JPH07280646A

JPH07280646A - 光束測定デバイス

Info

Publication number: JPH07280646A
Application number: JP6295525A
Authority: JP
Inventors: Le Marchand Alain; ルマルシャンアラン
Original assignee: Horiba Jobin Yvon SAS
Current assignee: Horiba Jobin Yvon SAS
Priority date: 1993-10-21
Filing date: 1994-10-21
Publication date: 1995-10-27
Also published as: US5726438A; FR2711792A1; DE4437546A1; FR2711792B1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】比較的低コストで、大きな動作範囲を有し、
かつ極めて迅速に測定値を得ることができる光束測定デ
バイスを提供する。【構成】受光装置１により生成される信号（ｍ）を受
け取るゲイン従属回路１０，９を備える光束測定デバイ
スであって、前記ゲイン従属回路は、該ゲイン制御回路
及びコンパレータ１０を含み、かつ受光装置１により供
給される該電気信号（ｍ）を記録しかつ評価するための
手段と接続しており、さらに、連続関数ｆの特性値を含
む従属メモリー１１を含み、受光装置１によって受け取
られた光束（Φ）に従って、従属信号（ＨＴ）を発生す
るものであり、信号は、ゲインＧ＝ｆ（ｍ）となるよう
に、該ゲイン制御回路に送られるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光束測定デバイス（ｌ
ｕｍｉｎｏｕｓｆｌｕｘｍｅａｓｕｒｉｎｇｄｅ
ｖｉｃｅ）に係わり、該デバイスはかかるデバイスを含
むあらゆる計測器で使用可能であり、かつ特に分光測定
法、旋光測定法および拡散測定法における測定のための
光束測定デバイスに係わる。

【０００２】

【技術的背景】光束の測定は、例えば写真乳剤、光電子
増倍管、走査管（ｓｃａｎｎｉｎｇｔｕｂｅ）および恐
らくアレイ状にあるフォトダイオード、ビジコン管、Ｃ
ＣＤ（電荷結合デバイス）およびＣＩＤ（電荷注入デバ
イス）検出器等を包含する、物理の大幅に異なる原理に
基くデバイスにより実施できる。検出系の選択は、実施
すべき測定の特定の条件、および特に求められる測定速
度および要求される測定精度および動作範囲に依存す
る。最終的選択は、これら種々の物理的パラメータ間の
交換および当然のことながら入手できるシステムのコス
トを斟酌して行う。特に、多くの分光写真測定は大きな
動作範囲をもつ光束測定デバイスを必要とし、もしくは
使用する。例えば、分光発光測定は１秒当たり数万回の
測定、少なくとも１／４０００の測定精度および少なく
とも１０^６の動作範囲を必要とする。

【０００３】現時点においてこの要求を満たすために
は、光電子増倍管を使用して、その信号をディジタル化
し、次いで該信号をコンピュータで処理して、求める測
定値または曲線を得る。従って、動作範囲は、該信号を
ディジタル化するアナログーディジタル変換器の容量に
よって制限される。ｎ−ビット変換器は、２^ｎなる検出
された最低レベルと最大レベルとの間の比を可能とす
る。ＣＣＤまたはＣＩＤによって有利な展望が開かれ
る。というのは、特にこれら検出器は、その固有のノイ
ズおよび動作範囲性能が数十分に達する可能性のある、
変動する積分時間を必要とするけれども、受け取るべき
光束がない場合には実際上何等電流を発生しないからで
ある。光電子増倍管によって供給される信号が、その陰
極と陽極との間に設定された高電圧のレベルに依存する
ことも周知である。この高電圧値を正確に選択すること
により、受け取った光束の限られた電流領域において満
足な精度を得ることが可能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は光束測定デバイスを提供することにあり、該デバイス
は大きな動作範囲を有し、この大きな差動範囲は該デバ
イスの与える測定値の精度に影響を与えない。本発明
の、もう一つの目的は、極めて迅速に測定値を得ること
を可能とする光束測定デバイスを提供することにある。
本発明の更に別の目的は比較的低コストで上記のような
光束測定デバイスを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】従って、本発明は、測定
すべき光束を受け取り、かつ電気信号（ｍ）を供給する
ゲイン−制御可能受光装置（ｇａｉｎ−ｃｏｎｔｒｏｌ
ｌａｂｌｅｐｈｏｔｏｒｅｃｅｉｖｅｒ）と、該受光
装置のゲインを制御するための回路と、該受光装置によ
って供給された該電気信号を記録かつ評価し、求める測
定値を生成する手段を含む光束測定デバイスに関する。
本発明によれば、該デバイスは、該受光装置により生成
される信号（ｍ）を受け取るゲイン従属回路（ｇａｉｎ
ｓｌａｖｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔ）を含み、該ゲイン
従属回路は、該ゲイン制御回路とコンパレータとを含
み、かつ該受光装置により供給される該電気信号を記録
しかつ評価するための手段と結合しており、該ゲイン従
属回路は、連続関数ｆの特性値を含む従属メモリー（ｓ
ｌａｖｅｍｅｍｏｒｙ）を含むべきであり、該ゲイン従
属回路は、該受光装置によって受け取った光束に従っ
て、従属信号（ｓｌａｖｅｓｉｇｎａｌ）を発生し、
該従属信号は、ゲインＧ＝ｆ（ｍ）となるように、該ゲ
イン制御回路に送られる。

【０００６】好ましい態様において、本発明のデバイス
は以下の特徴を、技術的に実施可能なあらゆる組み合わ
せで含む。 −上記受光装置が光電子増倍管であり、そのゲインは高
電圧のレベルで制御される。 −該ゲイン従属回路はアナログ回路である。 −該ゲイン従属回路はディジタル回路である。 −該受光装置から電流ｓを受け取り、かつ該ゲイン従属
回路のための電圧ｍを発生する電流−電圧変換器を含
む。 −該関数ｆ（ｍ）は、該受光装置により生成される該信
号（ｍ）の線形関数ａｍ＋ｂである。 −該従属メモリーは、該線形関数ｆ（ｍ）のパラメータ
ａおよびｂの値を測定するための２つの電位差計を含
む。 −該関数ｆ（ｍ）は非−線形関数である。 −該コンパレータは、差動増幅器として設計された増幅
器を含む。 −該コンパレータは、加算増幅器として設計された増幅
器を含む。 −該ゲイン制御回路は、電圧発生器として設計されたト
ランジスターによって制御される安定トランジスター
（ｂａｌｌａｓｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。−
該ゲイン制御回路はチョッパー回路を含む。

【０００７】本発明は、また上で定義した型の光束測定
デバイスを含む分光計にも関連するものである。光電子
増倍管１は、伝統的に、光束Φを受け取りこれを測定３
する陰極２を含み、かつその陽極４から該測定信号ｓを
発する。陰極２と陽極４との間に挿入されたダイノード
５は、光電子増倍管１の生成する電流を増幅する。信号
ｓは、トランスコンダクティング増幅器（ｔｒａｎｓｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｎｇａｍｐｌｉｆｉｅｒ）６により電
圧（ｖｏｌｔａｇｅ）ｍに変換され、次いで変換器７に
よりディジタル化され、かつコンピュータ８に送られ
る。コンピュータ８は、要求される形式（ｆｏｒｍ）
で、利用者に必要な測定値を与える。高電圧ＨＴは、前
記陰極と陽極との間に発生器９により設定され、該光電
子増倍管１のゲイン、即ち受け取った光束３と該光電子
増倍管１により生成された電流ｓとの間の比を決定す
る。従属メモリ１１を含むコンピュータ１０は、以下に
記載されるように、該従属回路に作業パラメータを供給
する。この従属回路は、その入力側１２において、該光
電子増倍管により供給された信号ｍを受け取り、かつそ
の入力側１３において、該高電圧の値を受け取る。この
回路は、その出力側１４において、従属信号を生成し、
これは該高電圧発生器９に送られる。

【０００８】公知の方法で、該光電子増倍管１のゲイン
Ｇは、以下の式：Ｇ＝（ＨＴ）^ｃｎに従って算出できる。ここで、ＨＴは光電子増倍管１の
陰極と陽極との間に印加された、ボルト単位で表された
電位差であり、ｃは該光電子増倍管の幾何形状およびそ
の種々の要素の特性と関連した該光電子増倍管の固有定
数であり、ｎはダイノードの数を表す。このケースにお
いて、制御回路９および従属回路１０によって形成され
る従属ループ（ｓｌａｖｅｌｏｏｐ）は、該電圧ＨＴ
の値を制御することを可能とし、かつ該高電圧ＨＴとｍ
との間に以下の関係を確立する：ＨＴ＝ｆ（ｍ）ここで、ｍは増幅器６により電流ｓの変換後に供給され
る信号である。このパラメータ決定関数ｆはメモリ１１
内に含まれている。コンピュータ８は、ｍを受け取り、
これと該パラメータ決定関数ｆとを使用して、該光電子
増倍管の受け取った光束３を算出する。好ましい態様に
おいて、関数ｆ（ｍ）は、線形関数：ＨＴ＝ａ×ｍ＋ｂここで、ａおよびｂは従属メモリ１１内に含まれる２つ
のパラメータであり、利用者により自由に決定されるも
のである。信号ｍの関数としての該高電圧のこの変動を
図２に示す。この高電圧はｙ軸に与えられている。ｘ軸
に与えられた該信号ｍは、最小光束に対する最低値Ｕと
最大光束に対する最大値Ｕとの間で変動する。負の電圧
を供給した光電子増倍管１に対して、ａは正の値であ
り、かつｂはボルト単位で表示した負の電圧である。上
記の如く、ｍはボルト単位で測定した電圧である。

【０００９】かくして、ＨＴは、最大値ＨＴ_ｍａｘ＝ｂ
および最小値ＨＴ_ｍｉｎ＝ａ×ｍ_ｍａｘ＋ｂの間で変動
し、従って該光電子増倍管のゲインは、式：Ｇ＝（ａ×ｍ＋ｂ）^ｃｎによって与えられる。本発明の測定デバイスの変換関数
は、従って利用者によって有利に決定され、かつ変更可
能である係数ａ、ｂおよびｃにより決定される。電圧ｍ
は、ｍ＝Ｇ（ｍ）Φ ここで、Ｇ（ｍ）はゲインであり、またΦは該光電子増
倍管が受け取った光束である。ＧＯが、（最小の測定値
ｍ＝０に対する）最大のゲインであると、ｍ＝〔ＧＯ／Ｋ（ｍ）〕×Φ であり、ここで、Ｋ（ｍ）＝ＧＯ／Ｇ（ｍ）である。かくして、Ｋ（Ｍ）＝（１−αｍ）^−β であり、ここで、α＝（ＨＴ_ｍｉｎ−ＨＴ_ｍａｘ）／
（ＨＴ_ｍａｘ×ｍ_ｍａｘ）であり、そして、 β＝ｃ×ｎである。特定の１態様においては、以下の値：ＨＴ_ｍａｘ＝−１０００ボルトＨＴ_ｍｉｎ＝−２００ボルトが選択され、これによりβ＝８で使用した該光電子増倍
管については、最大の測定値ｍ＝１０Ｖを与える。従っ
て、 α＝−（８００／１０００）＝０．０８であり、そして、Ｋ_ｍａｘ：３９０，６２５となる。

【００１０】既に見てきたように、公知の光束測定デバ
イス、即ち該光電子増倍管によって供給された該信号
が、恐らく増幅された後に、直接該コンピュータに送ら
れるデバイスの動作範囲は該アナログ−ディジタル変換
器の容量に依存する。従来は１２−ビットのアナログー
ディジタル変換器を使用しており、従ってこれは４０９
６個の測定点を受け入れることができる。本発明によれ
ば、乗数係数Ｋ（ｍ）の寄与により、この動作範囲に
は、この係数Ｋ_ｍａｘが乗ぜられる。上記のディジタル
の例において、この係数Ｋは３９０，６２５であり、
１．６×１０^９個のディジットに渡って分布する測定を
与える。ルーメンで表した場合、このシステムは１ピコ
ルーメンから数ミリルーメンまでに渡る連続的な測定値
を与えることができる。勿論、この測定を補うために、
該コンピュータは、該ゲイン制御システムの作業を特徴
付ける該αおよびβの値を得ることができなければなら
ず、これから該係数Ｋの値を見出すことができる。これ
らの係数αおよびβは、以下のような方法で、基準測定
値から反復的演算により得ることができる。

【００１１】２つの光束測定を２組実施する。各光束、
それぞれＡおよびＢに対して、一測定は高電圧の最大値
（ａ＝０）に対して実施し、またもう一つの測定は、求
める作業条件、即ち後に使用する関数ｆ（ｍ）を代表す
る値ａおよびｂを使用して実施する。Ａの測定に対して
供給される電圧をそれぞれＵＡ１およびＵＡ２とし、同
様にＢの測定に対して供給される電圧をそれぞれＵＢ１
およびＵＢ２とすると、以下の式：（１−α×ＵＢ２）−（１−α×ＵＢ１）^ｘ＝０を確立できる。この式は、以下の式：Ｘ＝１＋｛ｌｏｇ〔（ＵＡ１ｘＵＢ２）／（ＵＢ１ｘＵ
Ａ２）〕／ｌｏｇ〔（ＵＡ２）／（ＵＡ１）〕｝を確立した後に得られる。１／ＵＢ１＞α＞０であるこ
とは分かっている。（実際には、上に示したディジタル
値について、αは０．０６乃至０．１の範囲内にあり、
ｘは、約０．７である。）前に述べた如く α＝（ＨＴ_ｍｉｎ−ＨＴ_ｍａｘ）／（ＨＴ_ｍａｘ×ｍ
_ｍａｘ）でり、ＨＴ_ｍｉｎが、−２００乃至−３００ボルトの範
囲にあり、ｍ_ｍａｘが８乃至１０ボルトであり、従って
前に示した数値から、 α_ｍｉｘ≧（−３００＋１０００）／（−１０００×１
０）≧０．９７および α_ｍａｘ≦（−２００＋１０００）／（−１０００×
８）≦０．１０であるから、１／ＵＢ１＞α＞０（実際に上記のディジタル値を使用すると、αは、０．
０６乃至０．１の範囲、Ｘは約０．７）であることが分
かる。かくして、αを以下の値：０．０５≦α≦０．１２に限定することができ、αを表示値α＝０．０８５で使
用して、反復ループを実施することができる。従って、（１−α×ＵＢ２）−（１−α×ＵＢ１）^ｘ＝誤差となる。

【００１２】この誤差はαがその真の値に近づくにつれ
て、０となる傾向がある。この反復的演算は、この誤差
の絶対値が２×１０^−８未満となった時点で終了させ
る。次いで、βは以下の式： β＝ｌｏｇ〔（ＵＡ２）／（ＵＡ１）〕／ｌｏｇ（１−
α×ＵＡ１）から求めることができる。本発明の光束測定デバイスの
特定の態様を、特に図３を参照しつつ以下に記載する。
図３において、アセンブリー１００は高電圧発生器９の
詳細図であり、アセンブリー３００はメモリ１１に記憶
された従属パラメータ（ｓｌａｖｅｐａｒａｍｅｔｅ
ｒｓ）の詳細図であり、またアセンブリー２００は、コ
ンパレータ１０の詳細な表示である。高電圧発生器１０
０は、その入力側１７において、例えば電流レベル０．
９７ミリアンペアにおいて１０２０乃至１０５０ボルト
の範囲内にある外部高電圧を受け取る。これは、その入
力側１６において、コンパレータ２００から発生する従
属指令信号（ｓｌａｖｅｃｏｍｍａｎｄｓｉｇｎａ
ｌ）を受け取り、かつその出力側１５において、可変高
電圧を生成し、該コンパレータには該光電子増倍管が接
続されていて、かつそのゲインがこのようにして制御さ
れる。

【００１３】安定トランジスタ（ｂａｌｌａｓｔｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑ１は、そのエミッタ１０１におい
て、その外部の一定レベルの高電圧を受け取り、そのコ
レクタ１０２を通して１５において該可変高電圧を生成
する。トランジスタＱ２は、入力１６に結合したそのベ
ース１０４において、コンパレータ１０２から発生する
該信号を受け取る。そのエミッタ１０５は接地され、か
つそのコレクタ１０６はＮＰＮトランジスタＱ３のコレ
クタ１０７に接続され、該トランジスタＱ３のエミッタ
１０８は該トランジスタＱ１のエミッタ１０１に接続さ
れている。従って、トランジスタＱ３は定電流発生器と
して設計されており、これはトランジスタＱ２が入手可
能な要素の実際の状態に耐えることのできる低電圧のた
めに必要とされる。一方ではトランジスタＱ２のコレク
タ１０６に、他方ではトランジスタＱ１のベース１０３
に結合されているダイオードＤ１は、トランジスタＱ
１のベースとエミッタとの間の調節ラティチュードを増
大する。

【００１４】ダイオードＤ２および抵抗器Ｒ１乃至Ｒ７
の各々は、この種の構成の従来の機能を満たす。コンパ
レータ２００は、コンパレータとして設計された差動増
幅器２０１を含む。これは、入力１２に接続したその入
力２０２の一方において、信号ｍを受け取る。これは、
第二の入力２０３を介して、従属メモリ３００の出力３
０１に接続されている。ここに示された例においては、
この従属メモリ３００は２つの電位差計、それぞれＰ１
およびＰ２を含み、これらは曲線ｆ（ｍ）のパラメータ
ａおよびｂを測定するのに利用され、各々これらパラメ
ータの一方にほぼ対応する。コンパレータ増幅器２０１
はその出力側２０４において、電圧制御回路（ｖｏｌｔ
ａｇｅｃｏｎｔｒｏｌｃｉｒｃｕｉｔ）１００の入力
１６に対して意図された従属信号を生成する。抵抗器Ｒ
８乃至Ｒ１８およびキャパシタＣ２およびＣ３各々は図
示した回路の動作において通常の役割を果たす。図示し
た回路、従って本発明の光束測定デバイスのコストは低
く、また上記の如くアナログーディジタル変換器（この
系により達成される動作範囲に対して、そのサイズはか
なり小さい）と共に使用することができる。

【００１５】その応答時間は迅速であり、一方の方向お
よび他方の方向において、２５０乃至１０００Ｖの高電
圧の通過を約３００μｓで達成できる。この電圧のレベ
ルは０．１Ｖの精度まで制御される。また、この回路
は、パラメータａの値を０に固定（これは該高電圧をｂ
に等しいー定レベルに維持する）することにより、本発
明の光束測定デバイスを従来の条件の下で動作すること
を可能とする。これとは対照的に、ａを無限にほぼ対応
する高いレベルで与えると、この測定はレベルｂ／ａで
一定に保たれ、かつ主電圧の測定は従って受理された光
束を表すものとなる。同様に、結果として、検出された
入射光束に該光電子増倍管の高電圧を適合させることに
より、このデバイスが該光電子増倍管を最もうまく利用
することを強調すべきである。このデバイスの大きな動
作範囲は、スペクトル解析に対して該デバイスを特に有
効なものとし、該スペクトル解析において、該デバイス
は、例えば発光分光により解析されたサンプルの全元素
スペクトルを得ることを可能とする。図４、図５および
図６は、それぞれ本発明に従って得たスペクトル図、即
ち同一サンプルの一定の高いゲインおよび低いゲインに
おいて得られたスペクトル図を示し、該低いゲインは、
特に高強度のスペクトル線が出現するように必要に応じ
て選択された。これらの図において、波長λをｘ−軸に
また信号の強度をｙ−軸にとってある。

【００１６】本発明の可変ゲイン光束測定デバイスは、
測定値に影響を与える該光電子増倍管固有のノイズを除
去するには理想的なものである。実際に、このデバイス
は、認識することができ、かつ該コンピュータにより行
われるデータ処理によって除去される可能性のある寄生
パルスを分離する手段を与える。極めて高速でレイヤ解
析（ｌａｙｅｒａｎａｌｙｓｅｓ）を実施する場合、
数個の光チャンネルが元素を表す所定の波長における光
量を感知する。種々の元素の濃度は、１００％乃至１ｐ
ｐｍ、即ち１０^６の変動、したがって、受理した信号と
同一の振幅の変動に相当する、広い範囲で変動すること
ができる。光電子増倍管の通常の動作範囲は、これら濃
度全ての測定を可能とせず、かつ該解析は破壊的である
ので、異なるゲインレベルでの再度の解析開始は不可能
である。

【００１７】本発明のデバイスはこれらの欠点を解消す
る。さらに、「同時の走査（ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ
ｓｃａｎｎｉｎｇ）」をもたらす計測器が今や入手可
能となり、該計測器では数個の光チャンネルがスペクト
ルに沿って分布している。各チャンネルは該スペクトル
の一部を走査することができ、かつ該全スペクトルは該
計測器の全スペクトルの全てまたは一部に及び得る。ス
ペクトル線の相対的強度は、マトリックスを構成する元
素の等価な割合に対して、または同一の元素に対してさ
え著しく異なっている。光チャンネルの感度は、走査中
に別々の波長の形で遭遇する種々の元素に対して合理的
に使用するには高過ぎるか、もしくは低過ぎる可能性が
ある。ここでも、再び、本発明の光束測定デバイスの大
きな動作範囲は、この欠点を克服することを可能とす
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のデバイスの全体としてのブロック図で
ある。

【図２】受け取った光束の電流の関数として、光電子増
倍管に印加された高電圧を示す図である。

【図３】本発明で実際に使用した従属回路を示す図であ
る。

【図４】本発明のデバイスを使用して得た測定値から得
た曲線の例を示す図である。

【図５】図４と同様な図であるが、高いゲインの公知技
術のデバイスを使用して作成した図である。

【図６】図４と同様な図であるが、低いゲインの公知技
術のデバイスを使用して作成した図である。

【符号の説明】１光電子増倍管２陰極３測定すべき光束４陽極５ダイノード６トランスコンダクティング増幅器７変換器８コンピュータ９発生器１０コンパレータ１１従属メモリ２、１３、１６、１７、２０２、２０３入力１４、２０４、３０１出力１００、２００、３００アセンブリ１０１、１０５、１０８エミッタ１０２、１０６、１０７コレクタ１０３、１０４ベース２０１差動増幅器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】測定すべき光束を受け取り、かつ電気信
号（ｍ）を供給するゲイン制御可能受光装置と、該受光装置のゲインを制御するための回路と、該受光装置によって供給された該電気信号を記録かつ評
価し、求める測定値を生成する手段とを含む光束測定デ
バイスであって、該受光装置により生成される信号（ｍ）を受け取るゲイ
ン従属回路を含み、該ゲイン従属回路は、該ゲイン制御回路とコンパレータ
とを含み、かつ該受光装置により供給される該電気信号
を記録しかつ評価するための手段と結合しており、該ゲイン従属回路は、連続関数ｆの特性値を含む従属メ
モリーを含み、該ゲイン従属回路は、該受光装置によって受け取った光
束に従って、従属信号を発生し、該従属信号は、ゲインＧ＝ｆ（ｍ）となるように、該ゲ
イン制御回路に送られることを特徴とする光束測定デバ
イス。
【請求項２】該受光装置が光電子増倍管であり、その
ゲインが高電圧のレベルで制御されることを特徴とする
請求項１に記載の光束測定デバイス。
【請求項３】該ゲインの従属回路がアナログ回路であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載の光束測定
デバイス。
【請求項４】該ゲインの従属回路が、少なくとも部分
的にディジタル型であることを特徴とする請求項１また
は２に記載の光束測定デバイス。
【請求項５】該受光装置から電流ｓを受け取り、かつ
該ゲイン従属回路に電圧ｍを供給する電流−電圧変換器
を含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に
記載の光束測定デバイス。
【請求項６】該関数ｆ（ｍ）が、電子増倍管により生
成される信号（ｍ）の線形関数ａｍ＋ｂであることを特
徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の光束測定
デバイス。
【請求項７】該従属メモリーが、該線形関数ｆ（ｍ）
のパラメータａおよびｂの値を測定するための２つの電
位差計と、非−線形関数ｆ（ｍ）のパラメータａ、ｂ、
・・・・、ｎを測定するための数個の電位差計とを含む
ことを特徴とする請求項６に記載の光束測定デバイス。
【請求項８】該関数ｆ（ｍ）が非−線形関数であるこ
とを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の光
束測定デバイス。
【請求項９】該コンパレータが、差動増幅器として設
計された増幅器を含むことを特徴とする請求項１乃至８
の何れか１項に記載の光束測定デバイス。
【請求項１０】該コンパレータが、加算増幅器として
設計された増幅器を含むことを特徴とする請求項１乃至
８の何れか１項に記載の光束測定デバイス。
【請求項１１】該ゲイン制御回路が、電圧発生器とし
て設計されたトランジスターによって制御される安定ト
ランジスターを含むことを特徴とする請求項１乃至１０
の何れか１項に記載の光束測定デバイス。
【請求項１２】該ゲイン制御回路が、交換回線網を含
むことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記
載の光束測定デバイス。
【請求項１３】上記請求項１乃至１２の何れか１項に
記載の光束測定デバイスを含む分光計。