JPH07267680A - 高透過率透明導電膜付きガラス - Google Patents
高透過率透明導電膜付きガラスInfo
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- JPH07267680A JPH07267680A JP8225494A JP8225494A JPH07267680A JP H07267680 A JPH07267680 A JP H07267680A JP 8225494 A JP8225494 A JP 8225494A JP 8225494 A JP8225494 A JP 8225494A JP H07267680 A JPH07267680 A JP H07267680A
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- conductive film
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- transparent conductive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】透明ガラス基板上に、屈折率１．７〜２．２、
膜厚０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を成膜したガ
ラスであって、０．５５μｍでの高い透過率を有する透
明導電膜付ガラスを提供する。 【構成】透明導電膜が成膜されている反対側のガラス面
に、屈折率１．２〜１．５の透明膜を０．０５〜０．２
５μｍガラス基板上に形成する。 【効果】該方法により、０．５５μｍでの透過率として
８９％以上の透明性に優れた透明導電膜付きガラスを作
成することが出来る。
膜厚０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を成膜したガ
ラスであって、０．５５μｍでの高い透過率を有する透
明導電膜付ガラスを提供する。 【構成】透明導電膜が成膜されている反対側のガラス面
に、屈折率１．２〜１．５の透明膜を０．０５〜０．２
５μｍガラス基板上に形成する。 【効果】該方法により、０．５５μｍでの透過率として
８９％以上の透明性に優れた透明導電膜付きガラスを作
成することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜の成膜方法に
関するものであり、特にタッチパネルの透明電極として
用いられる高抵抗で均一性に優れた、高透過率の透明導
電膜の成膜方法に関する。
関するものであり、特にタッチパネルの透明電極として
用いられる高抵抗で均一性に優れた、高透過率の透明導
電膜の成膜方法に関する。
【０００２】スズをドープした酸化インジウム膜（以
下、ＩＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜
（以下、ＦＴＯと称す）、アンチモンをドープした酸化
スズ膜（以下、ＡＴＯと称す）、アルミニウムをドープ
した酸化亜鉛膜、インジウムをドープした酸化亜鉛膜は
その優れた透明性と導電性を利用して、液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極、太陽電池の電極等に広く使用
されている。
下、ＩＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜
（以下、ＦＴＯと称す）、アンチモンをドープした酸化
スズ膜（以下、ＡＴＯと称す）、アルミニウムをドープ
した酸化亜鉛膜、インジウムをドープした酸化亜鉛膜は
その優れた透明性と導電性を利用して、液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極、太陽電池の電極等に広く使用
されている。
【０００３】この様に広い分野で使用されると、使用目
的によって抵抗値、透明度は種々のものが要求される。
すなわちフラットパネルディスプレイ用の透明導電膜で
は低抵抗、高透過率のものが要求されるが、タッチパネ
ル用の透明導電膜では逆に高抵抗、高透過率の膜が要求
される。特に最近開発されて市場の伸びが期待されるペ
ン入力タッチパネル用の導電膜は、位置の認識精度が高
くなくてはならないことから、シート抵抗が２００〜３
０００Ω／□といった高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優
れた膜であり、また、液晶ディスプレイの上に置くこと
から高透過率の膜であることが要求される。
的によって抵抗値、透明度は種々のものが要求される。
すなわちフラットパネルディスプレイ用の透明導電膜で
は低抵抗、高透過率のものが要求されるが、タッチパネ
ル用の透明導電膜では逆に高抵抗、高透過率の膜が要求
される。特に最近開発されて市場の伸びが期待されるペ
ン入力タッチパネル用の導電膜は、位置の認識精度が高
くなくてはならないことから、シート抵抗が２００〜３
０００Ω／□といった高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優
れた膜であり、また、液晶ディスプレイの上に置くこと
から高透過率の膜であることが要求される。
【０００４】特にタッチパネルの構造は、透明導電膜付
ガラスと透明導電膜付フィルムをスペーサーを介して向
かい合わせて周囲を張り合わせたもので、タッチパネル
の透過率はガラスとフィルムの透過率を掛けた値とな
る。タッチパネルとしての透過率を例えば８０％以上に
しようとすると、ガラス、フィルムそれぞれ９０％以上
の透過率にする必要があり、１％でも透過率が高いもの
が要求される。通常、高透過率を達成する方法は膜厚を
薄くすることであった。
ガラスと透明導電膜付フィルムをスペーサーを介して向
かい合わせて周囲を張り合わせたもので、タッチパネル
の透過率はガラスとフィルムの透過率を掛けた値とな
る。タッチパネルとしての透過率を例えば８０％以上に
しようとすると、ガラス、フィルムそれぞれ９０％以上
の透過率にする必要があり、１％でも透過率が高いもの
が要求される。通常、高透過率を達成する方法は膜厚を
薄くすることであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴ
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．９〜２．１）、透明導電膜表面と基
板ガラスとの界面での反射が大きくなり、可視光透過率
が低下する。
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．９〜２．１）、透明導電膜表面と基
板ガラスとの界面での反射が大きくなり、可視光透過率
が低下する。
【０００６】従って、高透過率の膜を得ようとする場合
は膜厚を薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感
知される０．５５μｍ波長で８５％の透過率を得ようと
すると膜厚は０．０３μｍ以下の膜厚にする必要があ
り、８９％の透過率の場合には膜厚を０．０２μｍ以下
の膜厚にする必要がある。更に９０％の透過率の場合に
は膜厚を０．０１μｍ程度まで薄くせねばならず、この
場合は膜厚を均一にコントロールするのは難かしく、均
一性は悪くなる傾向にある。
は膜厚を薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感
知される０．５５μｍ波長で８５％の透過率を得ようと
すると膜厚は０．０３μｍ以下の膜厚にする必要があ
り、８９％の透過率の場合には膜厚を０．０２μｍ以下
の膜厚にする必要がある。更に９０％の透過率の場合に
は膜厚を０．０１μｍ程度まで薄くせねばならず、この
場合は膜厚を均一にコントロールするのは難かしく、均
一性は悪くなる傾向にある。
【０００７】また、膜厚を０．０１μｍ程度まで薄くす
ると抵抗値の安定性が悪くなり、温度変化や湿度変化の
影響を受けやすく面内の抵抗値の均一性のみならず抵抗
値が変動するため導電膜の膜厚コントロールによる高透
過率化は望ましくない方法である。
ると抵抗値の安定性が悪くなり、温度変化や湿度変化の
影響を受けやすく面内の抵抗値の均一性のみならず抵抗
値が変動するため導電膜の膜厚コントロールによる高透
過率化は望ましくない方法である。
【０００８】逆に導電膜の膜厚を更に厚くしてゆくと、
膜表面での反射光と基板界面での反射光との干渉によっ
て０．５５μｍでの透過率が９０％程度に増加するが、
この場合の膜厚は約０．１５〜０．２μｍとなり、厚す
ぎるために２００Ω／□以下の抵抗値となり、タッチパ
ネル用には低すぎる抵抗となる。従って、タッチパネル
用導電膜の膜厚は０．０１〜０．０３μｍが実用的な範
囲であるといえる。この場合の０．５５μｍの透過率は
９０％〜８５％となる。
膜表面での反射光と基板界面での反射光との干渉によっ
て０．５５μｍでの透過率が９０％程度に増加するが、
この場合の膜厚は約０．１５〜０．２μｍとなり、厚す
ぎるために２００Ω／□以下の抵抗値となり、タッチパ
ネル用には低すぎる抵抗となる。従って、タッチパネル
用導電膜の膜厚は０．０１〜０．０３μｍが実用的な範
囲であるといえる。この場合の０．５５μｍの透過率は
９０％〜８５％となる。
【０００９】従来、液晶ディスプレー用透明導電膜をソ
ーダライムガラス基板に形成する場合、特にＩＴＯ膜や
ＡＴＯ膜、ＦＴＯ膜を形成する場合には、基板と導電膜
の間にソーダライムガラス基板からのナトリウムイオン
の拡散を抑制する目的で主に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）膜
を設けることが行われており、この方法によって液晶デ
ィスプレーの寿命が伸びることが知られている。
ーダライムガラス基板に形成する場合、特にＩＴＯ膜や
ＡＴＯ膜、ＦＴＯ膜を形成する場合には、基板と導電膜
の間にソーダライムガラス基板からのナトリウムイオン
の拡散を抑制する目的で主に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）膜
を設けることが行われており、この方法によって液晶デ
ィスプレーの寿命が伸びることが知られている。
【００１０】タッチパネル用基板にも主に安価なソーダ
ライムガラスが用いられ、導電膜をパターニングして使
用する場合には導電膜をエッチングした部分からのＮａ
イオンの拡散を防止する必要があるが、Ｎａイオンの拡
散を抑制する目的でのＳｉＯ2 膜の膜厚は、厚いほど抑
制効果が大きくなるので、０．０７μｍ以上の膜厚にす
るのが一般的であった。
ライムガラスが用いられ、導電膜をパターニングして使
用する場合には導電膜をエッチングした部分からのＮａ
イオンの拡散を防止する必要があるが、Ｎａイオンの拡
散を抑制する目的でのＳｉＯ2 膜の膜厚は、厚いほど抑
制効果が大きくなるので、０．０７μｍ以上の膜厚にす
るのが一般的であった。
【００１１】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、タッチパネル用の導電膜付きガラスとして、０．
５５μｍにおいて８９％以上の高透過率の透明導電膜を
成膜する方法を提供することを目的とする。
ので、タッチパネル用の導電膜付きガラスとして、０．
５５μｍにおいて８９％以上の高透過率の透明導電膜を
成膜する方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決する手段】本発明者らは、０．５５μｍに
おいて８９％以上の高透過率の透明導電膜を成膜せしめ
る方法について鋭意検討した結果、透明ガラス基板上に
屈折率１．７〜２．２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍ
の透明導電膜を有する透明導電膜付きガラスの裏面に、
屈折率１．２〜１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍ
の透明膜を形成すること、又は透明ガラス基板上に二酸
化珪素が０．０１〜０．１５μｍ形成され、その上に屈
折率１．７〜２．２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの
透明導電膜を有する透明導電膜付きガラスの裏面に、屈
折率１．２〜１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの
透明膜を形成することにより、高透過率の導電膜付きガ
ラスが得られることを見出した。即ち、透明導電膜が形
成されている反対側のガラス基板裏面に、ガラス基板よ
りも低屈折率膜を形成することにより透過率を増加する
ことが出来ることを見出し本発明を完成した。以下、本
発明を詳細に説明する。
おいて８９％以上の高透過率の透明導電膜を成膜せしめ
る方法について鋭意検討した結果、透明ガラス基板上に
屈折率１．７〜２．２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍ
の透明導電膜を有する透明導電膜付きガラスの裏面に、
屈折率１．２〜１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍ
の透明膜を形成すること、又は透明ガラス基板上に二酸
化珪素が０．０１〜０．１５μｍ形成され、その上に屈
折率１．７〜２．２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの
透明導電膜を有する透明導電膜付きガラスの裏面に、屈
折率１．２〜１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの
透明膜を形成することにより、高透過率の導電膜付きガ
ラスが得られることを見出した。即ち、透明導電膜が形
成されている反対側のガラス基板裏面に、ガラス基板よ
りも低屈折率膜を形成することにより透過率を増加する
ことが出来ることを見出し本発明を完成した。以下、本
発明を詳細に説明する。
【００１３】前述したように、シート抵抗が２００〜３
０００Ω／□の安定性の良い導電膜で実用的な膜厚は
０．０１〜０．０３μｍであり、この膜厚での透過率は
８５〜９０％（０．５５μｍ）となる。本発明は、透明
導電膜が形成されている反対側のガラス基板裏面に、ガ
ラス基板よりも低屈折率膜を形成することによりガラス
基板裏面での反射率を減少させ、透過率を増加する方法
である。
０００Ω／□の安定性の良い導電膜で実用的な膜厚は
０．０１〜０．０３μｍであり、この膜厚での透過率は
８５〜９０％（０．５５μｍ）となる。本発明は、透明
導電膜が形成されている反対側のガラス基板裏面に、ガ
ラス基板よりも低屈折率膜を形成することによりガラス
基板裏面での反射率を減少させ、透過率を増加する方法
である。
【００１４】本発明の基板上に形成される透明導電膜と
しては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、
ＩｎドープＺｎＯ等が用いられるが、本発明の範囲はこ
れに限定されるものではない。
しては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、
ＩｎドープＺｎＯ等が用いられるが、本発明の範囲はこ
れに限定されるものではない。
【００１５】また、タッチパネル用透明導電膜では、パ
ターニングする必要のない場合は基板からのＮａイオン
が膜表面まで拡散してきても特に問題は起きないため、
下地膜を成膜する必要はないが、パターニングする必要
がある場合は基板からのＮａイオンの拡散を防止するこ
とが望ましく、その場合は導電膜の下地膜としてＳｉＯ
2 膜を０．０１〜０．１５μｍ成膜することで目的を達
することが出来る。タッチパネルの組立工程では、液晶
ディスプレーの組立工程と異なり、２００℃以下の温度
条件で処理するために、Ｎａイオンの拡散量は少ないの
で液晶ディスプレー用ガラスの場合よりも薄い膜厚でも
構わない。
ターニングする必要のない場合は基板からのＮａイオン
が膜表面まで拡散してきても特に問題は起きないため、
下地膜を成膜する必要はないが、パターニングする必要
がある場合は基板からのＮａイオンの拡散を防止するこ
とが望ましく、その場合は導電膜の下地膜としてＳｉＯ
2 膜を０．０１〜０．１５μｍ成膜することで目的を達
することが出来る。タッチパネルの組立工程では、液晶
ディスプレーの組立工程と異なり、２００℃以下の温度
条件で処理するために、Ｎａイオンの拡散量は少ないの
で液晶ディスプレー用ガラスの場合よりも薄い膜厚でも
構わない。
【００１６】本発明のガラス基板裏面に形成されるｎ＝
１．２〜１．５の透明膜としては、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 の複合酸化物等の
膜が使用可能である。
１．２〜１．５の透明膜としては、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、ＳｉＯ2 とＴｉＯ2 の複合酸化物等の
膜が使用可能である。
【００１７】１．２〜１．５の屈折率膜を成膜する方法
としては、一般に知られている方法が採用される。即
ち、スパッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル
法、スプレー法、ディップ法等で所定の材料を所定の厚
さで積層成膜することで達成される。
としては、一般に知られている方法が採用される。即
ち、スパッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル
法、スプレー法、ディップ法等で所定の材料を所定の厚
さで積層成膜することで達成される。
【００１８】ガラス基板に低屈折率膜を形成した場合の
反射率は膜厚に依存して極小値を持ち、その時の膜厚は
λ／４ｎで与えられる。即ち、ｎ＝１．４，ｄ＝０．１
μｍの膜を形成すると０．５５μｍでの反射率は４％か
ら１．６％に減少する。更に低屈折率膜ｎ＝１．３，ｄ
＝０．１μｍの膜を形成すると反射率は０．３％にまで
減少し、その結果透過率が増加する。
反射率は膜厚に依存して極小値を持ち、その時の膜厚は
λ／４ｎで与えられる。即ち、ｎ＝１．４，ｄ＝０．１
μｍの膜を形成すると０．５５μｍでの反射率は４％か
ら１．６％に減少する。更に低屈折率膜ｎ＝１．３，ｄ
＝０．１μｍの膜を形成すると反射率は０．３％にまで
減少し、その結果透過率が増加する。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
【００２０】（実施例１）厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソ
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセット
し、４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2
Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波によ
り２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、１２分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．４５、膜厚０．１０μ
ｍのＳｉＯ2 膜であった。次いでガラス基板を裏返し、
引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ溶液（濃度は０．２５
ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 をＩｎに対して１０原子％添
加した溶液を超音波により２．５ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ
基板に導入し、２分間成膜した。その後成膜装置より取
り出し、空気中で冷却した。得られた膜はｎ＝１．９
５、膜厚０．０２２μｍのＩＴＯ結晶膜であった。この
膜のシート抵抗を９点測定したところ、平均５５０Ω／
□、比抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗の
均一性は±４５Ω／□以内であった。透過率は０．５５
μｍで９１．１％を示した。
ーダライムガラス（ｎ＝１．５２）を超音波霧化による
常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセット
し、４５０℃に加熱した。Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 のＣ2
Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波によ
り２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、１２分間
成膜した。得られた膜はｎ＝１．４５、膜厚０．１０μ
ｍのＳｉＯ2 膜であった。次いでガラス基板を裏返し、
引き続きＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ溶液（濃度は０．２５
ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 をＩｎに対して１０原子％添
加した溶液を超音波により２．５ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ
基板に導入し、２分間成膜した。その後成膜装置より取
り出し、空気中で冷却した。得られた膜はｎ＝１．９
５、膜厚０．０２２μｍのＩＴＯ結晶膜であった。この
膜のシート抵抗を９点測定したところ、平均５５０Ω／
□、比抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗の
均一性は±４５Ω／□以内であった。透過率は０．５５
μｍで９１．１％を示した。
【００２１】（実施例２）実施例１において基板を裏返
してＩＴＯ成膜する前に、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4のＣ2
Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波によ
り２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、５分間成
膜した以外は実施例１と同様の条件で成膜を行った。得
られた膜はｎ＝１．４５、膜厚０．０４μｍのＳｉＯ2
膜上にｎ＝１．９５、膜厚０．０２２μｍのＩＴＯ結晶
膜が成膜された２層膜であった。ＩＴＯ成膜後のシート
抵抗、比抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値を示
した。この膜の透過率は０．５５μｍで９２．９％であ
った。
してＩＴＯ成膜する前に、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4のＣ2
Ｈ5 ＯＨ溶液（濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ）を超音波によ
り２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、５分間成
膜した以外は実施例１と同様の条件で成膜を行った。得
られた膜はｎ＝１．４５、膜厚０．０４μｍのＳｉＯ2
膜上にｎ＝１．９５、膜厚０．０２２μｍのＩＴＯ結晶
膜が成膜された２層膜であった。ＩＴＯ成膜後のシート
抵抗、比抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値を示
した。この膜の透過率は０．５５μｍで９２．９％であ
った。
【００２２】（実施例３）実施例２において裏面膜の成
膜をＲＦスパッター法によりＭｇＦ2 をターゲットとし
て成膜した。スパッター条件はＲＦ出力１００Ｗ、圧力
０．５Ｐａ、基板温度１５０℃成膜時間８分で行った。
それ以外は実施例２と同様の条件で成膜を行った。得ら
れた裏面膜はｎ＝１．３５、膜厚＝０．１１μｍの非晶
質ＭｇＦ2膜であった。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比
抵抗、均一性は実施例２の膜と全く同じ値を示した。こ
の膜の透過率は０．５５μｍで９５．１％であった。
膜をＲＦスパッター法によりＭｇＦ2 をターゲットとし
て成膜した。スパッター条件はＲＦ出力１００Ｗ、圧力
０．５Ｐａ、基板温度１５０℃成膜時間８分で行った。
それ以外は実施例２と同様の条件で成膜を行った。得ら
れた裏面膜はｎ＝１．３５、膜厚＝０．１１μｍの非晶
質ＭｇＦ2膜であった。ＩＴＯ成膜後のシート抵抗、比
抵抗、均一性は実施例２の膜と全く同じ値を示した。こ
の膜の透過率は０．５５μｍで９５．１％であった。
【００２３】（比較例１）実施例１に示したパイロゾル
成膜装置を用いて、実施例１と同じ条件でＩＴＯ成膜の
みを行った。得られた膜のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は０．５５μｍで８７．８％であった。
成膜装置を用いて、実施例１と同じ条件でＩＴＯ成膜の
みを行った。得られた膜のシート抵抗、比抵抗、均一性
は実施例１の膜と全く同じ値を示した。この膜の透過率
は０．５５μｍで８７．８％であった。
【００２４】（比較例２）実施例２において裏面成膜を
行わずに、ＳｉＯ2 とＩＴＯ成膜を行った。得られた膜
のシート抵抗、比抵抗、均一性は実施例２の膜と全く同
じ値を示した。この膜の透過率は０．５５μｍで８９．
８％であった。
行わずに、ＳｉＯ2 とＩＴＯ成膜を行った。得られた膜
のシート抵抗、比抵抗、均一性は実施例２の膜と全く同
じ値を示した。この膜の透過率は０．５５μｍで８９．
８％であった。
【００２５】ガラス基板に直接ＩＴＯ成膜したもの（比
較例１）の試料の０．５５μｍでの透過率は８７．８％
であるが、ガラス基板裏面にｎ＝１．４５の低屈折率膜
を設けることで（実施例１〜３）９１％以上の透過率が
得られ、高透過率化の効果が大きいことが判る。この効
果は下地膜としてＳｉＯ2 膜を０．０４μｍ成膜した場
合（比較例２）にも顕著に高透過率化している（８９．
８→９２．９％）。
較例１）の試料の０．５５μｍでの透過率は８７．８％
であるが、ガラス基板裏面にｎ＝１．４５の低屈折率膜
を設けることで（実施例１〜３）９１％以上の透過率が
得られ、高透過率化の効果が大きいことが判る。この効
果は下地膜としてＳｉＯ2 膜を０．０４μｍ成膜した場
合（比較例２）にも顕著に高透過率化している（８９．
８→９２．９％）。
【００２６】
【発明の効果】透明ガラス基板上に屈折率１．７〜２．
２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を形成
してなる透明導電膜付きガラスの裏面に屈折率１．２〜
１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの透明膜を形成
することにより、所期の目的とする０．５５μｍでの透
過率が、８９％以上の透明性に優れた透明導電膜付きガ
ラスを作成することが出来る。
２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を形成
してなる透明導電膜付きガラスの裏面に屈折率１．２〜
１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの透明膜を形成
することにより、所期の目的とする０．５５μｍでの透
過率が、８９％以上の透明性に優れた透明導電膜付きガ
ラスを作成することが出来る。
Claims (8)
- 【請求項１】透明ガラス基板上に屈折率１．７〜２．２
で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を有する
透明導電膜付きガラスの裏面に、屈折率１．２〜１．５
で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの透明膜を有すること
を特徴とする透明導電膜付きガラス。 - 【請求項２】透明ガラス基板上に二酸化珪素膜が０．０
１〜０．１５μｍ形成され、その上に屈折率１．７〜
２．２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を
有する透明導電膜付きガラスの裏面に、屈折率１．２〜
１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの透明膜を有す
ることを特徴とする透明導電膜付きガラス。 - 【請求項３】透明導電膜のシート抵抗値が、２００〜３
０００Ω／□であることを特徴とする請求項１記載の透
明導電膜付きガラス。 - 【請求項４】可視光波長０．５５μｍにおける透過率が
８９％以上であることを特徴とする請求項１記載の透明
導電膜付きガラス。 - 【請求項５】透明導電膜付ガラスがタッチパネルに使用
されることを特徴とする請求項１〜請求項３記載の透明
導電膜付きガラス。 - 【請求項６】裏面の膜が二酸化珪素を５０重量％以上含
有する膜である請求項１〜請求項３記載の透明導電膜付
きガラス。 - 【請求項７】透明ガラス基板上に透明導電膜を形成して
なる透明導電膜付きガラスの裏面に、屈折率１．２〜
１．５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの透明膜を形成
することを特徴とする透明導電膜付きガラスの成膜方
法。 - 【請求項８】透明ガラス基板上に二酸化珪素が０．０１
〜０．１５μｍ形成され、その上に屈折率１．７〜２．
２で膜厚が０．０１〜０．０３μｍの透明導電膜を有す
る透明導電膜付きガラスの裏面に、屈折率１．２〜１．
５で膜厚が０．０５〜０．２５μｍの透明膜を形成する
ことを特徴とする透明導電膜付きガラスの成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225494A JPH07267680A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 高透過率透明導電膜付きガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225494A JPH07267680A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 高透過率透明導電膜付きガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07267680A true JPH07267680A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13769314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8225494A Pending JPH07267680A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 高透過率透明導電膜付きガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07267680A (ja) |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP8225494A patent/JPH07267680A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040614 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041018 |