JPH07281199A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表示領域のまわりに設けられるシール部によ
り一対の基板が貼り合わされて構成される液晶表示装置
において、基板の反りを抑制する。 【構成】 表示領域１３を挟む両側のシール部１４の形
成される領域の幅を表示領域１３の幅の２５％以上、好
ましくは３０％以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関する
ものであり、特に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとい
う）により画素電極を駆動するアクティブマトリクス型
液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】表示品位が優れていることから、液晶の
スイッチング素子を各画素ごとに配置したアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置の商品化が進んでいる。最近
では、スイッチング素子としてポリシリコンでＴＦＴを
形成し、このＴＦＴ形成時にスイッチング素子を駆動さ
せるためのドライバ回路をも同時に基板上に形成するド
ライバ一体型の液晶表示パネルがビューファインダ用や
プロジェクタ用の小型パネルとして注目されている。こ
のようなドライバ一体型基板を用いた液晶表示装置で
は、ドライバ回路及びスイッチング素子を構成するＴＦ
Ｔが設けられたＴＦＴ基板と、表示領域部分に対向電極
が形成された対向電極基板とを貼り合わせ、それらの間
に液晶相を封入することにより液晶表示パネルが構成さ
れている。

【０００３】図６は、このような従来の液晶表示装置を
示す平面図である。図６を参照して、ＴＦＴ基板１上に
は、ＴＦＴ基板１より小さい面積でかつ表示領域３より
も大きな面積を有する対向電極基板２が貼り合わされて
いる。ＴＦＴ基板１の表示領域３には画素電極がマトリ
クス状に配置されており、該画素電極のスイッチング素
子を構成するＴＦＴがこれに対応してマトリクス状に設
けられている。対向電極基板２には、表示領域３に対応
する部分に対向電極が設けられている。対向電極基板２
は表示領域３よりも大きな面積を有しており、表示領域
３より外側の周辺部においてシール剤が塗布されシール
部４が形成されている。シール部４はコーナー部の一箇
所において開放されており、この部分が液晶注入口７と
なる。シール部４のシール剤を硬化させた後、液晶注入
口７から液晶を注入し表示領域３内に液晶相を形成す
る。ＴＦＴ基板１の表示領域３より外側の部分にはドラ
イバ回路が形成されており、このドライバ回路に表示信
号を入力する表示信号入力端子５ａ及び５ｂがＴＦＴ基
板１の一方端部に設けられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図７は、従来の液晶表
示装置を示す図６におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。従来の液晶表示装置では対向電極基板２の端部のわ
ずかの領域に形成されるシール部４により対向電極基板
２がＴＦＴ基板１に取り付けられているため、図７に示
されるように、ＴＦＴ基板１及び対向電極基板２の中央
部分がたわんでしまうという問題があった。

【０００５】シール部４においては、グラスファイバー
等のスペーサーを混入したシール剤が塗布され、これに
よってシール部４の厚みが一定に保持されるが、基板の
中央部においては反りが発生する。そこで、従来は、こ
のような反りの発生を防止するため、ポリマービーズな
どのスペーサーを対向電極基板２とＴＦＴ基板１の間の
液晶相８内に均等に分散させて、これらの問題に対処し
ている。図８は、このようなスペーサー９を液晶相８内
に分散させた状態を示す断面図である。しかしながら、
ポリマービーズ等のスペーサーは液晶と異なった光学的
異方性を有するため、スペーサー部から光漏れが発生し
たり、スペーサーの周囲部分の液晶の配向が乱れ光漏れ
が発生し、コントラスト比を著しく低下させてしまうと
いう問題を生じた。

【０００６】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、ＴＦＴ基板及び対向電極基板の反りを抑制す
ることのできる、新規な液晶表示装置のパネル構造を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
う液晶表示装置は、表示領域のまわりに設けられるシー
ル部により一対の基板が貼り合わされて構成される液晶
表示装置であり、表示領域を挟む両側の各シール部の幅
が、表示領域の幅に対して所定の割合以上の幅となるよ
うに設定されていることを特徴としている。

【０００８】第１の局面に従う液晶表示装置装置の一実
施態様においては、基板上の表示領域にマトリクス状に
配置される画素電極と該画素電極のスイッチング素子を
構成するＴＦＴとが設けられたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基
板と対向して配置され、ＴＦＴの表示領域と対向する表
示領域部分に対向電極が設けられた対向電極基板と、Ｔ
ＦＴ基板と対向電極基板とを貼り合わせ表示領域内に液
晶を保持するため形成されるシール部とを備え、表示領
域を挟む両側の各シール部の幅が、表示領域の幅に対し
て所定の割合以上の幅となるように設定されていること
を特徴としている。

【０００９】本発明の第２の局面に従う液晶表示装置
は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて構成される
液晶表示装置であり、対向電極基板が少なくともＴＦＴ
基板を含むような大きさであることを特徴としている。

【００１０】第２の局面に従う液晶表示装置の一実施態
様では、基板上の表示領域にマトリクス状に配置される
画素電極と該画素電極のスイッチング素子を構成するＴ
ＦＴとが設けられたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板と対向し
て配置されＴＦＴの表示領域と対向する表示領域部分に
対向電極が設けられた対向電極基板と、ＴＦＴ基板と対
向電極基板とを貼り合わせ表示領域内に液晶を保持する
ため形成されるシール部とを備え、対向電極基板が少な
くともＴＦＴ基板を含むような大きさであることを特徴
としている。従って、第２の局面に従えば、対向電極基
板の面積はＴＦＴ基板の面積よりも大きくなる。

【００１１】第２の局面に従う液晶表示装置の他の実施
態様では、表示信号の入力は対向電極基板側から行われ
る。対向電極基板に表示信号入力端子を設ける場合に
は、ＴＦＴ基板と対向電極基板との間にコンタクト領域
を設け、コンタクト領域を介して表示信号をＴＦＴ基板
に伝達させる。

【００１２】また、本発明において、好ましくは、表示
領域から基板外側に向かう方向にシール部を少なくとも
２重以上の多重構造になるように形成する。

【００１３】

【作用】本発明の第１の局面では、表示領域を挟む両側
の各シール部の幅が、表示領域の幅に対して所定の割合
以上の幅となるように設定されている。従来の液晶表示
装置では、各シール部の幅は表示領域の幅の３％程度で
あり、第１の局面ではこれよりも大きな割合となるよう
にシール部の幅が設定される。このため、広い領域にお
いて基板間を接着し支持することができ、基板のたわみ
を抑制することができる。従って、表示領域におけるセ
ルギャップをより均一にすることができる。

【００１４】本発明の第２の局面に従えば、対向電極基
板が少なくともＴＦＴ基板を含むような大きさである。
従来の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板よりも対向電極基
板が小さく形成されている。従って、シール部は限定さ
れた領域に形成されていた。第２の局面に従えば、対向
電極基板は少なくともＴＦＴ基板を含むような大きさで
あるので、ＴＦＴ基板と対向電極基板とを接着するため
のシール部の領域を従来よりも広い領域内に形成するこ
とができる。従って、広い領域においてＴＦＴ基板と対
向電極基板とを接着し支持することができるので、ＴＦ
Ｔ基板及び対向電極基板のたわみを抑制することがで
き、表示領域におけるセルギャップを均一にすることが
できる。

【００１５】従って、本発明によれば、従来のようなポ
リマービーズ等のスペーサーを表示領域内に分散させず
とも、ＴＦＴ基板と対向電極基板の反りを抑制し、セル
ギャップを均一化することができる。従って、スペーサ
ーを使用せずに、あるいは使用するスペーサーの量を少
なくして製品化することができ、表示品質に優れた液晶
表示装置とすることができる。

【００１６】また、本発明に従えば、ＴＦＴ基板と対向
電極基板とを接着するためのシール部の領域を従来より
も広い領域に形成することができるので、接着強度を従
来よりも高めることができる。特に、シール部材として
ＵＶ照射により硬化するＵＶ硬化型接着剤を用いること
が最近検討されており、このようなＵＶ硬化型接着剤の
接着強度が低いことが問題となっているが、本発明によ
れば、このような接着強度の問題を解消することができ
る。

【００１７】

【実施例】図１は、本発明に従う第１の実施例を示す平
面図である。図２は、図１に示すＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。図１及び図２を参照して、ＴＦＴ基板１１の上
にはシール部１４を介して対向電極基板１２が載せられ
ている。対向電極基板１２としては、ＴＦＴ基板１１の
面積よりも大きい面積のものが用いられている。従っ
て、ＴＦＴ基板１１の表示領域１３の外周の境界とＴＦ
Ｔ基板１１の外周端部との間の領域が、シール部１４の
領域として用いることができる。シール部１４は、内周
ライン部１４ａと外周ライン部１４ｂとから構成されて
おり、内周ライン部１４ａと外周ライン部１４ｂは、コ
ーナー部に形成された２つの連結ライン部１４ｃにより
それぞれ連結されている。２つの連結ライン部１４ｃの
間の空間は、ＴＦＴ基板１１及び対向電極基板１２の表
示領域が対向している部分内に液晶を注入する際の液晶
注入口１７となる。このように液晶注入口１７の近傍に
は、２つの連結ライン部１４ｃが形成されており、特に
この近傍においてシール部が補強された構造になってい
る。

【００１８】本発明に従えば、表示領域１３の外周境界
領域とＴＦＴ基板の外周端部との間にシール部を形成す
ることができ、例えばこの領域全体にシール部をべた塗
りして形成することも可能である。本実施例ではシール
剤をべた塗りせず内周ライン部１４ａと外周ライン部１
４ｂの２重構造になるようにシール部を形成している。
これは、内周ライン部１４ａと外周ライン部１４ｂの部
分の間に、通常ドライバ回路等が形成されているので、
このようなドライバ回路等を避けてシール部を形成する
ためである。

【００１９】図２の断面図に示されるように、ＴＦＴ基
板１１と対向電極基板１２との間の表示領域１３の部分
には液晶相１８が設けられている。このような液晶相１
８が設けられている部分においてはＴＦＴ基板１１及び
対向電極基板１２の反りはほとんど発生していない。シ
ール部１４が内周ライン部１４ａ及び外周ライン部１４
ｂから構成される２重構造であるため、ＴＦＴ基板１１
及び対向電極基板１２の反りを抑制することができる。
従って、図８に示すようなスペーサー９を液晶相１８内
に分散せずとも、ＴＦＴ基板１１及び対向電極基板１２
の反りを防止することができる。

【００２０】図１を参照して、本実施例は、上述のよう
にＴＦＴ基板１１に駆動回路が形成されており、ドライ
バ一体型の液晶パネルである。本実施例では、このよう
な駆動回路に表示信号を入力するための表示信号入力端
子１５ａ，１５ｂが対向電極基板１２側に設けられてい
る。

【００２１】図３は、図１のＣ−Ｃ線に沿う断面図であ
り、信号入力端子１５ａの近傍を示している。表示信号
入力端子１５ａから延びる信号配線２１ａは、駆動回路
に表示信号を送信する配線である。対向電極基板１２と
ＴＦＴ基板１１の間のシール部を構成する外周ライン部
１４ｂの側面には、例えば銀ペーストを塗布することに
よりコンタクト領域２０ａが形成されている。信号配線
２１ａは、このコンタクト領域２０ａと電気的に接続し
ている。またコンタクト領域２０ａはＴＦＴ基板１１に
おいて信号配線２２と電気的に接続している。この信号
配線２２は、ＴＦＴ基板１１上に設けられたドライバ部
２３に到達している。ドライバ部２３からは表示領域の
ＴＦＴに表示信号を送るための信号配線２４が延びてい
る。また、表示信号入力端子１５ａからは、図３に示さ
れるように、ＩＴＯからなる対向電極２６と接続される
信号配線２５も延びている。図１に示す表示信号入力端
子１５ｂも、表示信号端子１５ａと同様にして構成され
ている。

【００２２】以下、図１に示す液晶表示パネルの製造例
について説明する。ここでは対角３インチの液晶表示パ
ネルを製造する例について説明する。ＴＦＴ基板１１及
び対向電極基板１２の基板材料としては厚さ０．７ｍｍ
の石英ガラスを用いた。ＴＦＴ基板１１において表示領
域１３は、長辺方向に対して基板と表示領域との比が約
４：３となるように領域を設定した。対向電極基板１２
としては、長辺方向の両側合計で０．４ｃｍ、短辺方向
の両側合計で０．６ｃｍ分ＴＦＴ基板１１より大きな基
板を用いた。ＴＦＴ基板１１及び対向電極基板１２の表
示領域にポリイミド（日本合成ゴム社製、商品名：ＪＡ
ＬＳ−２１８−Ｒ６）を塗布し、１０００〜２０００Å
の厚みの配向膜を形成し、ラビング処理を行った。次
に、エポキシ系接着剤（三井東圧化学社製、商品名：Ｘ
Ｎ−２１Ｓ）にグラスファイバー（３〜５μｍ）を混入
したものをシール剤として用い、図１に示すシール部１
４のパターンになるよう塗布した。

【００２３】図３に示す信号配線２１ａ，２２，２４，
２５は、Ａｌから形成した。ＴＦＴ基板１１及び対向電
極基板１２を貼り合わせ、約０．５ｋｇ／ｃｍ² の圧力
をかけながら１５０℃で１時間熱圧着することにより、
シール部１４に塗布されたシール剤を硬化させ、ＴＦＴ
基板１１と対向電極基板１２とを接着させた。

【００２４】次に、図１に示す液晶注入口１７から液晶
を注入し、注入後液晶注入口１７の部分に樹脂を充填す
ることにより封止し液晶表示パネルを得た。得られた液
晶表示パネルにおいては、表示領域１３中の液晶相１８
内にスペーサーを散布していないが、ＴＦＴ基板１１と
対向電極基板１２との間のギャップ、すなわちパネルギ
ャップのばらつきは±０．１μｍ以下であった。表示領
域にスペーサーを散布していないので、コントラストを
大幅に向上させることができる。従って、表示不良によ
る不良品の発生を低減させることができ、生産歩留りの
向上を図ることができる。

【００２５】図４は、本発明に従う第２の実施例を示す
平面図である。図４を参照して、本実施例では、シール
部３４が表示領域１３の外周境界領域に沿う内周ライン
部３４ａと、表示領域の各辺に平行な４つの独立した外
周ライン部３４ｂとから構成されている。液晶注入口１
７の近傍には内周ライン部３４ａの端部が外側に向かっ
て延び、ライン端部３４ｃが形成されている。その他の
構成は、図１に示す実施例と同様であるので、同一の参
照番号を付し説明を省略する。

【００２６】本実施例では、図４に示すようにシール部
３４全体が閉じた構造となっていない。図１に示すシー
ル部１４のように閉じた構造になっていると、表示領域
内に液晶を注入するため表示領域内を真空にする際、表
示領域内とシール部１４内の圧力に差を生じ、この圧力
差によりシール部１４が破壊されるおそれがある。図４
に示す実施例では、このような閉じた構造になっていな
いので、このような表示領域内を真空にする際の問題を
解消することができる。

【００２７】図５は、本発明に従う第３の実施例を示す
平面図である。本実施例では、シール部４４が３重構造
になるように形成されている。すなわち、シール部４４
は、内周ライン部４４ａと、表示領域の各辺に平行に沿
う４つの独立した中間ライン部４４ｂ、中間ライン部４
４ｂのさらに外側に独立して４つ設けられる外周ライン
部４４ｃから形成されている。また液晶注入口１７の近
傍には、図４に示す実施例と同様に、内周ライン部４４
ａの端部が外側に向かって延びたライン端部４４ｄが形
成されている。本実施例に示すように、シール部を３重
構造にすることにより、さらにシール部における接着強
度を高めることができる。

【００２８】上記実施例では、シール部の多重構造とし
て、２重構造及び３重構造を示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、これらより多い多重構造のも
のであってもよい。さらに、上記実施例では、内周ライ
ン部より外側のシール部は、すべて表示領域の各辺に平
行に沿うように形成されているが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば内周ライン部と垂直方向に
延びるようなライン部を所定間隔で複数形成させた構造
のものであってもよい。

【００２９】なお、上記実施例では、表示領域内の液晶
相中にポリマービーズ等のスペーサーが含有されていな
いが、本発明はこのような構成に限定されるものではな
く、表示領域内の液晶相中にポリマービーズ等のスペー
サーを含有させることも可能である。

【００３０】また、上記実施例では、対向電極基板が縦
方向及び横方向の四方においてＴＦＴ基板よりも大きな
例を示しているが、本発明では、対向電極基板の一方の
みがＴＦＴ基板から突き出ており、残りの三方の部分が
対向電極基板と端縁を同じくするような形状の対向電極
基板を用いてもよい。

【００３１】次に、表示領域の幅に対するシール部の幅
の影響について検討した。図９に示すように、表示領域
１３のまわりにシール部１４を設けた。ここではシール
部１４全体に上記実施例と同様のエポキシ系接着剤を塗
布し、基板間のセルギャップに与える影響を検討した。
表示領域１３の横方向の幅ａに対するシール部１４の横
方向の幅ｂの比ｂ／ａ、並びに表示領域１３の縦方向の
幅ｃに対するシール部１４の縦方向の幅ｄの比ｃ／ｄ
を、それぞれ５〜３５％と変化させ、セルギャップの設
定値に対するばらつきを評価した。ばらつきは、複数作
製したサンプルの表示領域の中央部のギャップを測定す
ることにより、各サンプル間のばらつきとして評価し
た。

【００３２】基板としては、厚み０．７ｍｍのソーダラ
イムガラス基板を用い、表示領域１３の大きさは１．７
インチとなるように設定した。従って、シール部１４の
幅ｂ及び幅ｄを変化させた。

【００３３】図１０はシール部幅（ｂ／ａ，ｄ／ｃ）が
与えるセルギャップのばらつきへの影響を示した図であ
る。図１０に示されるように、シール部幅の割合が５％
以上であれば、セルギャップの設定値の±１５％以内と
することができる。またシール部幅の割合が１０％以上
であれば、セルギャップの設定値の１０％以内とするこ
とができる。またシール部幅の割合が２５％以上であれ
ば、セルギャップの設定値の±５％以内とすることがで
き、シール部幅の割合が３０％以上であれば、セルギャ
ップの設定値の±２％以内とすることができる。本発明
においてシール部幅の割合は、基板間のセルギャップの
ばらつきの許容範囲に応じて設定されるものである。

【００３４】基板のたわみは、基板の厚み及び材質によ
り異なるが、一般にソーダガラスより硬い基板を用い、
厚みを０．７ｍｍ以上とすれば、シール幅を２５％以
上、あるいは３０％以上とすることにより、ポリマービ
ーズ等のスペーサーを用いずとも、セルギャップのばら
つきを±５％以内あるいは±２％以内にすることが可能
となる。また、基板の大きさとしては、表示領域の大き
さが３インチ以下のものに対し特に有効であり、ハイビ
ジョン対応の表示領域に対しても適用することができ
る。

【００３５】

【発明の効果】本発明の第１の局面に従えば、表示領域
を挟む両側の各シール部の幅が表示領域の幅に対して所
定の割合以上の幅となるように設定されている。このよ
うなシール部の幅の設定により、基板の反りを抑制する
ことができ、スペーサなしでセルギャップを均一にする
ことが可能になる。

【００３６】本発明の第２の局面に従えば、対向電極基
板が少なくともＴＦＴ基板を含むような大きさであるの
で、対向電極基板とＴＦＴ基板とを接着させるシール部
の領域を従来よりも広い面積の領域とすることができ
る。従って、広い領域にわたって対向電極基板とＴＦＴ
基板を接着し支持することができ、対向電極基板及びＴ
ＦＴ基板の反りを抑制することができ、スペーサなしで
セルギャップを均一にすることが可能になる。

【００３７】以上のように、本発明の第１の局面または
第２の局面に従えば、表示領域にポリマービーズ等のス
ペーサーを含有させる必要がなくなったり、あるいは含
有させるスペーサーの量を少なくすることが可能とな
り、コントラスト比の向上を図ることができ、表示品質
に優れた液晶表示装置とすることができる。また、不良
品の発生を少なくすることができるので、従来よりも高
い歩留りで製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う第１の実施例を示す平面図。

【図２】図１に示すＢ−Ｂ線に沿う断面図。

【図３】図１に示すＣ−Ｃ線に沿う断面図。

【図４】本発明に従う第２の実施例を示す平面図。

【図５】本発明に従う第３の実施例を示す平面図。

【図６】従来の液晶表示装置の一例を示す平面図。

【図７】図６に示すＡ−Ａ線に沿う断面図であり、液晶
相内にスペーサーを含有していない例を示す断面図。

【図８】図６に示すＡ−Ａ線に沿う断面図であり、液晶
相内にスペーサーを含有している例を示す断面図。

【図９】本発明に従う第４の実施例を示す平面図。

【図１０】表示領域に対するシール部幅とセルギャップ
のばらつきとの関係を示す図。

【符号の説明】

１１…ＴＦＴ基板 １２…対向電極基板 １３…表示領域 １４…シール部 １４ａ，３４ａ，４４ａ…内周ライン部 １４ｂ，３４ｂ，４４ｃ…外周ライン部 １４ｃ…連結ライン部 ３４ｃ，４４ｄ…ライン端部 ４４ｂ…中間ライン部 １５ａ，１５ｂ…表示信号入力端子 １７…液晶注入口 １８…液晶相 ２０ａ，２０ｂ…コンタクト領域 ２１ａ，２１ｂ…信号配線

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【手続補正書】

【提出日】平成７年４月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表示領域のまわりに設けられるシール部
   により一対の基板が貼り合わされて構成される液晶表示
   装置において、 前記表示領域を挟む両側の各シール部の幅が、前記表示
   領域の幅に対して所定の割合以上の幅となるように設定
   されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 基板上の表示領域にマトリクス状に配置
   される画素電極と該画素電極のスイッチング素子を構成
   する薄膜トランジスタとが設けられた薄膜トランジスタ
   基板と、 前記薄膜トランジスタ基板と対向して配置され、前記薄
   膜トランジスタの表示領域と対向する表示領域部分に対
   向電極が設けられた対向電極基板と、 前記薄膜トランジスタ基板と前記対向電極基板とを貼り
   合わせ前記表示領域内に液晶を保持するため形成される
   シール部とを備える液晶表示装置において、 前記表示領域を挟む両側の各シール部の幅が、前記表示
   領域の幅に対して所定の割合以上の幅となるように設定
   されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記表示領域の幅に対するシール部の幅
   の所定割合が、基板間のセルギャップのばらつきの許容
   範囲に応じて設定されることを特徴とする請求項１また
   は２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 薄膜トランジスタ基板と対向電極基板と
   を貼り合わせて構成される液晶表示装置において、 前記対向電極基板が少なくとも前記薄膜トランジスタ基
   板を含むような大きさであることを特徴とする液晶表示
   装置。
5. 【請求項５】 基板上の表示領域にマトリクス状に配置
   される画素電極と該画素電極のスイッチング素子を構成
   する薄膜トランジスタとが設けられた薄膜トランジスタ
   基板と、 前記薄膜トランジスタ基板と対向して配置され、前記薄
   膜トランジスタの表示領域と対向する表示領域部分に対
   向電極が設けられた対向電極基板と、 前記薄膜トランジスタ基板と前記対向電極基板とを貼り
   合わせ前記表示領域内に液晶を保持するため形成される
   シール部とを備える液晶表示装置において、 前記対向電極基板が少なくとも前記薄膜トランジスタ基
   板を含むような大きさであることを特徴とする液晶表示
   装置。
6. 【請求項６】 前記対向電極基板の面積が前記薄膜トラ
   ンジスタ基板の面積よりも大きいことを特徴とする請求
   項４または５に記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記表示領域を挟む両側の各シール部の
   幅が、前記表示領域の幅に対して所定の割合以上の幅と
   なるように設定されていることを特徴とする請求項４〜
   ６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記表示領域の幅に対するシール部の幅
   の所定割合が、基板間のセルギャップのばらつきの許容
   範囲に応じて設定されることを特徴とする請求項７に記
   載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記対向電極基板側から入力される表示
   信号を前記薄膜トランジスタ基板に伝達するため前記対
   向電極基板と前記薄膜トランジスタ基板との間にコンタ
   クト領域が設けられている請求項４〜８のいずれか１項
   に記載の液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記シール部が基板外側に向かう方向
    に少なくとも２重以上の多重構造になるように形成され
    ている請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装
    置。
11. 【請求項１１】 前記表示領域を挟む両側の各シール部
    の幅が、前記表示領域の幅の５％以上であることを特徴
    とする請求項１、２、または７項に記載の液晶表示装
    置。
12. 【請求項１２】 前記表示領域を挟む両側の各シール部
    の幅が、前記表示領域の幅の１０％以上であることを特
    徴とする請求項１、２、または７項に記載の液晶表示装
    置。
13. 【請求項１３】 前記表示領域を挟む両側の各シール部
    の幅が、前記表示領域の幅の２５％以上であることを特
    徴とする請求項１、２、または７項に記載の液晶表示装
    置。
14. 【請求項１４】 前記表示領域を挟む両側の各シール部
    の幅が、前記表示領域の幅の３０％以上であることを特
    徴とする請求項１、２、または７項に記載の液晶表示装
    置。
15. 【請求項１５】 前記表示領域と該表示領域内の画素部
    を駆動するための駆動領域とが基板上に形成されたドラ
    イバ一体型の液晶表示装置であることを特徴とする請求
    項１〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。