JPH07271045A - 高密着性レジスト - Google Patents
高密着性レジストInfo
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- JPH07271045A JPH07271045A JP6064768A JP6476894A JPH07271045A JP H07271045 A JPH07271045 A JP H07271045A JP 6064768 A JP6064768 A JP 6064768A JP 6476894 A JP6476894 A JP 6476894A JP H07271045 A JPH07271045 A JP H07271045A
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- photoresist
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡易かつ確実な方法でフォトレジストと基板表
面との接着性を改良すること。 【構成】シリル基などの加水分解基を含有する感光剤も
しくはマトリックス・ポリマーを用いて、これをエチル
セロソルブアセテートなどの溶剤に溶解させ、さらに増
感剤及び安定剤を添加し、フォトレジストとする。
面との接着性を改良すること。 【構成】シリル基などの加水分解基を含有する感光剤も
しくはマトリックス・ポリマーを用いて、これをエチル
セロソルブアセテートなどの溶剤に溶解させ、さらに増
感剤及び安定剤を添加し、フォトレジストとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路、液晶パ
ネル、薄膜ヘッドなどのフォトリソグラフィープロセス
に使用されるフォトレジストに関する。
ネル、薄膜ヘッドなどのフォトリソグラフィープロセス
に使用されるフォトレジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィープロセスは塗布、
露光、現像、エッチング等の工程から成る。塗布工程で
は、フォトレジストを基板に塗布し、薄膜を形成する。
基板表面が無機質の場合には、それのフォトレジストに
対する接着性を改良することが必要となる。通常、フォ
トレジストなどの有機マトリックスと反応する有機官能
基と、金属やガラスなどの無機質材表面に吸着している
水酸基（水）と反応する加水分解基との両者を構造体と
して有するシランカップリング剤が用いられる。塗布の
前処理として、ヘキサメチルジシラザン等のシランカッ
プリング剤溶液に基板を浸漬する等の方法により、表面
に吸着している水酸基とシリル基とを反応させ接着性を
向上させる。この反応に寄与するのは、シランカップリ
ング剤の珪素原子に結合している加水分解基である。処
理しない表面では、水酸基と有機マトリックスであるフ
ォトレジストとの結合は水素結合しかない。この場合の
結合力は０．１〜０．５eVと弱く現像時にフォトレジス
トが基板より剥離する主因となる。カップリング剤で処
理すると、その加水分解基は基板表面の水酸基と反応
し、配位結合となるので、その結合力は２〜１０eVと強
固になる。その結果、フォトレジストと基板との接着性
は向上することになる。この場合に、浸漬、滴下、蒸気
暴露いずれの方法においても基板表面における過剰のシ
リル基の存在は、逆に、フォトレジストのヌレ性を阻害
し、均一な薄膜の形成を妨げるという問題がおこる。ま
た浸漬または滴下または蒸気暴露後の乾燥処理が不充分
であると、同様の問題がおこる。
露光、現像、エッチング等の工程から成る。塗布工程で
は、フォトレジストを基板に塗布し、薄膜を形成する。
基板表面が無機質の場合には、それのフォトレジストに
対する接着性を改良することが必要となる。通常、フォ
トレジストなどの有機マトリックスと反応する有機官能
基と、金属やガラスなどの無機質材表面に吸着している
水酸基（水）と反応する加水分解基との両者を構造体と
して有するシランカップリング剤が用いられる。塗布の
前処理として、ヘキサメチルジシラザン等のシランカッ
プリング剤溶液に基板を浸漬する等の方法により、表面
に吸着している水酸基とシリル基とを反応させ接着性を
向上させる。この反応に寄与するのは、シランカップリ
ング剤の珪素原子に結合している加水分解基である。処
理しない表面では、水酸基と有機マトリックスであるフ
ォトレジストとの結合は水素結合しかない。この場合の
結合力は０．１〜０．５eVと弱く現像時にフォトレジス
トが基板より剥離する主因となる。カップリング剤で処
理すると、その加水分解基は基板表面の水酸基と反応
し、配位結合となるので、その結合力は２〜１０eVと強
固になる。その結果、フォトレジストと基板との接着性
は向上することになる。この場合に、浸漬、滴下、蒸気
暴露いずれの方法においても基板表面における過剰のシ
リル基の存在は、逆に、フォトレジストのヌレ性を阻害
し、均一な薄膜の形成を妨げるという問題がおこる。ま
た浸漬または滴下または蒸気暴露後の乾燥処理が不充分
であると、同様の問題がおこる。
【０００３】公知例としては、フォトポリマー・テクノ
ロジー（山岡亜夫編）、Ｐ６１３、１９８８、日刊工業
新聞社がある。
ロジー（山岡亜夫編）、Ｐ６１３、１９８８、日刊工業
新聞社がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板表面の材質に左右
されないで、かつ生産技術として、新たな装置を必要と
しない簡易な手段による、フォトレジストと基板表面と
の間の接着性の改良。
されないで、かつ生産技術として、新たな装置を必要と
しない簡易な手段による、フォトレジストと基板表面と
の間の接着性の改良。
【０００５】
【課題を解決するための手段】フォトレジストの成分で
ある、感光剤またはマトリックス・ポリマーにシリル基
などの加水分解基を含有する化合物を使用する。
ある、感光剤またはマトリックス・ポリマーにシリル基
などの加水分解基を含有する化合物を使用する。
【０００６】
【作用】従来の方法ではフォトレジストと基板との接着
性の改良はシランカップリング剤を介在させた、三者間
の反応であった。本発明によれば、フォトレジストと基
板との直接反応であるので、前述のようにシランカップ
リング剤の量によって、接着が影響をうけるということ
はない。また、塗布後行われる薄膜中の溶剤除去のため
の乾燥において、確実に加水分解基と水酸基とが反応し
強固な結合となるので、接着性の向上に作用する。
性の改良はシランカップリング剤を介在させた、三者間
の反応であった。本発明によれば、フォトレジストと基
板との直接反応であるので、前述のようにシランカップ
リング剤の量によって、接着が影響をうけるということ
はない。また、塗布後行われる薄膜中の溶剤除去のため
の乾燥において、確実に加水分解基と水酸基とが反応し
強固な結合となるので、接着性の向上に作用する。
【０００７】
（実施例１）図１を用いて述べる。フォトレジストの感
光剤として、トリメトキシシリル基: Si(OCH3)3を含有
するナフトキノンジアジドエステルを用いた。
光剤として、トリメトキシシリル基: Si(OCH3)3を含有
するナフトキノンジアジドエステルを用いた。
【０００８】（実施例２）図２を用いて述べる。フォト
レジストのマトリックス・ポリマーとして、トリメトキ
シシリル基: Si(OCH3)3を含有するポリ（Ｐ−トリメチ
ルシロキシスチレン）やクロロメチルポリスチレンを用
いた。
レジストのマトリックス・ポリマーとして、トリメトキ
シシリル基: Si(OCH3)3を含有するポリ（Ｐ−トリメチ
ルシロキシスチレン）やクロロメチルポリスチレンを用
いた。
【０００９】（実施例３）図３を用いて述べる。フォト
レジストのマトリックス・ポリマーとして、トリメトキ
シシリル基: Si(OCH3)3を含有するクレゾールノボラッ
ク樹脂を用いた。
レジストのマトリックス・ポリマーとして、トリメトキ
シシリル基: Si(OCH3)3を含有するクレゾールノボラッ
ク樹脂を用いた。
【００１０】（実施例４）図４を用いて述べる。１は基
板で、２はその基板表面に成膜させた金などの金属薄
膜。３はフォトレジストのマトリックス・ポリマーとし
て、トリメトキシシリル基: Si(OCH3)3を含有するクレ
ゾールノボラック樹脂を用い、これに感光剤としてナフ
トキノンジアジドエステルを加えエチルセロソルブアセ
テートに溶解させ、さらに安定剤を添加し、フォトレジ
ストとしたもの。塗布後の乾燥によって、２と３の界面
には強固な結合ができるので、現像時に剥離することは
ない。
板で、２はその基板表面に成膜させた金などの金属薄
膜。３はフォトレジストのマトリックス・ポリマーとし
て、トリメトキシシリル基: Si(OCH3)3を含有するクレ
ゾールノボラック樹脂を用い、これに感光剤としてナフ
トキノンジアジドエステルを加えエチルセロソルブアセ
テートに溶解させ、さらに安定剤を添加し、フォトレジ
ストとしたもの。塗布後の乾燥によって、２と３の界面
には強固な結合ができるので、現像時に剥離することは
ない。
【００１１】
【発明の効果】ヘキサメチルジシラザンなどのシランカ
ップリング剤による浸漬、滴下、蒸気暴露による方法に
比べ、安定した接着性の改良が得られる。また、新たに
装置や作業を付加する必要はない。
ップリング剤による浸漬、滴下、蒸気暴露による方法に
比べ、安定した接着性の改良が得られる。また、新たに
装置や作業を付加する必要はない。
【図１】本発明による実施例；フォトレジストの感光
剤。
剤。
【図２】本発明による実施例；フォトレジストのマトリ
ックス・ポリマー。
ックス・ポリマー。
【図３】本発明による実施例；フォトレジストのマトリ
ックス・ポリマー。
ックス・ポリマー。
【図４】本発明による実施例；薄膜ヘッドの製造に適用
した例。
した例。
【符号の説明】 Ｒ…-CH2や-CH2CH2-などの炭化水素基。
Claims (2)
- 【請求項１】トリメトキシシリル基またはトリエトキシ
シリル基などの珪素原子に結合している加水分解基を含
有する感光剤を用いたフォトレジスト。 - 【請求項２】トリメトキシシリル基またはトリエトキシ
シリル基などの珪素原子に結合している加水分解基を含
有するマトリックスポリマーを用いたフォトレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064768A JPH07271045A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 高密着性レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064768A JPH07271045A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 高密着性レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07271045A true JPH07271045A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13267711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6064768A Pending JPH07271045A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 高密着性レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07271045A (ja) |
-
1994
- 1994-04-01 JP JP6064768A patent/JPH07271045A/ja active Pending
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