JPH07272214A - 薄膜磁気ヘツドスライダ - Google Patents

薄膜磁気ヘツドスライダ

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Publication number
JPH07272214A
JPH07272214A JP5910694A JP5910694A JPH07272214A JP H07272214 A JPH07272214 A JP H07272214A JP 5910694 A JP5910694 A JP 5910694A JP 5910694 A JP5910694 A JP 5910694A JP H07272214 A JPH07272214 A JP H07272214A
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JP
Japan
Prior art keywords
slider
recording
film
magnetic head
hardness
Prior art date
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Pending
Application number
JP5910694A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Takakura
昭雄 高倉
Yoshiki Hagiwara
芳樹 萩原
Chihiro Isono
千博 磯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄膜磁気ヘツドの記録再生素子部の浮上面を
スライダ部の浮上面よりも突出させることにより、実効
的な浮上量を低減し記録再生特性を向上する。 【構成】 記録再生素子部(下地膜2、上下磁性膜4,
7、磁気空隙4、絶縁層5、コイル6、保護膜8からな
る)の浮上面を、スライダ部1の浮上面よりも50nm
以下の範囲の突出し量だけ突出させることにより、磁気
デイスク記録媒体に対する記録再生素子部の実効浮上量
は、突出しないものに比べて低減できる。下地膜2及び
保護膜8の硬度を基板スライダ部1の硬度よりも高く
し、ヘツドスライダ切出し前のブロツク状態で浮上面を
回転研磨定盤により研磨すると、高硬度の部分2〜8が
突出した磁気ヘツドスライダが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘツドスライ
ダに係り、特に磁気デイスク上で浮上し情報の読み書き
を行なう浮上型の薄膜磁気ヘツドスライダに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、磁気デイスク装置の記憶容量を向
上させるために、薄膜磁気ヘツドが用いられている。こ
れらの薄膜磁気ヘツドは、次のようにして作成される。
まず、完成後にスライダ部となるAl23−TiC系の
セラミツクの基板上にパーマロイ等の磁性体により多数
の薄膜磁気ヘツド素子を並べて形成した後、この上にこ
れら薄膜磁気ヘツド素子を保護するためにAl23等の
保護膜をスパツタ法等により形成し、しかる後、前記ヘ
ツド素子を横並びに複数個含むブロツク状に切断し、該
ブロツクの浮上面側(記録媒体対向面側)及び裏面側を
当該ブロツクが所望の厚さになるまで加工を行なう。こ
の場合、浮上面側加工法を各々工夫して、前記基板材・
磁性体・保護膜間の段差を低減しながら、所定のギヤツ
プ深さになるまで研磨加工を行ない、次いで該ブロツク
を分割してそれぞれが前記ヘツド素子を1個以上(1個
または2個ずつ)含むスライダ状に切り出す方法で作成
されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一般に、磁気デイスク
装置の記録密度を向上させるためには、記録・再生特性
を向上することが必要であり、この一つに記録媒体に対
する薄膜磁気ヘツド素子の浮上量を低減する必要性があ
る。一方、上記従来技術の薄膜磁気ヘツドでは、スライ
ダ基板材は複数スライダ分のブロツク毎にまとめて加工
するために剛性が要求されるので、その硬さは、「基板
材」>「保護膜」>「磁性体」の順とされている。とこ
ろが、このような硬さ順の基板材、磁性膜(磁性体)及
び保護膜の積層された薄膜磁気ヘツドスライダに対し、
前記した浮上面側等の研磨加工を行なうと、各層の硬さ
の違いに基づき浮上面に段差が生じることがわかつた。
この場合、最も硬度の高い基板材が最も研磨されにく
く、次に研磨されにくいのは保護膜で、最も硬度の低い
磁性膜は最も研磨され易いので、基板材からなるスライ
ダ部分が、磁性体及び保護膜からなる記録再生素子部よ
りも突出した状態の段差が生じる。このような段差が生
じると、記録密度を上げるため浮上量を低くしようとし
ても、記録再生素子部の浮上面よりも前にスライダ部分
の浮上面が磁気デイスクの記録媒体面に接触してしまう
ので、実効的な浮上量を十分に下げることはできないと
いう問題が発生した。
【0004】なお、本出願人は、さきに特願平3−24
2092号により、記録再生素子の浮上面に対するスラ
イダ部の浮上面の突出量を極力小さくし、実効的に突出
量を0とすることにより、浮上量を低減できる薄膜磁気
ヘツドスライダを提案しているが、この提案でも更にそ
れ以上浮上量を低減できる薄膜磁気ヘツドについては考
慮されていない。
【0005】従つて、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解消して、記録再生部の浮上面とスライダ部の
浮上面が同一面である薄膜磁気ヘツドスライダよりも更
に記録媒体に対する浮上量を低減することができる薄膜
磁気ヘツドスライダを提供することにある。
【0006】本発明の他の目的は、スライダ部と記録再
生素子の材料間の硬度差を利用して、記録媒体に対する
実効的な浮上量を低減することのできる薄膜磁気ヘツド
スライダを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、磁気ヘツドの浮上を受け持つスライダ部
と、前記スライダ部の端面に設けられた記録再生素子部
とからなる薄膜磁気ヘツドスライダにおいて、前記記録
再生素子部の記録媒体対向面を前記スライダ部の記録媒
体対向面よりも0+(少なくとも0よりも大)〜50n
m突出させた構成としたものである。
【0008】前記記録再生素子部は、基板上に形成され
た下地膜と、その上に形成された上下の磁性膜と、その
上に形成された保護膜とを含んでおり、記録再生素子部
の硬さ(少なくとも保護膜の硬さ)は、スライダ部の硬
さよりも高くされている。このように構成した薄膜磁気
ヘツドの浮上面を研磨加工することにより、硬度の高い
記録再生部よりも硬度の低いスライダ部がより多く研磨
される結果、記録再生部がスライダ部よりも突出する。
【0009】
【作用】上記構成に基づく作用を説明する。
【0010】本発明によると、記録再生素子部の記録媒
体対向面(浮上面)をスライダ部の記録媒体対向面(浮
上面)よりも0+(すなわち0よりも大きい値)〜50
nm突出させたので、この薄膜磁気ヘツドを磁気記録媒
体上に浮上させた場合、記録再生素子部をスライダ部よ
りも磁気記録媒体の記録再生面に接近させることが可能
となり、記録再生密度等の記録再生特性を向上させるこ
とができる。また薄膜磁気ヘツドを必要な量だけ安定し
た浮上特性をもつて低浮上させることができるので、摺
動信頼性を確保できる。
【0011】記録再生素子部をスライダ部よりも突出さ
せるために、記録再生素子部の硬度、特に磁性膜を挟持
する保護膜の硬度を基板すなわちスライダ部の硬度より
も高くする。そして製造時に、完成後にスライダとなる
基板上に下地膜(第1の保護膜)を介して多数の薄膜磁
気ヘツド素子(下部磁性膜〜上部磁性膜)を縦横に並べ
て形成し、その上に保護膜(第2の保護膜)を形成した
後(これらの層はスパツタリングやリソグラフイ等の技
術を用いて形成される)、該ヘツド素子を横並びに複数
個含むブロツク状に切断し、該ブロツクの浮上面側及び
裏面側を当該ブロツクが所望の厚さになるまで加工し、
しかる後、浮上面側を当該ブロツクが所定のギヤツプ深
さになるまでの研磨加工を行なう。この際に、前記保護
膜が前記基板材以上の硬度を持つているために、研磨の
際に基板材の方が保護膜よりも研磨され易くなつてい
る。このために研磨後の浮上面側の基板材部は、保護膜
部よりも多く研磨加工される結果、保護膜側即ち記録再
生素子部が基板側即ちスライダ部よりも突出した構造と
なる。
【0012】突出量は、50nmを越えると、ごみが付
着し、きずが発生し易いので、0+〜50nmとする。
この範囲でも浮上量を安定して十分低減できるが、10
nm〜50nmの範囲では、突出量が零のものに比べて
も格段に効果的に浮上量を低減できる。また、低浮上量
でも記録媒体に対する不慮の衝突事故が発生しにくくな
り、摺動信頼性を向上する。
【0013】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面により説明す
る。
【0014】図1は、本発明を、現在多く用いられてい
るインダクテイブ型の薄膜磁気ヘツドに適用した実施例
の断面図である。図の右方がデイスク回転方向上流側、
左方が下流側である。同図で、1はフェライト基板、2
はアルミナのような硬質材料からなる下地膜(第1の保
護膜)、3はパーマロイのような下部金属磁性膜、4は
下地膜と同様な非磁性空隙層、5は樹脂系の絶縁層、6
はCu等からなるコイル、7はパーマロイのような上部
金属磁性膜、8はアルミナのような硬質材料からなる保
護膜(第2の保護膜)である。各層の厚さは、下地膜2
が15μm程度、下部磁性膜3〜上部磁性膜7を合わせ
たものが(浮上面付近で)6〜8μm程度、保護膜8が
(浮上面付近で)40〜60μm程度である。基板1
(図はその一部を示す)は、スライダ部を構成し、その
長さ(図の左右方向の長さ)は2〜3mm程度である。
下地膜2〜保護膜8の部分は記録再生素子部を構成す
る。本実施例では、インダクテイブ型記録再生素子部す
なわち下地膜2ないし保護膜8の範囲が基板材すなわち
スライダ部1よりも突出する構成とされているものであ
る。
【0015】図2は本発明を、インダクテイブ・MR
(磁気抵抗効果型)複合型薄膜磁気ヘツドに適用した実
施例の断面図で、図1と同様に右側が上流側、左側が下
流側を示したものである。図2で、図1と同一部材には
同一符号を付し説明を省略する。また、9は磁気シール
ド膜、10は保護膜、11はMR膜(金属磁性材の磁気
抵抗効果膜)である。層2〜3の部分がMR再生ヘツド
素子部、層3〜8の部分が記録ヘツド素子部を構成す
る。層9〜7を合わせた厚みは、浮上面付近で8〜10
μm程度である。層1,2,8の厚みは図1の場合と同
じである。本実施例では、記録再生素子部すなわち、シ
ールド・MR・シールド・インダクテイブを有する金属
材料で形成されたインダクテイブ・MR複合型薄膜磁気
ヘツドをはさみこむ保護膜部(保護膜2〜8の範囲)が
基板材スライダ部1より突き出しているヘツドである。
【0016】図1及び図2の実施例で、これら突き出し
量は、50nm以上であると、ごみやきず等が発生し易
くなつて浮上安定性が低下することが実験で確かめられ
たので、0+(0を越えた値)〜50nmにコントロー
ルする必要がある。この突出し量を得るために、例えば
保護膜部(下地膜2及び保護膜8)の硬さを基板材スラ
イダ部1よりも硬くすることで記録媒体対向面を研磨加
工にて仕上げる際の研磨加工性の差を利用することも可
能である。
【0017】図3は、この硬さの差を利用して突き出し
量を得る研磨加工方法を説明する加工時の状態の磁気ヘ
ツドの断面図である。図3で、31は右方の垂直回転軸
(図示せず)の回りに(紙面に垂直方向に)回転してい
る円盤状の研磨定盤である。薄膜磁気ヘツドスライダ
は、前記のようにブロツク単位で円形のラツプガイド
(図示せず)上にトランスフアツール(図示せず)を介
して取り付けられ、このラツプガイドは、同様に垂直軸
の回りに研磨定盤31の回転半径の1/2以下の回転半
径で回転される。これによつて、磁気ヘツドブロツクは
研磨定盤31上で水平面内で自転し、その浮上面は水平
面内のあらゆる方向に研磨されることになる。一般に薄
膜磁気ヘツドの浮上面の研磨は、回転している研磨定盤
31上にダイヤモンド等の微細な研磨砥粒32を滴下し
ながら行なわれる。この際に、従来のように基板材スラ
イダ部1aと保護膜2,8との硬さの差が(基板材>保
護膜)のような場合には、硬度差による研磨性の差から
基板材1と保護膜2,8間で保護膜2,8部が凹となる
方向に段差d1が生じてしまう。また、薄膜磁気ヘツド
素子に用いられる磁性体3及び7は金属材料であるた
め、磁性体3,7と保護膜2,8間では更に段差d5が
生じることは避けられない。これに対して、本実施例の
ように、保護膜2,8の硬度を基板材1よりも硬くした
場合、硬度差による研磨性の差は逆方向に作用し、段差
は基板材1からの突き出し量d2となる。このような薄
膜磁気ヘツドスライダを磁気デイスク記録媒体上で浮上
させた場合、記録媒体面に対して、スライダ部の流入側
が高く記録再生素子部を取り付けた流出側が低い状態で
斜めに浮上するが、そのときの浮上量は、主にスライダ
部により定まり、記録再生素子部が浮上量に与える影響
は小さい。つまり、図3で従来のヘツドスライダ部1a
でも本実施例のヘツドスライダ部1でも、スライダ部の
浮上面の記録媒体に対する浮上量はほぼ同一値とするこ
とができるので、記録再生素子部2〜8は、本実施例の
場合、従来例よりも記録媒体に接近させることができ
る。このようにして、基板を保護膜より硬くした従来技
術の場合の浮上ロス(すなわち段差d3)に対して、保
護膜を基板材よりも硬くした本実施例の場合は段差d4
の内の、保護膜と磁性体の間の段差d5だけが浮上ロス
となり、保護膜を基板材よりも硬くした場合の浮上ロス
は小さくすることができる。
【0018】図4は、保護膜と基板材の硬度差に対する
研磨加工後の突き出し量を実験により具体的に得た結果
を示す図である。例えば保護膜2,8の硬さを基板1よ
りもビツカース硬度Hv=200〜300程度硬くする
ことで保護膜が基板1より10〜20nm程度突き出す
ことを確認した。また、この突き出し量をほとんど0に
したい場合には、保護膜部と基板材スライダ部を同一の
材料で同一硬度のもので作成することにより可能とな
る。
【0019】突出し量が50nmを越えると、ごみが付
着しまたきずがつき易いので、50nm以下とする必要
がある。また、突出し量は少しでもあればよいが、従来
例に比べて浮上量を十分に小さくするためには、突出し
量を10nm以上とすれば更に効果的である。
【0020】突出し量は研磨の際の砥粒の大きさや研磨
定盤の回転速度でコントロールでき、粒子の粗い砥粒
程、回転速度が速い程、端の方から削られてしまつて段
部が付き難いため、段部を形成するためには粒子が細か
く回転速度が低い方がよい。
【0021】以上の実施例では、砥粒を使つた研磨定盤
を用いて、硬度差によりスライダと記録再生素子部との
間に浮上面段差を設ける方法を説明したが、記録再生素
子部をスライダ部よりも突出させる他の任意の研磨方法
を用いることもできる。
【0022】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、薄膜磁気ヘツドスライダにおいて記録再生素子部
の記録媒体対向面をスライダ部の記録媒体対向面よりも
0+〜50nm突出させた構成としたので、薄膜磁気ヘ
ツドの記録再生素子部の記録媒体面に対する浮上量を著
しく低減することができる結果、記録再生密度等の記録
再生特性を向上できると共に、耐摺動性が優れた薄膜磁
気ヘツドが得られるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のインダクテイブ型薄膜磁気
ヘツドスライダの断面図である。
【図2】本発明の他の実施例のインダクテイブ・MR複
合型薄膜磁気ヘツドスライダの断面図である。
【図3】薄膜磁気ヘツドの浮上面の研磨方法の説明図で
ある。
【図4】保護膜部(記録再生素子部)及びスライダ部間
の硬度差と突出し量との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 基板スライダ部 2 下地膜(第1の保護膜) 3 下部磁性膜 4 非磁性空隙膜 5 絶縁層 6 コイル 7 上部磁性膜 8 保護膜(第2の保護膜) 9 磁気シールド膜 10 保護膜 11 MR膜 31 研磨定盤 32 研磨砥粒

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁気ヘツドの浮上を受け持つスライダ部
    と、前記スライダ部の端面に設けられた記録再生素子部
    とからなる薄膜磁気ヘツドスライダにおいて、前記記録
    再生素子部の記録媒体対向面を前記スライダ部の記録媒
    体対向面よりも0+〜50nm突出させた構成としたこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘツドスライダ。
JP5910694A 1994-03-29 1994-03-29 薄膜磁気ヘツドスライダ Pending JPH07272214A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5910694A JPH07272214A (ja) 1994-03-29 1994-03-29 薄膜磁気ヘツドスライダ

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JP5910694A JPH07272214A (ja) 1994-03-29 1994-03-29 薄膜磁気ヘツドスライダ

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JPH07272214A true JPH07272214A (ja) 1995-10-20

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ID=13103739

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JP5910694A Pending JPH07272214A (ja) 1994-03-29 1994-03-29 薄膜磁気ヘツドスライダ

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