装置における漏洩X線の遮蔽機能について
説明する。マイクロフォーカスX線管10の構造上、タ
ーゲット16aで発生したX線は、X線出射窓14方向
以外の方向にも放出され、漏洩X線となる。この漏洩X
線が外部に漏れると、周辺装置などに悪影響を与え保安
上問題である。
内面に設けられた鉛板51で、漏洩X線の大部分を遮蔽
している。具体的には、筐体50は厚さ1〜2mm程度
の鉄などの金属が用いられており、管電圧70kV程度
のエネルギーで放出されるX線の86%が遮蔽される。
さらに、鉛板51によりほぼ100%のX線を遮蔽する
ことができる。
れるX線のX線強度の場合には、鉛板の厚さは、1〜2
mm程度のもので十分にX線を遮蔽することが可能であ
る。これにより、鉛板51と筐体50を透過して外部に
放射されるX線の放射量は、1μSV/hr以下にな
る。1μSV/hrは電離放射線障害防止規則に定める
法定基準X線量以下であることから、本実施例のX線装
置は安全性の高い装置であるといえる。
す斜視図である。同図に示すモールドブロック21に
は、コッククロフト回路20が埋め込まれている。コッ
ククロフト回路20は、70kV程度の高圧電源装置を
製造する場合によく用いられる回路である。70kV程
度の高電圧では、特に昇圧されて高圧になる箇所が周囲
の環境に左右されないように、耐絶縁材料でモールドす
る必要がある。このため、モールドブロック21によっ
てモールドが施されているのである。
耐絶縁材料を流し込みモールドブロックを成型するが、
型に流し込む絶縁材料は加熱硬化し易いため、複雑な形
状のブロックの場合にはブロック内に気泡が残る場合が
ある。このようにモールドブロック内に気泡が残ると、
絶縁不良を起こし問題となった。
のモールドブロック21を用いているので、ブロック内
に気泡が残ることは少ない。また、モールドブロック2
1の作製過程においても、次のような工夫が施されてい
る。モールドブロック21は、図9の構造をしたモール
ド型60の中に絶縁材料を流し込んで成型する。モール
ド型60の上部開口は、蓋の様なもので覆われていない
ので、モールドブロック21を成型する際に発生した気
泡は、容易に上部開口から抜け出すことができる。さら
にモールド型60を作製する場合、例えば円筒のような
形をしたものと違い、加工が非常に簡単である。
番重要なことは、カソード電圧、ターゲット電圧が変化
した場合でも、この変化に影響されることなくマイクロ
フォーカスX線管10の焦点径は小さく、且つ変化しな
いことである。本実施例では、コントロール装置40の
制御によって、ターゲット電圧の変化に連動してカソー
ド電圧を変化させている。このため、カソード電圧とタ
ーゲット電圧の比率は一定となり、ターゲット16aに
衝突する電子の焦点径は、ターゲット電圧の変化に影響
されることなく常に一定となる。カソード電圧とターゲ
ット電圧の比率が1:100であれば、+20kV〜+
70kVまでターゲット電圧が変化しても、焦点径は一
定に保たれ、焦点径を最小にすることができる。
ト16aと、これらを囲む外囲器12とで形成されるフ
ォーカス・ターゲット間の電界分布は外囲器12の材料
が重要な意味を持つ。外囲器12を絶縁物で構成すれ
ば、電界分布はターゲット電圧と、フォーカス電圧の変
化によるチャージアップにより乱れる。このため、本実
施例のようにグランド電位の金属製の外囲器12を用い
て、且つフォーカス電極15dを外囲器12に接続して
外囲器12と同電位であるグランド電位にすることによ
り、外囲器12内の電界分布の乱れを防止している。さ
らに、モールドブロック20,30の外周部と外囲器1
2との関係もグランド電位に保てるので、外部に対して
高圧の影響による危険も少なくなる。
ード電圧とターゲット電圧を連動させる回路の概略図で
ある。ターゲット電圧設定のために0〜7VのDC電圧
を与えると、ターゲット電圧(ET )は0〜+70kV
まで変化する。また、ターゲット電圧設定に与えた0〜
7VのDC電圧は、同時にカソード制御回路に加えられ
るので、カソード電圧(EK )は0〜−700Vに変化
する。従って、ターゲット電圧(ET )とカソード電圧
(EK )は、連動して変化し、常に一定の比率100:
1となる。グリッド電極15cへの印加電圧は、カソー
ド電圧(EK )より負の電位で、ターゲット電流を制御
している。
ット電圧(ET )とカソード電圧(EK )の関係を測定
したところ、図11に示すような比例関係があることが
判った。このような関係を有するX線装置であれば、タ
ーゲット16aに衝突する電子の焦点径が一定となり、
放射されるX線の出力も安定する。
て、ターゲット電圧(ET )とカソード電圧(EK )の
比率(EK /ET )と、ターゲット16aに衝突する電
子の焦点径との関係を測定したところ、図12に示す関
係があることが判った。図12のグラフより(EK /E
T )が約1.01%のときに、電子の焦点径が最小にな
ることが判る。
を示すブロック図である。このブロック図は、マイクロ
フォーカスX線管10を動作させる動作ブロック部10
0と、動作ブロック部100を制御する制御ブロック部
200とに分かれる。
カスX線管10のターゲット電圧を制御するターゲット
制御部110と、ターゲット16aの過電流を検出する
ターゲット過電流検出部120と、マイクロフォーカス
X線管10のグリッド電圧を制御するグリッド制御部1
30とを備えている。さらに、マイクロフォーカスX線
管10のカソード電圧を制御するカソード制御部140
と、マイクロフォーカスX線管10のヒーター電圧を制
御するヒーター制御部150とを備えている。
部110及びカソード制御部140にターゲット電圧設
定電圧を与える電圧設定D/Aコンバータ210と、グ
リッド制御部130にターゲット電流設定電圧を与える
電流設定D/Aコンバータ220と、インターロックを
検出するインターロック検出部230とを備えている。
さらに、ウォームアップを行うエージング部240と、
X線の発生を停止させるキースイッチ250と、電圧変
換を行う電源制御部260とを備えている。さらに、制
御プログラムが記憶されたROM270、RAM280
と、電圧、電流、X線モードをそれぞれ設定する電圧設
定スイッチ290、電流設定スイッチ300、モードス
イッチ310とを備えている。さらに、X線モード、タ
ーゲット過電流、ターゲット電圧、ターゲット電流をそ
れぞれ表示するモード表示部320、過電流表示部33
0、ターゲット電圧表示メータ340、ターゲット電流
表示メータ350と、各装置を制御するCPU360と
を備えている。
成を示すブロック図である。同図より、ターゲット制御
部110は、電圧設定D/Aコンバータ210からター
ゲット電圧設定電圧が与えられてターゲット電圧を制御
するターゲット電圧制御部111と、ターゲット電圧制
御部111の指示を受けて所望のターゲット高電圧を発
生させるターゲット高電圧発生部112とを備えてい
る。ターゲット過電流検出部120は、ターゲット高電
圧発生部112で発生したターゲット電流の過電流を検
出する過電流検出部121と、ターゲット高電圧発生部
112で発生したターゲット電圧の過電圧を検出する過
電圧検出部122とを備えている。
を検出するターゲット電流検出部131と、ターゲット
電流検出部131で検出したターゲット電流と電流設定
D/Aコンバータ220から出力された設定電流信号を
比較するターゲット電流比較部132と、カットオフ電
圧制御設定部133とを備えている。さらに、ターゲッ
ト電流比較部132での比較結果に基づいてグリッド電
圧を制御するグリッド電圧制御部134と、グリッド電
圧制御部134の指示を受けて所望のグリッド電圧を発
生させるグリッド電圧発生部135とを備えている。
コンバータ210からターゲット電圧設定電圧が与えら
れてカソード電圧を制御するカソード電圧制御部141
と、カソード電圧制御部141の指示を受けて所望のカ
ソード電圧を発生させるカソード電圧発生部142とを
備えている。ヒーター制御部150は、ヒーター電圧を
制御するヒーター電圧制御部151と、ヒーター電圧制
御部151の指示を受けて所望のヒーター電圧を発生さ
せるヒーター電圧発生部152とを備えている。
及び制御ブロック部200が備える各回路の具体的な回
路図である。
図である。同図に示すターゲット電圧回路410は、基
板23上に備えられたインバータ回路411やモールド
ブロック21内の回路などから構成されている。
の信号がIC2 ,IC3 (IC3-1,IC3-2 )に与えられ
ると、プッシュブルのスイッチングが行われ、IC2 ,
IC3 からの出力がトランスTO に与えられる。また、
電圧設定D/Aコンバータ210から電圧設定端子41
2にターゲット電圧設定電圧が印加されると、IC
6 (IC6-1 ,IC6-2 )を通じてトランジスタQ5 ,
Q3 ,Q4 ,Q1 ,Q2 にターゲット電圧設定電圧が与
えられ、トランスTO の1次側の両端に電流が流れる。
さらに、トランスTO の中点には24Vの電圧が印加さ
れているので、トランスTO の両端にはトランジスタQ
1 ,Q2 より出力された電流変化分の電圧が掛かること
になる。
れた2次電圧が発生する。この2次電圧は、トランスT
O の1次側の電圧変化に比例した電圧値を示す。昇圧さ
れた電圧はコッククロフト回路20で電圧増幅され、最
終段から高電圧が発生する。この高電圧は抵抗ブリーダ
ー413で分圧され、抵抗R6 に掛かる電圧がIC
4(IC4-1 ,IC4-2 )で増幅される。IC4 で増幅
された電圧は、IC6 でターゲット電圧設定電圧と比較
され、その差分の電圧がトランジスタQ5 に与えられ
る。それ以後は、前述の動作を繰り返し、常に電圧設定
端子412から与えられたターゲット電圧設定電圧によ
って、コッククロフト回路20の出力電圧は一定の電圧
値を保持する。この電圧がターゲット電圧としてターゲ
ット16aに与えられる。
たダイオードD3 よりターゲット電流が読み出される。
読み出されたターゲット電流はIC4-1 で電圧変換さ
れ、変換された電圧がコンパレータIC7-1 に印加され
る。コンパレータIC7-1 では、印加された電圧とボリ
ュームVRC で調整された設定電圧(最大ターゲット電
流に相当する電圧)とが比較され、この比較結果に合わ
せてスイッチングトランジスタIC8 (IC8-1 ,IC
8-2 ,IC8-3 ,IC8-4 )が動作する。スイッチング
トランジスタIC8 からの出力は発振器IC1 に与えら
れ、過電流が発生した場合に発振器IC1 の発振を停止
させる。本実施例にはこのような回路が組み込まれてい
るので、マイクロフォーカスX線管10の放電やモール
ドブロック21内での放電などによる過電流から、ター
ゲット電圧回路410の各ICを保護することができ
る。
は、抵抗ブリーダー413で分圧され、出力電圧のR7
/(R2 +R3 …+R7 )倍の電圧が抵抗R7 に印加さ
れる。抵抗R7 の電圧はIC4-2 で増幅され、コンパレ
ータIC7-2 に印加される。コンパレータIC7-2 で
は、印加された電圧と、ボリュームVRV で調整された
設定電圧(コッククロフト回路20からの出力が許され
る最大電圧)とが比較され、この比較結果に合わせてス
イッチングトランジスタIC8 が動作する。スイッチン
グトランジスタIC8 の出力は発振器IC1 に与えら
れ、コッククロフト回路20の最終段の出力がボリュー
ムVRV で調整された設定電圧を越えた場合に、発振器
IC1 の発振を停止させる。本実施例にはこのような回
路が組み込まれているので、設定電圧値以上の電圧が外
部から入力された場合でも、マイクロフォーカスX線管
10の最大電圧を越えて耐圧振が発生したり、モールド
ブロック内での放電により高圧駆動用のICが破損され
たりすることがない。また、コッククロフト回路20の
最終段の出力が分圧された抵抗R7 の電圧値は、常にモ
ニターされ、ターゲット電圧表示メータ340に表示さ
れる。
である。同図に示すカソード電圧回路420は、発振器
421と、スイッチングトランジスタQ6-1 ,Q6-2 を
備えている。したがって、発振器421から出力された
発振周波数で、スイッチングトランジスタQ6-1 ,Q
6-2 は交互にON−OFF動作をする。また、スイッチ
ングトランジスタQ6-1 ,Q6-2 に接続されたトランス
T2 の1次側の中点に電圧が与えられると、この電圧が
トランスT2 の1次側の電圧となり、巻数比に応じた電
圧がトランスT2 の2次側に発生する。電圧設定D/A
コンバータ210から電圧設定端子422にターゲット
電圧設定電圧が印加されると、この電圧はコンパレータ
U2-1 を通じてトランジスタQ7 を駆動させる。トラン
ジスタQ7の出力電圧は、トランスT2 の中点に与えら
れ、トランスT2 にはターゲット電圧設定電圧に応じた
2次電圧が発生する。トランスT2 の2次側には、コッ
ククロフト回路301 が設けられている。コッククロフ
ト回路301 には、複数のダイオードDaと複数のコン
デンサCaが備えられており、トランスT2 の2次側で
発生した2次電圧を電圧増幅して高電圧を発生させる。
コッククロフト回路301 からの高電圧の出力は、抵抗
ブリーダー423で分圧され、バッファU6-4、反転増
幅器U6-3 で電圧増幅される。反転増幅器U6-3 からの
出力電圧はコンパレータU2-1 に与えられ、電圧設定端
子422に印加されたターゲット電圧設定電圧とが比較
される。そして、その差分の電圧がバッファU2-2 を通
じて、トランスT2 の1次側へ供給される。このため、
コッククロフト回路301 の出力電圧は一定の電圧値を
保持し、この出力電圧がカソード電圧としてカソード1
5bに与えられる。
である。同図に示すグリッド電圧回路430は、スイッ
チングトランジスタQ8-1 ,Q8-2 と、トランスT3 と
を備えている。カソード電圧回路420に備えられた発
振器421の出力がスイッチングトランジスタQ8-1 ,
Q8-2 に与えられる。したがって、スイッチングトラン
ジスタQ8-1 ,Q8-2 は、発振器421から与えられた
発振周波数で交互にON−OFF動作をする。ボリュー
ムVR6 には、マイクロフォーカスX線管10のターゲ
ット電流をカットオフできる電圧があらかじめ設定され
ている。この設定電圧は反転増幅器U5-1 、バッファU
4-1 を通じてトランジスタQ9 に与えられる。トランジ
スタQ9 の出力電圧はトランスT3 の1次側の中点に与
えられるので、この電圧がトランジスタQ8-1 ,Q8-2
でスイッチングされ、発振周波数成分を持った電圧とな
る。
波数成分と同期している。トランスT3 の2次側には巻
数比に応じた電圧が発生し、コッククロフト回路302
で電圧増幅される。増幅された電圧の負側が、グリット
電圧としてグリット電極15cに与えられる。また、増
幅された電圧の正側が、カソード電圧として、カソード
15bに与えられる。したがってグリッド電圧は、カソ
ード電圧より負の電位となる。このようにグリット電圧
およびカソード電圧を設定することにより、カソード1
5bから放出された電子がターゲット16aに流れ込む
量を、グリッド電極15cで制御することが可能とな
る。つまり、グリッド電圧をカソード電圧より大きく負
電位にすれば、ターゲット16aに流れ込む電子をトラ
ップすることができる。また、負電位を小さくすれば、
ターゲット16aに流れ込む電子を増大させることがで
きる。
ククロフト回路301 から出力されたカソード電圧は、
抵抗ブリーダー423で分圧され、反転増幅器U6-1 ,
U6-2 で電圧増幅されて、コンパレータU1-1 に与えら
れる。コンパレータU1-2 には電流設定D/Aコンバー
タ220からのターゲット電流設定電圧が与えられ、そ
の出力電圧がコンパレータU1-1 に与えられる。コンパ
レータU1-1 からはこれらの電圧の差の電圧が出力さ
れ、この出力電圧はバッファU1-4 を通して、反転増幅
器U5-1 、バッファU4-1 に与えられる。バッファU
4-1 からの出力電圧がトランジスタQ9 のゲートに与え
られ、トランジスタQ9 のエミッタ出力がトランスT3
の1次側電圧となる。
圧に追従し、設定されたターゲット電流となるように制
御されるバイアス電圧として動作する。このバイアス電
圧はトランスT2 の1次側の電圧で制御され、周波数は
一定となる。
電圧に追従して動作する。このため、グリッド電位をカ
ソード電位より常に負電位にすることで、ターゲット電
流の制御が可能となる。グリッド電位がカットオフ電圧
よりカソード電位に近づくにつれて、ターゲット電流が
増大していくので、最大のターゲット電流が流れた場合
でもカソード電位より負の電位になるように、グリッド
電位およびカソード電位を設定する必要がある。この理
由は、カソード15bから放出される電子はヒーター電
極15aで加熱された熱電子であり、この熱電子がフォ
ーカス電極15dで10μm程度の焦点径で集束される
と、電流密度が極めて高くなるからである。したがっ
て、ターゲット電流が100μAを越える状態にならな
いようにして、高電流密度によるターゲット16aの焼
損や劣化を防止する必要がある。よって、グリッド電位
をカソード電位より負に保持する重要性は極めて大き
い。
とカソード電圧を与える回路において極性を持たせるこ
とで実現している。具体的には、コッククロフト回路3
02の初段側からコッククロフト回路301 の最終段に
接続する部分に、コッククロフト回路302 側にマイナ
ス、コッククロフト回路301 側にプラスの極性を持つ
ダイオードD1 ,D2 を直列に接続している。このダイ
オードD1 ,D2 の整流作用によって、グリッド電位は
カソード電位より常に負の電位となり、高電流密度によ
るターゲット16aの焼損や劣化は防止される。
である。同図に示すヒーター電圧回路440では、3端
子レギュレータ441によりトランスT1 の中点にボリ
ュームVR5 で調整された電圧が与えられる。スイッチ
ングトランジスタQ10(Q10-1,Q10-2)は、発振器4
42で与えられた発振周波数によって交互にON−OF
F動作をする。このスイッチングトランジスタQ10のコ
レクタ電圧がトランスT1 の一次側の両端に印加され
る。よって、トランスT1 の1次側電圧は発振周波数成
分を持った電圧となる。また、トランスT1 の1次側電
圧はトランスT1の中点に電圧を与えるボリュームVR
5 によって調整される。
1次電圧で制御され、周波数は一定となる。このトラン
スT1 の2次側の一端443はヒーター電極15aに接
続され、他の一端444はカソード電位になるように接
続されている。つまり、ヒーター電圧回路440は、グ
ランド電位に対して負の高圧電位であるカソード15b
の負電極と接続されている。また、カソード電圧は、タ
ーゲット電圧の変化に合わせて連動して変化するので、
ヒーター電圧回路440上の電位はこれに合わせて変化
することになる。
70kV、管電流を100μAとした場合、ターゲット
電圧が0〜+70kVに変化すると、カソード電圧は連
動して、0〜−700Vに変化する。したがって、ヒー
ター電圧回路440は最大(−)700Vの電位とな
る。
3をグランドと短絡してしまった場合には、ヒーター電
圧回路440にはカソード電圧が直接印加されることに
なる。カソード電圧が印加されると、ヒーター電極15
aにはコッククロフト回路20の出力が通電され、電流
量が大きくなればヒーター電極15aが焼損してしまう
危険性がある。
出力される電流量に比べて、コッククロフト回路20か
ら出力される電流量が十分に小さくなるよう設定されて
いる。このため、コッククロフト回路20は電圧降下を
起こすのみで、コッククロフト回路20の出力電流がヒ
ーター電極15aに影響を与えることはない。具体的に
は、カソード電圧を発生させるコッククロフト回路30
1 は、静電容量が2200PFのコンデンサ8段で構成
されている。このようなコッククロフト回路301 で
は、負荷電流として300μA程度まで得られることが
実験的に判っている。また、例えば、カソード15bか
ら100μAのターゲット電流を発生させるには、ヒー
ター電極15aに6.3V程度の電圧が印加され、30
0mA程度の電流が流れる。このように、ヒーター電極
15aの電流量は、コッククロフト回路301 から出力
される電流量に比べて十分大きいので、コッククロフト
回路20の出力電流がヒーター電極15aに影響を与え
ることはない。
の各回路を示す回路図である。図19はインターロック
検出部230の回路図であるインターロック回路45
0、図20はエージング部240の回路図である自動エ
ージング回路460である。さらに、図21は電圧設定
D/Aコンバータ210及び電流設定D/Aコンバータ
220の回路図であるコンバータ回路470、図22は
CPU360の周辺回路図であるCPU駆動指示回路4
80、図23はCPU360の回路図であるCPU回路
490である。
461が投入されると、インターロック回路450のA
NDゲート453でインターロックの状態が検知され
る。動作可能状態であると検知された場合には、CPU
回路490のCPU491に内蔵されたプログラムが実
行され、AGING指令信号がNORゲート465に与
えられる。このAGING指令信号によって、フリップ
フロップ464、NANDゲート466,467が駆動
され、コンバータ回路470のD/Aコンバータ47
1,474の出力としてターゲット電圧設定電圧および
ターゲット電流設定電圧が与えられる。これらの設定電
圧が与えられることによって、動作ブロック部100の
各回路が駆動され、マイクロフォーカスX線管10にと
って最適なウォームアップが行われる。
NAND回路467に指令が与えられ、コンパレータ4
69からの出力がスタンバイ状態(外部よりマイクロフ
ォーカスX線管10のターゲット電圧、ターゲット電流
を設定する準備状態)に切り換わる。
10でのX線の発生を、CPU駆動指示回路480のキ
ースイッチ481を用いて停止させる機能がある。キー
スイッチ481には、NCスイッチとNOスイッチがあ
り、X線発生前にNCスイッチが投入されると、NAN
Dゲート484からCPU491に信号が出力され、自
動ウォームアップ動作の信号がCPU491より出力さ
れる。また、X線発生後にNOスイッチが投入されると
NANDゲート482からオーペレーションスイッチ信
号として、CPU491に与えられる。NOスイッチの
投入によって、CPU491は内蔵したプログラムによ
り、インターロック回路450のインバータ451を駆
動して、スタンバイ状態に切り換わる。
471,474に指令を与えて、ターゲット電圧、ター
ゲット電流の設定が初期状態(ターゲット電圧0V、タ
ーゲット電流0μA)になるように、以前の設定信号を
すべてリセットさせる。
式)を用いて測定した出力強度のばらつきを示す図、図
24(b)は本実施例のX線装置を用いて測定した出力
強度のばらつきを示す図である。いずれのX線装置もタ
ーゲット電圧を40KV、ターゲット電流を10μAに
設定している。これらの図より、本実施例のX線装置
は、従来装置に比べて、出力が安定していることが判
る。つまり、本実施例のX線装置の各電圧発生回路(タ
ーゲット電圧回路410、カソード電圧回路420、
…)は、電圧制御方式がパルス電圧可変制御方式である
ため、低圧より高圧まで駆動を安定して制御することが
できるのである。したがって、本実施例では、ばらつき
の少ない安定したX線出力を維持することができ、精密
な計測などの低ターゲット電圧、低ターゲット電流下で
の使用に顕著な効果を有する。
電極はグランド電位を保持し変動することがないので、
ターゲットに衝突する電子の焦点径が一定になり、X線
の出力が安定する。また、カソード・ターゲット間の電
位比は常に一定なので、カソード・ターゲット間の電界
分布が安定し、X線の出力が安定する。さらに、外囲器
はグランド電位を保持しているので、外部からの影響を
受けてカソード・ターゲット間の電界分布が乱れること
はほとんどない。よって、カソード・ターゲット間の電
界分布の乱れによって、X線の出力が変動することはな
い。
ば、バラツキの小さいX線出力を得ることができる。
ある。
ある。
線管の構造を示す断面図である。
線管の構造を示す断面図である。
がパネルに固定された状態を示す断面図である。
回路の概略図である。
図である。
ーゲットに衝突する電子の焦点径との関係を示す図であ
る。
ク図である。
である。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
2,13…外囲器、14…X線出射窓、15…電子銃、
15a…ヒーター電極、15b…カソード、15c…グ
リッド電極、15d…フォーカス電極、15e…支柱、
16…ターゲット基体、16a…ターゲット、20,3
0…コッククロフト回路、21…モールドブロック、2
1a…絶縁油槽、22…ターゲット高電圧供給端子、2
3,31…基板、24…冷却用ファン、25…コネク
タ、40…コントロール装置、50…筐体、51…鉛
板、52…パネル、53…蒸発防止カバー、60…モー
ルド型、100…動作ブロック部、110…ターゲット
制御部、120…ターゲット過電流検出部、130…グ
リッド制御部、140…カソード制御部、150…ヒー
ター制御部、200…制御ブロック部、210…電圧設
定D/Aコンバータ、220…電流設定D/Aコンバー
タ、230…インターロック検出部、240…エージン
グ部、250…キースイッチ、260…電源制御部、2
70…ROM、280…RAM、290…電圧設定スイ
ッチ、300…電流設定スイッチ、310…モードスイ
ッチ、320…モード表示部、330…過電流表示部、
340…ターゲット電圧表示メータ、350…ターゲッ
ト電流表示メータ、360…CPU、410…ターゲッ
ト電圧回路、420…カソード電圧回路、430…グリ
ッド電圧回路、440…ヒーター電圧回路、450…イ
ンターロック回路、460…自動エージング回路、47
0…コンバータ回路、480…CPU駆動指示回路、4
90…CPU回路。
Claims (5)
- 【請求項1】 ヒーターの加熱により電子を放出するカ
ソードと、前記カソードから放出された電子の衝突によ
りX線を発生させるターゲットと、前記ターゲットに電
子が衝突するように前記カソードから放出された電子を
集束させるグランド電位のフォーカス電極と、前記カソ
ード、前記ターゲット及び前記フォーカス電極が内部に
配置され、前記ターゲットで発生したX線を外部に出射
させる出射窓を有するグランド電位の外囲器とを備えた
X線管と、 前記ターゲットへの印加電圧の変化に連動させて、一定
の比率で前記カソードへの印加電圧を変化させるように
制御する制御回路とを備えることを特徴とするX線装
置。 - 【請求項2】 前記ターゲット及び前記カソードなどに
電圧を印加する電圧発生回路と、 前記発生回路を樹脂モールドする発生回路モールドブロ
ックとを備え、 前記電圧発生回路を制御する前記制御回路の制御方式
が、パルス電圧可変制御方式であることを特徴とする請
求項1記載のX線装置。 - 【請求項3】 前記カソードと前記フォーカス電極との
間に、前記カソードから放出された電子を加速させるグ
リッド電極と、 前記カソード、前記グリッド電極および前記フォーカス
電極を非結晶性ガラスまたは銀で接着して組立固定する
アルミナ支柱とを備え、 前記ターゲットは、無酸素銅の基体の少なくとも電子入
射面にタングステン(W)が銀等によりろう付けされて
おり、 前記フォーカスおよび前記グリッドの材質はモリブデン
(Mo)で、前記カソードの表面にはイリジウム(I
r)が被覆されており、 前記外囲器の材質はニッケル・銅合金であることを特徴
とする請求項1または請求項2に記載のX線装置。 - 【請求項4】 前記X線管を挿入固定するための挿入穴
を有するX線管モールドブロックを備え、 前記挿入穴には前記X線管の高電圧絶縁のための絶縁油
または絶縁ガス(SF6 )が封入されており、前記挿入
穴の開口端面には前記絶縁油などの漏洩、蒸発防止用の
エポキシ樹脂が塗布されていることを特徴とする請求項
1から請求項3のいずれかに記載のX線装置。 - 【請求項5】 前記電圧発生回路は、前記ターゲットに
プラスの高電圧を印加するターゲット用電圧発生回路
と、前記カソードにマイナスの高電圧を印加するカソー
ド用電圧発生回路と、前記グリッド電極に高電圧を印加
するグリッド用電圧発生回路とを備え、 前記制御回路のカソード・グリッド間には、前記ターゲ
ットへの過電流を防止するためのダイオードが前記グリ
ッド用電圧回路と直列に接続され、 前記ターゲット用電圧発生回路には、異常過電流及び/
又は異常過電圧を検出し、異常時に回路の駆動を休止さ
せる手段を有し、 前記ヒーターの焼損を防止するために、前記カソード用
電圧発生回路の電流容量が前記ヒーターの電流容量の1
/100以下であることを特徴とする請求項3または請
求項4記載のX線装置。
Priority Applications (4)
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Cited By (20)
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---|---|---|---|---|
US6490341B1 (en) | 1998-02-06 | 2002-12-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
WO2003019995A1 (fr) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de production de rayons x |
JP2003517702A (ja) * | 1998-10-02 | 2003-05-27 | イギリス国 | 改良された光電子増倍管回路 |
JP2004504710A (ja) * | 2000-07-22 | 2004-02-12 | エックス−テック システムズ リミテッド | X線源 |
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WO2006025318A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線源 |
WO2006025320A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線源 |
US7031433B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray source and a nondestructive inspector |
JP2006147567A (ja) * | 2004-11-20 | 2006-06-08 | General Electric Co <Ge> | Pcb内の高電圧部品のための電圧勾配緩和及び遮蔽方法、並びにx線装置 |
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US7158197B2 (en) | 1995-07-17 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this |
JP2007066579A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toshiba Corp | X線管装置の電圧印加方法およびx線管装置 |
JP2007066655A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hamamatsu Photonics Kk | X線源 |
JP2007066694A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Hamamatsu Photonics Kk | X線管 |
JP2010521792A (ja) * | 2007-03-19 | 2010-06-24 | 株式会社 ソンジェ ハイテック | 光イオナイザ |
JP2011013659A (ja) * | 2009-06-05 | 2011-01-20 | Bunshi Japan:Kk | 観察装置 |
JP2011119084A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Life Technology Research Institute Inc | X線発生装置及び携帯型非破壊検査装置 |
JP2017079858A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 東芝メディカルシステムズ株式会社 | X線診断装置 |
JP2019509614A (ja) * | 2016-03-11 | 2019-04-04 | ナノレイ カンパニー, リミテッドNanoray Co., Ltd | 携帯用炭素ナノチューブ及びフィラメントタイプのx線装置 |
WO2019198341A1 (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置及びx線利用システム |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2769434B2 (ja) * | 1994-07-08 | 1998-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線装置 |
US5923723A (en) * | 1996-08-19 | 1999-07-13 | Siemens Aktiengesellschaft | High-voltage generator for an X-ray generator |
DE69940637D1 (de) | 1998-07-09 | 2009-05-07 | Hamamatsu Photonics Kk | Röntgenröhre |
JP4334639B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2009-09-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線管 |
JP3934837B2 (ja) | 1999-10-29 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 開放型x線発生装置 |
JP2003142294A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 高電圧発生回路およびx線発生装置 |
US7448801B2 (en) * | 2002-02-20 | 2008-11-11 | Inpho, Inc. | Integrated X-ray source module |
US7448802B2 (en) * | 2002-02-20 | 2008-11-11 | Newton Scientific, Inc. | Integrated X-ray source module |
WO2003086028A1 (fr) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede et appareil de controle de tube a rayons x |
US7940506B2 (en) * | 2003-03-05 | 2011-05-10 | Dollar Energy Group, Inc. | Automated AC line filter and surge suppression apparatus and method |
US7145988B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-12-05 | General Electric Company | Sealed electron beam source |
US7085353B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-08-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube |
JP4541075B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2010-09-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線源 |
US7742571B1 (en) * | 2006-04-17 | 2010-06-22 | Roman Krzystyniak | Grid control system for eliminating soft radiation emissions from an X-ray tube |
CN101287326B (zh) * | 2007-04-13 | 2011-10-19 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 长寿命的一体化微型x射线发生器 |
US8897419B1 (en) * | 2011-02-14 | 2014-11-25 | Science Research Laboratory, Inc. | Systems and methods for accelerating charged particle beams |
KR101247453B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2013-03-25 | 경희대학교 산학협력단 | 냉각 및 차폐 기능이 있는 엑스레이 소스 |
KR200467938Y1 (ko) | 2012-11-16 | 2013-07-12 | 권영배 | 이동형 엑스레이 장치의 고전압 튜브 탱크 |
US9480135B2 (en) * | 2014-09-07 | 2016-10-25 | Innoden, Llc | High voltage tube tank for a portable x-ray |
DE102015213810B4 (de) * | 2015-07-22 | 2021-11-25 | Siemens Healthcare Gmbh | Hochspannungszuführung für einen Röntgenstrahler |
GB2545742A (en) | 2015-12-23 | 2017-06-28 | X-Tek Systems Ltd | Target assembly for an x-ray emission apparatus and x-ray emission apparatus |
JP6665753B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2020-03-13 | 株式会社島津製作所 | X線検査装置 |
KR101867318B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2018-06-15 | (주)이림전자 | 휴대용 엑스레이장치의 엑스레이 모듈 어셈블리 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2053606A1 (de) * | 1970-10-31 | 1972-05-10 | Mueller C H F Gmbh | Einrichtung zur selbsttätigen Einstellung der Brennfleckgröße einer Röntgenröhre in Abhängigkeit von der Röhrenbelastung |
DE2917636A1 (de) * | 1979-05-02 | 1980-11-13 | Philips Patentverwaltung | Roentgengenerator |
DE3135061A1 (de) * | 1981-09-04 | 1983-03-24 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Roentgengenerator zum betrieb von roentgenroehren mit an masse angeschlossenem mittelteil |
JPS5894800A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | Toshiba Corp | X線制御装置 |
US4646338A (en) * | 1983-08-01 | 1987-02-24 | Kevex Corporation | Modular portable X-ray source with integral generator |
DE3343130A1 (de) * | 1983-11-29 | 1985-07-04 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Roentgenroehre mit einer hilfskathode |
US4694480A (en) * | 1985-07-30 | 1987-09-15 | Kevex Corporation | Hand held precision X-ray source |
DE3600464A1 (de) * | 1986-01-10 | 1987-07-16 | Philips Patentverwaltung | Roentgengenerator mit dosisleistungsregelung |
JPH0673291B2 (ja) * | 1988-04-16 | 1994-09-14 | 株式会社東芝 | X線管 |
US4930145A (en) * | 1988-08-15 | 1990-05-29 | General Electric Company | X-ray exposure regulator |
US5077771A (en) * | 1989-03-01 | 1991-12-31 | Kevex X-Ray Inc. | Hand held high power pulsed precision x-ray source |
DE3929888A1 (de) * | 1989-09-08 | 1991-03-14 | Philips Patentverwaltung | Roentgengenerator zum betrieb einer roentgenroehre mit an masse angeschlossenen roehrenteilen |
EP0487767B1 (de) * | 1990-11-27 | 1993-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochfrequenz-Röntgengenerator |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP5175734A patent/JP2634369B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-14 EP EP94305183A patent/EP0634885B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-14 DE DE69423024T patent/DE69423024T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-15 US US08/276,159 patent/US5517545A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7209197B2 (en) | 1995-07-17 | 2007-04-24 | Seiko Epson Corporation | Reflective color LCD with color filters having particular transmissivity |
US7158197B2 (en) | 1995-07-17 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this |
US7106829B2 (en) | 1998-02-06 | 2006-09-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
US6856671B2 (en) | 1998-02-06 | 2005-02-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
US6490341B1 (en) | 1998-02-06 | 2002-12-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
JP4837829B2 (ja) * | 1998-10-02 | 2011-12-14 | イギリス国 | 改良された光電子増倍管回路 |
JP2003517702A (ja) * | 1998-10-02 | 2003-05-27 | イギリス国 | 改良された光電子増倍管回路 |
JP2004504710A (ja) * | 2000-07-22 | 2004-02-12 | エックス−テック システムズ リミテッド | X線源 |
KR100916404B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2009-09-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | X선 발생 장치 |
US7133495B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-11-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray generator |
US6944268B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray generator |
WO2003019995A1 (fr) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de production de rayons x |
US7006601B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-02-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray source |
US7031433B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray source and a nondestructive inspector |
US7110505B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-09-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray source and nondestructive inspector |
WO2006025318A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線源 |
WO2006025320A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線源 |
JP4589062B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2010-12-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線源 |
JP2006073382A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | X線源 |
JP2006147567A (ja) * | 2004-11-20 | 2006-06-08 | General Electric Co <Ge> | Pcb内の高電圧部品のための電圧勾配緩和及び遮蔽方法、並びにx線装置 |
JP2007066579A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toshiba Corp | X線管装置の電圧印加方法およびx線管装置 |
JP2007066655A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hamamatsu Photonics Kk | X線源 |
JP2007066694A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Hamamatsu Photonics Kk | X線管 |
JP2010521792A (ja) * | 2007-03-19 | 2010-06-24 | 株式会社 ソンジェ ハイテック | 光イオナイザ |
JP2011013659A (ja) * | 2009-06-05 | 2011-01-20 | Bunshi Japan:Kk | 観察装置 |
JP2011119084A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Life Technology Research Institute Inc | X線発生装置及び携帯型非破壊検査装置 |
JP2017079858A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 東芝メディカルシステムズ株式会社 | X線診断装置 |
US10412818B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-09-10 | Canon Medical Systems Corporation | X-ray diagnostic apparatus |
JP2019509614A (ja) * | 2016-03-11 | 2019-04-04 | ナノレイ カンパニー, リミテッドNanoray Co., Ltd | 携帯用炭素ナノチューブ及びフィラメントタイプのx線装置 |
WO2019198341A1 (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置及びx線利用システム |
GB2585795A (en) * | 2018-04-12 | 2021-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | X-ray generator and X-ray utilization system |
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Publication number | Publication date |
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