JPH0728540A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPH0728540A JPH0728540A JP5197809A JP19780993A JPH0728540A JP H0728540 A JPH0728540 A JP H0728540A JP 5197809 A JP5197809 A JP 5197809A JP 19780993 A JP19780993 A JP 19780993A JP H0728540 A JPH0728540 A JP H0728540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- zener diode
- reference voltage
- transistor element
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力電源電圧が変動しても安定な出力電圧を
得る。 【構成】 抵抗７、ＰＮＰトランジスタ８、ツェナーダ
イオード９が、電源電圧Ｖｃとアースとの間にこの順に
直列接続され、ツェナーダイオード９の電圧を出力電圧
Ｖｏとするとき、トランジスタ８のベースバイアスとし
て、ツェナーダイオード３、ＦＥＴ５、抵抗６の直列回
路の電圧を用いる。ＦＥＴ５のゲートバイアスを出力電
圧Ｖｏとすることで、ツェナーダイオード３のツェナー
電圧を一定とし、結果としてツェナーダイオード９の電
流を一定に保つ。
得る。 【構成】 抵抗７、ＰＮＰトランジスタ８、ツェナーダ
イオード９が、電源電圧Ｖｃとアースとの間にこの順に
直列接続され、ツェナーダイオード９の電圧を出力電圧
Ｖｏとするとき、トランジスタ８のベースバイアスとし
て、ツェナーダイオード３、ＦＥＴ５、抵抗６の直列回
路の電圧を用いる。ＦＥＴ５のゲートバイアスを出力電
圧Ｖｏとすることで、ツェナーダイオード３のツェナー
電圧を一定とし、結果としてツェナーダイオード９の電
流を一定に保つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基準電圧発生回路に関
し、特にツェナーダイオード素子及びバイポーラトラン
ジスタ素子を使用して一定の基準電圧を生成する基準電
圧発生回路に関するものである。
し、特にツェナーダイオード素子及びバイポーラトラン
ジスタ素子を使用して一定の基準電圧を生成する基準電
圧発生回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基準電圧発生回路の例
は、白井義男著の「トランジスタ回路活用のポイント」
（日本放送出版協会発行）のＰ．１９８の図８−８
（ｂ）に開示されたものがある。当該基準電圧発生回路
の回路図を図２に引用して示す。
は、白井義男著の「トランジスタ回路活用のポイント」
（日本放送出版協会発行）のＰ．１９８の図８−８
（ｂ）に開示されたものがある。当該基準電圧発生回路
の回路図を図２に引用して示す。
【０００３】図２において、電源電圧Ｖｃと基準電位
（アース）との間には、抵抗７、ＰＮＰトランジスタ
８、ツェナーダイオード９がこの順に直列接続されてい
る。このトランジスタ８のベースバイアスとして、ツェ
ナーダイオード３によるツェナー電圧が用いられてお
り、そのために、電源電圧Ｖｃとアースとの間に、ツェ
ナーダイオード３と抵抗６とがこの順に直列接続されて
いる。
（アース）との間には、抵抗７、ＰＮＰトランジスタ
８、ツェナーダイオード９がこの順に直列接続されてい
る。このトランジスタ８のベースバイアスとして、ツェ
ナーダイオード３によるツェナー電圧が用いられてお
り、そのために、電源電圧Ｖｃとアースとの間に、ツェ
ナーダイオード３と抵抗６とがこの順に直列接続されて
いる。
【０００４】そして、ＰＮＰトランジスタ８とツェナー
ダイオード９との直列接続点の電圧が基準電圧Ｖｏとし
て導出され、図示せぬ負荷へ定電圧を供給するようにな
っている。
ダイオード９との直列接続点の電圧が基準電圧Ｖｏとし
て導出され、図示せぬ負荷へ定電圧を供給するようにな
っている。
【０００５】この様な回路において、基準電圧Ｖｏを一
定に保つには、ツェナーダイオード９に流れる電流を一
定に保つ必要がある。この電流Ｉ９は、ツェナーダイオ
ード３のツェナー電圧をＶ３、抵抗７の抵抗値をＲ７と
すると、 Ｉ９＝（Ｖ３−ＶBE）／Ｒ７………（１） となる。
定に保つには、ツェナーダイオード９に流れる電流を一
定に保つ必要がある。この電流Ｉ９は、ツェナーダイオ
ード３のツェナー電圧をＶ３、抵抗７の抵抗値をＲ７と
すると、 Ｉ９＝（Ｖ３−ＶBE）／Ｒ７………（１） となる。
【０００６】尚、（１）式において、ＶBEはＰＮＰトラ
ンジスタ８のベースエミッタ間電圧を表わしている。
ンジスタ８のベースエミッタ間電圧を表わしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この様な基準電圧発生
回路においては、入力電源電圧Ｖｃが変化すると、基準
電圧発生用のツェナーダイオード９に流れる電流が変化
し、出力の基準電圧Ｖｏが変化するという欠点がある。
回路においては、入力電源電圧Ｖｃが変化すると、基準
電圧発生用のツェナーダイオード９に流れる電流が変化
し、出力の基準電圧Ｖｏが変化するという欠点がある。
【０００８】すなわち、一般にツェナーダイオードはそ
の電流が変化すると、ツェナー電圧が変化するために、
ツェナーダイオード３への供給電圧が変化すると、その
電流が変わって（１）式のＶ３も変動することになる。
よって、Ｉ９も変化して、結果的にツェナーダイオード
９のツェナー電圧が変化し、出力電圧Ｖｏが変動するの
である。
の電流が変化すると、ツェナー電圧が変化するために、
ツェナーダイオード３への供給電圧が変化すると、その
電流が変わって（１）式のＶ３も変動することになる。
よって、Ｉ９も変化して、結果的にツェナーダイオード
９のツェナー電圧が変化し、出力電圧Ｖｏが変動するの
である。
【０００９】また、（１）式から判る様に、Ｉ９はＶBE
の関数でもあるために温度特性も悪くなるという欠点も
ある。
の関数でもあるために温度特性も悪くなるという欠点も
ある。
【００１０】本発明の目的は、回路電源電圧が変動して
もツェナーダイオードによる出力基準電圧は変化せず安
定な出力を得ることが可能な基準電圧発生回路を提供す
ることである。
もツェナーダイオードによる出力基準電圧は変化せず安
定な出力を得ることが可能な基準電圧発生回路を提供す
ることである。
【００１１】本発明の他の目的は、温度特性の良好な基
準電圧発生回路を提供することである。
準電圧発生回路を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電源電
圧と基準電位との間において抵抗素子、バイポーラトラ
ンジスタ素子及び第１のツェナーダイオード素子がこの
順に直列接続され、前記トランジスタ素子のベースに対
して基準バイアスを発生するバイアス発生手段を含み、
前記トランジスタ素子と前記第１のツェナーダイオード
素子との直列接続点の電圧を出力基準電圧として導出す
るようにした基準電圧発生回路であって、前記バイアス
発生手段は、前記電源電圧と前記基準電位との間におい
て第２のツェナーダイオード素子、電界効果トランジス
タ素子及び抵抗素子がこの順に直列接続され、前記電界
効果トランジスタ素子のドレイン出力を前記バイポーラ
トランジスタ素子のベースバイアスとする直列接続回路
からなり、前記電界効果トランジスタ素子のゲートバイ
アスが前記出力基準電圧とされていることを特徴とする
基準電圧発生回路が得られる。
圧と基準電位との間において抵抗素子、バイポーラトラ
ンジスタ素子及び第１のツェナーダイオード素子がこの
順に直列接続され、前記トランジスタ素子のベースに対
して基準バイアスを発生するバイアス発生手段を含み、
前記トランジスタ素子と前記第１のツェナーダイオード
素子との直列接続点の電圧を出力基準電圧として導出す
るようにした基準電圧発生回路であって、前記バイアス
発生手段は、前記電源電圧と前記基準電位との間におい
て第２のツェナーダイオード素子、電界効果トランジス
タ素子及び抵抗素子がこの順に直列接続され、前記電界
効果トランジスタ素子のドレイン出力を前記バイポーラ
トランジスタ素子のベースバイアスとする直列接続回路
からなり、前記電界効果トランジスタ素子のゲートバイ
アスが前記出力基準電圧とされていることを特徴とする
基準電圧発生回路が得られる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【００１４】図１は本発明の実施例の回路図あり、図２
と同等部分は同一符号により示している。本実施例にお
いては、ツェナーダイオード３の動作電流を供給するた
めの回路を、図２の抵抗６の代わりに、ＦＥＴ５及び抵
抗６の直列接続回路としたものである。
と同等部分は同一符号により示している。本実施例にお
いては、ツェナーダイオード３の動作電流を供給するた
めの回路を、図２の抵抗６の代わりに、ＦＥＴ５及び抵
抗６の直列接続回路としたものである。
【００１５】すなわち、電源電圧Ｖｃとアースとの間
に、ツェナーダイオード３、ＦＥＴ５及び抵抗６をこの
順に直列接続している。そして、ＦＥＴ５のゲートには
出力電圧Ｖｏが供給されている。尚、ツェナーダイオー
ド３とＦＥＥＴ５との間のダイオード４は、ＰＮＰトラ
ンジスタ８の温度補償用として機能するものである。
に、ツェナーダイオード３、ＦＥＴ５及び抵抗６をこの
順に直列接続している。そして、ＦＥＴ５のゲートには
出力電圧Ｖｏが供給されている。尚、ツェナーダイオー
ド３とＦＥＥＴ５との間のダイオード４は、ＰＮＰトラ
ンジスタ８の温度補償用として機能するものである。
【００１６】他の構成は図２と同一であり、その説明は
省略する。
省略する。
【００１７】かかる構成において、ツェナーダイオード
３に流れる電流Ｉ３は、ＦＥＴ５のゲート電圧と抵抗６
とで決定され、ＦＥＴ５のゲートソース間電圧をＶgs、
抵抗６の値をＲ６とすると、 Ｉ３＝（Ｖ３＋Ｖgs）／Ｒ６………（２） となる。
３に流れる電流Ｉ３は、ＦＥＴ５のゲート電圧と抵抗６
とで決定され、ＦＥＴ５のゲートソース間電圧をＶgs、
抵抗６の値をＲ６とすると、 Ｉ３＝（Ｖ３＋Ｖgs）／Ｒ６………（２） となる。
【００１８】そして、ツェナーダイオード９に流れる電
流Ｉ９は、 Ｉ９＝Ｖ３／Ｒ７………（３） となり、Ｖ３及びＲ７の値により定まる。このＶ３はＩ
３により変動するが、本実施例では、このＩ３は電源電
圧に依存せず、（２）式の如く、ＶgsとＲ６とに依存し
ている。
流Ｉ９は、 Ｉ９＝Ｖ３／Ｒ７………（３） となり、Ｖ３及びＲ７の値により定まる。このＶ３はＩ
３により変動するが、本実施例では、このＩ３は電源電
圧に依存せず、（２）式の如く、ＶgsとＲ６とに依存し
ている。
【００１９】ここでＦＥＴ５ののＶgsは出力電圧Ｖo を
用いているために一定であるために、ツェナーダイオー
ド３の電流Ｉ３は電源電圧Ｖc の変動に対しては一定と
考えることができる。よって、ツェナーダイオード３の
電圧Ｖ３も一定となり、従ってツェナーダイオード９に
流れる電流Ｉ９は一定となって安定な出力が得られるこ
とになる。
用いているために一定であるために、ツェナーダイオー
ド３の電流Ｉ３は電源電圧Ｖc の変動に対しては一定と
考えることができる。よって、ツェナーダイオード３の
電圧Ｖ３も一定となり、従ってツェナーダイオード９に
流れる電流Ｉ９は一定となって安定な出力が得られるこ
とになる。
【００２０】ＰＮＰトランジスタ８のＶBEの温度補償
は、ダイオード４により行うことができ、このダイオー
ド４はトランジスタ８と同特性のものが用いられる。
は、ダイオード４により行うことができ、このダイオー
ド４はトランジスタ８と同特性のものが用いられる。
【００２１】尚、ＦＥＴ５としては絶縁ゲート型ＦＥＴ
であっても、接合型ＦＥＴであってもよいものである。
であっても、接合型ＦＥＴであってもよいものである。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば、入力
電源電圧が変化した場合にも安定した出力電圧が得られ
るという効果がある。
電源電圧が変化した場合にも安定した出力電圧が得られ
るという効果がある。
【図１】本発明の実施例の回路図である。
【図２】従来の基準電圧発生回路の回路図である。
３，９ ツェナーダイオード ４ ダイオード ５ ＦＥＴ ６，７ 抵抗 ８ ＰＮＰトランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 電源電圧と基準電位との間において抵抗
素子、バイポーラトランジスタ素子及び第１のツェナー
ダイオード素子がこの順に直列接続され、前記トランジ
スタ素子のベースに対して基準バイアスを発生するバイ
アス発生手段を含み、前記トランジスタ素子と前記第１
のツェナーダイオード素子との直列接続点の電圧を出力
基準電圧として導出するようにした基準電圧発生回路で
あって、前記バイアス発生手段は、前記電源電圧と前記
基準電位との間において第２のツェナーダイオード素
子、電界効果トランジスタ素子及び抵抗素子がこの順に
直列接続され、前記電界効果トランジスタ素子のドレイ
ン出力を前記バイポーラトランジスタ素子のベースバイ
アスとする直列接続回路からなり、前記電界効果トラン
ジスタ素子のゲートバイアスが前記出力基準電圧とされ
ていることを特徴とする基準電圧発生回路。 - 【請求項２】 前記バアイス発生手段は、前記第２のツ
ェナーダイオード素子と前記電界効果トランジスタ素子
との間に前記バイポーラトランジスタ素子の温度補償用
素子を有することを特徴とする請求項１記載の基準電圧
発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5197809A JPH0728540A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5197809A JPH0728540A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 基準電圧発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728540A true JPH0728540A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16380712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5197809A Pending JPH0728540A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728540A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048319A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Seiko Instruments Inc | 基準電圧回路 |
| JP2013207841A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Canon Inc | 電源装置及び表示装置 |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP5197809A patent/JPH0728540A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048319A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Seiko Instruments Inc | 基準電圧回路 |
| JP2013207841A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Canon Inc | 電源装置及び表示装置 |
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