JPH07283387A

JPH07283387A - 固体撮像素子

Info

Publication number: JPH07283387A
Application number: JP6076024A
Authority: JP
Inventors: Koichi Harada; 耕一原田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-04-14
Filing date: 1994-04-14
Publication date: 1995-10-27

Abstract

(57)【要約】【目的】画素数が多く且つ垂直転送レジスタの動作周
波数が高い例えば高品位テレビ用に適した全画素読み出
し方式のＣＣＤ固体撮像素子の実現を可能にする。【構成】３層の転送電極３６，３７，３８を有し、最
上層の転送電極３８を下層の転送電極３６，３７とシャ
ント用Ａｌ配線６２との接続部５６，５７上及び受光部
３２上を除いて形成し、各層の転送電極３６，３７，３
８上にシャント用金属配線６２を接続して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、全画素読み出し構造の
固体撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、全画素読み出し方式（例えばノン
インタレース方式）の固体撮像素子として、垂直転送レ
ジスタを３相駆動構造にしたものが開発されている。例
えば図１７（そのイメージ領域を示す）に示す固体撮像
素子１は、マトリックス状に配列された受光部２を有
し、各受光部列の側に３層の多結晶シリコン層による転
送電極４，５及び６からなる３相駆動の垂直転送レジス
タ３を形成して構成される。１層目及び２層目の多結晶
シリコン層からなる転送電極４及び５は、夫々受光部２
に対応する部分を凹部とし、垂直転送レジスタ３に対応
する部分を凸部として、水平方向に沿う帯状電極で形成
され、３層目の多結晶シリコン層からなる転送電極６
は、垂直転送レジスタ３に沿って垂直方向に延びる帯状
電極で形成される。１層目、３層目及び２層目の転送電
極４，６及び５には、夫々３相の駆動パルスφ₁，
φ₂，φ₃が印加される。

【０００３】図１８は、他の全画素読み出し方式の固体
撮像素子の例を示す。この固体撮像素子１１は、受光部
２の各受光部列の側に３層の多結晶シリコン層による転
送電極１２，１３及び１４からなる３相駆動の垂直転送
レジスタ３を形成し、各垂直転送レジスタ３上に沿って
シャント用Ａｌ配線１５を配し、各対応する位置でシャ
ント用Ａｌ配線１５と１層目、２層目及び３層目の転送
電極１１，１２及び１３とを接続して構成される。１６
は１層目の転送電極１２とＡｌ配線１５との接続部、１
７は２層目の転送電極１３とＡｌ配線１５との接続部、
１８は３層目の転送電極１４とＡｌ配線１５との接続部
である。

【０００４】この場合、１層目の転送電極１２は、図１
９に示すように、水平方向に沿って受光部２に対応する
部分を凹部２０とし、垂直転送レジスタ３に対応する部
分を図面上、下方に凸部２１とした帯状に形成される。
２層目の転送電極１３は、図２０に示すように、水平方
向に沿って受光部２に対応する部分を凹部２２とし、垂
直転送レジスタ３に対応する部分を図面上、上方に凸部
２３とした帯状に形成される。３層目の転送電極１４
は、図２１に示すように、所定の垂直転送レジスタ３に
沿う連続した電極部２５と、この電極部２５の両側に垂
直方向に隣り合う受光部２間を水平方向に延びる連結部
２６と、各連結部２６から他の垂直転送レジスタ３に沿
って上下交互にほぼ１画素分の長さに亘って延長する延
長部２７とを有する形状に形成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１７に示
す固体撮像素子１では、１層目及び２層目の転送電極４
及び５が水平方向に沿って形成され、３層目の転送電極
６が垂直方向に沿って形成されているため、従来法で各
転送電極４，５及び６上にシャント用Ａｌ配線を接続す
ることが出来ない。従って、この固体撮像素子１は、高
品位テレビ（ＨＤＴＶ）用の例えばＦＩＴ（フレームイ
ンターライントランスファ）型ＣＣＤ固体撮像素子のよ
うに、画素数が多く、且つ垂直転送レジスタの動作周波
数が高い撮像素子には不向きであった。

【０００６】一方、図１８の固体撮像素子１１は、シャ
ント用Ａｌ配線１１を設けることができるので、ＨＤＴ
Ｖ用のＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子に対応することがで
きる。しかし、この固体撮像素子１１の場合、３層目の
多結晶シリコン層による転送電極１４が図２１に示すよ
うに、枝分かれしたような複雑な形状をしているため
に、例えば受光部２Ａ，２Ｂ，２Ｃについてみると夫々
の受光部周辺の段差状態の違いから感度が異なり、全受
光部２で均一な感度が得にくいという不都合があった。
感度としてみたとき、２Ａ＞２Ｂ＝２Ｃである。

【０００７】本発明は、上述の点に鑑み、シャント配線
を可能にし、且つ各受光部共に均一な感度が得られ、例
えば高品位テレビ用の全画素読み出しを可能にした固体
撮像素子を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る固体撮
像素子は、３層以上の転送電極３６，３７及び３８を有
し、最上層の転送電極３８を、下層の転送電極３７，３
６とシャント用金属配線６２との接続部５７，５６上及
び受光部３２上を除いて形成し、各層の転送電極３６，
３７，３８上にシャント用金属配線６２を接続して構成
する。

【０００９】第２の発明は、第１の発明の固体撮像素子
において、転送電極を３層（３６，３７，３８）で構成
する。

【００１０】第３の発明は、第２の発明の固体撮像素
子、即ち、３層の転送電極３６，３７，３８を有し、最
上層（即ち３層目）の転送電極３８を、下層（即ち２層
目、１層目）の転送電極３７，３６とシャント用金属配
線６２との接続部５７，５６上及び受光部３２とを除い
て形成し、各層（即ち１層目、２層目、３層目）の転送
電極３６，３７，３８上にシャント用金属配線６２を接
続してなる固体撮像素子において、さらに、シャント用
金属配線６２と３層目の転送電極３８との接続部５８を
有するライン（３ｎ＋２列）上における３層目の転送電
極３８にダミー用開口９０を設けて構成する。

【００１１】第４の発明は、第１、第２又は第３の発明
の固体撮像素子において、転送電極３６，３７，３８を
多結晶シリコンで形成し、バッファ用多結晶シリコン層
５３を介して各転送電極３６，３７，３８とシャント用
金属配線６２とを接続して構成する。

【００１２】第５の発明は、第１、第２又は第３の発明
の固体撮像素子において、転送電極３６，３７，３８を
多結晶シリコンで形成し、バリアメタル層７２を介して
各転送電極３６，３７，３８とシャント用金属配線６２
とを接続して構成する。

【００１３】

【作用】第１の発明では、３層以上の転送電極３６，３
７，３８を有する固体撮像素子において、最上層の転送
電極３８が、シャント用金属配線６２と下層の転送電極
３７，３６との接続部５７，５６上及び受光部３２上を
除いた形状で形成されることにより、各層の転送電極３
６，３７，３８とシャント用金属配線６２との接続が可
能になる。従って、例えば高画素数で且つ垂直転送レジ
スタの動作周波数が高い固体撮像素子を実現できる。ま
た、各受光部３２周囲の段差状態が同じになるので、各
受光部３２での受光量が均一となり、感度が均一となっ
て固定パターンノイズが低減する。

【００１４】第２の発明では、転送電極を３層（３６，
３７，３８）で形成し、その最上層（３層目）の転送電
極３８がシャント用金属配線６２と下層（２層目、１層
目）の転送電極３７，３６との接続部５７，５６及び受
光部３２を除いて形成されるので、１層目、２層目及び
３層目の転送電極３６，３７及び３８に対するシャント
用金属配線６２の接続が可能となり、高画素数で且つ垂
直転送レジスタの動作周波数が高い固体撮像素子におい
て、３相駆動の全画素読み出しが可能となる。また、各
受光部３２周囲の段差状態が同じになるので、各受光部
３２での受光量が均一となり、感度が均一になって固定
パターンノイズが低減する。

【００１５】第３の発明では、第２の発明の固体撮像素
子において、さらにシャント用金属配線６２と３層目の
転送電極３８との接続部５８を有するライン（３ｎ＋２
列）における３層目の転送電極３８に、ダミー用開口９
０を設けることにより、他のライン（３ｎ＋１列，３ｎ
＋３列）と条件が同じになり、３層目の転送電極３６の
電気的な抵抗が各ライン（３ｎ＋１列，３ｎ＋２列，３
ｎ＋３列）共に均一になり、さらに各受光部３２の感度
が均一になる。

【００１６】第４の発明では、転送電極３６，３７，３
８を多結晶シリコンで形成した場合に、バッファ用多結
晶シリコン層５３を介して各転送電極３６，３７，３８
とシャント用金属配線（特にＡｌ配線）６２とを接続す
るので、シャント用金属配線６２の金属の多結晶シリコ
ンに対する突き抜け現像が防止され、良好な接続が行え
る。

【００１７】第５の発明では、転送電極３６，３７，３
８を多結晶シリコンで形成した場合に、バリアメタル層
７２を介して各転送電極３６，３７，３８とシャント用
金属配線（特にＡｌ配線）６２とを接続するので、シャ
ント用金属配線６２の金属の多結晶シリコンに対する突
き抜け現象が防止され、良好な接続が行える。また、バ
リアメタル層７２を介して接続されるので、受光部３２
からみた周囲の段差が低くなり、さらに感度が向上す
る。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１９】図１〜図８は本発明の第１実施例を示す。
図１は第１実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子の要部、即
ち受光部（画素）がマトリックス状に配列されて構成さ
れるイメージ領域の平面図、図２はそのＡ₁−Ａ₁線上
の断面図、図３はそのＢ₁−Ｂ₁線上の断面図、図４は
そのＣ₁−Ｃ₁線上の断面図、図５〜図８は、夫々１層
目〜３層目の転送電極の形成パターン及びバッファ用多
結晶シリコンを含むシャント用金属配線の形成パターン
を示す平面図である。

【００２０】本例のＣＣＤ固体撮像素子３０は、図１〜
図４に示すように、シリコン基板３１の一主面に画素に
対応して例えばフォトダイオードからなる受光部３２が
多数マトリックス状に配され、各受光部列の側に絶縁膜
３４を介して３層の多結晶シリコン層からなる転送電極
３６，３７及び３８を有してなる垂直転送レジスタ３３
が形成されて成る。

【００２１】このＣＣＤ固体撮像素子３０では、１つの
受光部３２に対し１ビットの転送部が対応するように形
成されて各転送電極３６，３８及び３７に夫々後述のシ
ャント用Ａｌ配線を介して位相の異なる３相の駆動パル
スφ₁，φ₂及びφ₃が供給され、全画素読み出し方式
のＣＣＤ固体撮像素子として機能する。

【００２２】１層目の転送電極３６は、図１及び図５に
示すように、垂直方向に隣り合う受光部３２間に沿って
水平方向に延びる導電部４０と、垂直転送レジスタ３３
に沿って図面上、下方に突出する電極部４１とを有して
帯状に形成される。

【００２３】２層目の転送電極３７は、図１及び図６に
示すように、垂直方向に隣り合う受光部３２間に沿って
水平方向に延びる導電部４３と、垂直転送レジスタ３２
に沿って図面上、上方に突出する電極部４４とを有し、
且つ電極部４４の下辺に、後述する１層目の転送電極３
６とバッファ用多結晶シリコン層５３との接続部を避け
るための開口部、即ち凹状の欠除部４５を設けて帯状に
形成される。

【００２４】３層目の転送電極３８は、図１及び図７に
示すように、１層目及び２層目の転送電極３６及び３７
と後述するバッファ用多結晶シリコン層との接続部５
６，５７と、受光部３２を除く格子状に形成される。即
ち、３層目の転送電極３８は、垂直転送レジスタ３２に
沿う電極部４７と、垂直方向に隣り合う受光部３２間に
沿う連結用の導電部４８を有し、受光部３２に対応する
部分に開口４９が形成されると共に、少なくとも１層目
及び２層目の転送電極３６及び３７がバッファ用多結晶
シリコン層５３と接続されるライン、即ち、図示の３ｎ
＋１列、３ｎ＋２列に対応するラインの電極部４７に、
その接続部５６，５７を避けるための開口５０〔５０
Ａ，５０Ｂ〕が形成されたパターン形状に形成される。

【００２５】そして、本例では、各垂直転送レジスタ３
３に沿って、転送電極３６，３７及び３８上に層間絶縁
層５２を介してバッファ用多結晶シリコン層５３が形成
され、３ｎ＋１列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，‥‥〕
の垂直転送レジスタ３３に関しては、図１及び図２に示
すように、層間絶縁層５２のコンタクトホール５４、３
層目の転送電極４７の開口５０Ａ及び２層目の転送電極
の凹状欠除部４５を通してバッファ用多結晶シリコン層
５３と１層目の転送電極４６が接続される。５６はその
接続部である。

【００２６】３ｎ＋３列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，
‥‥〕の垂直転送レジスタ３３に関しては、図１及び図
４に示すように、層間絶縁層５２のコンタクトホール５
４、３層目の転送電極３８の開口５０Ｂを通じてバッフ
ァ用多結晶シリコン層５３と２層目の転送電極３７が接
続される。５７はその接続部である。

【００２７】３ｎ＋２列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，
‥‥〕のライン即ち垂直転送レジスタに関しては、図１
及び図３に示すように、層間絶縁層５２のコンタクトホ
ール５４を通じてバッファ用多結晶シリコン層５３と３
層目の転送電極３８が接続される。５８はその接続部で
ある。

【００２８】更に、各列の垂直転送レジスタ３３に沿っ
て、バッファ用多結晶シリコン層５３上に層間絶縁層６
０を介して帯状のシャント用金属配線、本例ではシャン
ト用Ａｌ配線６２〔６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ〕が形成さ
れ、夫々の接続部５６，５７及び５８から離れた位置に
おいて、コンタクトホール６３を介してシャント用Ａｌ
配線６２〔６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ〕とバッファ用多結
晶シリコン層５３が接続される。６５，６６，６７は夫
々３ｎ＋１列、３ｎ＋２列、３ｎ＋３列上でのシャント
用Ａｌ配線６２〔６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ〕とバッファ
用多結晶シリコン層５３との接続部である。

【００２９】上述の第１実施例に係るＣＣＤ固体撮像素
子３０によれば、３層の転送電極３６，３７及び３８を
有した３相駆動構造において、その３層目の転送電極３
８が１層目及び２層目の転送電極３６及び３７とシャン
ト用Ａｌ配線、従ってバッファ用多結晶シリコン層５３
との接続部５６，５７及び受光部３２を除く格子状に形
成されているので、１層目、２層目及び３層目の各転送
電極３６，３７及び３８に対してシャント用Ａｌ配線６
２Ａ，６２Ｃ及び６２Ｂを接続することができる。

【００３０】従って、全画素読み出し方式において、例
えば画素数が多く且つ垂直転送レジスタの動作周波数が
高いＨＤＴＶ用のＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子の実現を
可能にする。全画素読み出し方式としては、ノンインタ
レースの他、２画素加算のインタレース読み出しも含ま
れる。

【００３１】そして、各受光部３２からみて、３層目の
転送電極３８は受光部周囲が閉じられた均一な形状であ
るので、各受光部３２の周囲の段差状態が同じとなる。
従って、各受光部３２での受光量が均一となるため、各
受光部３２の感度は均一になる。即ち、固定パターンノ
イズの発生が低減される。

【００３２】更に、バッファ用多結晶シリコン層５３を
介してシャントＡｌ配線６２〔６２Ａ，６２Ｂ，６２
Ｃ〕と多結晶シリコン層による転送電極３６，３７及び
３８を接続しているので、Ａｌ配線６２のＡｌが転送電
極３６，３７及び３８の多結晶シリコン層を突き抜ける
ことがなく、良好な接続が行なえる。

【００３３】図９〜図１２は本発明の第２実施例を示
す。図９は第２実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子の要
部、即ちイメージ領域の平面図、図１０はそのＡ₂−Ａ
₂線上の断面図、図１１はそのＢ₂−Ｂ₂線上の断面
図、図１２はそのＣ₂−Ｃ₂線上の断面図である。尚、
同図中、図１〜図４に対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。

【００３４】本例のＣＣＤ固体撮像素子７０は、第１実
施例と同様に、多数の受光部３２がマトリックス状に配
列され、各受光部列の側に絶縁膜３４を介して３層の多
結晶シリコン層からなる転送電極３６，３７及び３８を
有してなる垂直転送レジスタ３３が形成されて成る。１
層目、２層目及び３層目の転送電極３６，３７及び３８
のパターン形状は、前述の図５〜図７に示すと同様であ
る。また、この例も３相の駆動パルスφ₁，φ₂，φ₃
が供給されて全画素読み出し方式のＣＣＤ固体撮像素子
として機能する。

【００３５】そして、本例では、特に、各垂直転送レジ
スタ３３に沿って転送電極３６，３７，３８上の層間絶
縁層７１上に、例えばＴｉＯＮ膜等のバリアメタル層７
２を介してシャント用Ａｌ配線６２〔６２Ａ，６２Ｂ，
６２Ｃ〕が形成される。即ち、３ｎ＋１列（ライン）
〔ｎ＝０，１，２，‥‥〕の垂直転送レジスタ３３に関
しては、図９及び図１０に示すように、バリアメタル層
７２を介してシャント用Ａｌ配線６２Ａと１層目の転送
電極３６が接続される。７３はその接続部である。

【００３６】３ｎ＋３列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，
‥‥〕の垂直転送レジスタ３３に関しては、図９及び図
１２に示すように、バリアメタル層７２を介してシャン
ト用Ａｌ配線６２Ｃと２層目の転送電極３７が接続され
る。７４はその接続部である。

【００３７】３ｎ＋２列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，
‥‥〕の垂直転送レジスタ３３に関しては、図９及び図
１１に示すように、バリアメタル層７２を介してシャン
ト用Ａｌ配線６２Ｂと３層目の転送電極３８が接続され
る。７５はその接続部である。

【００３８】上述の第２実施例に係るＣＣＤ固体撮像素
子７０によれば、上例と同様に、３層目の転送電極３８
が１層目及び２層目の転送電極３６，３７とシャント用
Ａｌ配線６２〔６２Ａ，６２Ｃ〕との接続部７３，７４
及び受光部３２に対応する部分に開口５０Ａ，５０Ｂ及
び４９が形成された格子状に形成されているので、１層
目、２層目及び３層目の各転送電極３６，３７及び３８
に対してシャント用Ａｌ配線６２〔６２Ａ，６２Ｂ，６
２Ｃ〕を接続することができる。

【００３９】また、各受光部３２からみて周囲の３層目
の転送電極３８が閉じられており、各受光部３２の周囲
の段差状態が同じであるため、各受光部３２での感度が
均一となり、固定パターンノイズが低減される。

【００４０】しかも、本例では、バリアメタル層７２を
介してシャント用Ａｌ配線６２と各転送電極３６，３
７，３８を接続しているので、第１実施例のバッファ用
多結晶シリコン層５３が省略されて受光部３２周囲の段
差がより低くなり、受光部３２への入射光のけられ現象
が少なくなり、受光部３２の感度がより向上する。

【００４１】図１３〜図１６は本発明の第３実施例を示
す。図１３は第３実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子の要
部、即ちイメージ領域の平面図、図１４はそのＡ₃−Ａ
₃線上の断面図、図１５はそのＢ₃−Ｂ₃線上の断面
図、図１６はそのＣ₃−Ｃ₃線上の断面図である。尚、
同図中、図１〜図４に対応する部分には同一符号を付し
て重複説明は省略する。

【００４２】本例のＣＣＤ固体撮像素子８０は、第１実
施例と同様に、多数の受光部３２がマトリックス状に配
列され、各受光部列の側に絶縁膜３４を介して３層の多
結晶シリコン層からなる転送電極３６，３７及び３８を
形成してなる垂直転送レジスタ３３が形成されて成る。
１層目、２層目及び３層目の転送電極３６，３７及び３
８のパターン形状は、前述の図５〜図７に示すと同様で
ある。また、この例も３相の駆動パルスφ₁，φ₂，φ
₃が供給されて全画素読み出し方式のＣＣＤ固体撮像素
子として機能する。

【００４３】そして、本例では、特に、各垂直転送レジ
スタ３３に沿って転送電極３６，３７，３８上の層間絶
縁層８１上に、シャント用Ａｌ配線６２〔６２Ａ，６２
Ｂ，６２Ｃ〕が形成され、このシャント用Ａｌ配線６２
が直接コンタクトホール８２を介して、１層目、２層目
及び３層目の転送電極３６，３７，３８に接続される。
即ち３ｎ＋１列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，‥‥〕の
垂直転送レジスタ３３に関しては、図１３及び図１４に
示すように、シャント用Ａｌ配線６２Ａと１層目の転送
電極３６が直接接続される。８４はその接続部である。
３ｎ＋３列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，‥‥〕の垂直
転送レジスタ３３に関しては、図１３及び図１６に示す
ように、シャント用Ａｌ配線６２Ｃと２層目の転送電極
３７が直接接続される。８５はその接続部である。３ｎ
＋２列（ライン）〔ｎ＝０，１，２，‥‥〕垂直転送レ
ジスタ３３に関しては、図１３及び図１５に示すよう
に、シャント用Ａｌ配線６２Ｂと３層目の転送電極３８
が直接接続される。８６はその接続部である。

【００４４】上述の第３実施例に係るＣＣＤ固体撮像素
子８０によれば、上例と同様に、３層目の転送電極３８
が１層目及び２層目の転送電極３６，３７とシャント用
Ａｌ配線６２Ａ，６２Ｃとの接続部８４，８５及び受光
部３２に対応する部分に開口５０Ａ，５０Ｂ及び４９が
形成された格子状に形成されているので、１層目、２層
目及び３層目の各転送電極３６，３７，３８に対してシ
ャント用Ａｌ配線６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃを接続するこ
とができる。

【００４５】また、各受光部３２からみて周囲の３層目
の転送電極３８が閉じられており、各受光部３２の周囲
の段差状態が同じであるため、各受光部３２での感度が
均一となり、固定パターンノイズが低減される。

【００４６】上述の各実施例においては、図７に示すよ
うに、３層目の転送電極３８の開口５０Ａ，５０Ｂが形
成されないライン、即ち３ｎ＋２列に開口５０Ａ，５０
Ｂと同じ形状、大きさのダミー用開口９０を設けた構成
とすることができる。この構成によれば、各ライン即ち
３ｎ＋１列、３ｎ＋２列、３ｎ＋３列での３層目の転送
電極３８、従って、その多結晶シリコン層の電気的な抵
抗が同程度になり、さらに各受光部３２間の感度を均一
にすることができる。

【００４７】尚、上述の実施例では、３層の転送電極３
６，３７，３８による垂直転送レジスタ３３に適用した
が、３層以上の転送電極を有してなる垂直転送レジスタ
にも適用可能である。その場合には、最上層の転送電極
を、シャント用金属配線と下層の転送電極との接続部及
び受光部を除く格子状に形成するようになす。

【００４８】また、本発明は、ＦＩＴ（フレームインタ
ライントランスファ）型ＣＣＤ固体撮像素子、ＩＴ（イ
ンタライントランスファ）型ＣＣＤ固体撮像素子に適用
することができる。

【００４９】

【発明の効果】第１の発明によれば、３層以上の転送電
極を有する固体撮像素子において、その各層の転送電極
にシャント用金属配線を接続することができる。しか
も、各受光部の周囲の段差状態が同じとなることから各
受光部での感度を均一にすることができ、固定パターン
ノイズを低減することができる。

【００５０】第２の発明によれば、３層の転送電極を有
し３相駆動とする固体撮像素子において、その各層の転
送電極にシャント用金属配線を接続することができる。
また、第１の発明と同様に各受光部の感度を均一にする
ことができ、固定パターンノイズを低減することができ
る。

【００５１】第３の発明によれば、ダミー用開口を設け
ることにより、更に各受光部間での感度を均一にするこ
とができる。

【００５２】第４の発明によれば、第１、第２又は第３
の発明において、バッファ用多結晶シリコン層を介して
転送電極とシャント用金属配線を接続するので、シャン
ト用金属配線の金属の突抜けが防止され、良好な接続が
できる。

【００５３】第５の発明によれば、第１、第２又は第３
の発明において、バリアメタル層を介してシャント用金
属配線と転送電極を接続するので、シャント用金属配線
の金属の突抜けが防止され、良好な接続ができる。また
受光部の周囲の段差が第４の発明に比べて小さくなくな
り、その分入射光のけられが少なくなくなるので、より
感度が向上する。

【００５４】従って、例えば画素数が多く且つ垂直転送
レジスタの動作周波数が高い高品位テレビ用のＣＣＤ固
体撮像素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の第１実施例
を示す要部の平面図である。

【図２】図１のＡ₁−Ａ₁線上の断面図である。

【図３】図１のＢ₁−Ｂ₁線上の断面図である。

【図４】図１のＣ₁−Ｃ₁線上の断面図である。

【図５】実施例に係る１層目の転送電極のパターン形状
を示す平面図である。

【図６】周波数に係る２層目の転送電極のパターン形状
を示す平面図である。

【図７】実施例に係る３層目の転送電極のパターン形状
を示す平面図である。

【図８】実施例に係るバッファ用多結晶シリコン層及び
シャント用Ａｌ配線のパターン形状を示す平面図であ
る。

【図９】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の第２実施例
を示す要部の平面図である。

【図１０】図９のＡ₂−Ａ₂線上の断面図である。

【図１１】図９のＢ₂−Ｂ₂線上の断面図である。

【図１２】図９のＣ₂−Ｃ₂線上の断面図である。

【図１３】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の第３実施
例を示す要部の平面図である。

【図１４】図１３のＡ₃−Ａ₃線上の断面図である。

【図１５】図１３のＢ₃−Ｂ₃線上の断面図である。

【図１６】図１３のＣ₃−Ｃ₃線上の断面図である。

【図１７】従来のＣＣＤ固体撮像素子の一例を示す要部
の平面図である。

【図１８】従来のＣＣＤ固体撮像素子の他の例を示す要
部の平面図である。

【図１９】図１８のＣＣＤ固体撮像素子に係る１層目の
転送電極のパターン形状を示す平面図である。

【図２０】図１８のＣＣＤ固体撮像素子に係る２層目の
転送電極のパターン形状を示す平面図である。

【図２１】図１８のＣＣＤ固体撮像素子に係る３層目の
転送電極のパターン形状を示す平面図である。

【符号の説明】

３０，７０，８０ＣＣＤ固体撮像素子３１シリコン基板３２受光部３３垂直転送レジスタ３４絶縁膜３６，３７，３８転送電極（多結晶シリコン）５０Ａ，５０Ｂ，４９，９０開口５３バッファ用多結晶シリコン６２〔６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ〕シャント用Ａｌ配線５６，５７，５８接続部６５，６６，６７接続部７２バリアメタル層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】３層以上の転送電極を有し、該最上層の
転送電極が下層の転送電極とシャント用金属配線との接
続部上及び受光部上を除いて形成され、上記各層の転送
電極上にシャント用金属配線が接続されて成ることを特
徴とする固体撮像素子。
【請求項２】上記転送電極が３層で構成されて成るこ
とを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】上記シャント用金属配線と上記３層目の
転送電極との接続部を有するライン上における上記３層
目の転送電極に、ダミー用開口が設けられて成ることを
特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】上記転送電極が多結晶シリコン層で形成
され、バッファ用多結晶シリコン層を介して上記各転送
電極とシャント用金属配線とが接続されて成ることを特
徴とする請求項１、２又は３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】上記転送電極が多結晶シリコンで形成さ
れ、バリアメタル層を介して上記各転送電極とシャント
用金属配線とが接続されて成ることを特徴とする請求項
１、２又は３に記載の固体撮像素子。